分壓式偏置放大電路圖

Ⅰ 分壓式偏置放大電路中，Ub基本不變什麼意思，還有Ube下降，Ib為何也減小啊見電路圖。

Ub基本不變是說溫度變化時基本不變，因為Ub的表達式里只有電阻和VCC。
Ube下降，Ib減小，這是三極體本身具有的特性，可以看看三極體的輸入特性曲線。

Ⅱ 如圖所示電路分壓式偏置放大電路中，已知RC＝3.3KΩ，RB1＝40KΩ，RB2＝10KΩ，RE＝1.5KΩ，β=70。

題目中缺一個晶體管用的材料這個條件，如果是鍺半導體材料的晶體管，基極－發射極電壓約0.25V（常按0.3V計算），硅材料半導體晶體管基極－發射極電壓約0.65V（常按0.7V計算）

下面按硅晶體管考慮計算：

由RB1、RB2分壓比是4/1，和電源電壓是25V得知基極電位約5V，則發射極電壓約4.3V，發射極電阻為1.5kΩ，

則發射極電流約為2.87mA，

基極電流＝發射/（β＋1）＝40.4μA，

集電極電流＝發射極電流－基極電流＝2.83mA，

UCE＝25V－2.87mA×1.5kΩ－2.83mA×3.3kΩ＝11.36V

題目中缺一個rbe（發射結電阻）條件，所以不能計算電壓放大倍數。該參照不能憑計算得到，就象β一樣，由晶體管型號和規格給定，也可以通過實驗測量得到。在題目中應該作為已知條件給定。否則可能無法計算電壓放大倍數。

但是如果電路中沒有Ce，則電壓放大倍數≈集電極電阻/發射極電阻，有了發射極電容時就不能這樣估算了。

注意：現在網上有一種錯誤計算方法，就是 rbe＝發射結導通電壓÷基極電流。實際上rbe比這樣計算出來的電阻小得多。理論上只有基極電流極大時才可以近似相等。因為晶體管發射結是非線性器件，非線性器件的電阻要用 r＝dU/dI 來計算，也就是說，在不同的基極電流情況下，rbe是不同的。見下圖：

這是晶體管基極－發射極的輸入特性曲線，非常明顯用Ube/Ib計算出的Rbe與rbe相差很大。電阻其實在U/I坐標圖中就是曲線上各點的餘切值，垂直的線電阻為0，水平的直線電阻為∞，而45°的直線就是1，電流的單位是μA，那就是1MΩ，說明rbe和Rbe的角度差一點就可能相差數kΩ至數百kΩ。所以不能用Ube/Ib求rbe。除非基極電流非常大時兩條線才接近平行。

Ⅲ 分壓式偏置放大電路

在交流等效圖中，CE相當於短路，這樣可以提高動態參數的電壓增益。

Ⅳ .電路如圖4.1所示，為分壓式偏置放大電路，已知Vcc=24V，RC=3KΩ,RE=1.5KΩ,

Ⅳ 幫忙畫下面這個分壓偏置放大電路的原理圖

這個不是已經是畫好了的么？ 這個用的是dxp(altium designer)畫的，你先去下一個altium dsigner summer 09的程序並破解好，進去後 菜單-文件-新建-原理圖，然後在原理圖中右鍵-放置期間，找到你要的元器件放上去即可，很簡單的

Ⅵ 如圖10所示分壓式偏置放大電路中，Ucc=12V，β=50，RB1=50kΩ，RB2=20kΩ，RE=2.7kΩ，RC=5kΩ，RL=5kΩ

計算量這么大！
一點分都不給？

Ⅶ 分壓式偏置電路如圖所示

1）關於基極電壓的求解；

簡單的： Ub = Vcc*Rb2/(Rb1+Rb2)；

嚴謹點的如上圖示，採用戴維南等效理論，通常工程設計上採用前一種方法已能滿足要求；

2）有了Ub，則 Ub = Ube + Ue，Ue = Ie*Re，這樣得到 Ie；

那麼，Uc = Vcc - Ic*Rc；Ic 取 = Ie，或者 Ic = Ie*β/(1+β)；

這樣，Ub、Uc、Ue、Ic 等參數都得到了；

同時因為Re交流短路，所以 rbe = rbb+(1+β)*26/Ie；（直接套用公式）

3） Ro = Rc，Ri = Rb1//Rb2//rbe；

Uo = ic*Rc，Ui = ib*rbe；

Au = Uo/Ui =β*Rc/rbe (還是公式)；

4）微變等效電路，比照教材做吧（沒有Re的那種）

Ⅷ 分壓式反饋偏置電路的原理

分壓式偏置放大電路如圖所示。V是放大管；RB1、RB2是偏置電阻，RB1、RB2組成分壓式偏置電路，將電源電壓UCC分壓後加到晶體管的基極；RE是射極電阻，還是負反饋電阻；CE是旁路電容與晶體管的射極電阻RE並聯，CE的容量較大，具有「隔直、導交」的作用，使此電路有直流負反饋而無交流負反饋，即保證了靜態工作點的穩定性，同時又保證了交流信號的放大能力沒有降低。穩定靜態工作點的原理 分壓式偏置放大電路的直流通路如圖a所示。當溫度升高，IC隨著升高，IE也會升高，電流IE流經射極電阻RE產生的壓降UE也升高。又因為UBE=UB-UE，如果基極電位UB是恆定的，且與溫度無關，則UBE會隨UE的升高而減小，IB也隨之自動減小，結果使集電極電流IC減小，從而實現IC基本恆定的目的。