rcd吸收電路原理

A. 反激電路中，RCD吸收電路和TVS的區別

反激電路中，RCD吸收電路和TVS的區別
一、首先對MOS管的VD進行分段：
ⅰ，輸入的直流電壓VDC；
ⅱ，次級反射初級的VOR；
ⅲ，主MOS管VD餘量VDS；
ⅳ，RCD吸收有效電壓VRCD1。
二、對於以上主MOS管VD的幾部分進行計算：
ⅰ，輸入的直流電壓VDC。
在計算VDC時，是依最高輸入電壓值為准。如寬電壓應選擇AC265V，即DC375V。
VDC＝VAC *√2
ⅱ，次級反射初級的VOR。

B. RCD吸收電路的RCD吸收電路的原理

若開關斷開，蓄積在寄生電感中能量通過開關的寄生電容充電，開回關電壓上升。答其電壓上升到吸收電容的電壓時，吸收二極體導通，開關電壓被吸收二極體所嵌位，約為1V左右。寄生電感中蓄積的能量也對吸收電容充電。開關接通期間，吸收電容通過電阻放電。

C. RCD電路圖詳解

若開關斷開，蓄積在寄生電感中能量通過開關的寄生電容充電，開關電壓上升。其電壓上升到版吸收電權容的電壓時，吸收二極體導通，開關電壓被吸收二極體所嵌位，約為1V左右。寄生電感中蓄積的能量也對吸收電容充電。開關接通期間，吸收電容通過電阻放電。



rcd吸收電路參數



rcd吸收電路設計

1、測量主變壓器的初級漏感電感量Lr

這兩種鉗位電路均是為了吸收漏感的能量以降低主開關管的電壓應力，既然是吸收漏感的能量，顯然我們要知道變壓器的漏感能量有多大。然而，需要知道漏感能量有多大，需要知道漏感多大，因此第一步我們就要測量變壓器的漏感Lr。

2、計算漏感能量E

E=1/2*Lr*Ipk2

3、確定Vcmax或Vtvs

一般我們至少要給MOS電壓應力留有10%的裕量，保守情況留有20%的裕量，尤其是沒有軟啟動切功率相對較大的電源里，這里我們取20%的裕量。所以就有Vcmax（Vtvs）=80%*Vdsmax-√2*Vinmax。

D. RCD吸收電路的RCD吸收電路的設計

一﹑首先對mos管的VD進行分段：
Ⅰ，輸入的直流電壓VDC；
Ⅱ，次級反射初級的VOR；
Ⅲ，主MOS管VD餘量VDS；
Ⅳ，RCD吸收有效電壓VRCD1。
二﹑對於以上主MOS管VD的幾部分進行計算：
Ⅰ，輸入的直流電壓VDC。
在計算VDC時，是依最高輸入電壓值為准。如寬電壓應選擇AC265V，即DC375V。
VDC=VAC *√2
Ⅱ，次級反射初級的VOR。
VOR是依在次級輸出最高電壓,整流二極體壓降最大時計算的，如輸出電壓為：5.0V±5%（依Vo =5.25V計算），二極體VF為0.525V（此值是在1N5822的資料中查找額定電流下VF值）．
VOR=(VF+Vo)*Np/Ns
Ⅲ，主MOS管VD的餘量VDS．
VDS是依MOS管VD的10%為最小值．如KA05H0165R的VD=650應選擇DC65V．
VDS=VD* 10%
Ⅳ，RCD吸收VRCD．
MOS管的VD減去Ⅰ，Ⅲ三項就剩下VRCD的最大值。實際選取的VRCD應為最大值的90%（這里主要是考慮到開關電源各個元件的分散性，溫度漂移和時間飄移等因素得影響）。
VRCD=(VD-VDC -VDS)*90%
注意：
① VRCD是計算出理論值，再通過實驗進行調整，使得實際值與理論值相吻合．
② VRCD必須大於VOR的1.3倍．（如果小於1.3倍，則主MOS管的VD值選擇就太低了）
③ MOS管VD應當小於VDC的2倍．（如果大於2倍，則主MOS管的VD值就過大了）
④ 如果VRCD的實測值小於VOR的1.2倍，那麼RCD吸收迴路就影響電源效率。
⑤ VRCD是由VRCD1和VOR組成的
Ⅴ，RC時間常數τ確定．
τ是依開關電源工作頻率而定的，一般選擇10~20個開關電源周期。
三﹑試驗調整VRCD值
首先假設一個RC參數，R=100K/RJ15, C=10nF/1KV。再上市電，應遵循先低壓後高壓，再由輕載到重載的原則。在試驗時應當嚴密注視RC元件上的電壓值，務必使VRCD小於計算值。 如發現到達計算值，就應當立即斷電，待將R值減小後，重復以上試驗。（RC元件上的電壓值是用示波器觀察的，示波器的地接到輸入電解電容「+」極的RC一 點上，測試點接到RC另一點上）
一個合適的RC值應當在最高輸入電壓，最重的電源負載下，VRCD的試驗值等於理論計算值。
四﹑試驗中值得注意的現象
輸入電網電壓越低VRCD就越高，負載越重VRCD也越高。那麼在最低輸入電壓，重負載時VRCD的試驗值如果大於以上理論計算的VRCD值，是否和（三）的內容相矛盾哪？一點都不矛盾，理論值是在最高輸入電壓時的計算結果，而現在是低輸入電壓。
重負載是指開關電源可能達到的最大負載。主要是通過試驗測得開關電源的極限功率。
RCD吸收電路與RC電路的比較
採用RC、RCD吸收電路也可以對變壓器消磁，這時就不必另設變壓器繞組與二極體組成的去磁電路。變壓器的勵磁能量都在吸收電阻中消耗掉。RC與RCD吸收電路不僅消耗變壓器漏感中蓄積的能量，而 且也消耗變壓器勵磁能量，因此降低了變換器變換效率。RCD吸收電路是通過二極體對開關電壓嵌位，效果比RC好，它也可以採用較大電阻，能量損耗也比RC 小。
RCD吸收電路的影響
1.RCD電容C偏大
電容端電壓上升很慢，因此導致mos 管電壓上升較慢，導致mos管關斷至次級導通的間隔時間過長，變壓器能量傳遞過程較慢，相當一部分初級勵磁電感能量消耗在RC電路上 。
2.RCD電容C特別大（導致電壓無法上升至次級反射電壓）
電容電壓很小，電壓峰值小於次級的反射電壓，因此次級不能導通，導致初級能量全部消耗在RCD電路中的電阻上，因此次級電壓下降後達成新的平衡，理論計算無效了，輸出電壓降低。
3.RCD電阻電容乘積R×C偏小
電壓上沖後，電容上儲存的能量很小，因此電壓很快下降至次級反射電壓，電阻將消耗初級勵磁電感能量，直至mos管開通後，電阻才緩慢釋放電容能量，由於RC較小，因此可能出現震盪，就像沒有加RCD電路一樣。
4.RCD電阻電容乘積R×C合理，C偏小
如果參數選擇合理，mos管開通前，電容上的電壓接近次級反射電壓，此時電容能量泄放完畢，缺點是此時電壓尖峰比較高，電容和mos管應力都很大
5.RCD電阻電容乘積R×C合理，R，C都合適
在上面的情況下，加大電容，可以降低電壓峰值，調節電阻後，使mos管開通之前，電容始終在釋放能量，與上面的最大不同，還是在於讓電容始終存有一定的能量。

E. RCD電路的詳細工作原理

反激式開關電源的原理是：Q1導通時，T1原邊儲存磁能。Q1關斷時，T1次邊釋放之前儲存的能量。
Q1關斷時，由電感電流不會突變的特性，原邊勵磁電感的電流因Q1關斷而失去繼續流動的通路，其產生的感應電動勢將會很高以致Q1擊穿損壞。加入RCD吸收保護電路後，感應電動勢使二極體D正偏導通，勵磁電感儲存的磁能為電容C充電、被電阻R消耗，由電容端電壓不會突變的特性，感應電動勢的幅度被限制在不大的數值范圍內，避免Q1擊穿損壞。

F. RCD吸收電路中R上消耗的功率如何計算請高人指點！

P=1/2(Lleak*Ipeak^2*(Vsnub/(Vsnub-N*Vout)))
上式中：Lleak-漏感
Ipeak-初級峰值電流
Vsnub-期望的鉗位電壓（一般為反射電壓N*Vout的2-2.5倍）
N-匝比（初級比次級）
Vout-輸出電壓（要加上管壓降）
細節可參考 飛兆半導體官網中的application note，裡面有關於此方面的文章，介紹的較為詳細。（註：英文，但簡單易懂）

G. RCD吸收電路如何設計

上面的回答有幾處錯誤，
1. 1/2(Lleak*Ipeak^2*(Vsnub/(Vsnub-N*Vout))) 是能量單位J 焦耳，計算功率P還應再乘以工作頻率內F（Hz）。容
2. 鉗位電壓一般選擇為反射電壓的1.4倍左右，這樣的綜合損耗通常最低。

選取電阻和電容時，應先估算幾個參量，匝比，初級峰值電流，鉗位電壓，另外有些參數不可忽略如次級整流管壓降，變壓器二次側漏感（尤其匝比比較大的時候）。有了這些參數之後，基本可以計算電阻了，P=V^2/R即可，選擇一個紋波電壓值Vr，如選為鉗位電壓的10%，C=I*T/Vr即可。
初步選定後，整機再做調整，即可得到合適的參數。離線式的反激電源，100K左右的頻率，最終的參數一般電阻為幾十千歐，電容為幾納法，否則計算的一定不合理或設計的不合理。

H. 開關電源中，RCD吸收電路主要擔當什麼作用

RCD電路有兩種，一種是二極體和電容串聯，電阻並聯在二極體上，這種電路內作用是減緩功率管關斷時電壓的容上升速度，減小關斷損耗；另一種是二極體和電容串聯，電阻並聯在電容上，這種電路的作用是限制功率管關斷時的最高電壓，防止功率管因關斷過壓而損壞。

I. 開關MOS管旁邊並聯的RCD吸收迴路的吸收原理是什麼

火線和地面的電壓是220v，而零線和大地的電壓是0.接在火線上，等你關上開關後，開關後的線和地面的電壓是零。是安全的。但是如果把開關接駁在零線上，雖然斷後形成不了通路，但是如果不小心接觸到火線，火線和地面電壓是220v，依然是危險電壓，等於沒接開關。所以一定要吧開關或者保險接在火線而不是零線上。險絲和開關都是串聯接到火線上,不可能是並聯的.因為,如果是並聯的話,即使保險絲燒了,電路仍是通的.電流仍會從開關上流過,保險絲就起不到保險的作用了.