門電路缺點

Ⅰ 使用位操作指令和使用邏輯門電路實現布爾函數有什麼優缺點

使用位操作指令，實現布爾代數函數：
優點：編程靈活；
缺點：需要軟體編程環境，就是要有微處理器系統。
邏輯門電路，實現布爾代數：
優點：使用邏輯門電路實現布爾函數，響應速度快；
缺點：對於復雜的布爾函數，邏輯門電路亦復雜。

Ⅱ 二極體門電路存在哪些缺點,在三極體門電路中是如何克服這些缺點的

二極體，驅動大，反應速度低。三極體驅動小，反應速度快。

Ⅲ 與非門和非門電路製作簡單搶答器的優缺點

這個我在行！一般搶答器要用到鎖存器，即把搶答狀態鎖住不允許別的人再答，從而判斷先後，如果只是簡單的兩個人搶答（兩輸入）那隻要用到兩個D觸發器連接成互鎖狀態就行了，用與非門構建搶答器可能會導致電路非常復雜，邏輯不清楚，其實D觸發器也是由許多基礎的門電路構成，你犯不著再從最基礎的做起，除非你是為了練手藝，打基礎。再深一點如果涉及多路輸入和數字顯示（LED數碼管）就要用到編碼原理了。先說這么多，祝你新年快樂！

Ⅳ DTL在建築圖紙上是什麼

早期的雙極型集成邏輯門採用的是二極體——三極體的電路(DTL)形式。由於其速度較低，以後發展成晶體管晶體管電路(TTL)形式。二極體晶體管邏輯門電路(DTL) 基本DTL與非門是由分立元件與非門演變過來的，

(1)由輸入二極和D1, D2, D3和電阻RA構成的與門。 (2)串聯二極體D4, D5為電平移位二極體。 (3)晶體管T和電阻RC，RB構成非門。不難理解，該電路具有與非邏輯功能。假設各二極體的結電壓為0.7 V，當輸入信號A，B，C中有一個或一個以上為低電平(設0.3 V)時，VP1=1 V，不可能使D4, D5和VBE同時導電，則三極體截止，輸出為高電平。當輸入信號A，B，C全部為高電平(設+3.6 V)時，VP1≥2.1 V，使D4, D5和VBE同時導電，晶體管飽和，輸出為低電平。

DTL門電路的缺點是工作速度低。當輸入信號由低電位跳變到高電位時，電流通過RA和二極體D4, D5流入三極體的基極，這個驅動電流是比較大的，使三極體很快由截止到飽和。但輸入由高電位變到低電位時，電阻RA里的電流流向輸入端，三極體的反向驅散電流為RB里的小電流。由於沒有大的反向驅散電流，三極體由飽和到截止的過程就比較長，使DTL與非門電路的工作速度低。一般在100ns左右。

Ⅳ 基本邏輯門電路有哪些各有什麼特點

高、低電平可以分別代表邏輯上的「真」與「假」或二進制當中的1和0，從而實現邏輯運算。常見的邏輯門包括「與」門，「或」門，「非」門，「異或」門（也稱：互斥或）等等。
組成
邏輯門可以用電阻、電容、二極體、三極體等分立原件構成，成為分立元件門。也可以將門電路的所有器件及連接導線製作在同一塊半導體基片上，構成集成邏輯門電路。
簡單的邏輯門可由晶體管組成。這些晶體管的組合可以使代表兩種信號的高低電平在通過它們之後產生高電平或者低電平的信號。
作用
高、低電平可以分別代表邏輯上的「真」與「假」或二進制當中的1和0，從而實現邏輯運算。常見的邏輯門包括「與」門，「或」門，「非」門，「異或」門（也稱：互斥或）等等。
邏輯門可以組合使用實現更為復雜的邏輯運算。
類別
邏輯門電路是數字電路中最基本的邏輯元件。所謂門就是一種開關，它能按照一定的條件去控制信號的通過或不通過。門電路的輸入和輸出之間存在一定的邏輯關系(因果關系)，所以門電路又稱為邏輯門電路。基本邏輯關系為「與」、「或」、「非」三種。邏輯門電路按其內部有源器件的不同可以分為三大類。第一類為雙極型晶體管邏輯門電路，包括TTL、ECL電路和I2L電路等幾種類型；第二類為單極型MOS邏輯門電路，包括NMOS、PMOS、LDMOS、VDMOS、VVMOS、IGT等幾種類型；第三類則是二者的組合BICMOS門電路。常用的是CMOS邏輯門電路。
1、TTL全稱Transistor-Transistor Logic,即BJT-BJT邏輯門電路，是數字電子技術中常用的一種邏輯門電路，應用較早，技術已比較成熟。TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor 即雙極結型晶體管，晶體三極體）和電阻構成，具有速度快的特點。最早的TTL門電路是74系列，後來出現了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。但是由於TTL功耗大等缺點，正逐漸被CMOS電路取代。 TTL門電路有74（商用）和54（軍用）兩個系列，每個系列又有若干個子系列。TTL電平信號被利用的最多是因為通常數據表示採用二進制規定，+5V等價於邏輯「1」，0V等價於邏輯「0」，這被稱做TTL（晶體管-晶體管邏輯電平）信號系統，這是計算機處理器控制的設備內部各部分之間通信的標准技術。
TTL電平信號對於計算機處理器控制的設備內部的數據傳輸是很理想的，首先計算機處理器控制的設備內部的數據傳輸對於電源的要求不高以及熱損耗也較低，另外TTL電平信號直接與集成電路連接而不需要價格昂貴的線路驅動器以及接收器電路；再者，計算機處理器控制的設備內部的數據傳輸是在高速下進行的，而TTL介面的操作恰能滿足這個要求。TTL型通信大多數情況下，是採用並行數據傳輸方式，而並行數據傳輸對於超過10英尺的距離就不適合了。這是由於可靠性和成本兩面的原因。因為在並行介面中存在著偏相和不對稱的問題，這些問題對可靠性均有影響。

Ⅵ 邏輯門電路的工作情況

CMOS反相器在電容負載情況下，它的開通時間與關閉時間是相等的，這是因為電路具有互補對稱的性質。下圖表示當vI=0V時，TN截止，TP導通，由VDD通過TP向負載電容CL充電的情況。由於CMOS反相器中，兩管的gm值均設計得較大，其導通電阻較小，充電迴路的時間常數較小。類似地，亦可分析電容CL的放電過程。CMOS反相器的平均傳輸延遲時間約為10ns。
雙極型門電路
TTL是transistor-transistorlogic的縮寫，就是晶體管到晶體管邏輯電路的意思。COMS是MOS管的，TTL就是晶體管的。TTL門電路是雙極型集成電路，與分立元件相比，具有速度快、可靠性高和微型化等優點，分立元件電路已被集成電路替代。二極體構成的與門和或門。由於實際的二極體並不是理想的，正向導通時存在壓降（硅管均為0.7V），所以低電平信號經過一級與門後，其電平將升高0.7V；高電平信號每經過一級或門其電平將下降0.7V。也就是說由二極體構成的與門和或門均不能用以構成實用的邏輯電路。為克服二極體門電路的上述缺點，可採用具有反相放大特性的三極體來構成門電路，即TTL門電路。LSTTL與非門電路：該電路可以看作由二極體D1、D2構成的與門、三極體T2構成的非門及用三極體T3、T4取代R3′，T2的BE結取代RB的改進型與非門的組合。1、LSTTL門電路的靜態特性：(1)LSTTL門電路的靜態輸入特性、(2)LSTTL門電路的靜態輸出特性、LSTTL電路中的74LS125晶元有如圖所示三態輸出方式：0、1和高電阻。三態電路特別適合於匯流排結構系統和外圍電路，也適用於數字控制設備，數字儀表中一般邏輯電路間的連接。(3)LSTTL門電路的電壓傳輸特性、(4)LSTTL門電路的抗干擾特性――雜訊容限UNLSTTL門電路的輸入低電平雜訊容限VNL=0.5V，輸入高電平雜訊容限VNH=0.3V。2、LSTTL門電路的動態特性：(1)LSTTL門電路的平均傳輸延遲時間
TP，由於二極體和三極體由導通到截止或者由截止到導通都需要時間，且受到電路中的寄生電容和負載電容等的影響，電路的輸出波形總是滯後於輸入波形。(2)LSTTL門電路的動態尖峰電流，在電源電流脈沖的邊沿(主要是下降沿)產生了尖峰，這就是動態尖峰電流。3、LSTTL門電路的溫度特性：溫度變化對LSTTL門電路電氣性能的影響比對CMOS門電路影響大得多，主要是：
1、輸入高電平通過圖2.30中D1、D2的漏電流I1H隨溫度升高而增大。OC門輸出高電平或輸出高電阻狀態的漏電流IOZ會增大，電路的輸出驅動能力將下降。2、輸出高電平VOHP隨溫度降低而降低。其原因是VOH=VCC－2VBE，溫度降低導致VBE增大，故VOH減小。根據雜訊容限的概念，VOH的減小則系統的抗干擾能力降低。3、LSTTL門電路的閾值電壓VT主要取決於VD和VBE1，於是VT隨著溫度的升高而下降。因溫度每升高1℃，則PN結壓降低減小2mV，所以當溫度從－55℃上升到+125℃時，VT將下降300mV以上。
普通的TTL門電路和其他類型的雙極型集成門電路：
1、普通TTL門電路：①將LSTTL門電路74LS00中的肖特基三極體換成普通三極體，將肖特基二極體換成普通二極體，將輸入端的二極體與門換成多射極晶體管輸與門，普通TTL與非門電路。②三3輸入與非門7410的工作狀態表。2、ECL門電路(1)「發射極耦合邏輯」門電路，簡稱為ECL門電路，是一種非飽和型的高速邏輯電路。(2)ECL或/或非門的電壓傳輸特性。(3)ECL電路與TTL電路相比較優點主要表現在：①由於輸出端採用射極輸出結構，故輸出電阻很低，帶負載能很強。例如國產CE10K系列門電路能驅動同類門電路數目達90個以上。②工作速度最快。③ECL電路可以直接將輸出端並聯以實現「線或」的邏輯功能，同時有、互補的輸出端，使用非常方便。④由於T1～T5管的ic幾乎相等，故電路開關過程中電源電流幾乎沒有變化，電路內部的開關雜訊很小。缺點主要表現在：①功耗大。②抗干擾能力差，即雜訊容限低，因為ECL電路的邏輯擺幅僅0.8V，直流雜訊容限僅200mV左右。③輸出電平的穩定性較差。3、I2L電路：(1)集成注入邏輯」門電路，簡稱I2L電路，它具有結構簡單，功耗低的優點，特別適合製成大規模集成電路。(2)I2L電路的多集電極輸出結構在構成復雜邏輯電路時十分方便。(3)I2L門電路與TTL門電路的比較
I2L電路的優點主要表現在：①I2L電路能在低電壓、微電流下工作。②I2L門電路結構簡單。③各邏輯單元之間不需要隔離。I2L電路的缺點主要表現在：①開關速度慢。②抗干擾能力差。
BicMOS門電路 雙極型CMOS或BiCMOS的特點在於，利用了雙極型器件的速度快和MOSFET的功耗低兩方面的優勢，因而這種邏輯門電路受到用戶的重視。
BiCMOS反相器
右圖表示基本的BiCMOS反相器電路，為了清楚起見，MOSFET用符號M表示BJT用T表示。T1和T2構成推拉式輸出級。而Mp、MN、M1、M2所組成的輸入級與基本的CMOS反相器很相似。輸入信號vI同時作用於MP和MN的柵極。當vI為高電壓時MN導通而MP截止；而當vI為低電壓時，情況則相反，Mp導通，MN截止。當輸出端接有同類BiCMOS門電路時，輸出級能提供足夠大的電流為電容性負載充電。同理，已充電的電容負載也能迅速地通過T2放電。上述電路中T1和T2的基區存儲電荷亦可通過M1和M2釋放，以加快電路的開關速度。當vI為高電壓時M1導通，T1基區的存儲電荷迅速消散。這種作用與TTL門電路的輸入級中T1類似。同理，當vI為低電壓時，電源電壓VDD通過MP以激勵M2使M2導通，顯然T2基區的存儲電荷通過M2而消散。可見，門電路的開關速度可得到改善。
BiCMOS門電路
根據前述的CMOS門電路的結構和工作原理，同樣可以用BiCMOS技術實現或非門和與非門。如果要實現或非邏輯關系，輸入信號用來驅動並聯的N溝道MOSFET，而P溝道MOSFET則彼此串聯。正如下圖所示的2輸入端或非門。當A和B均為低電平時，則兩個MOSFETMPA和MPB均導通，T1導通而MNA和MNB均截止，輸出L為高電平。與此同時，M1通過MPA和MpB被VDD所激勵，從而為T2的基區存儲電荷提供一條釋放通路。另一方面，當兩輸入端A和B中之一為高電平時，則MpA和MpB的通路被斷開，並且MNA或MNB導通，將使輸出端為低電平。同時，M1A或M1B為T1的基極存儲電荷提供一條釋放道路。因此，只要有一個輸入端接高電平，輸出即為低電平。

Ⅶ 目前市場上常用的門電路是由哪種方式構成的,有哪些優缺點。

目前常抄用的門電路有CMOS和TTL，除此之外還有ECL、IIL、Bi－CMOS等。
TTL門電路集成體積小、重量輕、可靠性好，傳輸速度快，傳輸延遲時間短，因此迅速取代了分立器件組成的數字電路。然而TTL也存在一個嚴重的缺點，就是它的功耗比較大，因此只能作成小規模集成電路和中規模集成電路，而無法製作大規模和超大規模的集成電路。
COMS集成電路的突出優點在於功耗低，所以非常適合製作大規模的集成電路，隨著工藝的不斷進步，COMS電路逐漸取代了TTL電路成為當前集成電路的主流產品。
另一方面，COMS電路的速度慢，傳輸延遲時間長,但功耗低。 COMS電路本身的功耗與輸入信號的脈沖頻率有關，頻率越高，晶元集越熱，COMS電路由於輸入太大的電流，內部的電流容易急劇增大。

Ⅷ 門電路組合電路有什麼優缺點

你好！優點是，能解決你的問題，缺點是，電路會變的復雜

Ⅸ 分析用解碼器實現組合電路和用門電路組成組合電路有什麼優缺點

用解碼器優點是電路簡單，缺點是有幾個變數就要用幾位的解碼器，輸出端可能有很大的浪費（比如四個變數組成的一個表達式）。用門電路優點是層次清晰，缺點是電路較為復雜，所需門電路元件多。

Ⅹ 二極體或門電路存在電平偏離現象及帶負載能力差的缺點

是有。電平偏離現象是因為二極體有正向壓降，帶載能力差是因為沒有放大器驅動，而且還有一個下拉電阻。