集成電路弱點

❶ 靜電問題

靜電對電腦的影響

昨天挺朋友說自己的電腦因靜電原因導致顯示屏等工作不正常，還導致害怕心理，下面就簡單的說一些有關靜電方面的知識供大家參考！

一、無處不在的靜電

物質由原子組成的，原子中有不帶電的中子、帶正電的質子和帶負電的電子。正常狀況下，一個原子的質子數與電子數量相同，正負 平衡，所以對外表現出不帶電的特徵。但是，當兩個物體相互摩擦時，產生的熱量提升了電子能級，使不活潑的電子變成很容易逃逸的活潑電 子，這樣的電子很快就會從一個物體轉移到另一個物體中去，使兩個本來處於中性的物體變成為帶電的物體，這就是我們耳熟能詳的「摩擦生 電」現象。摩擦生電過程中，電子轉移的數量和轉移的速度，不僅與材料的性能差異有關，也與現場溫度和濕度有關。秋冬季節，由於空氣濕 度降低，分子間的黏滯力減小，運動速度加快，就很容易產生靜電。我們在地板上走動、旋轉轉椅、開關抽屜、拿取紙筆、移動滑鼠等動作都 會產生靜電，使我們身體和衣服上充滿靜電。

上面談到的都是摩擦生電，除此之外，用電設備中還有「感應生電」和「容性生電」等靜電成因。設備、電路、金屬與非金屬結構之間 即使不發生接觸，也會通過上述兩種方式產生靜電。

物體間的靜電感應現象即便未直接接觸也會發生：CRT顯示器屏幕作為一個感應源，也會在靠近它的人體上感應出靜電，讓使用者面部 布滿灰塵；兩根平行導線之間因為存在寄生電容，睜皮喚也會在彼此間轉移電荷。

二、ESD是電腦的無形殺悉凱手

在我們的周圍環境甚至我們的身上都會帶有不同程度的靜電，當它積累到一定程度時就會發生放電。ESD過程是處於不同電勢的物體之 間的靜電電荷轉移過程，其強烈程度受電量大小及物體間距的影響。自然界的雷電是強對流氣候握仔下典型的ESD現象，瞬間所釋放的巨大能 量，能將雷電所經過的空氣電離，使空氣變成阻值很低的導電通道，形成極強的電流和高溫，其破壞力不可小覬。

日常生活中的ESD現象頻繁地發生著，雖然沒有大自然中的雷電那麼強烈，但也會有火花式放電，不僅伴有「噼叭」聲響，還會閃閃發光。寒冷乾燥的冬夜裡，關掉燈脫毛衣時就能真切地感受到這一現象。研究表明，當電壓大於8000V時可以看到ESD發出的光亮，當電壓大於6000V時可以聽到ESD的放電聲；當電壓大於3000V時可以感覺到有ESD發生；而當靜電電壓低於3000V時，也會發生ESD過程，只是我們感覺不到。也就是說，很多ESD過程是在我們未察覺的情況下，悄無聲息地進行著。

ESD對電腦的損害，其嚴重程度與靜電電壓高低和能量大小有關。如果能量較小，則只能將元件擊穿，電壓消失後，器件性能仍能恢復到原始狀態。如果能量較大，在擊穿後接著形成大電流對元件形成永久性損害，如晶體管元件結電阻降低、漏電流增大，薄膜電阻器局部介質擊穿而發生阻值漂移等。ESD的危害有一定偶然性，不見得每一次都造成元件徹底報廢，多數情況下僅表現為穩定性降低。對於靜電給電子元器件造成的種種「內傷」，人們往往認為是元器件老化，而沒有想到是ESD的危害。筆者經歷過許多電腦故障，根本查不出損壞原因，現在想來估計與ESD有關。

ESD損害的嚴重程度還與元件對靜電的敏感度有關。如今電腦里的CPU、存儲器晶元和主板上的南橋、北橋等超大規模集成電路廣泛採用 CMOS(復合金屬氧化物半導體)材料，CMOS器件具有集成度高、成本低、速度快、能耗低的優點，因此使用范圍很廣。然而，CMOS器件的一個致 命的弱點是靜電敏感度高，很容易被ESD擊穿。

ESD是電腦故障的罪魁禍首

隨著晶元工藝的進步，晶元的速度和功能都得以提升，但晶元卻變得更加脆弱。集成度的提高使得器件尺寸越來越小，器件之間的連線 寬度越來越窄，鈍化層越來越薄，這些因素都會使晶元對ESD的敏感性增加。一個不太高的ESD電壓就能將晶體管擊穿，一個不太大的ESD電流就 能將連線熔斷。晶元損壞後，我們從外觀上絲毫看不出有什麼變化，但利用FESEM儀器卻可以看清電路熔斷的情形
這種晶元內部的損傷，用肉眼是無法看到的。 ESD對電腦的破壞作用具有隱蔽性、潛在性、隨機性和復雜性的特點，當我們在接觸電腦 板卡和晶元時，不管是電腦上有靜電，還是我們身體上有靜電，ESD都有可能發生在接觸的瞬間，可謂防不勝防。來自Intel的資料表明，在引 起電腦故障的諸多因素中，EOS/ESD是最大的隱患，將近一半的電腦故障都是由EOS/ESD引起的。EOS是Electrical Over Stress(電氣過應力)的縮寫，是過電壓或過電流的總稱，ESD屬於EOS中的一種。

三、設計和製造中的防靜電措施

晶元製造工藝按摩爾定律不斷進步，低電壓、微功耗、高集成度技術給我們帶來更新的產品，而ESD對電腦的危害性也隨之增長，可以 說ESD對摩爾定律繼續有效將會是一個障礙，這是業界不願看到但又不得不面對的嚴重問題。在電子行業中，防靜電技術已經成為一個熱門技術 ，防靜電產品的研發和製造已經發展為一個獨立的產業。

ESD防護是一個系統工程，在設計和製造階段，可從三個方面著手：一是要防止電腦本身因產生強靜電感應而自我損傷，如增加屏蔽和 隔離措施、通過增大PCB接地面積改善電荷泄漏通路等；二是要選擇ESD特性好的晶元，不同廠家的同一種晶元性能也會有所不同，在晶元說明 中一般都會提及；三是增設ESD保護電路，抵禦外來靜電。

1.晶元的防靜電設計

隨著晶元速度的提高，為了縮短引腳長度而減少信號串擾，CPU等超大規模IC晶元的封裝越來越多地採用倒裝晶元(flip chip)，倒裝 晶元通常面積較大，而厚度很薄，這樣晶元自身成了一個巨大的電容器，使得晶元可能攜帶大量靜電電荷Q(=C×V)。

其次，CPU、GPU及北橋晶元上的金屬蓋以及散熱片，是個惹是生非的禍根。諾大的金屬體無異於一個靜電接收天線，極易吸附晶元周圍 的電場，以及晶元附近導線上的電荷，對晶元安全構成威脅。

綜合上述兩種不利因素，晶元的防靜電設計主要從下面兩個途徑實現，一是採用緊密型設計技術，盡可能縮小IC核心和I/O的尺寸，以 降低寄生電容；二是採用分割器件設計的後端鎮流(BEB)、整合的鎮流電路(MBC)版圖設計以及多觸點電路設計(MFT)等，各放電通道形成相互並 聯的網路，使得晶元總體等效電阻值很小，放電能力很強。

2.整機的屏蔽與接地設計

在電腦生產車間，地板、製造設備、測試儀器、晶元周轉箱、庫房等均為防靜電設計，就連操作者也要身穿防靜電服、戴上防靜電手 套。但是，電腦在應用過程中，ESD還是有許多的可乘之機。為了避免感應靜電的危害，需要對整機進行屏蔽和接地。

電腦的金屬機箱是屏蔽靜電的重要措施，良好的接地措施可使電腦受靜電危害的幾率大大降低。機箱中的主板、介面卡，軟碟機、硬碟、 光碟機等設備，以及包裹在信號線外面的金屬屏蔽網，均通過機箱連接成一個整體，然後再通過電源地線接入大地，這樣不僅可以消除外來的感 應靜電，也可以消除設備自身所產生的摩擦靜電。

當然，前提是各部件之間應該接觸良好。所以，為保證部件充分接觸，機箱上設置有各種彈 性觸點或彈性接觸片
3.介面電路中植入ESD保護器

晶元是最容易被ESD損壞的器件，因此成為電腦中的重點保護對象。而介面電路位於板卡電路的外圍，是抵禦ESD的一道防線。在電腦 的各個介面處接入ESD防護器件，使靜電在防護器件上釋放掉，可避免靜電向電路板的縱深區域侵入。

介面電路中最簡易的防靜電措施是：在線路中串聯一個低阻值的電阻，以限制ESD的電流，或在信號線與地線之間接入一個小電容，給 ESD電流提供通路。不過這些措施會對信號產生衰減和延遲，不利於信號傳輸。近幾年生產的主板中，在鍵盤、滑鼠的PS/2介面以及RS－232C串 口和IEEE 1284A並口等低速埠中，多採用內嵌防靜電功能的數據收發晶元。介面晶元中內嵌的ESD保護電路，是利用寄生電路實現的。當ESD作用時，寄生電路被觸發，泄放ESD電流或箝位ESD電壓，達到保護目的。

對於高速的USB和IEEE 1394熱插拔介面，因為引腳較少，通常接入TVS(Transient Voltage Suppresser，瞬態電壓抑制器)和 MLV(Multi-Layer Varistor，多層變阻器)等新型ESD保護器。TVS器件內通常含有若干個TVS二極體、具有多路保護作用的微型貼片元件，常見的封裝形式有 SOT23和SC-70兩種，最新產品有Semtech公司的MicroClamp TVS，Microsemi公司的USB50403C等。TVS能夠迅速地將ESD故障電流放電到接地端，而且其漏電流和結電容都很低，響應時間也很短(1ns左右 )，是高速數據通路中理想的選擇，在電腦主板及各種USB設備中獲得廣泛應用。

ESD保護器雖然有多種類型，但每一種都具有「自恢復」特性，都應經得住多次放電的考驗。俗話說，千里之堤，潰於蟻穴。在電腦設 計和製造過程中，從EMC設計到元器件篩選，從流片焊接到整機裝配，不管哪個環節出了問題，都會帶來防靜電性能的缺陷。因此，樣機設計階 段要利用好ESD測試這個查漏手段，及時發現設計漏洞，電腦整機進入包裝箱前，也應按照相關標准嚴格測試，防止把問題產品銷售出去。本文 開頭提到的i865主板連續燒毀南橋晶元的質量事故，如果主板製造商進行過ESD測試，這種糟糕的事情大概就可以避免了。

四、使用與維護中的防範措施

靜電是電腦的無形殺手，即便有了完善的技術措施，ESD還是有可乘之機。那麼，用戶在電腦的使用和維護、維護過程中又應該注意哪 些問題呢？其實，最重要的是培養防範意識，採取正確的防範措施。

1、電腦機殼需要可靠接地。對於機箱的屏蔽和接地，應該注意兩點：

●機箱各部分應保持良好的接觸，否則未連接到大地的部分將失去屏蔽作用；
●近年來新建的樓房通常都有符合規范的地線，電路施工時一定要按照配電規范，將火線、零線和地線分別接入插座的正確位置。如果 建築物有地線，就需要自製簡易地線，用一根金屬導線將機箱外殼與室內的自來水管連接起來即可。需要說明的是，那種將導線一端連接機箱 金屬外殼，而另一端隨便扔在地上的方法是不可取的，因為完全沒有達到接地的目的。

2、北方地區在秋冬季節應使用加濕器，保持室內空氣的一定濕度，防止靜電在設備、傢具和身體上大量積累。

3、在運輸和儲存過程中要將電腦整機或零部件置於靜電屏蔽袋或導電搬運箱內進行運輸，防止集成電路晶元被靜電擊穿。其實在購買電 腦配件時，大多數PCB裸露在外的硬體都是裝在防靜電袋中的，而這些防靜電袋最好妥善保管起來，以便日後再次使用。

4、使用或維護過程中觸及電腦內任何電路時，規范的做法是戴上防靜電腕套。不過，對於廣大的普通用戶而言，可以先碰一下電 腦機箱金屬機殼以釋放身體上的靜電(前提是電路確實已經接地，否則達不到釋放靜電的作用)。如果無法確認電路是否接地，那麼也可以採用 碰觸自來水管的方法釋放靜電。

另外，我們平時插拔USB或IEEE 1394設備時，也應該按照第4點提出的方法預先釋放身體上的靜電，減少因靜電而損壞設備和配件的幾 率。

❷ 斷供EDA軟體，對中國半導體產業來說意味著什麼

斷供EDA軟體對於我國的半導體產業來說，並不是一個好消息， 這意味著我國的半導體產業將會面臨著更大壓力。我們要加快產業升級的速度，加強自身技術能力，爭取早日能夠自我研發出高端軟體，減少對於他國的依賴。沒有先進的EDA，就沒有高端的晶元，晶元產業對於高科技有基礎性作用，說明我國產業還有諸多弱點。

3.意味著我國要加大對弱勢企業的補貼，要以科研為中心，進行大型國產eda 軟體開發

我們想要應對這種情況就只能建立以科研院為中心，由國家統一立項的院士團隊，已經沒有時間等待，只豎州能直接進行國產E D A軟體的開發。民間資本將會支持一大部分，等研發出來成果將會由研發單位跟民間資本共享。而且要加快技術成果向商業轉化。讓強勢企業來支持科研，培養一個高端的國產晶元彎纖御廠商。

❸ 做集成電路工作需要電工證嗎

不需要，集成電路屬於弱點類，電工證是強電類工作要的證件，

❹ 什麼是硅(Si)半導體集成電路

分類: 教育/學業/考試 >> 學習幫助
問題描述:

好象是現在的一種新技術,到底是怎麼回事兒呢?他相比以前的電路有什麼優缺點?

解析:

就是利用光刻，實現在一小塊硅上面完如拆成幾個幾十個甚至億萬個二極體三極體等等。它主要用在鉛謹弱點方面，在強電上和大功率大電流上，還是需要獨立大功率的元器件支持，例如大功率電容，大電流的三極體和電阻，等等槐橡基。

❺ 國產晶元與美國晶元的差距在哪兒，最快多久才能趕超

不要老是盯著光刻機，國產芯和美國芯的真正差距還是在專利和標准上！

許多人認為中國的晶元製造工藝不行，的確目前國產的光刻機只能達到90nm的精確度，國內最好的晶元代工廠中芯國際的工藝水平也只在28nm-14nm之間。但是晶元廠商完全可以找技術先進的代工廠，例如華為的麒麟970和蘋果手機的晶元都是讓台積電代工。從晶元製造環節本身來說，晶元製造屬於產業鏈的下游，中國和美國都是外包的。

但是在上游的專利和枝茄賀標准上，由於 歷史 原因（計算機是美國人發明的、集成電路行業也是發源於美國），基本上都掌握在美國以及它的盟友手上。例如Intel 在x86 框架指令集中就有著大量的專利作為自己的專利壁壘，其他國家如果沒有專利授權的話去研發一款能運行Windows的自主CPU是絕無可能的。

同樣在移動晶元領域中，ARM也占據了專利的上風。ARM本身不生產晶元，只是設計晶元的架構，靠著技術授權給其他半導體製造商就可以數錢數到手抽筋。

另外說晶元的發展，不得不提的就是操作系統。即使是繞過了專利搞出了一套新的晶元技術，性能還領先，但是沒有操作系統的支持的話依然是沒有用武之地，這就是為什麼當年Windows+Intel聯盟所向披靡的原因。中國前幾年研發的自主CPU龍芯，其實性能已經達到了能用的程度，但是沒有操作系統的配合，只能跑跑Linux，終究不能成為主流。

中國目前發展晶元的機遇在一些還沒有制定標準的專用晶元領域，例如人工智慧晶元等。另外，世界也是在不斷變化中，現在占據領先不代表永遠不會被趕超，微軟和ARM的合作就試圖挑戰Intel的地位，中國目前也得到了x86架構的授權正在不斷追趕。

最快多久才能趕超？有生之年肯定看得到！

這個問題問得好。

國產晶元落後了多少，從一些事件就能看出。

同樣是前段時間，網上流傳著紫光的內存條，一開始的DDR3大家說這是奇夢達當年倒閉時前的最後作品，後來的DDR4被證明用的是海力士的顆粒。而紫光自己到底有沒有能力生產出內存顆粒一直是個迷。有的說下半年紫光就能生產出自己的DDR4顆粒，但目前來看紫光高層有波動，能否如期完工還是個問號。

然後就要說說我們Al晶元的驕傲寒武紀了。這個晶元商商很奇怪，他們的官網沒有任何性能介紹，要知道就算是挖礦用的礦機晶元和頂級的FPGA晶元也都有性能介紹。而衡量Al晶元性能的參數就是半精度計算和深度計算能力，這些參數很普通，根本不是什麼機密，那麼他們為何不展示呢？

最後，我們的代工業務，中芯國際的核心業務是28nm工藝，14nm正在研製。而英特爾在2009年就成功操作出了同級別的32nm工藝。

我想從這幾件事就能看出，我們落後人家至少十年！至於趕超，現在我們要什麼沒什麼，難道要用口號去趕超？如果真能靜下心來，十幾年的差距也不是那麼容易趕上的。我想等到二十一世紀中葉，我們應該能趕上去。

目前來看，國產晶元與美國晶元的差距到底在哪猛派兒，我們最快要多久才能趕超呢？

一、近年中國晶元產業進步有目共睹，可與美國納纖的差距到底有多大呢？

看完現狀，我們再看追趕速度。根據美國官方組織統計的美國上市公司數據，美國晶元上市公司2019年的研發投入和資本支出總計717億美元，從1999年到2019年，美國晶元上市公司整體資金總投入將近9000億美元，而我們的國家大基金一期二期加起來也就3000億人民幣，差了一個數量級。

近年來，中國晶元產業的進步是有目共睹的，我們已經從中低端解決了有無問題，國產CPU已在國內獲得應用機會，未來將在此基礎上，不斷迭代、不斷升級，從有到好。

二、參觀日韓晶元產業發展，我們是在沒顯著優勢的情況下，就被美國打壓了

回顧 歷史 ，上世紀五六十年代，晶元是美國的天下，其實是沒有日本韓國什麼地位的，日本開始重視民族企業的發展，索尼，松下等企業才迅速發展。到了70年代末，日本晶元實力大大提高，能和美國扳手腕那種，同時以質量好，價格低的優勢把美國產業打得落花流水。

同時，韓國三星在90年代發展起來，有韓國政府和美國的扶持，90年代末就超過日本美國，不過1997年亞洲金融危機，美國購買大量三星股票，佔有量超50%。雖美國不直接干預三星內部事務，但三星大部分利潤是被美國賺去了。可以說，三星就是美國的高級"打工仔"，被美國控制住了。

講了這么多 歷史 ，我們可以看出：

結論就是：中國半導體是在沒有建立顯著優勢的情況下，就被美國狠狠打壓了，這一點與韓日不同，這意味著我們必須打破高聳的技術壁壘，前路艱難險阻啊。

三、最後，中國晶元產業什麼時候能超過美國？這是個偽命題

如今看來，中國晶元產業並不是要超過誰，而是要滿足誰。搞清楚這個問題，是晶元產業發展的核心問題；晶元產業不是奧林匹克競賽，看誰的晶元技術好，發個金銀銅鐵獎牌；那滿足誰？滿足中國日益增長的晶元需求。

可是，面對這種巨大規模市場，晶元產能轉移到中國，是未來十年的趨勢，會有反復，但不會回頭；沒有人能夠對抗不了經濟運行的規律，只能順勢而為，不是逆勢而行；中國的晶元行業是汪洋大海，不是小池塘，海納百川，水大魚大。

最後的話：所謂的晶元領先，絕對不單單是設備，更是其產業鏈

我們一定要明白一個道理：所謂的領先，絕對不單單是設備，更是其產業鏈；美國打擊的也不僅僅是某一家，而是全部的產業鏈！曾經有位大佬畫了一個圖來解釋在半導體產業鏈上我們與美國之間的巨大差距，看看這個圖感覺挺好的。

差距有多大呢?

最近這兩年我們大國崛起的聲音越來越多，城市化水平越來越高，人均GDP越來越多。尤其是移動互聯網，更是有了移動支付、共享單車這種走在前沿的創新，許多人都產生了一種錯覺，中國 科技 突飛猛進終於可以吊打一切了。

但是， 事實是中國在國防技術相關的商業航空器、半導體、生物機器、特種化工和系統軟體等核心技術領域，和美國差距在10年以上。 找點例子，大家感受一下。

來點手機行業的例子感受一下。

手機上常用的大猩猩玻璃的前身是康寧公司在20世紀60年代生產的，具防彈功能的特種玻璃。

Iphone里使用的Siri是美國國防部先進研究項目局2003年投資的CALO計劃。

中國國產手機里的操作系統都是谷歌的安卓操作系統。

很多中國國產產品每年都要向 思科、高通、西門子、諾基亞等很多公司繳納專利費。 尤其是高通公司，每一個智能手機都要向高通繳納專利費，要知道高通是3/4G領域的奠基者，在全球通信領域具有壟斷地位，也因壟斷被發改委罰款60億人民幣。

華為 的麒麟970，技術架構是來自英國的ARM公司（現在是日本的）。晶元是台灣生產的，中國大陸沒有生產能力 。

隨便說點計算機領域的

計算機的核心--cpu，目前民用的只有兩家intel和AMD ，遺憾的都是美國的， 由cpu引申出來的計算機主板晶元大多數也是這兩家。你計算機里用的硬碟大多數都是美國的。 製作顯卡晶元的目前兩家最大----AMD和英偉達 ，他們也是美國的。

中國的BAT雖然是世界級的軟體公司，但是主營業務不是賣廣告就是搞 游戲 。

我們看一下美國的IT巨頭都在干什麼？蘋果，當年自己開發了CPU和硬體晶元對抗Intel，自己做操作系統對抗微軟和谷歌，然後自己攢手機賣，就掙得比世界其他IT公司都多；谷歌，雖然跟網路一樣發小廣告，但是人家並購並發展了youtube和安卓系統，搞無人駕駛 汽車 ，搞人工智慧打敗了圍棋世界冠軍，和NASA創辦奇點大學；微軟，雖然操作系統做的越來越爛，但微軟在基礎的軟體編程平台、資料庫、圖像識別技術及各項開源軟體都作出了傑出的貢獻。亞馬遜一家的雲平台就占據了世界市場的50%。

而相比之下， 中國沒有世界級的國產資料庫，沒有世界級的編程語言 。甲骨文給中國政府、如銀行電信電力石油等央企提供一套資料庫，便宜的幾十萬元，貴的更是數百萬元。而 這些數據顯示著中國的經濟情況，國家機密的數據都躺在美國人的資料庫上。 中國的企業始終致力於靠關系拿項目，而始終忽視了研發底層技術核心。在今天中國的市場環境下，沒有一個中國公司具有美國公司那樣高的視野和格局。

其他的是不想長篇大論的分析， 希望大家好好認清現實。現階段實現晶元全部自主化、國產化，基本不可能，所以要做的只能是站在巨人的肩膀上，利用好最先進的資源和技術，全力發展自己，在不斷追趕中減少差距。

cpu技術

cpu即中央處理單元（CPU）是計算機內的電子電路，通過執行指令指定的基本算術，邏輯，控制和輸入/輸出（I / O）操作來執行計算機程序的指令。 計算機工業至少從20世紀60年代初開始使用「中央處理器」。 傳統上，術語「CPU」是指處理器，更具體地涉及其處理單元和控制單元（CU），將計算機的這些核心元件與外部組件（諸如主存儲器和I / O電路）區分開。

美國掌握大量的晶元底層核心技術。

instruction set 指令集目前都是國外的。

A list of computer central processor instruction sets:

哪個是中國的，或者以上哪個是中國公司全掌握的？以上只是底層技術的一面。。。。

50年的差距，更多的是人才的差距

每一個人多學一些cpu知識，匯總起來可以加快縮小這個差距。

40萬晶元人才缺口該怎麼補上？

努力吧，少年老年們。

基於別人的房基去建設高樓大廈，別人要斷你，不讓你上和下，那你只能飛上樓和飛下樓了。

其實晶元行業或者是集成電路行業，整個范圍是要比大家想的豐富的多的。晶元並不只有CPU，或者是NPU這些。我們用到的耳機，指紋識別，冰箱，電視，電梯等等都會用到大小不同功能不同的晶元，像電源所用的晶元，目前代工廠就可以滿足國內需求。

真正存在巨大差距是高端晶元，總體來說就是 三方面差距：

設計差距

中國的經濟體量巨大，所以我們不缺錢，我們缺的是什麼？答案就是人才。首先要設計晶元，設計出來之後交給代工廠生產，設計晶元軟體方面中國在世界上的佔比為0%，國內目前晶元生產商最好的應該是中芯國際，最好的製程是 14納米 ，而台積電跟三星今年7納米就要要量產了。 中間差了二代 。

光刻上的差距

這主要就是光刻機的問題。光刻機目前美國處於壟斷，造價和售價都是很貴的，每年量產不超過30台，國內目前只能購買國外淘汰掉的光刻機，絕大多數來源於日本。而且瓦森納協議中，每過幾年都會更新禁售列表，比如2010年90nm以下的設備都是不允許對中國銷售的，到2015年就改成65nm以下的了，即便如此，我們購買二手光刻機還是需要美國的審批。

晶圓制備的差距

這方面我們差距其實不是很大，目前IC晶元的襯底都是硅，需要運用電子級硅製造硅碇，再將硅錠精細切割，而中國即使是一些低端的國產率較高的晶元，其中很大一部分野都是買的國外的晶圓，然後自己切割，不過隨著國內集成電路的發展，晶圓切割其實已經能慢慢實現了。

中國已經錯過了一個發展的黃金期，再想要追趕付出的代價將會非常大，而在未來，人工智慧、深度學習的大浪潮下，傳統的通用計算會很吃力，而眼下新的發展機遇又會到來。這次中興事件警鍾的敲響，讓我們重新開始認識到機遇的重要性，開始研製的寒武紀AI晶元， 阿里達摩院規劃的AI晶元都屬於新領域晶元， 希望這次晶元發展的快車，我們不會再被落下。

凡是吹牛逼禍國殃民的所謂科學家和各類專家全部滾蛋。凡有責任心有擔當的國家培養 科技 人員要有愛國之心向國家向全民立下軍令狀，保證在短期內研發出中國自主品牌的中國航空發動機和中國芯。所有中國科學家有誰敢站出來向國家和人民立下軍令狀？

多少年這個答案可能事關我們每個人了。晶元設計技術的提升需要市場試錯和反饋，不是所有的bug都能在實驗室里發現。市場上有人買有人用才能給手機企業，軟體企業，包括晶元企業帶來資金回籠(為研發再投入)以及更重要的市場對技術的驗證(為下一步技術完善和研發方向提供寶貴意見及數據積累)。大家對當年剛用安卓手機時一天死n次機的情況應該還有印象吧，但那時沒有更好的手機了，所以大家(市場)的包容度都很高，在大家的共同努力下，填平了當時設備各方面的研發投入(手機用的順暢事關軟硬體配合，及自身技術的成熟，當然也包括晶元，或者說晶元是最為復雜的部分)。

總之，要是大家願意一夜回到從前，還能忍受一天司機n次，只用簡單應用程序(現在的應用都比較復雜，用戶體驗好，但對硬體要求高)，我覺趕超的時間會大大縮短，也許5-10年？所以，你願意么？問的再具體點，在你可以選擇更好而且便宜，只是用了國外晶元的手機的情況下，你會願意選擇完全國產，用自主晶元，但經常死機，如龜速的手機么？

(ps.我內心的答案是:我願意買兩部，肯定會有一部是純國產的，哈哈！)

首先是整體半導體集成電路技術和製造的落後，這個牽涉到方方面面，但是哪怕你用別人的晶元標准，別人的技術規格，哪怕不考慮光刻機的問題，這方面依然問題較大。可以打一個比方，中芯國際現在有14nm的製程工藝的，但是要真是製造14nm的晶元，良率會遠遠不及境外工廠，這就是整體集成電路技術和製造的落後，民用商用晶元考慮成本，良品率不及別人，也沒人願意跑你這里來製造了！

然後再說設備問題，光刻機以及其他設備依然是繞不過的事兒，國內有28nm最好的設備，但是三星、Intel和台積電都是7nm的設備了，這個差距你不可能無視！當然就算28nm的製程工藝，還是那個問題，整體集成電路水平的落後，會讓成本變得較高。而更新的14nm，中芯國際都在掙扎，更別說製造更先進的晶元了！

最後則是晶元標准和技術規范。X86是Intel的，PowerPC是IBM的，這兩家基本處理器架構都是美國公司，這個你沒轍。而ARM也是英國的，當然授權問題倒不是很大，即使是操作系統，Linux各種做也不是問題，但是技術和標准中國是沒法整了，在全球經濟一體化的時代，還是那個問題，成本和利益，這部分中國應該不會再去搞事了，沒意義！

總的來說，還是要發力在集成電路上，製造和技術能力這部分提高了，才去考慮所謂的設備問題，這個差距和美國很明顯，但並不是不可追趕！

如果你只看晶元，中國晶元與美國晶元之間的差距似乎就在光刻機上，只要中國購買到ASML最先進的光刻機，我們就能夠製造出如美國一樣的高端晶元。當然，現在無法直接購買到ASML的最先進的光刻機，那我們只能自己研發，這個時間相信也不要太久，最多10年便可以追趕上來。

但如果你就此認為，我們實現了對於美國晶元技術的追求或者超越，那就太天真了，中國晶元技術與美國晶元技術之間的差距，不僅僅表現在這塊小小的晶元產品上，而是體現在基礎研究、技術體系、產業體系、標准體系和產品體系等諸多方面，全面追趕並超越美國，需要至少30到50年的時間。

一、美國的半導體產業鏈完整且技術先進

有人不明白，美國限制向華為提供具有美國背景的晶元半導體技術和產品，為什麼包括台積電、ASML、三星等非美國 科技 公司都要乖乖服從並執行美國的限令？甚至有人說，中國也發出一個命令，要求這些公司必須向華為提供技術和產品，這些公司到底聽美國的還是聽中國的？其實，根本不用試，一定是聽美國的限令，事實也是，這些公司紛紛關閉對華為的技術和產品通道。原因也非常簡單，這些公司能夠發展到現在，過去，現在和未來都會一直使用美國的半導體技術和產品，沒有美國的技術和產品，這些看似世界頂級的 科技 公司，將變得毫無價值，這就是美國一紙限令，便能夠讓這些公司聽從的原因之所在。

我們來看一下專業人士弄的這個半導體產業圖譜，看起來並不復雜，但每一個細分領域做起來都需要大量的技術和產品做為支撐，而目前為止，沒有一家公司或一個國家能夠把這些事情從前端研發到後端製造完成的，也包括美國。但美國與其他國家不同的是，由於其在晶元半導體產業領域早期的基礎研究成果較多，說白了，做這些高 科技 產品所需要的基礎性和高精尖的技術都掌握在美國人手裡。美國人發布限令，並不是限制別國公司，而是限制美國本國公司。比如ASML不遵守美國限令，向中國出售最先進製程的光刻機，那麼，美國便可以要求美國一些光刻機技術公司和零部件公司，停止向ASML授權美國的光刻機技術和零部件，而美國公司所掌握的技術的零部件，經過幾十年的沉澱，往往都是具有核心功能的技術和零部件，那ASML還能造出世界上最先進的光刻機嗎？所以，他只能服從美國的禁令。

1958年9月12日，基爾比和助手謝潑德(MShepherd)給阿德考克和組里的其他同事演示了他的實驗。基爾比緊張地將十伏電壓接在了輸入端，再將一個示波器連在了輸出端，接通的一剎那，示波器上出現了頻率為1.2兆赫茲，振幅為0.2伏的震盪波形。現代電子工業的第一個用單一材料製成的集成電路誕生了。一周後，基爾比用同樣的方法成功地做出了一個觸發電路。基爾比的電路和後來在硅晶片上實現的集成電路相比，樣子非常難看。但是，它們工作的非常好。它們告訴人們，將各種電子器件集成在一個晶片上是可行的。 基爾比因為這個發明，2000年，他獲得了諾貝爾獎。

從1958年到現在經歷了60多年，美國在晶元集成電路領域里積累了大量的專利和標准，並形成並沉澱出一批世界晶元半導體領域里的頂級 科技 公司，這正是美國在晶元半導體領域一家獨大的原因之所在。

二、中國在晶元半導體領域的差距

我們不按照上圖的細分領域來說，只按照晶元產業的四個環節來看，包括晶元設計、晶元製造、晶元封裝、晶元測試等四個環節，與傳統產業不同，晶元產業沒有一家公司可以獨自完成全部四個環節的工作，因此，在每一個晶元產業的環節當中，都有世界級的公司，也沒有一個國家能夠在全部四個環節上都擁有頂級公司的存在。比如晶元設計領域美國的高通、中國的華為都是比較厲害 的公司，在晶元製造領域則是中國的台積電一馬當先，晶元封裝和測試領域，中國目前已經做到世界領先的水平，擁有世界級的封裝和測試公司。

如果從上面分析，那不是中國在整個晶元半導體產業里沒有弱點了嗎？可是你會發現，在晶元設計和晶元製造領域，雖然我們擁有華為和台積電兩家世界級公司，但華為晶元發展時間較短，台積電大家眾所周知。所以我們國家目前只能算是在晶元半導體產業鏈上做臟活累活的工作，其他高 科技 領域，我們還存在非常大的差距。

❻ 華為在晶元生產上真的一籌莫展了嗎

在晶元這事上華為不算一籌莫展吧！現在華為正在進行新的調整和布局，未來有機會改變現狀，至少能調整部分產品線。

1、晶元暫時只是缺高端晶元： 近期余承東公開承認缺晶元的話語是 「華為麒麟高端晶元在9月15日之後無法製造」， 從這句話我們能看出華為未來階段首先缺的是高端晶元，中低端晶元可能仍被許可代工。

這意味著華為手機業務可以持續維持下去，沒了高端機型，光靠中低端機型依舊可以打市場，只是未來利潤會有所下降。

此外，目前美國斷供只是針對晶元代工生產，直接外購晶元這條路還沒有被徹底堵死。因此，未來一階段華為也可以通過采購聯發科等廠商的晶元來生產手機。

2、華為啟動南泥灣計劃： 近期有媒體曝光稱華為啟動名為「南泥灣」的研發計劃，這個項目旨在實現供應鏈去美化，避免現有供應商中出現睜旦美國技術，從而打造出較為完全的產業鏈。

當前華為消費業務中的智慧屏、筆記本電腦、智能家居等產品都將作為南泥灣項目內容，未來這些產品大概率不會受美國技術和制裁的影響。這些設備晶元制悉歲擾程要求不如手機高，現階段以華為的實力和國內半導體產業鏈的技術，假以時日基本上可以實現。

3、可能小規模自建IDM體系： 在晶元斷供之後，之前就有傳言華為准備考慮自建IDM體系，實現晶元設計研發、製造生產以及銷售一條龍。

這點從余承東近期的表態看也算是基本證實了，他稱華為將在全方位紮根半導體產業，攻關基礎物理材料學和 探索 半導體精密製造，加大對新材料、新工藝和核心技術的投入，從而實現瓶頸突破。

以上基本預示了華為准備在半導體產業鏈上進行真正的突破，避免在核心技術被卡脖子。

4、國家政策開始扶持半導體產業 ：8月4日我國頒布了《新時期促進集成電路產業和軟體產業高質量發展的若干政策》，這一文件中顯示了國家對半導體產業的高度重視，被認為是信息產業的核心， 科技 變革的關鍵力量，同時也再次加強了對半導體產業的扶持力度，從財稅、投融資、研發、進出口、人才、知識產權、市場應用、國際合作等八個層面來支持推動國產半導體產業。

Lscssh 科技 官觀點： 綜合來說，從國家層面，以及華為自身打造IDM體系、南泥灣項目等，再加上華為龐大的終端銷量，將會實實在在的推動我國半導體產業的協同發展，國產半導體在未來必定能獲得相對高速的發展。

因此，在我看來華為在晶元這事上並非一籌莫展，短期或許有困難，高端手機也可能廢了，但是從長遠來看，必定能取得全的突破，最終不僅華為能度過難關，更能讓整個半導體產業鏈實現突破，徹底脫離在 科技 上被卡脖子的命運。

目前華為庫存的晶元到9月15日就沒有了，到那時麒麟高端晶元將成為絕版！但是華為肯定不會坐以待斃，目前高通已經向特朗普政府申請解除對華為出口晶元的限制，理由是不想失去每年上百億美金的訂單！同時華為也在向聯發增加訂單！最終華為高端機是搭載高通驍龍晶元，還是聯發的天璣晶元還沒有最終的定論！

華為真的會在晶元生產中，從此一籌莫展？一蹶不振？

我們對於華為晶元充滿了擔憂，在我們看來，如果台積電真的對華為進行斷供。那麼華為將失去麒麟處理器。余承東也在演講中承認，華為麒麟處理器很可能在雀胡華為mate40上成為絕版。

如如果麒麟處理器真的被斷供華為也不能生產麒麟處理器，對於華為來說在晶元領域它確實可能會一籌莫展。但是我們要看到的是，它所指的是麒麟處理器，對於華為晶元來說，可能並沒有大家想像的那麼復雜或者是困難。

華為現在通過兩條路來解決可能存在的晶元問題。華為的第1條路是採用高通的處理器，通過採用高通處理器來緩解華為處理器的不足，也來緩解華為麒麟處理器可能斷供的無奈。

我目前也看到，《華爾街日報》報道透露，美國晶元巨頭高通公司正在游說特朗普政府，呼籲取消該公司向華為出售晶元的限制！

因此這一條路可能是華為高端處理器必然之路。我們再看另外一條路，華為和聯發科的合作應該是板上釘釘的事情，畢竟聯發科這段時間的發展，也讓我們看到了它的崛起，對於華為來說，聯發科雖然不能夠替代麒麟處理器，但是它的優勢也相對明顯，最為主要的是它不受台積電斷供的影響。

而是，還和聯發科簽訂了合作意向書與采購大單，並且，它的訂單金額超過1.2億顆晶元數量。

對於華為來說，雖然麒麟處理器可能斷供，但是對於華為手機來說，晶元問題實際上是有道可走，有跡可循的，因此並非是所謂的一籌莫展了。

是真的沒有任何辦法了！否則余承東也不會在中國信息化百人會2020峰會上坦誠麒麟晶元即將斷貨，畢竟承認這個事實對華為沒有任何好處。下面我們就來講講華為面臨的困境有哪些。

華為被禁止使用EDA設計晶元

大家都知道華為手機有個最大的亮點就是使用了自研的麒麟晶元，再加上華為5G技術的加持，麒麟晶元完全可以稱之為目前最好的5G晶元之一。

麒麟晶元自研自然少不了使用美國的EDA晶元設計工具，由於美國的一紙禁令，華為已經被禁止使用相關設計工具。目前國產雖然也在EDA工具領域有所突破，但是在性能方面難以達到華為的設計需求。

目前華為連出麒麟晶元的設計圖都成了問題，更談不上繼續在麒麟晶元上保持突破了。

其他代工廠禁止為華為代工

不得不承認華為的未雨綢繆讓華為贏得了些許的喘息機會，正是由於華為提前向台積電下了上千萬片麒麟晶元的大訂單，華為最新的mate系列才不至於陷入到無芯可用的尷尬境地。

不過這也只是緩兵之計，只要美國不放開對代工廠的禁令，不止是台積電、三星等國外的代工廠不能為華為代工，國內的中芯國際等也無法為華為生產晶元。

中芯國際最近也回復了不少中國消費者的疑問，從它的回復中就可以看出即使有足夠的工藝，它們在相當一段時間內也無法為華為生產一片晶元。

必須做好長期購買晶元的打算

其實從余承東承認華為無芯可用開始，擺在華為面前的只有一條路，那就是從其他晶元企業購買晶元成品，目前最好的合作對象有聯發科和高通兩個。

聯發科今年接連發布了多款晶元，明顯的想要在高端晶元市場擁有更大的話語權，所以在華為面臨困境的時候它第一時間遞上了橄欖枝。不過華為目前也明確的表示出合作的態度，只要聯發科能拿下華為所有的訂單，那麼它極有可能從今年開始徹底的告別「低價」的標簽。

高通目前其實有點難受，雖說他在前段時間和華為達成了和解並且拿到了18億美元的巨額賠償，但是它本質上是個美國企業，依舊要受到官方力量的制約。高通目前還沒有拿到對華為出售晶元的許可，只能眼饞的看著聯發科接連拿下大訂單。不過只要高通能拿到「通行證」，那麼它未來和華為合作的可能性還是非常高的。

雖說目前有消息稱華為在小規模的試驗晶元完整的生產線以及啟動南泥灣計劃，但是終究是遠水解不了近渴。現在只能希望華為搭載聯發科或者高通的晶元依舊能夠保持優異的手機性能吧，一旦華為缺少「中國芯」的手機得不到市場的認可，華為的手機業務可能將會全面崩盤。

華為是否一籌莫展，我們需要解釋從華為眼下面臨的最大問題是什麼？華為是否有能力或者方法解決這個問題。

一、華為傳統晶元——麒麟，真的是一籌莫展

我們知道華為被美國列入實體清單， 世界上任何使用美國技術或者零部件的公司，未經美國允許，不得向華為提供服務或者出售晶元 。也正是美國的這條禁令，導致台積電不能再為華為代工麒麟晶元。這就解釋了，余承東所說的9月15之後，華為的麒麟晶元將成為絕唱。

但華為手機可能不會一籌莫展，只不過是「淪為眾人」。因為美國真是目的不是讓華為不賣手機，美國根本目標還是華為的5G，打壓華為的自主研發能力。美國一方面， 國際上動用「五眼聯盟」，說服他們放棄采購華為的5G 。另一方面， 要讓華為自己的5G晶元在世界上消失，那如何讓5G消失？就是要5G無法生產，只要5G無法生產，只是一堆電路圖，再牛，美國也不擔心。

所以，美國對華為向聯發科的購買行為也就睜隻眼閉隻眼了。搭載聯發科晶元的華為手機，跟小米，OPPO和Vivo已經沒有差別。

二、華為圖謀突破基礎創新，贏取下一個時代

面對美國的圍堵，華為很清醒的認識到，要想破局，只能另闢蹊徑，因為中國的半導體工藝，眼下實在是很難扛起華為製造的大旗。而且， 中芯國際在上市招股書中曾提到，自己很可能無法為某些企業服務。我們大家都知道是指華為 。

那華為是否就此認慫？有著狼性文化的華為，不會被動防禦，必須要發起進攻。華為的余承東說： 「要解決這些問題，我們要實現基礎的創新，贏取下一個時代！ 」。沒錯，基礎創新，只要從底層另闢蹊徑才能打破美國的禁令。根據余承東的介紹，華為在半導體方面 ，「全方位紮根，突破物理學，材料學的基礎研究和精密製造」 ；終端器件上， 「新材料+新工藝緊密聯動，突破制約創新的瓶頸」。

所以，華為正在圖謀下一個時代。

最後，要補課的不只華為

改革開放，我們為了高速發展，我們雖然有速度，但這讓我們忽視了很多核心競爭力，忽視了很多弱點。今天我們華為，乃至整個集成電路遇到的問題，是因為我們忽視半導體的產業鏈完善。

所以，整個行業，都應該跟華為一道，好好補課。

結合題注，該問所說的華為晶元生產指的是華為高端麒麟晶元製造。

高端麒麟晶元是真的沒有了。 余承東說沒有了就一定是沒有了，「到9月15日生產就截止了」這個事是真的，不由得誰不信。

高端麒麟晶元不應該是真的絕版了。 余承東在中國信息化百人會2020年峰會上，於說絕版的同時，不也大聲疾呼了嗎？盡管認為「中國的核心技術、核心生態的控制能力和美國等國家還是有差距」，卻也做出了呼籲、給出了建議、提出了希望，並且，認為制裁「同時又是一個重大的機遇，逼迫我們（指的是國內行業）盡快地產業升級」，還認為「天下沒有做不成的事情」。自然，產業升級了，華為高端麒麟晶元就又有了，連我們都對此充滿信心！毫無懸念，只是會來的比較慢，華為借的力將來得晚。

高端麒麟晶元生產應該是真的一籌莫展了。 盡管網上至今仍然有寄希望於台積電生產的說法，比如台積電將手機晶元列為標准品，以規避美國禁令，余承東卻認定可能不會再得到代工了，雖然是台積電的大客戶。華為人一定是最了解今後形勢的！所以，余承東才破天荒地公開說出陷入了很困難的境地這個事實；余承東本來是很霸氣的，這次卻沒有讓「塞翁失馬，焉知非福」這個話脫口而出。

華為的確將是「暫時妥協」。 妥協，既是真正意義上的，華為並不自建IDM模式，也就是並不採用以往採用的自己救自己的辦法，而是呼籲國內自建、希望行業領先，這與國內網上至今仍有的一些說法相反；又是所謂的，並沒有把買聯發科晶元看作妥協，對買高通晶元也這樣看，只是把聯發科和高通看作合作夥伴，向來如此，與國內網上的一些看法相反，並且不為這些看法所左右，根本上是由於華為只把自己看作1個跨國公司。而妥協的暫時性是強還是弱，即其中的「時」是長的還是短的，就看國內半導體行業的了。

華為同時必定是「暗地積蓄力量」。 其實，並不是暗地進行，這非常明顯。余承東的呼籲和希望是公開發出的，全世界都聽到了，當然包括美國；國內半導體行業將以過去從未有過的緊迫感致力於去美國化、奔高端化，也是1個公開的現象。何況，國內網上一直在曝光華為想做什麼、要做什麼，把華為的一切都大白於天下，盡管後來的情況，尤其是華為人後來的發聲，證明其中有不少並不是華為所想、所要。

近日，余承東8月7日所說華為高端麒麟晶元可能將沒有的話公開了，網上迅即又爆出華為南泥灣計劃、華為塔山計劃。 這些，是不是華為所想的所要的？華為人還沒有公開親口確認，等等看吧。即使真的是，那也總體上是華為想要依靠國內行業通過自力更生來為華為增添力量，包括寄希望於國內代工廠在晶元生產上不再一籌莫展，而是大顯身手、大顯神通、大展宏圖，進而讓華為高端麒麟晶元得以重回，再顯神通、再展宏圖。這就是說，不叫積蓄力量，也不叫集結力量，那麼，怎麼叫才合適呢？我只知道，制定計劃者肯定是主導者、組織者，總頭兒！負責總攬全局、運籌帷幄。

在華為高端晶元斷貨這件事情上，大家都覺得怎麼那麼憋屈。台積電不接受華為晶元訂單外，中芯國際也不能。

中芯國際不管美國直接為華為生產晶元不行嗎！現實上還真不行，ASML的光刻機離不開其售後的工程師。

國內某半導體觀察所，就闡述EUV光刻機的威力，一台設備有10萬個零件、4萬個螺栓。其重量高達180噸，問題在於由多部分組成，極為復雜。

更為重要的是其為高精密設備，不是插上電就可以使用。一台高精密光刻機從進廠組裝，到調試，再到產品滿足合格率，前後需要差不多一年時間。中芯國際去年底14納米晶元投產，從每月生產1500片晶圓，再到6000、8000，都是在調試過程。

精密設備後期還需要售後服務，進行設備橋正，以滿足生產需求。中芯國際的無奈不是動嘴就行。

在代工無望下，著急也沒用，落後就是落後。著急明天就有嗎。

余承東也承認遺憾沒有在重資產的晶元製造領域投資，是一個很大的遺憾。就意味著國內與華為都不能有效解決高端的「去美化」的晶元生產線。

落後的華為是這樣突圍：華為主導的「南泥灣」、「塔山計劃」都是「去美化」項目。其中「塔山計劃」主要面對半導體更基礎的國產化項目，主要是半導體材料、設備。

這些項目都是漫長的過程，華為僅晶元設計就用了10多年才與世界平起平坐。半導體產業要多長可想而知。即使結合國家的新型舉國體制發展集成電路，也不可能3年、5年就完全突破。

山窮水盡無一路，柳岸花明又一村。

其實人家的強大不是說說的，有那麼多人的支持，是我肯定都要有準備，畢竟去年就開始制裁了，說不定過幾天有有什麼石破天驚，一年兩億多的市場豈是普通說沒就沒了。

余承東公開說沒晶元了，那就說明有晶元，余承東的話，你們也敢信，如果是真的話，老闆用他幹啥…

是無法獲得或自己生產高端（頂級）晶元，中、低端晶元我國的企些可以生產。

❼ IC,集成電路，電子元器件，晶元，繼電器

你想問什麼？IC的中文名稱就是晶元，晶元狹義的概念就是集成電路！ 電子元器件包括范枝閉遲圍大了猛李 IC 電容 電阻 二三極體 繼電器 等都是屬於電子元器態羨件

❽ 強弱電如何區分

強電弱點可根據處理對象、外觀、交流頻率、傳輸方式、功率、電壓及電流大小來區分等方法來區分

1. 強電和弱電的區別基礎就是處理對象不同，強電的處理對象是能源也就是我們常說的電力，有著電壓高、電流大、功率大、頻率低等特點；弱電的處理對象主要是信息（傳送和控制），有著電壓低、電流小、功率小、頻率高等特點。

2.強電電線是採用較厚的塑運陪料為絕緣層，它的銅芯線直徑大，內層的銅導體由一股或多股裸電線組成。弱電電線的絕緣層旦賣比較薄，主要是因為它的電壓、電流並不大，所以銅芯線直徑較小，是由2股以上的絕緣細導線組成。

3.強電與弱電之間既相互區別，又有一定聯系，概括來說就是：高壓包括強電，強電不一定屬於高壓;低壓包括弱電，弱電一定屬於低壓;低壓不一定就是強電，強電不一定就是低壓。

6、功率、電壓及電流大小不同

強電的功率是以千瓦、兆瓦計，電壓是以伏、千伏計，電流以安、千安計；而弱電的功率是以瓦、毫瓦計，電壓是以伏、毫伏計，電流以毫安、微安計，其電路還可以用旁遲蠢於印刷電路或集成電路構成。

❾ 晶體管與晶閘管的區別是什麼

晶體管與晶閘管的區別：
1、晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用於檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基於輸入的肢液困電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在於晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實歷念驗室中的切換速度可達100GHz以上。
2、晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；晶閘管是PNPN四層半導埋核體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字元號為「V」、「vt」表示（舊標准中用字母「scr」表示）。

❿ 日美晶元戰往事

僅僅30餘年，已經少有人記得那場在日美之間爆發的晶元戰爭。

這一戰，日本人輸得乾乾凈凈，從高峰時占據全球近80%的DRAM（俗稱電腦內存）份額，跌到現在的零。這場晶元戰爭完美詮釋了什麼叫國際政治經濟學，亞當.斯密的自由市場競爭理論在大國產業PK中，只是一個美好的童話。

1980年代前五年是日本半導體晶元企業的高光時刻。

矽谷的英特爾、AMD等 科技 創業公司在半導體存儲領域，被日本人追著打，然後被反超，被驅離王座，半導體晶元領域（當時主要是半導體存儲占據主流）成為日本企業後花園。

美國的 科技 公司敗在了模式上。

矽谷的發展模式是，通過風險投資為創業公司注入資金，創業公司獲得資金支持後，進行持續的技術創新獲得市場，提升公司估值，讓後上市，風險資本賣出股票獲利退出。這種模式以市場為導向，效率高，但體量小，公司之間整合資源難，畢竟大家都是一口鍋里搶飯吃的競爭對手。

日本人的玩法截然不同：集中力量辦大事。1974年，日本政府批准「超大規模集成電路（俗稱半導體晶元）」計劃，確立以趕超美國集成電路技術為目標。隨後日本通產省組織日立、NEC、富士通、三菱和東芝等五家公司，要求整合日本產學研半導體人才資源，打破企業壁壘，使企業協作攻關，提升日本半導體晶元的技術水平。

日本的計劃也差一點兒夭折，各企業之間互相提防、互相拆台，政府承諾投入的資金遲遲不到位。關鍵時刻，日本半導體研究的開山鼻祖垂井康夫站了出來，他利用自己的威望，將各懷心思的參與方們捏合到一起。

垂井康夫的說辭簡單明了：大家只有同心協力才能改變日本晶元基礎技術落後的局面，等到研究成果出來，各企業再各自進行產品研發，只有這樣才能扭轉日本企業在國際競爭中孤軍奮戰的困局。

計劃實施4年，日本取得上千件專利，一下子縮小了和美國的技術差距。然後，日本政府推出貸款和稅費優惠等措施，日立、NEC、富士通等企業一時間兵強馬壯，彈葯充足。

一座座現代化的半導體存儲晶元製造工廠在日本拔地而起。隨著生產線日夜運轉，日本人發起了飽和攻擊。

美國人的噩夢開始了。1980年，日本攻下30%的半導體內存市場，5年後，日本的份額超過50%，美國被甩在後面。

矽谷的高 科技 公司受不了市場份額直線下跌，不斷派人飛越太平洋到日本偵察，結果讓人感到絕望。時任英特爾生產主管的安迪.格魯夫沮喪地說：「從日本參觀回來的人把形勢描繪得非常嚴峻。」如果格魯夫去日本參觀，他也會被嚇壞的：一家日本公司把一整幢樓用於存儲晶元研發，第一層樓的人員研發16KB容量，第二層樓的人員研發64KB的，第三層人員研發256KB的。日本人這種研發節奏簡直就是傳說中的三箭齊發，讓習慣了單手耍刀的矽谷企業毫無招架之力。

讓美國人感到窒息的是，日本的存儲晶元不僅量大，質量還很好。1980年代，美國半導體協會曾對美國和日本的存儲晶元進行質量測試，期望能找到對手的弱點，結果發現美國最高質量的存儲晶元比日本最差質量的還要差。

而且，日本人還拍著胸脯對客戶保證：日本的存儲晶元保證質量25年！

在日本咄咄逼人的進攻下，美國的晶元公司兵敗如山倒，財務數據就像融化的冰淇淋，一塌糊塗。

1981年，AMD凈利潤下降2/3，國家半導體虧損1100萬美元，上一年還賺了5200萬美元呢。第二年，英特爾被逼裁掉2000名員工。日本人繼續擴大戰果，美國人這邊繼續哀鴻遍野，1985年英特爾繳械投降，宣布退出DRAM存儲業務，這場戰爭讓它虧掉了1.73億美元，是上市以來的首次虧損。在英特爾最危急的時刻，如果不是IBM施以援手，購買了它12%的債券保證現金流，這家晶元巨頭很可能會倒閉或者被收購，美國信息產業史可能因此改寫。

英特爾創始人羅伯特.諾伊斯哀嘆美國進入了「帝國衰落」的進程。他斷言，這種狀況如果繼續下去，矽谷將成為廢墟。

更讓美國人難以容忍的是，富士通打算收購仙童半導體公司80%的股份。仙童半導體公司是矽谷活化石，因為矽谷絕大部分 科技 公司的創始人（包括英特爾和AMD）都曾經是仙童半導體的員工。在矽穀人心中，仙童半導體神一般的存在，現在日本人卻要買走他們的「神」，這不是恥辱么？有一家美國報紙在報道中寫道：「這筆交易通過一條消息告訴我們，我們已經很落後了，重要的是我們該如何對此做出應對。」

幾年前，矽谷的 科技 公司成立了半導體行業協會（簡稱SIA）來應對日本人的進攻，經過幾年游說，成果如下：將資本所得稅稅率從49%降低至28%，推動養老金進入風險投資領域。政府不願出面施以援手。

苦捱到1985年6月，SIA終於炮製出一個讓華盛頓不淡定的觀點，一舉扭轉局面。

SIA的觀點是：美國半導體行業削弱將給國家安全帶來重大風險。

日本不是美國的盟友么，日本半導體崛起，美國半導體衰落，看著就是左口袋倒右口袋的 游戲 ，怎麼會威脅到美國的國家安全呢？

SIA的邏輯鏈是這樣的：

此前，SIA游說7年，得到政府的回應總是：美國是自由市場，政府權力不應染指企業經營活動。

這次，SIA的「國家安全說」一出，美國政府醍醐灌頂，從原來的磨磨唧唧變成快馬加鞭，效率高的驚人：

1986年春，日本被認定只讀存儲器傾銷；9月，《美日半導體協議》簽署，日本被要求開放半導體市場，保證5年內國外公司獲得20%市場份額；不久，對日本出口的3億美元晶元徵收100%懲罰性關稅；否決富士通收購仙童半導體公司。

美國人這一波操作至少開創了兩個記錄：第一次對盟友的經濟利益進行全球打擊；第一次以國家安全為由，將貿易爭端從經濟學變成政治經濟學問題。

負責和日本交涉的美國在亞洲地區的首席貿易代表克萊德.普雷斯托維茨，一面指責日本的半導體晶元產業政策不合理，一面又對它贊嘆不已，「所以我對美國政府說我們也要採取和日本相同的政策措施。」

對這種雙重標准，曾在日立製作所和爾必達做過多年研發的湯之上隆在自己的書中氣憤地說：「這人實在是欺人太甚！」

隨著《美日半導體協議》的簽署，處於浪潮之巔的日本半導體晶元產業掉頭滑向深淵。

日本半導體晶元產業從1986年最高40%，一路跌跌不休跌到2011年的15%，吐出超過一半的市場份額，其中的DRAM受打擊最大，從最高點近80%的全球市場份額，一路跌到最低10%（2010年），回吐近70%。

可以說，和美國人這一戰，日本人此前積累的本錢基本賠光，舉國辛苦奮斗十一年（從1975年到1986年），一夜被打回解放前。

但日本人吐出的肉，並沒有落到美國人嘴裡，因為矽谷超過7成的 科技 公司砍掉了DRAM業務（包括英特爾和AMD），1986年之後，美國人的市場份額曲線就是一條橫躺的死蚯蚓，一直在20%左右。

那麼，這70%的巨量市場進了誰的肚子？

答案是韓國。

在日本被美國胖揍的1986年前後，韓國DRAM趁機起步，但體量猶如蹣跚學步的嬰兒，在全球半導體晶元業毫無存在感。而且和日本相比，以三星為代表的韓國半導體晶元企業完全是360度無死角的菜雞：根本打不進日本人主導的高端市場，只能在低端市場靠低價混飯吃；市場體量上，兩者就是螞蟻和大象的區別。

但三星深諳所有的貿易摩擦問題都屬於政治經濟學范疇，借機干翻了日本大象。

1990年代，三星和面臨美國發起的反傾銷訴訟，但其掌門人李健熙巧妙利用美國人打壓日本半導體產業的機會，派出強大的公關團隊游說柯林頓政府：「如果三星無法正常製造晶元，日本企業占據市場的趨勢將更加明顯，競爭者的減少將進一步抬高美國企業購入晶元的價格，對於美國企業將更加不利。」

於是，美國人僅向三星收取了0.74%的反傾銷稅，日本最高則被收取100%反傾銷稅，這種操作手法簡直是連樣子都懶得裝。

三星抱上美國的大腿，等於從背後給了日本一刀，讓日本徹底出局。

如果沒有三星補刀，日本半導體晶元尚有走出困境的希望。

美國人用《美日半導體協議》束縛日本人，並揮動反傾銷大棒對其胖揍，但日本半導體存儲晶元產業受的只是皮肉傷，因為矽谷的企業超過七成退出了半導體存儲晶元行業，市場仍然牢牢掌握在日本人手中，熬過去後，又是一群東洋好漢，畢竟在全球半導體晶元產業鏈上，日本還是一支難以替代的力量。

三星加入戰團並主動站隊美國後，難以替代的日本人一下子變的可有可無，韓國人由此成為新寵。隨後，三星的DRAM「雙向型數據通選方案」獲得美國半導體標准化委員會認可，成為與微處理器匹配的內存，日本則被排除在外。這樣，三星順利搭上微處理器推動的個人電腦時代快車，領先日本企業。

從上面的DRAM份額圖中可以發現，日本的份額呈斷崖式下跌，韓國的則是一條陡峭的上升曲線，一上一下兩條線形成一把巨大的剪刀，剪掉的是日本半導體晶元的未來。

此後，即使日本政府密集出台半導體產業扶持政策，並投入大量資金，但也無力回天，日本半導體晶元出局的命運已定。

直到今天，仍有觀點認為，韓國半導體晶元的崛起，日本半導體晶元的衰落，是產業轉移的結果。這是不準確的，因為產業轉移是生產線/工廠從高勞動力成本地區向低勞動力成本地區遷移，日本的半導體晶元企業並沒有向韓國遷移生產線，而是直接被替代。美國人實際上聯手韓國，重組了全球半導體產業供應鏈，將日本人從供應鏈上抹去，使一支在全球看起來不可或缺的產業力量消失得乾乾凈凈。

縱觀日美晶元戰，是否掌握重組全球產業鏈的能力，才是貿易戰中決勝的關鍵，市場份額的多寡不構成主要實力因素，這也是日本輸掉晶元戰爭的關鍵原因之一 。

主要參考資料：

《失去的製造業：日本製造業的敗北》，作者：湯之上隆；

《日本電子產業興衰錄》，作者：西村吉雄；

《芯事》，作者：謝志峰；

《矽谷百年史》，作者：阿倫.拉奧，皮埃羅.斯加魯菲。