ir2102驅動電路

1. 請教下，關於IR2102驅動電機，老是燒壞mos管是什麼情況，mos管的最大電流80A，過電流保護

MOS管要留意的參數除了電流，還有一個就是擊穿電壓；

一般過電流越大，MOS管的擊穿電壓越低；
如果燒壞的MOS管表面看上去完好，那就有可能是擊穿了。

2. IR2101驅動MOS管，一接上MOS管後二極體就燒，這是為什麼呢

in4148負載能力100ma，如果燒掉，8pin輸入電流太大，可能ir2101s已經掛了。

3. 我們用IR2111做了一個mosfet的驅動電路，但是發現其HO總是保持在13V左右而不受控制（但是LO可控）請賜教！

將VS端接在HO控制的mos管源極

4. 求使用IR2110驅動單個mos管的電路

我最近也在用IR2110，做一個交流逆變電源。 IR2110的高端驅動電平（6腳與5腳）相對於COM是懸浮的，必須通過開通半橋的下管給VB-VS腳所接的自舉電容充電，這樣7腳才有足夠的電荷驅動半橋的上管。
如果是驅動單個MOSFET的話用低端驅動，即用1腳和2腳，換作LIN給PWM信號。如果實在要用7腳與5腳的話，必須把5腳強制接COM，即接到15V的地。否則7腳對COM一直為高。

5. ir2111驅動MOSFET的問題

這塊驅動晶元就是用來驅動半橋的，板橋的電路很簡單，上下橋驅動互補，上橋關斷下橋二極體續流，與之相反！只是不是很明白樓主的意思！

晶元的使用手冊上寫的很清楚！原理圖如下圖：

6. 用兩片ir2101怎麼構成驅動電路

IR2101 晶元是CMOS驅動晶元，一路是NMOS,一路是PMOS,可以驅動一組CMOS三極體，通過PWM波控制負載的電流可以穩定，如果是感性發展要增加一個續流管。注意只使用其中一路就可以了。

7. 用IR2101驅動晶元驅動三相逆變電路，直流側220V，VB與VS之間的自舉電容耐壓值要怎麼選擇

自舉電容器耐壓要求並不高，取VCC電源的1.5-2倍即可。比如VCC是12V，取耐壓25V的電容器即可滿足要求。建議使用容許工作溫度為105攝氏度的電解（10-22uF/25V），再並聯一個100n/63V的貼片電容器。

8. IR2101驅動MOSFET管HOUT端輸出波形不對

你的輸入波形指的那個點 輸出又指的那個點 輸出的波形要經過IC內部斬波 輸出的波形頻率取決晶元設置的工作頻率 輸入波形就是你提供的電源本身的波形

9. ir2102負壓產生電路

3.3負反饋放大電路抄產生自激振盪的原因及條件

l 產生自激振盪的原因

引入負反饋後，凈輸入信號 在減小，因此， 與 必須是同相的，即有 ，n=0，1，2…（ 、 分別是 、 的相角）。可是，在高頻區或低頻區時，電路中各種電抗性元件的影響不能再被忽略。 、 是頻率的函數，因而 、 的幅值和相位都會隨頻率而變化。相位的改變，使 和 不再相同，產生了附加相移（ ）。可能在某一頻率下， 、 的附加相移達到 即 ，這時， 與 必然由中頻區的同相變為反相，使放大電路的凈輸入信號由中頻時的減小而變為增加，放大電路就由負反饋變成了正反饋。當正反饋較強以 ，也就是 時，即使輸入端不加信號（ ），輸出端也會產生輸出信號，電路產生自激振盪。這時，電路失去正常的放大作用而處於一種不穩定的狀態。

l 產生自激振盪的相位條件和幅值條件

，負反饋放大電路產生自激振盪的條件是環增益

（1）

它包括幅值條件和相位條件，即

（2）

（3）

、 的幅值條件和相位條件同時滿足時，負反饋放大電路就會產生自激。在 及 時，更加容易產生自激振盪。