轟擊電路圖

A. 電腦工作原理

電腦怎樣讓我們看到圖像和聽到聲音的呢？其實這個問題就是電視的顯示原理。
圖像實際上是由脈沖電流（即所謂數字信號）信號通過一段電線傳給CRT的內部電路，再經電子槍發射電子束轟擊熒光磷粉產生圖像。即通過電子轟擊熒光粉使電信號變成了光信號。
聲音則是該電流流過電磁線圈時，會產生某頻率的電磁場（與聲波頻率相似），這個電磁場與永久磁體的磁場相互作用，就推動了紙盆振動。於是聲音就從喇叭中發出來了。即電流使紙盆（空氣）發生某種頻率的振動而發出聲音，實現了電信號轉變為聲信號。

更形象地說明：按下鍵盤，主機集成電路中某些位置的電路中的電流（強度）發生了變化，該電流的變化經過了復雜的集成電路系統後逐步得到一個脈沖電流信號，此電流又傳遞到CRT的電路系統，CRT又將電流的變化轉變成顯像管中電子轟擊熒光屏的位置變化產生了圖像。同時，另一部分脈沖電流經過了一個電磁線圈時產生磁場，推動另一個與磁體相連的紙盆振動發出了聲音。

結論:
我們按鍵盤輸入各種程序，目的只是為了在大規模集成電路的許多不同的位置產生多種電流的輸入，這些電流經過了電腦主機裡面集成電路系統的處理後，得到了一個脈沖電流，傳遞到CRT的電路系統，於是電子束達到了各種所需的偏轉的角度，正確的打在了熒光屏上產生了圖像。
如此看來，我們輸入那麼多字母，最終只是為了改變顯像管中電子偏移的角度，使它打到正確的位置產生正確的圖像。另外的成果就是產生某種電流最終使喇叭中的紙盆振動發出了聲音。這種通過敲鍵盤(所謂編程)改變電流來製作圖像和聲音的過程，我們為此起了個很玄的名字——生活數字化。

B. 量子點被強光轟擊，1個光子能出來2電子那叫什麼效應啊，原理呢

光照射到金屬上，引起物質的電性質發生變化。這類光變致電的現象被人們統稱為光電效應（Photoelectric effect）。 光電效應分為光電子發射、光電導效應和光生伏特效應。前一種現象發生在物體表面，又稱外光電效應。後兩種現象發生在物體內部，稱為內光電效應。

C. 霓虹燈的工作原理和電路圖

霓虹燈的工作原理

霓虹燈是一種低氣壓冷陽極輝光放電發光的光源。氣體放電發光是自然界的一種物理現象。通過氣體放電使電能轉換為五光十色的光譜線，是霓虹燈工作重要的基本過程。在通常的情況下，氣體是良好的絕緣體，他並不能傳導電流。但是在強電場、光輻射、例子轟擊和高溫加熱等條件下，氣體分子可能發生電離，產生了可以自由移動的代電粒子，並在電場作用下行程電流，使絕緣的氣體成為良導體。這種電流通過氣體的現象就被稱為氣體放電過程。

在密閉的玻璃管內，充有氖、氦、氬等氣體，燈管兩端裝有兩個金屬電極，電極一般用銅材料製作，電極引線接入電源電路，配上一隻高壓變壓器，將10～15kV的電壓加在電極上。由於管內的氣體是由無數分子構成的，在正常狀態下分子與原子呈中性。在高電壓作用下，少量自由電子向陽極運動，氣體分子的急劇游離激發電子加速運動，使管內氣體導電，發出色彩的輝光（又稱虹光）。霓虹燈原理的發光顏色與管內所用氣體及燈管的顏色有關；霓虹燈原理如果在淡黃色管內裝氖氣就會發出金黃色的光，如果在無色透明管內裝氖氣就會發出黃白色的光。霓虹燈原理要產生不同顏色的光，就要用許多不同顏色的燈管或向霓虹燈管內裝入不同的氣體。

霓：有時在虹的外側還能看到第二道虹，光彩比第一道虹稍淡，色序是外紫內紅，與虹相反。 虹：原意也是一種自然現象，就是彩虹，也是七彩的，色序從外至內分別為：赤、橙、黃、綠、藍、靛、紫。 霓虹燈：夜間用來吸引顧客，或裝飾夜景的彩色燈，所以用「霓虹」這兩種美麗的東西來作為這種燈的名字。 霓虹是英文NEON的音譯。

D. 化學電離源的工作原理是什麼它與電子轟擊電離源有什麼不同

1）電子轟擊源，電子轟擊的能量遠高於普通化學鍵的鍵能，因此過剩的能量引起分子多個鍵的斷裂，產生許多碎片離子，因而能夠提供分子結構的一些重要的官能團信息，但對於相對分子質量較大、或極性大，難氣化，熱穩定性差的有機化合物，在加熱和電子轟擊下，分子易破碎，難以給出完整分子離子信息。（2）在場致電離源的質譜圖上，分子離子峰很清楚，但碎片峰則較弱，因而對於相對分子質量的測定有利，但缺乏分子結構信息。（3）場解析電離源，電離原理與場致電離相同，解吸試樣分子所需能量遠低於氣化所需能量，因而有機化合物不會發生熱分解，即使熱穩定性差的試樣仍能得到很好的分子離子峰，分子中的c-c
鍵一般不會斷裂，因而很少生成碎片離子。總之，場致電離和場解析電離源都是對電子轟擊源的必要補充，使用復合離子源，則可同時獲得完整分子和官能團信息。

E. 這是光管的電路圖。怎麼問老師也不說！

從圖上看，AB端的燈絲是斷了220電壓是不能加到啟輝器的兩端A和C，所以電路不工作，
如果把AB短接，那麼220電壓就能通過短線加到啟輝器兩端，這時啟輝器就因高壓高於啟輝電壓160V而發生熱量使啟輝器閉合，電路有電流通過CD端燈絲，燈絲得電發熱就能發射電子，當啟輝器內的雙金屬片短接後停止了發熱就會慢慢降溫，雙金屬片就會斷開，這時通過整流器上的電流因斷電產生較高的電壓加於燈管與啟輝器兩端，而因燈管的燈絲己處熱態高壓就能通過燈管，使燈管兩端電壓小於啟輝器的啟輝電壓，啟輝器不工作，燈管就亮了．
這位朋友說的燈管為何不亮原因，其一，短接的一端不是燈絲斷的一端，其二，可能把CD，和AB同時短接了（就沒有燈絲加熱了），其三，因燈管老化，燈管通電的電壓己經大於啟輝器的啟輝電壓，啟輝器一直處於工作狀態，使燈管不點亮（燈管會亮一下，又不亮再亮一下，一直循環）．其四，啟輝器損壞，不能啟輝（燈管一端直發紅，但不閃）．其五，整流器燒壞，不能產生高壓點亮燈管（燈絲發紅特紅，但會紅一下，不紅一下）．

F. 阿爾法粒子轟擊氮核試驗的化學方程式。原理是啥

原理是質量數、電荷數守恆
我這里用（14,7）N表示質量數14，核電荷數7的氮核，以此類推。
方程式：（14,7）N +（4,2）He——>(17,8)O +(1,1)H
碼字不易，望採納~
題主加油呀~

G. 電子槍電路原理圖

1、原理圖如下：

2、電子槍是加速電子轟擊靶屏發光的一種裝置，它發射出具有一定能量、一定束流以及速度和角度的電子束。(該電子束的方向和強度可以控制，通常由熱陰極、控制電極和若干加速陽極等組成)電子槍用來提供電子束，並轟擊熒光屏形成不同灰度等級的圖像。電子槍一般分為熱發射和場致發射兩種;電子槍的功能在於給出滿足要求的電子束，而電子槍的材料和工藝結構又必須考慮到電子槍易於加工和使用方便。

H. 急求 美國質子撞擊炮炸開原理，寫清步驟。 求圖解答

概況質子撞擊炮是著名游戲《命令與征服之紅色警戒3》與《命令與征服之紅色警報3：起義時刻》中盟軍的終級武器。

質子撞擊炮
（英文Proton Collider，也譯作質子對撞炮或質子對撞機）
等同於該游戲上一代紅色警戒2里天氣控制機的作用（該裝置可以在地圖任何位置釋放閃電風暴）。
質子撞擊炮建造完畢，屏幕下面會有到記時顯示，而屏幕的左側會出現灰色的圖標，
如果倒計時完畢，該圖標就會變亮，點擊既可在地圖任何一個地方釋放，
質子撞擊炮是一個擁有一門5筒火炮的大型建築。釋放時，巨型火炮將對空發射5枚炮彈，炮彈落點既為你選中的釋放地點。
特殊能力
質子撞擊炮有多米諾骨牌效應，也就是說它會連著旁邊的建築物摧毀，所以對手如果有該武器的話盡量不要建造圍牆（因為浪費）（建築越多傷害越大）。
該超級武器對空軍有效（光束落下時若在途中擊中了飛行器，該飛行器會被摧毀；光束落在地上則對空軍無攻擊力）。該超級武器可以通過圍牆傳導能量造成更大范圍的破壞。

已發現其有連鎖反應。
在紅色警戒3起義時刻中，對於質子撞擊炮轟擊的中心使用納米巢核心（納米蟲群）可以將其威力增大數倍，但如果在轟擊前就使用就會導致轟擊失敗。
另外，質子撞擊炮的攻擊范圍也會隨納米蟲群的位置而引起攻擊范圍增加，舉例說明：假如質子撞擊炮光束落下的位置離納米蟲群邊緣很近的話，其爆炸效果會類似圍牆傳導－－立刻引發數次爆炸，而且位於一條直線，不過范圍只有很短一段。

質子撞擊炮轟擊時使用納米巢穴所產生的效果
用質子撞擊炮攻擊目標時，被攻擊目標附近（3格以內）都會受到連鎖反應的傷害，收到連鎖反應傷害的目標的附近（3格以內）也會收到傷害（傷害不變）
數據資料
造價：5000（紅警3原版的1.11版本中造價是2500）
耗時：360秒（6分鍾）
耗電：75
聚集強烈的能量光束，使被光束集中的區域產生分子溶解連鎖反應。
編輯本段武器原理
首先，要從原子彈的原理說起。原子彈的原理是用中子撞擊原子，使其分裂成兩半，並放出多餘的中子和巨大的能量。而RA3中沒了老愛（愛因斯坦），當然不能有原子彈之類的中子武器。而大家都知道原子是由中子和質子組成的，於是EA就「發明」了質子武器——質子撞擊炮。它的原理其實和原子彈差不多，是用高速（接近光速）的質子撞擊原子，放出多餘的質子和巨大的能量。（傳說中的質子武器）而連鎖反應是因為放出的多餘質子撞擊其他原子造成的。可是，最讓我奇怪的是，現實中，人們知道中子撞擊原子，使其分裂成兩半，可以放出多餘的中子和巨大的能量，怎麼就沒人試試用質子？而游戲中，一群天才科學家連時光機和超時空轉換都發明了，就是沒人試試中子...實在是佩服EA的想像力……居然想出原子彈的另一個分支。下一步是什麼？質子聚變武器？但不是說質子撞擊理論上不成立，現在各國都有質子加速器，日本就有一個質子加速器(J-PARC)，它由一個330米長的線性加速器和兩個同步加速器組成，質子速度經過3個階段提升可接近光速。用高速質子轟擊金屬的原子核，原子核會被擊碎並釋放出中子、反質子、μ介子、K介子等粒子，同時釋放能量，我國也有，但好像質子撞擊更多的是物理科學實驗，很難被用於武器。
其他說明
經過我個人測試質子撞擊炮對有效范圍內的攻擊（光束）是以攻擊中心為心依次落在不同地點的，也就是說在有效范圍邊緣的單位傷害是非常小的，舉例說明：假設第一束光打中一個位於邊緣的一個建築，一般也就能受到這一次最大傷害，之後隨著著陸位置偏移，到第三束光可能就不會再有傷害。因此，重點受攻擊的單位或建築要盡量放在中心附近
具體的圖片懇請樓主打開http://ke..com/view/2176677.htm（抱歉~圖我搬不上來55555~~~~~~~~~）

I. 晶元內部電路圖該怎麼看啊

1. 濕洗 (用各種試劑保持硅晶圓表面沒有雜質)

2. 光刻 (用紫外線透過蒙版照射硅晶圓, 被照到的地方就會容易被洗掉, 沒被照到的地方就保持原樣. 於是就可以在硅晶圓上面刻出想要的圖案. 注意, 此時還沒有加入雜質, 依然是一個硅晶圓. )

3. 離子注入 (在硅晶圓不同的位置加入不同的雜質, 不同雜質根據濃度/位置的不同就組成了場效應管.)

4.1干蝕刻 (之前用光刻出來的形狀有許多其實不是我們需要的,而是為了離子注入而蝕刻的. 現在就要用等離子體把他們洗掉, 或者是一些第一步光刻先不需要刻出來的結構, 這一步進行蝕刻).

4.2濕蝕刻 (進一步洗掉, 但是用的是試劑, 所以叫濕蝕刻).

--- 以上步驟完成後, 場效應管就已經被做出來啦~ 但是以上步驟一般都不止做一次, 很可能需要反反復復的做, 以達到要求. ---

5 等離子沖洗 (用較弱的等離子束轟擊整個晶元)

6 熱處理, 其中又分為:

6.1 快速熱退火 (就是瞬間把整個片子通過大功率燈啥的照到1200攝氏度以上, 然後慢慢地冷卻下來, 為了使得注入的離子能更好的被啟動以及熱氧化)
6.2 退火
6.3 熱氧化 (製造出二氧化硅, 也即場效應管的柵極(gate) )

7 化學氣相淀積(CVD), 進一步精細處理表面的各種物質

8 物理氣相淀積 (PVD), 類似, 而且可以給敏感部件加coating

9 分子束外延 (MBE) 如果需要長單晶的話就需要這個..

10 電鍍處理

11 化學/機械 表面處理

然後晶元就差不多了, 接下來還要:
12 晶圓測試
13 晶圓打磨

就可以出廠封裝了，穎展電子元器件上有具體說明。

J. 三極體原理動圖

隨著科學技的發展，電子技術的應用幾乎滲透到了人們生產生活的方方面面。晶體三極體作為電子技術中一個最為基本的常用器件，其原理對於學習電子技術的人自然應該是一個重點。三極體原理的關鍵是要說明以下三點:

1、集電結為何會發生反偏導通並產生Ic，這看起來與二極體原理強調的PN結單向導電性相矛盾。

2、放大狀態下集電極電流Ic為什麼會只受控於電流Ib而與電壓無關；即：Ic與Ib之間為什麼存在著一個固定的放大倍數關系。雖然基區較薄，但只要Ib為零，則Ic即為零。

3、飽和狀態下，Vc電位很弱的情況下，仍然會有反向大電流Ic的產生。

很多教科書對於這部分內容，在講解方法上處理得並不適當。特別是針對初、中級學者的普及性教科書，大多採用了迴避的方法，只給出結論卻不講原因。即使專業性很強的教科書，採用的講解方法大多也存在有很值得商榷的問題。這些問題集中表現在講解方法的切入角度不恰當，使講解內容前後矛盾，甚至造成講還不如不講的效果，使初學者看後容易產生一頭霧水的感覺。筆者根據多年的總結思考與教學實踐，對於這部分內容摸索出了一個適合於自己教學的新講解方法，並通過具體的教學實踐收到了一定效果。雖然新的講解方法肯定會有所欠缺，但本人還是懷著與同行共同探討的願望不揣冒昧把它寫出來，以期能通過同行朋友的批評指正來加以完善。

一、 傳統講法及問題：

傳統講法一般分三步，以NPN型為例（以下所有討論皆以NPN型硅管為例），如示意圖A。1.發射區向基區注入電子；2.電子在基區的擴散與復合；3.集電區收集由基區擴散過來的電子。」（注1）

問題1：這種講解方法在第3步中，講解集電極電流Ic的形成原因時，不是著重地從載流子的性質方面說明集電結的反偏導通，從而產生了Ic，而是不恰當地側重強調了Vc的高電位作用，同時又強調基區的薄。這種強調很容易使人產生誤解。以為只要Vc足夠大基區足夠薄，集電結就可以反向導通，PN結的單向導電性就會失效。其實這正好與三極體的電流放大原理相矛盾。三極體的電流放大原理恰恰要求在放大狀態下Ic與Vc在數量上必須無關，Ic只能受控於Ib。

問題2：不能很好地說明三極體的飽和狀態。當三極體工作在飽和區時，Vc的值很小甚至還會低於Vb，此時仍然出現了很大的反向飽和電流Ic，也就是說在Vc很小時，集電結仍然會出現反向導通的現象。這很明顯地與強調Vc的高電位作用相矛盾。

問題3：傳統講法第2步過於強調基區的薄，還容易給人造成這樣的誤解，以為是基區的足夠薄在支承三極體集電結的反向導通，只要基區足夠薄，集電結就可能會失去PN結的單向導電特性。這顯然與人們利用三極體內部兩個PN結的單向導電性，來判斷管腳名稱的經驗相矛盾。既使基區很薄，人們判斷管腳名稱時，也並沒有發現因為基區的薄而導致PN結單向導電性失效的情況。基區很薄，但兩個PN結的單向導電特性仍然完好無損，這才使得人們有了判斷三極體管腳名稱的辦法和根據。

問題4：在第2步講解為什麼Ic會受Ib控制，並且Ic與Ib之間為什麼會存在著一個固定的比例關系時，不能形象加以說明。只是從工藝上強調基區的薄與摻雜度低，不能從根本上說明電流放大倍數為什麼會保持不變。

問題5：割裂二極體與三極體在原理上的自然聯系，不能實現內容上的自然過渡。甚至使人產生矛盾觀念，二極體原理強調PN結單向導電反向截止，而三極體原理則又要求PN結能夠反向導通。同時，也不能體現晶體三極體與電子三極體之間在電流放大原理上的歷史聯系。

二、新講解方法：

1、切入點：

要想很自然地說明問題，就要選擇恰當地切入點。講三極體的原理我們從二極體的原理入手講起。二極體的結構與原理都很簡單，內部一個PN結具有單向導電性，如示意圖B。很明顯圖示二極體處於反偏狀態，PN結截止。我們要特別注意這里的截止狀態，實際上PN結截止時，總是會有很小的漏電流存在，也就是說PN結總是存在著反向關不斷的現象，PN結的單向導電性並不是百分之百。

為什麼會出現這種現象呢？這主要是因為P區除了因「摻雜」而產生的多數載流子「空穴」之外，還總是會有極少數的本徵載流子「電子」出現。N區也是一樣，除了多數載流子電子之外，也會有極少數的載流子空穴存在。PN結反偏時，能夠正向導電的多數載流子被拉向電源，使PN結變厚，多數載流子不能再通過PN結承擔起載流導電的功能。所以，此時漏電流的形成主要靠的是少數載流子，是少數載流子在起導電作用。反偏時，少數載流子在電源的作用下能夠很容易地反向穿過PN結形成漏電流。漏電流只所以很小，是因為少數載流子的數量太少。很明顯，此時漏電流的大小主要取決於少數載流子的數量。如果要想人為地增加漏電流，只要想辦法增加反偏時少數載流子的數量即可。所以，如圖B，如果能夠在P區或N區人為地增加少數載流子的數量，很自然的漏電流就會人為地增加。其實，光敏二極體的原理就是如此。光敏二極體與普通光敏二極體一樣，它的PN結具有單向導電性。因此，光敏二極體工作時應加上反向電壓，如圖所示。當無光照時，電路中也有很小的反向飽和漏電流，一般為1×10-8 —1×10 -9A(稱為暗電流)，此時相當於光敏二極體截止；當有光照射時，PN結附近受光子的轟擊，半導體內被束縛的價電子吸收光子能量而被擊發產生電子—空穴對，這些載流子的數目，對於多數載流子影響不大，但對P區和N區的少數載流子來說，則會使少數載流子的濃度大大提高，在反向電壓作用下，反向飽和漏電流大大增加，形成光電流，該光電流隨入射光強度的變化而相應變化。光電流通過負載RL時，在電阻兩端將得到隨人射光變化的電壓信號。光敏二極體就是這樣完成電功能轉換的。