晶振電路電容

Ⅰ 晶振等效電路怎麼來的等效電路中為什麼要並聯一個電容

因為無源晶振的兩端到PCB上的走線，在高頻下不再視為一個阻抗為0的通道，是帶有容性的，所以晶振的等效電路是帶有電容的。另外，無源晶振的正常工作條件是對負載有要求的，一般為幾十個PF，一般在實際運用中，會在晶振兩端並聯對地電容用於調試

Ⅱ 單片機晶振電路中接在晶振旁的兩個電容的作用是什麼

單片機晶振電路中接在晶振旁的兩個電容叫負載電容，它的作用是負載頻率不同決定振盪器的振盪頻率不同。標稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。

晶體振盪器是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡稱為晶片），石英晶體諧振器，簡稱為石英晶體或晶體、晶振；而在封裝內部添加IC組成振盪電路的晶體元件稱為晶體振盪器。其產品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。

(2)晶振電路電容擴展閱讀：

晶振在應用具體起到的作用，微控制器的時鍾源可以分為兩類：基於機械諧振器件的時鍾源，如晶振、陶瓷諧振槽路；RC（電阻、電容）振盪器。一種是皮爾斯振盪器配置，適用於晶振和陶瓷諧振槽路。另一種為簡單的分立RC振盪器。基於晶振與陶瓷諧振槽路的振盪器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數。

RC振盪器能夠快速啟動，成本也比較低，但通常在整個溫度和工作電源電壓范圍內精度較差，會在標稱輸出頻率的5%至50%范圍內變化。但其性能受環境條件和電路元件選擇的影響。需認真對待振盪器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時，陶瓷諧振槽路和相應的負載電容必須根據特定的邏輯系列進行優化。具有高Q值的晶振對放大器的選擇並不敏感，但在過驅動時很容易產生頻率漂移（甚至可能損壞）。

Ⅲ 一般的電路里晶振旁邊都接了兩個電容，是起什麼作用的求解答

有人說是
負載電容
，是用來糾正晶體的振盪頻率用的；有人說是啟振電容；有人說起諧振作用的。
泰河
電子劉工給大家分析：
電容與內部電路共同組成一定頻率的振盪，這個電容是硬連接，固定頻率能力很強，其他頻率的干擾就很難進來了。
講的通俗易懂一點，用一個曾經聽過的笑話來比喻，大概意思就是本飛機被我劫持了，其他劫持者等下次吧。這個電容就是本次劫機者。
晶振
電路其實是個電容
三點式振盪電路
，輸出是正玄波晶體等效於電感，加兩個槽路分壓電容，輸入端的電容越小，
正反饋
量越大。負載電容每個晶振都會有的參數，例如穩定度是多少PPM，部分人會稱之為頻差，單位都是PPM，負載電容是多少PF等。當晶振接到震盪電路上
在震盪電路所引入的電容不符合晶振的負載電容的容量要求時
震盪電路所出的頻率就會和晶振所標的頻率不同
再舉例說明
一個4.0000MHz
+-20PPM
負載電容是
16PF
的晶振
當負載電容是10PF時
震盪電路所出的頻率就可能會是4.0003MHz
當負載電容是20PF時
震盪電路所出的頻率就可能會是3.9997MHz
在一些對頻率精度要求高的電路上如PLL的基準等。。。就是並多個
可調電容
來微調頻率的

Ⅳ 請問單片機晶振電路中兩個電容的作用是什麼

單片機晶振電路中兩個電容（負載電容）的作用是把電能轉換成其他形式的能。如果沒這兩個電容的話，振盪部分會因為沒有迴路而停振。電路不能正常工作了。

負載頻率不同決定振盪器的振盪頻率不同。標稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。因為石英晶體振盪器有兩個諧振頻率，一個是串聯揩振晶振的低負載電容晶振：另一個為並聯揩振晶振的高負載電容晶振。

所以，標稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負載電容一致，不能冒然互換，否則會造成電器工作不正常。

電動機能把電能轉換成機械能，電阻能把電能轉換成熱能，電燈泡能把電能轉換成熱能和光能，揚聲器能把電能轉換成聲能。電動機、電阻、電燈泡、揚聲器等都叫做負載。

晶體三極體對於前面的信號源來說，也可以看作是負載。對負載最基本的要求是阻抗匹配和所能承受的功率。

(4)晶振電路電容擴展閱讀

單片機能正常工作的必要條件之一就是時鍾電路，所以單片機就很需要晶振。通過一定的外接電路來，可以生成頻率和峰值穩定的正弦波。

而單片機在運行的時候，需要一個脈沖信號，做為自己執行指令的觸發信號，可以簡單的想像為：單片機收到一個脈沖，就執行一次或多次指令。

單片機工作時，是一條一條地從RoM中取指令，然後一步一步地執行。單片機訪問一次存儲器的時間，稱之為一個機器周期，這是一個時間基準。

—個機器周期包括12個時鍾周期。如果一個單片機選擇了12兆赫茲晶振，它的時鍾周期是1/12us，它的一個機器周期是12×（1/12）us，也就是1us。

晶振是給單片機提供工作信號脈沖的。這個脈沖就是單片機的工作速度。比如12兆晶振。單片機工作速度就是每秒12兆。單片機內部也有晶振。接外部晶振可以或得更穩定的頻率。

Ⅳ 單片機的晶振電路中晶振的負載電容可以是獨石電容嗎

C1與C1(加上元件引腳的輸入電容)組成諧振電路的負載電容，C1,C1一般取22pF～30pF。
獨石電容廣泛應用於電子精密儀器。各種小型電子設備作諧振、耦合、濾波、旁路。
容量范圍：10pF~10μF，單片機晶振負載電容可以用獨石電容，
我使用的STAR-MA280
單片機開發板的晶振電容就是30pF獨石電容。

Ⅵ 晶振要配多大的電容比較合適

這要根據晶振的規格和電路中的因素來確定,同是16MHZ的晶體諧振器,其負載電容值有可能不一樣,如10PF,20PF.....負載電容值是在其生產加工過程中確定的,無法進行改變.購買晶振時應該能得到准確的規格書.
晶振在電路中使用時,應滿足CL=C+CS.
CL為規格書中晶振的負載電容值,
C為電路中外接的電容值(一般由兩顆電容通過串並聯關系得到),
CS為電路的分布電容,這和電路的設計,元器件分布等因素有關,值不確定,一般為3到5PF.所以根據以上公式就可以大概推算出應該使用的電容值,而且這一電容值可以使晶振工作在其標稱頻率附近.

Ⅶ 晶振旁邊接的兩個電容是起什麼作用

晶振旁邊接的兩個電容，作用是負載頻率不同決定振盪器的振盪頻率不同。標稱頻率相同的晶專振，負載電屬容不一定相同。

普通單片機的晶體振盪器在並聯諧振狀態下工作，這也可以理解為諧振電容器的一部分。 根據晶體製造商提供的晶體負載要求進行選擇。 換句話說，晶體的頻率是在其提供的負載電容下測量的，這可以確保頻率值的最大誤差。

同時，還可以保證溫度漂移等錯誤。 兩個電容器的值相同，或者相差不大，如果相位差太大，則容易引起共振不平衡，容易停止振動或根本不振動。

(7)晶振電路電容擴展閱讀：

晶體振盪器在應用中起特定作用。微控制器的時鍾源可分為兩類：基於機械諧振設備的時鍾源，例如晶體振盪器和陶瓷諧振器； RC（電阻，電容）振盪器。一種是Pierce振盪器配置，適用於晶體和陶瓷諧振儲能電路。

另一個是簡單的分立RC振盪器。基於晶體和陶瓷諧振迴路的振盪器通常提供非常高的初始精度和較低的溫度系數。RC振盪器可以快速啟動，並且成本相對較低，但是在整個溫度和工作電源電壓范圍（通常為標稱輸出頻率的5％至50％）范圍內，精度通常很差。

Ⅷ 晶振電容作用是什麼

有人說是負載電容，是用來糾正晶體的振盪頻率用的；有人說是啟振電容；有人說起諧振作用的。泰河電子劉工給大家分析：
電容與內部電路共同組成一定頻率的振盪，這個電容是硬連接，固定頻率能力很強，其他頻率的干擾就很難進來了。
講的通俗易懂一點，用一個曾經聽過的笑話來比喻，大概意思就是本飛機被我劫持了，其他劫持者等下次吧。這個電容就是本次劫機者。
晶振電路其實是個電容三點式振盪電路，輸出是正玄波晶體等效於電感，加兩個槽路分壓電容，輸入端的電容越小，正反饋量越大。負載電容每個晶振都會有的參數，例如穩定度是多少PPM，部分人會稱之為頻差，單位都是PPM，負載電容是多少PF等。當晶振接到震盪電路上 在震盪電路所引入的電容不符合晶振的負載電容的容量要求時 震盪電路所出的頻率就會和晶振所標的頻率不同
再舉例說明
一個4.0000MHz +-20PPM 負載電容是16PF 的晶振
當負載電容是10PF時 震盪電路所出的頻率就可能會是4.0003MHz
當負載電容是20PF時 震盪電路所出的頻率就可能會是3.9997MHz
在一些對頻率精度要求高的電路上如PLL的基準等。。。就是並多個可調電容來微調頻率的
如果對頻率精度要求不高就用固定電容就行了
晶振負載電容一般有2種接法 1 並聯在晶振上 2 串聯在晶振上
第2種比較常用 2個腳都接一個電容對交流地
記得採納哦~

Ⅸ 為什麼晶振兩端要外接兩個電容呢

這兩個電容叫晶振的負載電容，分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，一般在幾十皮發。它會影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度，也是使振盪頻率更穩定。

實際上就是電容三點式電路的分壓電容, 接地點就是分壓點。 以接地點即分壓點為參考點, 振盪引腳的輸入和輸出是反相的。

當兩個電容量相等時, 反饋系數是 0.5, 一般是可以滿足振盪條件的, 但如果不易起振或振盪不穩定可以減小輸入端對地電容量, 而增加輸出端的值以提高反饋量。

(9)晶振電路電容擴展閱讀：

晶振的功能作用：

晶振在應用具體起到的作用，微控制器的時鍾源可以分為兩類：基於機械諧振器件的時鍾源，如晶振、陶瓷諧振槽路；RC（電阻、電容）振盪器。一種是皮爾斯振盪器配置，適用於晶振和陶瓷諧振槽路。另一種為簡單的分立RC振盪器。

基於晶振與陶瓷諧振槽路的振盪器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數。RC振盪器能夠快速啟動，成本也比較低，但通常在整個溫度和工作電源電壓范圍內精度較差，會在標稱輸出頻率的5%至50%范圍內變化。但其性能受環境條件和電路元件選擇的影響。

需認真對待振盪器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時，陶瓷諧振槽路和相應的負載電容必須根據特定的邏輯系列進行優化。具有高Q值的晶振對放大器的選擇並不敏感，但在過驅動時很容易產生頻率漂移（甚至可能損壞）。

影響振盪器工作的環境因素有：電磁干擾（EMI）、機械震動與沖擊、濕度和溫度。這些因素會增大輸出頻率的變化，增加不穩定性，並且在有些情況下，還會造成振盪器停振。上述大部分問題都可以通過使用振盪器模塊避免。

這些模塊自帶振盪器、提供低阻方波輸出，並且能夠在一定條件下保證運行。最常用的兩種類型是晶振模塊和集成RC振盪器（硅振盪器）。晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。硅振盪器的精度要比分立RC振盪器高，多數情況下能夠提供與陶瓷諧振槽路相當的精度。

選擇振盪器時還需要考慮功耗。分立振盪器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。

在4MHz、5V電源下工作時，相當於1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容，整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容，相應地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。

硅振盪器的電源電流取決於其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。一種低功率的硅振盪器，如MAX7375，工作在4MHz時只需不到2mA的電流。在特定的應用場合優化時鍾源需要綜合考慮以下一些因素：精度、成本、功耗以及環境需求。

Ⅹ 晶振電路中的兩個小電容要怎樣選取

晶振起振後的頻率准確與否,和選取的C1,C2是否與晶振規格要求的負載電容要求相吻合有直接關系,計算公式如下:CL=C1*C2/(C1+C2)+5pF;算出的CL值要與晶振規格要求的負載電容盡量接近才能獲得晶振的標稱頻率的振盪頻率.
一般電容的計算公式是：
兩邊電容為Cg,Cd,
負載電容為Cl
cl=cg*cd/(cg+cd)+a
就是說負載電容15pf的話，兩邊個接27pf的差不多了，一般a為6.5～13.5pF