cmos模擬電路

1. 拉扎維模擬cmos集成電路設計哪章最難

第三章是重難點，非常重要，要熟練到對於單及放大器閉著眼睛都能寫出增益的表達式。
《模擬CMOS集成電路設計》介紹模擬CMOS集成電路的分析與設計。從直觀和嚴密的角度闡述了各種模擬電路的基本原理和概念，同時還闡述了在SOC中模擬電路設計遇到的新問題及電路技術的新發展。《模擬CMOS集成電路設計》由淺入深，理論與實際結合，提供了大量現代工業中的設計實例。全書共18章。
畢查德·拉扎維於1985年在沙里夫理工大學的電氣工程系獲得理學學士學位，並分別於1988年和1992年在斯坦福大學電氣工程系獲得理學碩士和博士學位。他曾在AT&T貝爾實驗室工作，隨後又受聘於Hewlett-Packard實驗室，直到1996年為止。1996年9月，他成為加利福尼亞大學洛杉磯分校的電氣工程系副教授，隨後晉升為教授。他從事的研究包括無線收發、頻率合成，高速數據通信及數據轉換的鎖相和時鍾恢復。其編著的《模擬CMOS集成電路設計》一書更是加州大學洛杉磯分校（UCLA）的新教材。其組織嚴謹，內容豐富，循序漸進。在闡述原理和概念時，由淺入深，逐步分析。模擬電路設計需要直觀、嚴密和創新。在闡述各種模擬電路的改進和新電路結構的產生時，著重觀察和分析，不斷地提出問題和解決問題，重視這三方面能力的培養。

2. 什麼是cmos模擬集成電路

CMOS實際上是英文 Complementary Metal Oxide Semiconctor 的首字母縮寫，本意是指互補金屬氧化物半導體。它是一種大規模應用於集成電路晶元製造的原料，在模擬集成電路中，它主要作為電壓控制的放大器而大量使用。

3. CMOS電路有哪些模擬應用電路

CMOS門電路 (非門、或非門、與非門、或門、與門、與或非門、異或門、OD門、傳輸門、三態門)
先了解二極體門電路邏輯，再次介紹CMOS門電路，也是IC中用的最廣泛的門電路。
主要了解與非門、或非門以及相同面積的cmos與非門和或非門哪個更快。OD門、傳輸門、三態門。
CMOS電路是互補型金屬氧化物半導體電路(Complementary Metal-Oxide-Semiconctor)的英文字頭縮寫，它由絕緣場效應晶體管組成，由於只有一種載流子，因『而是一種單極型晶體管集成電路，其基本結構是一個N溝道MOS管和一個P溝道MOS管。

4. CMOS模擬集成電路的重要性

微電子的學生並想以後從事模擬集成電路設計的話，一定要學好這門課，這是模擬電路中最重要的。bipolar集成電路看興趣吧，bipolar的應用范圍沒有cmos大，但是高性能的運放，大電流ldo等電路還是biporlar多。

多說一句，找工作就靠這么課和外語了。

5. CMOS正確來說是數字電路還是模擬電路

嚴格來講，cmos是一種物理構造，用可以用於製造數字電路，也可用於模擬電路的。

6. 安博職業教育提到《CMOS模擬集成電路技術》的課程是什麼

《CMOS模擬集成電路技術》課程是工業和信息化部教育與考試中心組織開展的「工業和信息化職業技能提升工程」培訓項目，旨在培養CMOS模擬集成電路中級應用型人才，提升一線企業工作人員的理論和動手能力。

7. CMOS模擬集成電路與數字集成電路的區別

模擬集成電路：主要是針對模擬信號處理的模塊。如；話筒里的聲音信號，電版視信號和VCD輸出的圖象信號、溫權度採集的模擬信號和其它模擬量的信號處理的集成模塊。

數字集成電路：主要是針對數字信號處理的模塊。如；計算機里的2近制、8近制、10近制、16近制的數據進行處理的集成模塊。

CMOS：是一種製造工藝，它採用的是「絕緣柵場效應型三極體」作為晶元製造的主要器件。

8. TTL是數字電路而CMOS是模擬電路嗎

TTL全稱Transistor-Transistor Logic,即BJT-BJT邏輯門電路，是數字電子技術中常用的一種邏輯門電路，應用較早，技術已比較成熟。TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor 即雙極結型晶體管，晶體三極體）和電阻構成，具有速度快的特點。最早的TTL門電路是74系列，後來出現了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。但是由於TTL功耗大等缺點，正逐漸被CMOS電路取代。
TTL電平： 輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，雜訊容限是0.4V。

MOS是:金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconctor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，而由PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即為 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated Circuit）。
CMOS電平： 1邏輯電平電壓接近於電源電壓，0邏輯電平接近於0V。而且具有很寬的雜訊容限。

附：
TTL和CMOS電路比較：
1）TTL電路是電流控制器件，而CMOS電路是電壓控制器件。
2）TTL電路的速度快，傳輸延遲時間短(5-10ns)，但是功耗大。 CMOS電路的速度慢，傳輸延遲時間長(25-50ns),但功耗低。 CMOS電路本身的功耗與輸入信號的脈沖頻率有關，頻率越高，晶元集越熱，這是正常現象。 3）CMOS電路的鎖定效應

9. CMOS反相器的電路結構是怎樣的它有哪些特點

反相器是可以將輸入信號的相位反轉180度，這種電路應用在模擬電路，比如說音頻放大，時鍾振盪器等。

CMOS反相器
CMOS反相器電路由兩個增強型MOS場效應管組成，其中V1為NMOS管，稱驅動管，V2為PMOS管，稱負載管。
NMOS管的柵源開啟電壓UTN為正值，PMOS管的柵源開啟電壓是負值，其數值范圍在2~5V之間。
為了使電路能正常工作，要求電源電壓UDD>(UTN+|UTP|)。UDD可在3~18V之間工作，其適用范圍較寬。工作原理：當UI=UIL=0V時，UGS1=0，因此V1管截止，而此時|UGS2|>|UTP|，所以V2導通，且導通內阻很低，所以UO=UOH≈UDD， 即輸出為高電平。
當UI=UIH=UDD時，UGS1=UDD>UTN，V1導通，而UGS2=0<|UTP|，因此V2截止。此時UO=UOL≈0，即輸出為低電平。 可見，CMOS反相器實現了邏輯非的功能。
CMOS反相器的主要特性：在AB段由於V1截止，阻抗很高，所以流過V1和V2的漏電流幾乎為0。
在CD段V2截止，阻抗很高，所以流過V1和V2的漏電流也幾乎為0。
只有在BC段，V1和V2均導通時才有電流iD流過V1和V2，並且在UI=1/2UDD附近，iD最大。