峰值吸收電路

㈠ 開關電源輸出端尖峰吸收電路出問題對開關管有什麼影響

尖峰吸收電路的應用的目的是這樣的；

為了防止開關管被峰值電壓擊穿，通常可以採用的方法有如下兩種： 一是減小漏感，二是通過設計RCD 緩沖電路吸收很高的電壓尖峰能量。

因此，如果尖峰吸收電路失效，會導致開關管承受高電壓，嚴重的話就會燒毀開關管。

㈡ 看到一個二極體加電容的峰值保持電路，請教一下，其中的電容值怎麼算

電容量的選擇和多個因素相關，包括需要保持的時間、信號源的輸出阻抗、負載的輸入阻抗等。

㈢ 尖峰吸收電路是什麼意思啊

開關電源中在開關管截止的瞬間，會在開關變壓器初級感應出一個反向高回脈沖電壓，容易損壞開關管答。為此在變壓器初級並聯一個由高壓電容和快恢復二極體組成的脈沖吸收迴路，給這個反向高脈沖電壓提供一個放點通路，保護開關管。這個迴路就叫尖峰吸收迴路。

㈣ 開關電源中的RCD峰值吸收迴路的工作原理是怎樣的

若開關斷開，蓄積在寄生電感中能量通過開關的寄生電容充電，開關電壓上升。其電壓上升到吸收電容的電壓時，吸收二極體導通，開關電壓被吸收二極體所嵌位，約為1V左右。寄生電感中蓄積的能量也對吸收電容充電。開關接通期間，吸收電容通過電阻放電。

㈤ 場效應管 尖峰吸收迴路設計問題

1. 功率是 1/2(Lleak*Ipeak^2*(Vsnub/(Vsnub-N*Vout))) *F（Hz）。
2. 鉗位電壓一般選擇為反射電壓的1.4倍左右

選取電阻和電容時，應內先估算幾容個參量，匝比，初級峰值電流，鉗位電壓，另外有些參數不可忽略如次級整流管壓降，變壓器二次側漏感（尤其匝比比較大的時候）。有了這些參數之後，基本可以計算電阻了，P=V^2/R即可，選擇一個紋波電壓值Vr，如選為鉗位電壓的10%，C=I*T/Vr即可。
初步選定後，整機再做調整，即可得到合適的參數。離線式的反激電源，100K左右的頻率，最終的參數一般電阻為幾十千歐，電容為幾納法，否則計算的一定不合理或設計的不合理。

㈥ RCD吸收電路中R上消耗的功率如何計算請高人指點！

P=1/2(Lleak*Ipeak^2*(Vsnub/(Vsnub-N*Vout)))
上式中：Lleak-漏感
Ipeak-初級峰值電流
Vsnub-期望的鉗位電壓（一般為反射電壓N*Vout的2-2.5倍）
N-匝比（初級比次級）
Vout-輸出電壓（要加上管壓降）
細節可參考 飛兆半導體官網中的application note，裡面有關於此方面的文章，介紹的較為詳細。（註：英文，但簡單易懂）

㈦ 尖峰吸收電路的原理是什麼

在圖中所示的電路中。

尖峰吸收電路

在開關管VT截止的瞬間，其集電極上產生的反峰專值電壓屬經C1、R1構成充電迴路，充電電流使尖峰電壓被控制在一定范圍內，以免開關管被擊穿。當C1充電結束後，C1通過開關變壓器T的初級繞組、300V濾波電容、地、R1構成放電迴路。因此，當R1取值小時，雖然利2.對尖峰電壓的吸收，但增大了開關管的開啟損耗；當R1取值大時，雖然降低了開關管的開啟損耗，但降低了對尖峰電壓的吸收。

㈧ 大神解釋一下這個吸收電路作用

1. RCD尖峰吸收電路
2. 吸收高頻變壓器線圈產生的電動勢

㈨ RCD吸收電路的RCD吸收電路的設計

一﹑首先對mos管的VD進行分段：
Ⅰ，輸入的直流電壓VDC；
Ⅱ，次級反射初級的VOR；
Ⅲ，主MOS管VD餘量VDS；
Ⅳ，RCD吸收有效電壓VRCD1。
二﹑對於以上主MOS管VD的幾部分進行計算：
Ⅰ，輸入的直流電壓VDC。
在計算VDC時，是依最高輸入電壓值為准。如寬電壓應選擇AC265V，即DC375V。
VDC=VAC *√2
Ⅱ，次級反射初級的VOR。
VOR是依在次級輸出最高電壓,整流二極體壓降最大時計算的，如輸出電壓為：5.0V±5%（依Vo =5.25V計算），二極體VF為0.525V（此值是在1N5822的資料中查找額定電流下VF值）．
VOR=(VF+Vo)*Np/Ns
Ⅲ，主MOS管VD的餘量VDS．
VDS是依MOS管VD的10%為最小值．如KA05H0165R的VD=650應選擇DC65V．
VDS=VD* 10%
Ⅳ，RCD吸收VRCD．
MOS管的VD減去Ⅰ，Ⅲ三項就剩下VRCD的最大值。實際選取的VRCD應為最大值的90%（這里主要是考慮到開關電源各個元件的分散性，溫度漂移和時間飄移等因素得影響）。
VRCD=(VD-VDC -VDS)*90%
注意：
① VRCD是計算出理論值，再通過實驗進行調整，使得實際值與理論值相吻合．
② VRCD必須大於VOR的1.3倍．（如果小於1.3倍，則主MOS管的VD值選擇就太低了）
③ MOS管VD應當小於VDC的2倍．（如果大於2倍，則主MOS管的VD值就過大了）
④ 如果VRCD的實測值小於VOR的1.2倍，那麼RCD吸收迴路就影響電源效率。
⑤ VRCD是由VRCD1和VOR組成的
Ⅴ，RC時間常數τ確定．
τ是依開關電源工作頻率而定的，一般選擇10~20個開關電源周期。
三﹑試驗調整VRCD值
首先假設一個RC參數，R=100K/RJ15, C=10nF/1KV。再上市電，應遵循先低壓後高壓，再由輕載到重載的原則。在試驗時應當嚴密注視RC元件上的電壓值，務必使VRCD小於計算值。 如發現到達計算值，就應當立即斷電，待將R值減小後，重復以上試驗。（RC元件上的電壓值是用示波器觀察的，示波器的地接到輸入電解電容「+」極的RC一 點上，測試點接到RC另一點上）
一個合適的RC值應當在最高輸入電壓，最重的電源負載下，VRCD的試驗值等於理論計算值。
四﹑試驗中值得注意的現象
輸入電網電壓越低VRCD就越高，負載越重VRCD也越高。那麼在最低輸入電壓，重負載時VRCD的試驗值如果大於以上理論計算的VRCD值，是否和（三）的內容相矛盾哪？一點都不矛盾，理論值是在最高輸入電壓時的計算結果，而現在是低輸入電壓。
重負載是指開關電源可能達到的最大負載。主要是通過試驗測得開關電源的極限功率。
RCD吸收電路與RC電路的比較
採用RC、RCD吸收電路也可以對變壓器消磁，這時就不必另設變壓器繞組與二極體組成的去磁電路。變壓器的勵磁能量都在吸收電阻中消耗掉。RC與RCD吸收電路不僅消耗變壓器漏感中蓄積的能量，而 且也消耗變壓器勵磁能量，因此降低了變換器變換效率。RCD吸收電路是通過二極體對開關電壓嵌位，效果比RC好，它也可以採用較大電阻，能量損耗也比RC 小。
RCD吸收電路的影響
1.RCD電容C偏大
電容端電壓上升很慢，因此導致mos 管電壓上升較慢，導致mos管關斷至次級導通的間隔時間過長，變壓器能量傳遞過程較慢，相當一部分初級勵磁電感能量消耗在RC電路上 。
2.RCD電容C特別大（導致電壓無法上升至次級反射電壓）
電容電壓很小，電壓峰值小於次級的反射電壓，因此次級不能導通，導致初級能量全部消耗在RCD電路中的電阻上，因此次級電壓下降後達成新的平衡，理論計算無效了，輸出電壓降低。
3.RCD電阻電容乘積R×C偏小
電壓上沖後，電容上儲存的能量很小，因此電壓很快下降至次級反射電壓，電阻將消耗初級勵磁電感能量，直至mos管開通後，電阻才緩慢釋放電容能量，由於RC較小，因此可能出現震盪，就像沒有加RCD電路一樣。
4.RCD電阻電容乘積R×C合理，C偏小
如果參數選擇合理，mos管開通前，電容上的電壓接近次級反射電壓，此時電容能量泄放完畢，缺點是此時電壓尖峰比較高，電容和mos管應力都很大
5.RCD電阻電容乘積R×C合理，R，C都合適
在上面的情況下，加大電容，可以降低電壓峰值，調節電阻後，使mos管開通之前，電容始終在釋放能量，與上面的最大不同，還是在於讓電容始終存有一定的能量。

㈩ 開關電源中的RCD尖峰吸收電路電容耐壓選多大合適，選200V的可以嗎

開關抄電源中的RCD尖峰吸收電路電容上電壓是脈沖波形，其峰值一般為供電電壓的2-3倍左右。一般在220V供電的開關電源中，整流後直流電壓約為310V，因此，反峰電壓約為650-900V。此時RCD尖峰吸收電路電容的耐壓應選1KV。所以選用200V是不行的。