『壹』 蝕刻PCB電路板是用草酸、水、雙氧水嗎
之前一直使用三氯化鐵。
由於是整塊銅板需要蝕刻出所有的PCB線路，因此可能需要時間久一些
『貳』 用蝕刻法製作電路板的步驟(要求在家裡就能完成的)，還有「金屬孔化」是怎麼弄的
目前工業蝕刻法常用的葯水分為鹼性氯化銅蝕液和酸性鹽酸蝕刻液，都需要加熱加壓的情況下才能把線路刻蝕出來，如果在家裡做由於以上葯水的環境污染比較嚴重，而且需要對應的設備，所以是無法完成的。金屬化孔是通過化學沉積和電解的原理把銅離子電鍍到孔壁及面上的，處理工藝還是比較復雜的。
『叄』 印刷電路板蝕刻法和雕刻法分別是什麼意思因為是PCB初學者，所又不太明白，還望詳細點，謝謝
電路板蝕刻法,是化學腐蝕法，是用濃硫酸腐蝕不需要的覆銅做成的電路板。
雕刻法使用物理的方法，用專門的雕刻機，刀頭雕刻覆銅板形成電路走線的方法。
再看看別人怎麼說的。
『肆』 在家蝕刻電路板（銅）可以用Fe3(SO4)2嗎速度怎樣
廣泛採用三氯化鐵蝕刻銅、銅合金及鐵、鋅、鋁等。這是由於它的工藝穩定，操作方便，價格便宜。但是，近些年來，由於它再生困難，污染嚴重，廢液處理困難等而正在被淘汰。因此，這里只簡單地介紹。
三氯化鐵蝕刻液適用於網印抗蝕印料、液體感光膠、干膜、金等抗蝕層的印製板的蝕刻。但不適用於鎳、錫、錫—鉛合金等抗蝕層。
1.蝕刻時的主要化學反應
三氯化鐵蝕刻液對銅箔的蝕刻是一個氧化－還原過程。在銅表面Fe3+使銅氧化成氯化亞銅。同時Fe3+被還原成Fe2+。
FeCl3＋Cu →FeCl2＋CuCl
CuCl具有還原性，可以和FeCl3進一步發生反應生成氯化銅。
FeCl3＋CuCl →FeCl2＋CuCl2
Cu2+具有氧化性，與銅發生氧化反應：
CuCl2＋Cu →2CuCl
所以，FeCl3蝕刻液對Cu的蝕刻時靠Fe3+和Cu2+共同完成的。其中Fe3+的蝕刻速率快，蝕刻質量好；而Cu2+的蝕刻速率慢，蝕刻質量差。新配製的蝕刻液中只有Fe3+，所以蝕刻速率較快。但是隨著蝕刻反應的進行，Fe3+不斷消耗，而Cu2+不斷增加。當Fe3+消耗掉35％時，Cu2+已增加到相當大的濃度，這時Fe3+和Cu2+對Cu的蝕刻量幾乎相等；當Fe3+消耗掉50％時，Cu2+的蝕刻作用由次要地位而躍居主要地位，此時蝕刻速率慢，即應考慮蝕刻液的更新。
在實際生產中，表示蝕刻液的活度不是用Fe3+的消耗量來度量，而是用蝕刻液中的含銅量(g/l)來度量。因為在蝕刻銅的過程中，最初蝕刻時間是相對恆定的。然而，隨著Fe3+的消耗，溶液中含銅量不斷增長。當溶銅量達到60g/l時，蝕刻時間就會延長，當蝕刻液中的Fe3+消耗40％時，溶銅量達到82.40g/1時，蝕刻時間便急劇上升，表明此時的蝕刻液不能再繼續使用，應考慮蝕刻液的再生或更新。
一般工廠很少分析和測定蝕刻液中的含銅量，多以蝕刻時間和蝕刻質量來確定蝕刻液的再生與更新。經驗數據為，採用動態蝕刻，溫度為50℃左右，銅箔厚度為50μm，蝕刻時間5分鍾左右最理想，8分鍾左右仍可使用，若超過10分鍾，側蝕嚴重，蝕刻質量變差，應考慮蝕刻液的再生或更新。
蝕刻銅箔的同時，還伴有一些副反應，就是CuCl2和FeCl3的水解反
『伍』 集成電路已蝕刻是什麼意思
集成電路製造有一套復雜的工藝過程，需要經過大量設計人員設計、認證，設計好後，進入流片工藝，其中需要進行照相、光刻、腐蝕……等一系列工序，已蝕刻說明晶元已經進入流水線，很快將會面世。成為產品。
『陸』 「蝕刻」印刷電路板和「腐蝕」印刷電路板一樣嗎
選擇C
氯氣沒有漂白性，溶於水形成的HClO有漂白性。Cl2 + H2O ==== HCl + HClO
這是常考的，需要注意。
其他的都對。
『柒』 線路板蝕刻是怎麼回事有什麼工序
主要的過程是：干膜——曝光——顯影——蝕刻——去膜……
干膜：在基板（表面是銅）上壓覆干膜，有的是採用濕膜（即油墨），濕膜是塗布上去的，因為油墨有粘性，所以要預烤至不粘手。不管幹膜和濕膜，都是感紫外光的材質。
曝光——設備是帶UV光源的曝光機，有閃光和平行光兩種，後者較好。曝光時將事先做好的菲林與基板對好位置並與基板固定好，將基板放在曝光機平台上進行曝光，具體的操作在此略過。曝光的目的是將圖形轉移至干膜上，菲林上透明的區域會透射過UV光到干膜上，使干膜發生光聚合反應，而菲林的黑色圖案遮住了UV光，底下的干膜保持原態，經過曝光的干膜，可以明顯看到與菲林一樣的圖形。
顯影——將曝光的基板放在顯影液里沖洗，未曝光的干膜可溶於顯影液，曝光的剛好相反，所以經過顯影形成干膜圖形。
蝕刻——將基板放在蝕刻液里蝕刻，干膜據有抗蝕刻性，蓋膜的地方保護了底下的銅，而露在外表的銅被蝕刻掉，這樣就形成了帶干膜和帶銅的圖形。
去膜——將基板放在去膜液中沖洗，干膜可溶於此種液體，最後基板將是帶與菲林圖形互補的銅圖形。
其實上面講的是簡單的負片蝕刻工藝，也叫減法工藝。目前用得比較多的還有半加成法，使用的菲林是正片的，即作出的銅圖形與菲林的是一致的。
寫太多了，不知你是否明白？
『捌』 FeCl3溶液能與Cu反應，可用於蝕刻印刷電路,為什麼
三價鐵離子可以把銅氧化掉。2Fe3+ + Cu==Fe2+ + Cu2+
蝕刻電路簡單說就是這樣：
電路板本身是一張薄銅片，你設計好電路之後，把電路周邊挖空，做成模具。把模具覆蓋在銅片上，然後用氯化鐵浸泡。沒有覆蓋的地方就腐蝕了，蓋住的地方就留下來了。
然後撈出腐蝕過的銅片，就是你需要的電路。
因為電路板很復雜，而且電路也很小，直接沖壓或者印刷操作上都很難。用這個方法比較精準。
『玖』 cpu的半導體單晶硅上面刻蝕的電路是以什麼形式存在的
現在市場上產品豐富，琳琅滿目，當你使用著配置了最新款CPU的電腦在互聯網上縱橫馳騁，在各種程序應用之間操作自如的時候，有沒有興趣去想一想這個頭不大、功能不小的CPU是怎麼製作出來的呢。在今天的半導體製造業中，計算機中央處理器無疑是受關注程度最高的領域，而這個領域中眾所周知的兩大巨頭，其所遵循的處理器架構均為x86，而另外一家號稱信息產業的藍色巨人的IBM，也擁有強大的處理器設計與製造能力，它們最先發明了應變硅技術，並在90納米的處理器製造工藝上走在最前列。在今天的文章中，我們將一步一步的為您講述中央處理器從一堆沙子到一個功能強大的集成電路晶元的全過程。
製造CPU的基本原料
如果問及CPU的原料是什麼，大家都會輕而易舉的給出答案—是硅。這是不假，但硅又來自哪裡呢？其實就是那些最不起眼的沙子。難以想像吧，價格昂貴，結構復雜，功能強大，充滿著神秘感的CPU竟然來自那根本一文不值的沙子。當然這中間必然要經歷一個復雜的製造過程才行。不過不是隨便抓一把沙子就可以做原料的，一定要精挑細選，從中提取出最最純凈的硅原料才行。試想一下，如果用那最最廉價而又儲量充足的原料做成CPU，那麼成品的質量會怎樣，你還能用上像現在這樣高性能的處理器嗎？
除去硅之外，製造CPU還需要一種重要的材料就是金屬。目前為止，鋁已經成為製作處理器內部配件的主要金屬材料，而銅則逐漸被淘汰，這是有一些原因的，在目前的CPU工作電壓下，鋁的電遷移特性要明顯好於銅。所謂電遷移問題，就是指當大量電子流過一段導體時，導體物質原子受電子撞擊而離開原有位置，留下空位，空位過多則會導致導體連線斷開，而離開原位的原子停留在其它位置，會造成其它地方的短路從而影響晶元的邏輯功能，進而導致晶元無法使用。這就是許多Northwood Pentium4換上SNDS(北木暴畢綜合症)的原因，當發燒友們第一次給Northwood Pentium4超頻就急於求成，大幅提高晶元電壓時，嚴重的電遷移問題導致了CPU的癱瘓。這就是intel首次嘗試銅互連技術的經歷，它顯然需要一些改進。不過另一方面講，應用銅互連技術可以減小晶元面積，同時由於銅導體的電阻更低，其上電流通過的速度也更快。
除了這兩樣主要的材料之外，在晶元的設計過程中還需要一些種類的化學原料，它們起著不同的作用，這里不再贅述。
CPU製造的准備階段
在必備原材料的採集工作完畢之後，這些原材料中的一部分需要進行一些預處理工作。而作為最主要的原料，硅的處理工作至關重要。首先，硅原料要進行化學提純，這一步驟使其達到可供半導體工業使用的原料級別。而為了使這些硅原料能夠滿足集成電路製造的加工需要，還必須將其整形，這一步是通過溶化硅原料，然後將液態硅注入大型高溫石英容器而完成的。
而後，將原料進行高溫溶化。中學化學課上我們學到過，許多固體內部原子是晶體結構，硅也是如此。為了達到高性能處理器的要求，整塊硅原料必須高度純凈，及單晶硅。然後從高溫容器中採用旋轉拉伸的方式將硅原料取出，此時一個圓柱體的硅錠就產生了。從目前所使用的工藝來看，硅錠圓形橫截面的直徑為200毫米。不過現在intel和其它一些公司已經開始使用300毫米直徑的硅錠了。在保留硅錠的各種特性不變的情況下增加橫截面的面積是具有相當的難度的，不過只要企業肯投入大批資金來研究，還是可以實現的。intel為研製和生產300毫米硅錠而建立的工廠耗費了大約35億美元，新技術的成功使得intel可以製造復雜程度更高，功能更強大的集成電路晶元。而200毫米硅錠的工廠也耗費了15億美元。下面就從硅錠的切片開始介紹CPU的製造過程。
單晶硅錠
在製成硅錠並確保其是一個絕對的圓柱體之後，下一個步驟就是將這個圓柱體硅錠切片，切片越薄，用料越省，自然可以生產的處理器晶元就更多。切片還要鏡面精加工的處理來確保表面絕對光滑，之後檢查是否有扭曲或其它問題。這一步的質量檢驗尤為重要，它直接決定了成品CPU的質量。
新的切片中要摻入一些物質而使之成為真正的半導體材料，而後在其上刻劃代表著各種邏輯功能的晶體管電路。摻入的物質原子進入硅原子之間的空隙，彼此之間發生原子力的作用，從而使得硅原料具有半導體的特性。今天的半導體製造多選擇CMOS工藝(互補型金屬氧化物半導體)。其中互補一詞表示半導體中N型MOS管和P型MOS管之間的交互作用。而N和P在電子工藝中分別代表負極和正極。多數情況下，切片被摻入化學物質而形成P型襯底，在其上刻劃的邏輯電路要遵循nMOS電路的特性來設計，這種類型的晶體管空間利用率更高也更加節能。同時在多數情況下，必須盡量限制pMOS型晶體管的出現，因為在製造過程的後期，需要將N型材料植入P型襯底當中，而這一過程會導致pMOS管的形成。
在摻入化學物質的工作完成之後，標準的切片就完成了。然後將每一個切片放入高溫爐中加熱，通過控制加溫時間而使得切片表面生成一層二氧化硅膜。通過密切監測溫度，空氣成分和加溫時間，該二氧化硅層的厚度是可以控制的。在intel的90納米製造工藝中，門氧化物的寬度小到了驚人的5個原子厚度。這一層門電路也是晶體管門電路的一部分，晶體管門電路的作用是控制其間電子的流動，通過對門電壓的控制，電子的流動被嚴格控制，而不論輸入輸出埠電壓的大小。
准備工作的最後一道工序是在二氧化硅層上覆蓋一個感光層。這一層物質用於同一層中的其它控制應用。這層物質在乾燥時具有很好的感光效果，而且在光刻蝕過程結束之後，能夠通過化學方法將其溶解並除去。
『拾』 怎麼在覆銅板上面刻電路
簡單的電路，通常是在覆銅板上防腐蝕層，然後按走線圖形颳去相應的防腐蝕層，再用三氯化鐵溶液蝕刻。高精細的電路原理也一樣，不過是用其防腐蝕層，可以用光去掉。所以叫光蝕刻。這個流程可以機器製作。所以精度就高啦。