P管充電電路

㈠ PMOS管應用原理

PMOS管應用原理

PMOS的工作原理與NMOS相類似。因為PMOS是N型硅襯底，其中的多數載流子是空穴，少數載流子是電子，源漏區的摻雜類型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對於源極施加負電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子，而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響，襯底中感應的正電荷數量就等於PMOS柵上的負電荷的數量。當達到強反型時，在相對於源端為負的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經過導通的P型溝道到達漏端，形成從源到漏的源漏電流。同樣地，VGS越負(絕對值越大)，溝道的導通電阻越小，電流的數值越大。

與NMOS一樣，導通的PMOS的工作區域也分為非飽和區，臨界飽和點和飽和區。當然，不論NMOS還是PMOS，當未形成反型溝道時，都處於截止區，其電壓條件是

VGS<VTN (NMOS)，

VGS>VTP (PMOS)，

值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是負值。

PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領域內應用的器件。PMOS集成電路採用-24V電壓供電。CMOS-PMOS介面電路採用兩種電源供電。採用直接介面方式，一般CMOS的電源電壓選擇在10～12V就能滿足PMOS對輸入電平的要求。

MOS場效應晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便於直接耦合，容易製成規模大的集成電路。

各種場效應管特性比較

在2004年12月的國際電子器件會議(IEDM)上表示：雙應力襯墊(DSL)方法導致NMOS和PMOS中的有效驅動電流分別增加15%和32%，飽和驅動電流分別增加11%和20%。PMOS的空穴遷移率在不使用SiGe的情況下可以提高60%，這已經成為其他應變硅研究的焦點。

PMOS管

pmos PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管 全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconctor 別名 ： positive MOS

㈡ PMOS做5V電源開關問題

把r56或r52焊上試試。檢測二極體，是否完好。

㈢ 關於一個電源電子開關的電路分析。用PNP和PMOS做的。

㈣ Pmos管開關電路

下圖是兩種PMOS管經典開關電路應用：其中第一種NMOS管為高電平導通，低電平截斷，Drain端接後面電路的接地端；第二種為PMOS管典型開關電路，為高電平斷開，低電平導通，Drain端接後面電路的VCC端。

首先要進行MOSFET的選擇，MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開關。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導通。導通時，電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻，稱為導通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個電壓。這就是後面介紹電路圖中柵極所接電阻至地。如果柵極為懸空，器件將不能按設計意圖工作，並可能在不恰當的時刻導通或關閉，導致系統產生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電壓為零時，開關關閉，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經關閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。

第一步：選用N溝道還是P溝道

為設計選擇正確器件的第一步是決定採用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應採用N溝道MOSFET，這是出於對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到匯流排及負載接地時，就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中採用PMOS管經典開關電路，這也是出於對電壓驅動的考慮。

第二步：確定額定電流

第二步是選擇MOSFET的額定電流。視電路結構而定，該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，設計人員必須確保所選的MOSFET能承受這個額定電流，即使在系統產生尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續模式和脈沖尖峰。該參數以FDN304P管DATASHEET為參考，參數如圖所示：

來看這個電路，控制信號PGC控制V4.2是否給P_GPRS供電。此電路中，源漏兩端沒有接反，R110與R113存在的意義在於R110控制柵極電流不至於過大，R113控制柵極的常態，將R113上拉為高，截至PMOS，同時也可以看作是對控制信號的上拉，當MCU內部管腳並沒有上拉時，即輸出為開漏時，並不能驅動PMOS關閉，此時，就需要外部電壓給予的上拉，所以電阻R113起到了兩個作用。R110可以更小，到100歐姆也可。

㈤ 如下圖PNP三極體和Pmos管穩壓電路是如何工作的呢

高頻干擾幾個並聯電容首先能濾掉一部分。

如系統發生電壓升高：
- D4穩壓管兩端電壓不變，既PNP基極電壓不變。
- 但電流增大也就是R1兩端電壓升高，既PNP發射極與基極電壓差變大。這時PNP導通能力變大或者導通。（這樣會把一部分電流分流出去，分到R4上）

- 由於分流到R4，兩端電壓升高（柵極電壓升高），能起到抑制P-MOS導通能力。既可以限制電流，電壓升高。
如系統發生電壓偏低：
- C4儲能通過二極體釋放能起到穩壓作用。
而且終端晶元應該也是穩壓晶元。它本身能在一定的電壓浮動范圍內可以穩定輸出電壓。

㈥ P MOS管電路無法關斷電源的問題

MOS管不等同三極體應用，柵極對地接個10K的下拉電阻看看情況會怎樣。

㈦ 請教PMOS管開關電路

圖二電路這個是不需要關斷。本人菜鳥，請問下，確定當VIN輸入5V的時候，VOUT也有5V嗎？為什麼D,S換了個方向也可以導通呢？

㈧ pmos管咋工作的，整個電路

天貓里邊兒管咋工作？整個電路對的，你可以看到電路圖。分析圖。

㈨ S-8211DAR用於均衡充電電路時MOSFET用P管還是N管呢

S-8211晶元跟DW-01相若，2個N-mos作充放電輸出控制，很多8腳封裝的mos晶元內里已有2個如STC5NF20，FDS9926A...等。

㈩ P溝道MOS管開關電路

P溝道MOS管開關電路圖：

MOS管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應管)它是利用VGS來控制「回感應答電荷」的多少，以改變由這些「感應電荷」形成的導電溝道的狀況，然後達到控制漏極電流的目的。在製造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。