場效應管功放電路圖

① 場效應管功放板功率低只需要加大三極體就可以了嗎

不是，增加功率管的數量只能是增加帶負載的能力，增加輸出電流。不能有效增加輸出功率。要增大輸出功率，除了要增加末級輸出功率管的數量，還得增大前置、激勵級的放大倍數才行。

② 求場效應管做功放的電路圖

③ 用場效應管做個功放

IRF530N、IRFPG50、IRF1405、K1601、J172均是內帶阻尼二極體場效應管，主要用於逆變電源或開關電源中作開關管，不宜作音頻放大。

④ 圖上的場效應管功放電路可行不不行的話怎麼改

1 Q1 B極通過R1、抄R7接到12V，是啥意思？襲
2 Q1、Q2上方空盪盪的！Q1Q2 E極應當通過電阻與12V連接。
3 Q4 BC極短接在一起！Q4有什麼用？
4 Q1 C極、Q3 B極與輸出端（Q5E極）直接相連！Q5導通時，Q1Q3不會損壞？
5 Q3怎麼沒有偏置電阻？
你這個圖能算是功放電路嗎？
還是好好學習，掌握知識後重新畫一張吧。

⑤ 這功放中場效應管的驅動電壓能足以啟動嗎

這是個模擬音頻信號的放大電路，後級的場效應管已經設置好偏置電壓了，所以回對於任何微小的信號都能夠產生電流答放大作用，不存在啟動電壓的問題。
一般而言，啟動電壓之類的說法只適合於開關電路，只有當輸入給柵極的電壓大於設定值時才會導通進而進入飽和狀態，完成開關電路的功能。而對於模擬電路，柵極的設定值一般是取在零到全導通的電壓范圍內，輸入的音頻信號也只能在這個范圍內變化。

⑥ 功放對管能不能代替場效應管

只要對線路略加改動，完全可以，而且能大幅度提高功放的品質。

具體線路要根據你原專有功放的線路而定，如果屬原來是甲乙類互補電路，功放對管是互補管的，那就需要一對N溝道和P溝道的場效應管，如果原來是甲乙類准互補電路，則只需要一對N溝道的場效應管。

改裝前後線路如附圖所示。

注意，調整Rw必須從零開始往大調，同時監視靜態電流，一般控制在15-30mA。

⑦ 請大神幫我分析下這個運算放大器和場效應管組成的電路圖啊~~~

圖左U1A運放與VMOS管Q2構成電壓轉換恆定電流電路，負載電流正比於運放U1A的輸入電壓Vda，即在電阻R4中流過的電流等於Vda除以R4，這個電流大小與負載電阻阻值大小無關。現在第一個問題來了，當這個電壓轉換恆定電流電路工作後，Q1導通，在Q3 PNP管未導通前，Q1的D、S極之間沒有電流流過，這里的Q3沒有基極偏置電壓就沒有基極電流。第二個問題採用大功率VMOS管的Q2漏極竟沒有負載，那個0.1uf的電容接在大功率管Q2的漏極啥意義也沒有。第三個問題又來了，Q4與Q3的基極相連接，誰給它們的基極提供基極偏置電壓，沒有基極偏置電壓就沒有基極電流，沒有基極電流就截止哦！
圖右面yTTL只能是電平輸出端，不可能是電平輸入端。當Q5三極體導通時，yTTL端電平通過整流橋其中一隻（左下）到Q5三極體的CE極、R10接地，將yTTL端電平鉗位在0.7V+0.1V+6V，等於6。8V，此電壓還要減去0.7V（左上的二極體壓結降），約6V電壓從yTTL端輸出。其中（0.7是二極體壓結降，0.1是Q5的飽和電壓，6V是Q4、Q5三極體導通後R8、R10的分壓點電壓）。當Q5截止時在Q4導通的前提下，yTTL端通過整流橋其中一隻（左上）再經過電阻R8連接+16V Vcc,與此同時，+16V Vcc也通過電阻R8、Q4的E 、C極通過整流橋其中一隻（右上）到達電阻R7，給運放U2A同相端輸入電平。運放U2A是一個可以輸出負電壓的同相放大器。這個圖畫的不完整，也許是為了保密，將關鍵的元器件未畫出，故難以進一步分析。

⑧ 場效應管可以做高頻功放嗎

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconctor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、雜訊小、功耗低、動態范圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
場效應管（FET）是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，並以此命名。
由於它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。
FET 英文為Field Effect Transistor，簡寫成FET。
場效應管工作原理用一句話說，就是「漏極-源極間流經溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID」。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據漏極-源極間所加VDS的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，並不是電流被切斷。
在過渡層由於沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由於漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。
MOS場效應管電源開關電路
MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemiconctor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對於N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對於P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上。場效應管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應管的原因。
在二極體加上正向電壓（P端接正極，N端接負極）時，二極體導通，其PN結有電流通過。這是因為在P型半導體端為正電壓時，N型半導體內的負電子被吸引而湧向加有正電壓的P型半導體端，而P型半導體端內的正電子則朝N型半導體端運動，從而形成導通電流。同理，當二極體加上反向電壓（P端接負極，N端接正極）時，這時在P型半導體端為負電壓，正電子被聚集在P型半導體端，負電子則聚集在N型半導體端，電子不移動，其PN結沒有電流通過，二極體截止。在柵極沒有電壓時，由前面分析可知，在源極與漏極之間不會有電流流過，此時場效應管處與截止狀態（圖7a）。當有一個正電壓加在N溝道的MOS場效應管柵極上時，由於電場的作用，此時N型半導體的源極和漏極的負電子被吸引出來而湧向柵極，但由於氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個N溝道之間的P型半導體中（見圖7b），從而形成電流，使源極和漏極之間導通。可以想像為兩個N型半導體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當於為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定。
C-MOS場效應管（增強型MOS場效應管）
電路將一個增強型P溝道MOS場效應管和一個增強型N溝道MOS場效應管組合在一起使用。當輸入端為低電平時，P溝道MOS場效應管導通，輸出端與電源正極接通。當輸入端為高電平時，N溝道MOS場效應管導通，輸出端與電源地接通。在該電路中，P溝道MOS場效應管和N溝道MOS場效應管總是在相反的狀態下工作，其相位輸入端和輸出端相反。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時由於漏電流的影響，使得柵壓在還沒有到0V，通常在柵極電壓小於1到2V時，MOS場效應管既被關斷。不同場效應管其關斷電壓略有不同。也正因為如此，使得該電路不會因為兩管同時導通而造成電源短路。
1.場效應管可應用於放大。由於場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2.場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3.場效應管可以用作可變電阻。
4.場效應管可以方便地用作恆流源。
5.場效應管可以用作電子開關。

⑨ 用這4隻場效應管的功放電路圖

做個互補推挽電路。

⑩ 用這4隻場效應管的功放電路圖

隨便找個電路圖對上去就好了啊 ....不過覺得這樣的搭配有點懸...