『壹』 PWM波要驅動死區干什麼怎麼設計死去、
開關管可不是瞬間就能開啟或關閉的。
特別是推挽電路中，沒有死區的話，有可能造成直通短路。
即使是boost 電路，為了限制最大占空比，也得設計個死區時間啊，
具體設置多少要看所用開關管的開啟和關閉的延遲時間，
『貳』 什麼叫死區設計電路時為什麼要有死區詳細講解死區電路的設計。
通常叫做死區時間，deadtime，常用於功率開關控制信號翻轉時避免發生誤觸回發。
很多電源管理類晶元都會通答過檢測反饋電流或反饋電壓，對一個或多個外部功率器件進行控制，例如MOSFET或IGBT等等。這些反饋電流或電壓信號，常常會被功率器件開關時產生的雜訊所影響，導致輸入晶元內部的信號疊加了一些由導線寄生電感和晶元寄生電容引起的spike，這些spike雜訊會導致晶元內部產生誤觸發，輸出錯誤的控制信號。
為了避免spike雜訊的影響，通常在控制信號翻轉後到反饋信號穩定的一端時間內，對反饋信號的運算電路進行屏蔽，這段時間就是死區時間。
死區電路的設計實際上就是一端delay延時，以控制信號翻轉為起點，通過RC或clk counter，產生一定時長的高電平脈沖，用這段脈沖去disalbe那些sensitive的反饋電路，死區時間的長度必須保證能夠完全mask spike雜訊，同時盡可能短，否則會影響晶元的性能，尤其對於PWM類控制晶元來說，會影響到其max/min ty。
『叄』 死區電壓與什麼有關,從微觀怎麼解釋他的存在
死區電壓在開關電路中表示上下臂開關管導通之間的空檔區，即兩管交替導通過程中有共同截止的時間，以避免發生共通的危險，保障功率管和電路的安全。死區電壓與電路設計的工作頻率和工作電壓有關。具體找本電子線路相關章節閱讀即可。
『肆』 什麼叫死區設計電路時為什麼要有死區
【簡介】：
通常叫做死區時間，deadtime，常用於功率開關控制信號翻轉時避免發生誤觸發。
很多電源管理類晶元都會通過檢測反饋電流或反饋電壓，對一個或多個外部功率器件進行控制，例如MOSFET或IGBT等等。這些反饋電流或電壓信號，常常會被功率器件開關時產生的雜訊所影響，導致輸入晶元內部的信號疊加了一些由導線寄生電感和晶元寄生電容引起的spike，這些spike雜訊會導致晶元內部產生誤觸發，輸出錯誤的控制信號。
為了避免spike雜訊的影響，通常在控制信號翻轉後到反饋信號穩定的一端時間內，對反饋信號的運算電路進行屏蔽，這段時間就是死區時間。
『伍』 什麼是死區時間
死區時間是PWM輸出時，為了使H橋或半H橋的上下管不會因為開關速度問題發生同時導通而設置的一個保護時段。 由於IGBT等功率器件都存在一定的結電容，所以會造成器件導通關斷的延遲現象。一般在設計電路時已盡量降低該影響，比如盡量提高控制極驅動電壓電流，設置結電容釋放迴路等。為了使igbt工作可靠，避免由於關斷延遲效應造成上下橋臂直通，有必要設置死區時間，也就是上下橋臂同時關斷時間。死區時間可有效地避免延遲效應所造成的一個橋臂未完全關斷，而另一橋臂又處於導通狀態，避免直通炸模塊。 死區時間大，模塊工作更加可靠，但會帶來輸出波形的失真及降低輸出效率。死區時間小，輸出波形要好一些，只是會降低可靠性，一般為us級。一般來說死區時間是不可以改變的，只取決於功率元件製作工藝！
『陸』 逆變器死區電路問題
死區時間是指控制不到的時間域。在變頻器里一般是指功率器件輸出電壓版、電流的「0」區，在傳權動控制里一般是指電機正反向轉換電壓、電流的過零時間。死區時間當然越小越好，但是為了安全保護作用又需要它，因此不能沒有。最佳的設置方案是：在保證安全的前提下，越小越好。以不炸功率管、輸出不短路為前提。
『柒』 電力電子中死區的概念
當前由功率開關管組成的橋式，半橋式的開關電路的驅動電路中，為了防止兩個功率管在一個瞬間出現連接電源的正負極之間的同時導通事件。驅動電路在分別驅動兩個功率管柵極的時間順序中間插入一段由硬體邏輯控制的兩個功率管全部截止一段時間的控制設計手段。即死區概念。
『捌』 IGBT驅動信號中的死區時間作用是是什麼
通常叫做死區時間，deadtime，常用於功率開關控制信號翻轉時避免發生誤觸發。很多電源管理類晶元都會通過檢測反饋電流或反饋電壓，對一個或多個外部功率器件進行控制，例如MOSFET或IGBT等等。這些反饋電流或電壓信號，常常會被功率器件開關時產生的雜訊所影響，導致輸入晶元內部的信號疊加了一些由導線寄生電感和晶元寄生電容引起的spike，這些spike雜訊會導致晶元內部產生誤觸發，輸出錯誤的控制信號。為了避免spike雜訊的影響，通常在控制信號翻轉後到反饋信號穩定的一端時間內，對反饋信號的運算電路進行屏蔽，這段時間就是死區時間。死區電路的設計實際上就是一端delay延時，以控制信號翻轉為起點，通過RC或clk
counter，產生一定時長的高電平脈沖，用這段脈沖去disalbe那些sensitive的反饋電路，死區時間的長度必須保證能夠完全mask
spike雜訊，同時盡可能短，否則會影響晶元的性能，尤其對於PWM類控制晶元來說，會影響到其max/min
ty。