集成電路與微電子的發展

❶ 集成電路產業的集成電路發展簡史

1947年：貝爾實驗室肖特萊等人發明了晶體管，這是微電子技術發展中第一個里程碑；集成電路
1950年：結型晶體管誕生；1950年： R Ohl和肖特萊發明了離子注入工藝；1951年：場效應晶體管發明；1956年：C S Fuller發明了擴散工藝；1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數月分別發明了集成電路，開創了世界微電子學的歷史；1960年：H H Loor和E Castellani發明了光刻工藝；1962年：美國RCA公司研製出MOS場效應晶體管；1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術，今天，95%以上的集成電路晶元都是基於CMOS工藝；1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預測晶體管集成度將會每18個月增加1倍；1966年：美國RCA公司研製出CMOS集成電路，並研製出第一塊門陣列（50門）；1967年：應用材料公司（Applied Materials）成立，現已成為全球最大的半導體設備製造公司；1971年：Intel推出1kb動態隨機存儲器（DRAM），標志著大規模集成電路出現；1971年：全球第一個微處理器4004由Intel公司推出，採用的是MOS工藝，這是一個里程碑式的發明；1974年：RCA公司推出第一個CMOS微處理器1802；1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問世；1978年：64kb動態隨機存儲器誕生，不足0.5平方厘米的矽片上集成了14萬個晶體管，標志著超大規模集成電路（VLSI）時代的來臨；1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之後，IBM基於8088推出全球第一台PC；1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世；1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM；1985年：80386微處理器問世，20MHz；1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的矽片上集成有3500萬個晶體管，標志著進入超大規模集成電路（VLSI）階段；1989年：1Mb DRAM進入市場；1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，後來50MHz晶元採用 0.8μm工藝；1992年：64M位隨機存儲器問世；1993年：66MHz奔騰處理器推出，採用0.6μm工藝；1995年：Pentium Pro, 133MHz，採用0.6-0.35μm工藝；集成電路
1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世，採用0.25μm工藝；1999年：奔騰Ⅲ問世，450MHz，採用0.25μm工藝，後採用0.18μm工藝；2000年：1Gb RAM投放市場；2000年：奔騰4問世，1.5GHz，採用0.18μm工藝；2001年：Intel宣布2001年下半年採用0.13μm工藝。2003年：奔騰4 E系列推出，採用90nm工藝。2005年：intel 酷睿2系列上市，採用65nm工藝。2007年：基於全新45納米High-K工藝的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。2009年：intel酷睿i系列全新推出，創紀錄採用了領先的32納米工藝，並且下一代22納米工藝正在研發。 (ball grid array)球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式製作出球形凸點用 以代替引集成電路
腳，在印刷基板的正面裝配LSI 晶元，然後用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360 引腳 BGA 僅為31mm 見方；而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP為40mm 見方。而且BGA 不 用擔心QFP 那樣的引腳變形問題。該封裝是美國Motorola 公司開發的，首先在攜帶型電話等設備中被採用，今後在美國有 可 能在個人計算機中普及。最初，BGA 的引腳(凸點)中心距為1.5mm，引腳數為225。也有一些LSI 廠家正在開發500 引腳的BGA。BGA 的問題是迴流焊後的外觀檢查。尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為，由於焊接的中心距較大，連接可以看作是穩定的，只能通過功能檢查來處理。 美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC(見OMPAC 和GPAC)。 表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用於封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗 口的集成電路
Cerquad 用於封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好，在自然空冷條件下可容許1. 5～ 2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 高3～5 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多種規格。引腳數從32 到368。帶引腳的陶瓷晶元載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形 。 帶有窗口的用於封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機電路等。此封裝也稱為 QFJ、QFJ－G(見QFJ)。 (al tape carrier package)雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳製作在絕緣帶上並從封裝兩側引出。由於 利 用的是集成電路
TAB(自動帶載焊接)技術，封裝外形非常薄。常用於液晶顯示驅動LSI，但多數為 定製品。 另外，0.5mm 厚的存儲器LSI 簿形封裝正處於開發階段。在日本，按照EIAJ(日本電子機 械工 業)會標准規定，將DICP 命名為DTP。 (surface mount type)表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的 底面有陳列集成電路
狀的引腳，其長度從1.5mm 到2.0mm。貼裝採用與印刷基板碰焊的方法，因而 也稱 為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型PGA 小一半，所以封裝本體可製作得 不 怎麼大，而引腳數比插裝型多(250～528)，是大規模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有 多層陶 瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材製作封裝已經實用化。 (pin grid array)陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都 采 用多層陶集成電路
瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數為陶瓷PGA，用於高速大規模 邏輯 LSI 電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從64 到447 左右。 了為降低成本，封裝基材可用玻璃環氧樹脂印刷基板代替。也有64～256 引腳的塑料PG A。 另外，還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊PGA)。(見表面貼裝 型PGA)。 (quad flat non-leaded package)四側無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。現在多稱為LCC。QFN 是日本電子機械工業 會規定的集成電路
名稱。封裝四側配置有電極觸點，由於無引腳，貼裝佔有面積比QFP 小，高度 比QFP 低。但是，當印刷基板與封裝之間產生應力時，在電極接觸處就不能得到緩解。因此電 極觸點 難於作到QFP 的引腳那樣多，一般從14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料兩種。當有LCC 標記時基本上都是陶瓷QFN。電極觸點中心距1.27mm。塑料QFN 是以玻璃環氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點中心距除1.27mm 外， 還有0.65mm 和0.5mm 兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。 (Small Outline Package(Wide-Jype))寬體SOP。部分半導體廠家採用的名稱。

❷ 集成電路的發展趨勢如何微電子技術會達到極限嗎

集電在中國發展空間還很大，他的創造性還是很大的，比軟體大。微電子技術的確快到極限了，但是取而代之的還有納電子技術，量子效應，薄膜技術，有機電路等都是後續，所以說還沒到盡頭

❸ 微電子和集成電路哪個好就業

個人認為微電子更好就業一些，微電子學，從基礎的半導體物理出發，構造出半導體單個器件，然後將器件連接起來，接上電源，形成電路，當器件數量越來越龐大，且器件和電路是被一起製造時，這就形成了所謂的集成，也就是產生了集成電路。

集成電路的發展方向，大部分是在電路設計，粗分有數字和模擬兩大塊，細分還有更細節的前後端，以及模擬延伸到高頻的射頻電路等等。而范疇更廣的微電子，除了上面集成電路之外，還有器件，工藝，MEMS，CAD，EDA等等領域可以深入發展

❹ 微電子技術有哪些發展過程

隨著晶體管應用的日益廣泛，特別是製造工藝的發展，科學家們不由得想到：為什麼不把組成電路的元器件和連線都像製造晶體管那樣，集中在一塊矽片上來實現電路的微型化呢？經過近十年的努力，這個天才想法才得以實現。1958年，大規模集成電路、超大規模集成電路相繼問世，性能更強成本更低。這無疑引起了計算機技術的巨大變革。計算機的心臟——中央處理器和其他電路的高度集成化，使計算機小型化、微型化成為現實。「埃妮婭卡」房間大小的內部系統，採用集成電路後。就變得像一張撲克牌那麼小。晶體管和集成電路，「都是微電子技術發展的結果，和傳統電子技術相比，微電子技術立足於電子設備和系統的微型化。這是一門從60年代以來新興的技術學科，它兼有精妙的理論和誘人的實用前景，研究起來極具挑戰性。大批優秀的年輕人加入到這一領域，許多商家也被這一領域內不可估量的市場前景所吸引，將巨資投入到這一領域。兩者的結合實現了幾十年來微電子技術的飛速發展。

微電子技術的發展，使計算機真正成為人類歷史的傳奇。隨著計算機處理能力的加強和工業造價的一再下降，電腦這「昔時王謝堂前燕」，如今也「飛入尋常百姓家」，個人電腦出現了，功能也開始擺脫單一的數值計算。在辦公、教育、娛樂等多方面表現出威力。

今天，微電子技術幾乎影響了所有的電子產品，而不僅僅是電腦。我們日常生活中的電視機、電話機、微波爐、音響、電子玩具、游戲機等，裡面都有集成電路和微處理晶元。就電視機而言，一小塊集成電路就取代了傳統的由大量分立元件組成的功能電路，成本大大下降，功能卻大大增強，因為微電子數字調諧技術，使電視機可以對多達100個頻道任選，且提高了圖像和聲音的保真度。

由於微電子技術的迅速發展，以計算機技術為核心的現代信息技術群逐步形成，使工業生產與管理、通信郵電、教育、醫療等等方面都產生了變革，成為既代表國家現代化水平，又與人民生活息息相關的一項高新技術。

❺ 集成電路的發展前景是什麼微電子技術會發展到盡頭嗎

前景就是越來越小，集成度越來越高，應用越來越廣泛。
至於盡頭，我想我們是趕不上了。

❻ 微電子行業國內發展前景怎樣

摘要 微電子技術是隨著集成電路，尤其是超大型規模集成電路而發展起來的一門新的技術。微電子產業是基礎性產業，之所以發展得如此之快，除了技術本身對國民經濟的巨大貢獻之外，還與它極強的滲透性有關。另外，現代戰爭將是以集成電路為關鍵技術、以電子戰和信息戰為特點的高技術戰爭。

❼ 集成電路的發展趨勢如何微電子技術為達到極限嗎

虵有一篇論文，你可以看看，對提高姿勢水平很有幫助

❽ 集成電路是怎樣發展起來的

現在人們公認抄，世界上最早襲的集成電路，是1958年美國物理學家基爾比和諾伊斯兩人各自獨立研究發明的。他們兩人同時被推崇為微電子學的創始人。

早在第二次世界大戰期間，就有人把油墨狀的電阻材料與鍍銀金屬片設法印在陶瓷基片上，做成電阻和連接線的組合體。印刷電路工藝的發展及晶體管的發明，為集成電路的發明做了必要的技術准備。

20世紀50年代以來，宇航工業、通信產業和計算機產業的迅速發展，迫切需要各種性能穩定、能實現更加復雜功能的半導體器件，而且還希望這種器件越小巧越好。1957年，前蘇聯第一顆人造地球衛星的發射，促使美國軍方加快了實現電子器件微型化的步伐。

通信工程師們設想把一些晶體管及元件以新的形式組合成一種更復雜的線路，而不是簡單地拼湊在一起，這種線路稱為集成電路。從外形看來，它們就是小小的矽片，因此人們也稱它們為晶元。至今，在各種通信設備、計算機及各種電器設備中，處處都可以見到這種晶元。

❾ 誰知道有關現代微電子技術的發展史

簡述微電子技術的發展：
70年代中期以後，出現了以微電子技術為核心的新興技術群。以微電子技術為基礎的信息技術是新技術革命的主導技術和主要標志。它開辟了人類歷史上的新時代——信息時代。今天，信息技術已滲透到社會生產和生活的一切領域，並產生了巨大而深遠的影響。信息產業正逐步取代傳統工業而躍居主導地位。從某種意義上說，人類社會己進入了信息時代。
新技術革命又稱現代技術革命，也有人將它稱為繼蒸汽機、電力之後的第三次技術革命。它產生於本世紀40 年代中期，
70年代，光纖通信進入實用階段。以微電子技術、電子計算機、激光、光纖通信、衛星通信和遙感技術為主要內容的信息技術成為新技術革命的先導技術。微電子技術是信息技術的基礎。信息技術是新技術革命的核心技術之一。
微電子技術是採用微細加工工藝，在微小的半導體結構內製成微型電子線路或系統的技術。它是伴隨集成電路技術而發展起來的一門新技術。微電子技術的形成引起電子設備和系統的設計、工藝、封裝等方面的巨大變革。它最突出的成就是微處理器。
1947年底，美國貝爾實驗室研製成了世界上第一個晶體管，微電子技術開始萌芽。50 年代末期，集成電路出現了。這一發明的功績應屬於美國得克薩斯儀器公司的基爾比和仙童公司研究與開發部的諾伊斯。
1962年，美國無線電公司的霍夫斯坦和海曼研製出金屬氧化物半導體場效應管。它的集成度高，功耗低，可靠性好，工藝簡單，但存在工作速度較慢、要求不同工作電壓、易氧化等缺點。60 年代後期。製造MOS 電路的技術更加成熟，一些障礙被突破，MOS 電路才獲得巨大發展。1967年，仙童公司生產出世界上第一個只讀存貯器。它是一個 64 位 MOS 器件。1969 年，美國的英特爾公司製成了4 位的 4004 微處理機，採用了 P 溝道 MOS 工藝。1972年，該公司開發了計算機上使用的 MOS 結構 1024 位動態隨機存貯器。1975年，他們又推出了4096位動態隨機存貯器。這時，使用幾片集成電路片子已能組裝成一台微型計算機。
目前，微電子技術發展方興未艾。各國政府對它極為重視。70年代，在日本政府扶植和資助下，日本5 家公司組成 「超大規模集成電路技術研究組合」，通過共同研究取得很大成功。美國半導體製造技術聯合體，進行了 1987—1993 年的合作研究。西歐實施了歐洲聯合亞微米硅計劃，時間從 1989 年到 1996 年。中國引進的3 微米技術生產線已於 1990 年投產， 「1微米兆位計劃」已列為國家重點發展項目。
新技術革命又稱現代技術革命，也有人將它稱為繼蒸汽機、電力之後的第三次技術革命。它產生於本世紀40 年代中期，伴隨著當代科學技術的形成而發展起來，擴展到科學技術的各個領域。它首先在西方發達資本主義國家興起，逐步向其他國家和地區輻射，直至席捲全球。以微電子技術為基礎的信息技術是新技術革命的主導技術和主要標志。它開辟了人類歷史上的新時代——信息時代。
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