門電路光耦

1. 老師問光耦包括幾種，說有一種是功率型，還有一種是什麼型啊

功率型全稱應該是功率輸出型，這個是按照光電耦合器輸出形式來分類的，其他的還有：
a、光敏器件輸出型，其中包括光敏二極體輸出型，光敏三極體輸出型，光電池輸出型，光可控硅輸出型等。
b、NPN三極體輸出型，其中包括交流輸入型，直流輸入型，互補輸出型等。
c、達林頓三極體輸出型，其中包括交流輸入型，直流輸入型。
d、邏輯門電路輸出型，其中包括門電路輸出型，施密特觸發輸出型，三態門電路輸出型等。
e、低導通輸出型（輸出低電平毫伏數量級）。
f、光開關輸出型（導通電阻小餘10Ω）。
g、功率輸出型（IGBT/MOSFET等輸出）。
你可以參考一下：http://ke..com/view/589855.htm

2. 快被這個P521的光耦整死了

你錯啦。

你的主要問題在於，沒有很好的理解灌電流和拉電流的意思。

對於數字IC，不管是數字門電路還是單片機，它在輸出高電平時，輸出電流的能力是很差的（也就是拉電流很小），51單片機很多隻能輸出uA級的電流（5V輸出時），而光耦裡面實際上相當於一個LED，uA級的電流要點亮LED，怎麼可能呢？相反，IC的灌電流比較大，也就是輸出低電平時，能夠接收比較大的電流，51在輸出0V時，IO口可以接受20mA的電流。

你參考一下我的電路。

左邊和右邊的電源可以不一致，地也可以不一致，完全隔離。

當74HC04輸出低電平時，521的左邊導通，LED發光，右邊的光敏管接受到光信號，進而導通（還是飽和導通），這時候，輸出端就相當於接12V，輸出高電平。而74HC04輸出高電平時，光耦的左邊截止，光敏管接收不到信號，也截止，此時輸出端得到AGND的電壓。

這里的12V和AGND是示意，你也可以改成5V，只要算一下R的大小，一般電壓不高的話（5-12V），R選擇5.1-10K就可以了。光敏管的電流很小。

3. TLP627是光耦嗎

TLP627是光耦
光耦種類信息：
光電耦合器分為兩種：一種為非線性光耦，另一種為線性光耦。 檢測示意圖非線性光耦的電流傳輸特性曲線是非線性的，這類光耦適合於開關信號的傳輸，不適合於傳輸模擬量。常用的4N系列光耦屬於非線性光耦。
線性光耦的電流傳輸特性曲線接近直線，並且小信號時性能較好，能以線性特性進行隔離控制。常用的線性光耦是PC817A—C系列。
開關電源中常用的光耦是線性光耦。如果使用非線性光耦，有可能使振盪波形變壞，嚴重時出現寄生振盪，使數千赫的振盪頻率被數十到數百赫的低頻振盪依次為號調制。由此產生的後果是對彩電，彩顯，VCD，DCD等等，將在圖像畫面上產生干擾。同時電源帶負載能力下降。在彩電，顯示器等開關電源維修中如果光耦損壞，一定要用線性光耦代換。常用的4腳線性光耦有PC817A----C。PC111 TLP521等常用的六腳線性光耦有：LP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不適合用於開關電源中的，因為這4種光耦均屬於非線性光耦。
由於光電耦合器的品種和類型非常多，在光電子DATA手冊中，其型號超過上千種，通常可以按以下方法進行分類：
⑴按光路徑分，可分為外光路光電耦合器（又稱光電斷續檢測器）和內光路光電耦合器。外光路光電耦合器又分為透過型和反射型光電耦合器。
⑵按輸出形式分，可分為：
a、光敏器件輸出型，其中包括光敏二極體輸出型，光敏三極體輸出型，光電池輸出型，光可控硅輸出型等。
b、NPN三極體輸出型，其中包括交流輸入型，直流輸入型，互補輸出型等。
c、達林頓三極體輸出型，其中包括交流輸入型，直流輸入型。
d、邏輯門電路輸出型，其中包括門電路輸出型，施密特觸發輸出型，三態門電路輸出型等。
e、低導通輸出型（輸出低電平毫伏數量級）。
f、光開關輸出型（導通電阻小於10Ω）。
g、功率輸出型（IGBT/MOSFET等輸出）。
⑶按封裝形式分，可分為同軸型，雙列直插型，TO封裝型，扁平封裝型，貼片封裝型，以及光纖傳輸型
光耦等。⑷按傳輸信號分，可分為數字型光電耦合器（OC門輸出型，圖騰柱輸出型及三態門電路輸出型等）和線性光電耦合器（可分為低漂移型，高線性型，寬頻型，單電源型，雙電源型等）。
⑸按速度分，可分為低速光電耦合器（光敏三極體、光電池等輸出型）和高速光電耦合器（光敏二極體帶信號處理電路或者光敏集成電路輸出型）。
⑹按通道分，可分為單通道，雙通道和多通道光電耦合器。
⑺按隔離特性分，可分為普通隔離光電耦合器（一般光學膠灌封低於5000V，空封低於2000V）和高壓隔離光電耦合器（可分為10kV，20kV，30kV等）。
⑻按工作電壓分，可分為低電源電壓型光電耦合器（一般5～15V）和高電源電壓型光電耦合器（一般大於30V）。

4. 光耦類型有多少種啊都有什麼作用啊

從功能分有線性的非線性的，
從指標分有工作電壓，速度等等。
功能都是為的電隔離

5. 電路中為什麼要用光耦呢

電氣隔離的要求。A與B電路之間,要進行信號的傳輸,但兩電路之間由於供電級版別過於懸殊權,一路為數百伏,另一路為僅為幾伏。

兩種差異巨大的供電系統,無法將電源共用，A電路與強電有聯系,人體接觸有觸電危險,需予以隔離。

6. 可控硅 光耦的經典電路求講解

當光耦二極體有電流流過時，光耦的可控硅導通，當R3上的電壓達到外可控硅導通電壓時，外可控硅導通。電阻R2是分壓電阻，防止光耦的可控硅導通時，電壓過高，把外可控硅的控制端打壞。光耦的作用是隔離，門極的觸發電壓不能直接去控制外可控硅。

7. 如何配置讓光藕在光二極體沒導通時輸出低電平

使用光耦進行電平轉換

首先要根據要處理的信號的頻率來選擇合適的光耦。高頻（20K~1MHz）可以用高速帶放大整形的光藕，如6N137/TLP113/TLP2630/4N25等。如果是20KHz以下可用TLP521。然後搭建轉換電路。如將3.3V信號轉換為5V信號。電路如下圖：

U4是74HC14，U3 AMS1117-1.8的穩壓電路使發送時候光耦中LED的電流不隨電源電壓變化。這個電路在3.0V--5.5V都能穩定跑到115200bps的波特率。在232這邊，DTR和RTS這兩根信號線至少需要有一個是正電壓（軟體打開串口以後一般是這樣的）。D1~D6都用1N4148， Q1， Q2用9015， A1015這些通用管就可以了。232口的RXD需要的正壓和負壓分別由DTR+RTS， TXD提供。TXD空閑時候是輸出負壓的，PC在發送數據時，TXD也會有負壓，經R10和D4給C1充電後，使Q2的集電極保持有一定的負壓。光耦U1未導通時，Q1截至，RXD上出現負壓。Q1在這里起到放大光耦信號的作用，4N37工作在非飽和態，才能滿足速度要求。

U1也可以用4N25， 4N26等，R6和R11要作些調整。U2本人也試用過6N136 （因為6N137是10Mbps級的，在這里大材小用了），但調試發現大不如6N137好用

8. 單片機接光耦隔離，做一個簡單的非門。哪一個圖比較好。

這兩個圖都有問題，光耦P521內部的三極體是NPN的，沒有你畫的PNP型的。P1.0一側接的電源是版+20V，為什麼要用權20V，這樣會燒壞P1.0引腳的。其實很簡單的，也用不著畫兩個圖，沒有什麼好壞之分，見圖1，P1.0為低電平，與你的要求一樣，74LS08關閉

9. 光電耦合器的應用電路

對於開關電路，往往要求控制電路和開關電路之間要有很好的電隔離，這對於一般的電子開關來說是很難做到的，但採用光電耦合器就很容易實現了。圖1中（a）所示電路就是用光電耦合器組成的簡單開關電路。
在圖1（a）中，當無脈沖信號輸入時，三極體BG處於截止狀態，發光二極體無電流流過不發光，則a、b兩端電阻非常大，相當於開關「斷開」。當輸入端加有脈沖信號時，BG導通，發光二極體發光，則a、b兩端電阻變得很小，
圖1 相當於開關「接通」。故稱無信號時開關不通，為常開狀態。
圖1中（b）所示電路則為「常閉」狀態，因為無信號輸入時，雖BG截止，但發光二極體有電流通過而發光，使a、b兩端處於導通狀態，相當於開關「接通」。當有信號輸入時，BG導通，由於BG的集電結壓降在0．3V以下，遠小於發光二極體的正向導通電壓，所以發光二極體無電流流過不發光，則a、b兩端電阻極大，相當於開關「斷開」，故稱「常閉」式。
可見，開關a、b端在電路中不受電位高低的限制，但在使用中應滿足a端電位為正，b端為負，並使U&ab>3V為好，同時還應注意Uab應小於光電三極體的BVceo。
依據圖1的原理，光電耦合器可以組成如圖2中（a）、（b）等多種形式。
圖2
圖2中（a）為單刀雙擲開關電路，其中外接二極體D的作用，是保證輸入正脈沖信號時「oa」組接通，「ob」組關斷。圖中（b）為雙刀雙擲開關電路，無輸入信號時，BG截止，「ob」與「od」組斷開，「oa」與「oc」組接通；BG導通（即有信號輸入時），「ob」與「od」組接通，而「oa」與「oc」組斷開。它們適於自動控制和遙控設備中使用。 圖3
圖3中（a）所示電路為光耦合器構成的可控硅開關電路。可控硅SCR的觸發電壓取自電阻R，其大小由通過光電三極體的電流決定，直接由輸入電壓控制。該電路簡單，控制端與輸出端有可靠的電隔離。
圖3中（b）所示電路，為控制負載為純電阻（如白熾燈泡）的開關電路，圖中R1的阻值由下式確定：R1=V/1．2A，1．2A為雙向開關的額定電流。當主電網電壓為220V時，V=/2·220=308V，則R1=308/1．2=250Ω．所以，可控硅SCR的規格應依R1的大小進行選擇。
當開關電路的負載為感性負載（如電動機等），則由於流過感性負載（線圈）的電流與電壓的相位不同，需增加相應元件，方能保證開關電路的正常工作，如圖46?所示。
圖中雙向可控硅SCR的觸發電流，是由R3與C的不同數值而決定的。
表46—1 IG、R3及三者關系表
/IG(Ma)/R3(kΩ)/C(μF)
/15/2.4/0.1
/30/1.2/0.2
/50/0.8/0.3/
圖4的開關電路，特別適於遙控時選用。
圖4 圖5中（a）所示電路，為光電耦合器控制的雙穩態輸出開關電路，它的特點是由於光電耦合開關接在兩管的發射極迴路上，故能有效地解決輸出與負載間的隔離問題。圖5（a）
圖5 （b）
圖5中（b）所示電路為光電耦合開關的施密特電路。當輸入電壓U1為低電平時，光電三極體C、e間呈高電阻，BG1導通，BG2截止，則輸出電壓U0為低電平；當輸入電壓U1大於鑒幅值時，光電三極體c、e間呈低電阻，則BG1截止，BG2導通，輸出的電壓U0為高電平。調節電阻R3，即改變鑒幅電平。 圖6
對於不同電平的轉換電路或輸入、輸出電路的電位需要分開時，採用光電耦合器就顯得十分方便了。
中圖6的（a）與（b）圖示電路，就是5V電源的TTL集成電路與15V電源的HTL集成電路，相互連接進行電平轉換的基本電路。
圖（a）中，TTL門電路導通時，即輸出低電平，發光二極體導通，光電三極體輸出高電平；TTL門電路截止時，發光二極體截止，光電三極體輸出低電平。
圖（b）中，則是利用TTL截止輸出高電平，發光二極體導通，光電三極體輸出低電平；TTL導通輸出低電平，發光二極體截止，光電三極體輸出高電平。
在進行具體應用時，因CMOS集成電路在低電平時的電流只有1～2mA，難以直接驅動所接的負載，故一般需加一級三極體放大電路來驅動。 圖7
串聯型穩壓電路，比較放大管需選用耐壓高的三極體，若利用光電耦合器的輸入與輸出間絕緣良好的特點，便可實現高壓控制。
圖7中的（a）與（b）所示的電路，就是利用光電耦合器的高壓穩壓電路。
圖（a）中，當輸出電壓因某種原因導致升高時，則BG5的偏壓增加，發光二極體的正向電流增大，使光電三極體集電結電壓減小，即引起調整管BG1發射結電壓下降，其集電結電壓上升，從而使原來升高的輸出電壓減小，保持輸出電壓的穩定。BG3管為限流保護電路。光電耦合器是工作在放大狀態的。圖（b）的工作原理與圖（a）相同。