coms電路

『壹』 coms電路是什麼意思呢工作原理是什麼主要用在哪裡

首先介紹MOS管，金屬氧化物半導體場效應晶體管，類似於一種控制開關，在柵端輸入信專號來控制開關的開屬啟。當開關打開的時候，信號從MOS的源端流向漏端。
所謂CMOS，既互補MOS，就是說兩種MOS極性相反的MOS，一種是高電壓開啟，一種是低電壓開啟。這樣就可以進行邏輯運算了。
比如簡單的非運算：將低電壓有效的PMOS和高電壓有效的NMOS串聯（將這個串聯的節點作為輸出）。PMOS的上面接電源，NMOS的下面接地，兩個MOS的控制端都接一個信號，當這個信號為高電平，NMOS開啟，將0（地）信號傳至輸出。同理，這個信號是低電壓，PMOS開啟，將電源電壓傳輸至輸出。這就是一個簡單地求非或者取反的運算。
將好多管子進行組合，就能夠完成復雜的邏輯了。
CMOS工藝主要用在。。。。。你幾乎能見到的大部分晶元里。。。。。

非門的示意圖，F為輸出，PMOS在上，NMOS在下，左邊是輸入

『貳』 電腦主板上CMOS晶元在什麼位置是什麼樣子的

電腦主板上COMS晶元在CMOS電池附近，如下圖所示，圖片中紐扣電池旁邊貼著綠色便內簽的就是這塊主板的容CMOS晶元。

CMOS晶元屬於ram-ram-ram，按鍵電池主要負責CMOS的供電，一旦斷電，BIOS設置就會丟失，例如每次開機的系統時間都不正確。由於紐扣電池本身的功率較小，為了盡可能避免傳輸損耗，COMS晶元回將靠近電池。

(2)coms電路擴展閱讀：

CMOS晶元的電路原理：

CMOS晶元屬於一顆RAM隨機存儲器，紐扣電池主要負責為CMOS供電，由於因此一旦沒電就會造成BIOS設置的丟失，比如每次開機時系統時間都不正確。

由於紐扣電池本身電量就少，為了盡可能避免傳輸時的損耗，因此COMS晶元會與電池距離很近。

CMOS由PMOS管和NMOS管共同構成，它的特點是低功耗。由於CMOS中一對MOS組成的門電路在瞬間要麼PMOS導通、要麼NMOS導通、要麼都截至，比線性的三極體（BJT）效率要高得多，因此功耗很低。

『叄』 TTL電路與COMS電路有什麼不同,各有什麼特點

TTL全稱-TransistorLogic,即BJT-BJT邏輯門電路，是數字電子技術中常用的一種邏輯門電路，應用較早，技術已比較成熟。TTL主要有BJT（BipolarJunctionTransistor即雙極結型晶體管，晶體三極體）和電阻構成，具有速度快的特點。最早的TTL門電路是74系列，後來出現了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。但是由於TTL功耗大等缺點，正逐漸被CMOS電路取代。TTL門電路有74（商用）和54（軍用）兩個系列，每個系列又有若干個子系列。TTL電平信號:TTL電平信號被利用的最多是因為通常數據表示採用二進制規定，+5V等價於邏輯「1」，0V等價於邏輯「0」，這被稱做TTL（晶體管-晶體管邏輯電平）信號系統，這是計算機處理器控制的設備內部各部分之間通信的標准技術。TTL電平信號對於計算機處理器控制的設備內部的數據傳輸是很理想的，首先計算機處理器控制的設備內部的數據傳輸對於電源的要求不高以及熱損耗也較低，另外TTL電平信號直接與集成電路連接而不需要價格昂貴的線路驅動器以及接收器電路；再者，計算機處理器控制的設備內部的數據傳輸是在高速下進行的，而TTL介面的操作恰能滿足這個要求。TTL型通信大多數情況下，是採用並行數據傳輸方式，而並行數據傳輸對於超過10英尺的距離就不適合了。這是由於可靠性和成本兩面的原因。因為在並行介面中存在著偏相和不對稱的問題，這些問題對可靠性均有影響。TTL輸出高電平>2.4V，輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，雜訊容限是0.4V。TTL電路是電流控制器件，TTL電路的速度快，傳輸延遲時間短(5-10ns)，但是功耗大。
CMOS（），互補金屬氧化物半導體，電壓控制的一種放大器件。是組成CMOS數字集成電路的基本單元。
CMOS集成電路介紹
自1958年美國德克薩斯儀器公司(TI)發明集成電路（IC）後，隨著硅平面技術的發展，二十世紀六十年代先後發明了雙極型和MOS型兩種重要的集成電路，它標志著由電子管和晶體管製造電子整機的時代發生了量和質的飛躍。MOS是:金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconctor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，而由PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC（）。目前數字集成電路按導電類型可分為雙極型集成電路（主要為TTL）和單極型集成電路（CMOS、NMOS、PMOS等）。CMOS電路的單門靜態功耗在毫微瓦（nw）數量級。CMOS發展比TTL晚，但是以其較高的優越性在很多場合逐漸取代了TTL。以下比較兩者性能，大家就知道其原因了。1.CMOS是場效應管構成，TTL為雙極晶體管構成2.CMOS的邏輯電平范圍比較大（5～15V），TTL只能在5V下工作3.CMOS的高低電平之間相差比較大、抗干擾性強，TTL則相差小，抗干擾能力差4.CMOS功耗很小，TTL功耗較大（1～5mA/門）5.CMOS的工作頻率較TTL略低，但是高速CMOS速度與TTL差不多相當。集成電路中詳細信息：1,TTL電平：輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，雜訊容限是0.4V。2，CMOS電平：1邏輯電平電壓接近於電源電壓，0邏輯電平接近於0V。而且具有很寬的雜訊容限。3，電平轉換電路：因為TTL和CMOS的高低電平的值不一樣（ttl5v<＝＝>cmos3.3v），所以互相連接時需要電平的轉換：就是用兩個電阻對電平分壓，沒有什麼高深的東西。4，驅動門電路OC門，即集電極開路門電路，OD門，即漏極開路門電路，必須外接上拉電阻和電源才能將開關電平作為高低電平用。否則它一般只作為開關大電壓和大電流負載，所以又叫做驅動門電路。5，TTL和CMOS電路比較：
1）TTL電路是電流控制器件，而CMOS電路是電壓控制器件。
2）TTL電路的速度快，傳輸延遲時間短(5-10ns)，但是功耗大。CMOS電路的速度慢，傳輸延遲時間長(25-50ns),但功耗低。CMOS電路本身的功耗與輸入信號的脈沖頻率有關，頻率越高，晶元集越熱，這是正常現象。
3）CMOS電路的鎖定效應：CMOS電路由於輸入太大的電流，內部的電流急劇增大，除非切斷電源，電流一直在增大。這種效應就是鎖定效應。當產生鎖定效應時，CMOS的內部電流能達到40mA以上，很容易燒毀晶元。防禦措施：1）在輸入端和輸出端加鉗位電路，使輸入和輸出不超過不超過規定電壓。2）晶元的電源輸入端加去耦電路，防止VDD端出現瞬間的高壓。3）在VDD和外電源之間加線流電阻，即使有大的電流也不讓它進去。
4）當系統由幾個電源分別供電時，開關要按下列順序：開啟時，先開啟CMOS電路得電源，再開啟輸入信號和負載的電源；關閉時，先關閉輸入信號和負載的電源，再關閉CMOS電路的電源。6，CMOS電路的使用注意事項1）CMOS電路時電壓控制器件，它的輸入總抗很大，對干擾信號的捕捉能力很強。所以，不用的管腳不要懸空，要接上拉電阻或者下拉電阻，給它一個恆定的電平。2）輸入端接低內組的信號源時，要在輸入端和信號源之間要串聯限流電阻，使輸入的電流限制在1mA之內。3）當接長信號傳輸線時，在CMOS電路端接匹配電阻。4）當輸入端接大電容時，應該在輸入端和電容間接保護電阻。電阻值為R=V0/1mA.V0是外界電容上的電壓。
5）CMOS的輸入電流超過1mA，就有可能燒壞CMOS。7，TTL門電路中輸入端負載特性（輸入端帶電阻特殊情況的處理）：1）懸空時相當於輸入端接高電平。因為這時可以看作是輸入端接一個無窮大的電阻。2）在門電路輸入端串聯10K電阻後再輸入低電平，輸入端出呈現的是高電平而不是低電平。因為由TTL門電路的輸入端負載特性可知，只有在輸入端接的串聯電阻小於910歐時，它輸入來的低電平信號才能被門電路識別出來，串聯電阻再大的話輸入端就一直呈現高電平。這個一定要注意。CMOS門電路就不用考慮這些了。8，TTL和CMOS電路的輸出處理TTL電路有集電極開路OC門，MOS管也有和集電極對應的漏極開路的OD門，它的輸出就叫做開漏輸出。OC門在截止時有漏電流輸出，那就是漏電流，為什麼有漏電流呢？那是因為當三機管截止的時候，它的基極電流約等於0，但是並不是真正的為0，經過三極體的集電極的電流也就不是真正的0，而是約0。而這個就是漏電流。開漏輸出：OC門的輸出就是開漏輸出；OD門的輸出也是開漏輸出。它可以吸收很大的電流，但是不能向外輸出的電流。所以，為了能輸入和輸出電流，它使用的時候要跟電源和上拉電阻一齊用。OD門一般作為輸出緩沖/驅動器、電平轉換器以及滿足吸收大負載電流的需要。

『肆』 主板CMOS電路

刷bios刷壞了吧
這個廠抄家都不給保修的！
放點是解決不了問題的，這個只能交給維修部，讓他們把bios給你刷回來，如果放電都能解決的我敢絕對不是刷bios刷壞的，放電能解決說明coms還沒有壞
只是啟動了自保護起不來！
可以先嘗試一下放電！
就是主板上有一個很小的圓電池，把它摳下來等過半分鍾再插上！

『伍』 CMOS電路和TTL電路的區別

功耗
TTL門電路的空載功耗與CMOS門的靜態功耗相比，是較大的，約為數十毫瓦（mw）而後者專僅約為幾十納屬(10-9)瓦；在輸出電位發生跳變時（由低到高或由高到低）,TTL和CMOS門電路都會產生數值較大的尖峰電流，引起較大的動態功耗。
速度
通常以為TTL門的速度高於「CMOS門電路。影響 TTL門電路工作速度的主要因素是電路內部管子的開關特性、電路結構及內部的各電阻阻數值。電阻數值越大，工作速度越低。管子的開關時間越長，門的工作速度越低。門的速度主要體現在輸出波形相對於輸入波形上有「傳輸延時」tpd。將tpd與空載功耗P的乘積稱為「速度-功耗積」，做為器件性能的一個重要指標，其值越小，表明器件的性能越 好（一般約為幾十皮（10-12）焦耳）。與TTL門電路的情況不同，影響CMOS電路工作速度的主要因素在於電路的外部，即負載電容CL。CL是主要影響器件工作速度的原因。由CL所決定的影響CMOS門的傳輸延時約為幾十納秒。

『陸』 TTL與CMOS電路怎麼區分

1、CMOS是場效應管構成(單極性電路)，TTL為雙極晶體管構成（雙極性電路）

2、COMS的邏輯電平范圍比較大（5～15V），TTL只能在5V下工作

3、CMOS的高低電平之間相差比較大、抗干擾性強，TTL則相差小，抗干擾能力差

4、CMOS功耗很小，TTL功耗較大（1～5mA/門）

5、CMOS的工作頻率較TTL略低，但是高速CMOS速度與TTL差不多相當

6、CMOS的雜訊容限比TTL雜訊容限大

7、通常以為TTL門的速度高於「CMOS門電路。影響 TTL門電路工作速度的主要因素是電路內部管子的開關特性、電路結構及內部的各電阻阻數值。電阻數值越大，工作速度越低。

(6)coms電路擴展閱讀：

CMOS使用注意事項

1、COMS電路時電壓控制器件，它的輸入總抗很大，對干擾信號的捕捉能力很強。所以，不用的管腳不要懸空，要接上拉電阻或者下拉電阻，給它一個恆定的電平。

2、輸入端接低內組的信號源時，要在輸入端和信號源之間要串聯限流電阻，使輸入的電流限制在1mA之內。

3、當接長信號傳輸線時，在COMS電路端接匹配電阻。

4、當輸入端接大電容時，應該在輸入端和電容間接保護電阻。電阻值為R=V0/1mA.V0是外界電容上的電壓。

5、COMS的輸入電流超過1mA，就有可能燒壞COMS。

『柒』 TTL與CMOS電路的區別

TTL集成電路使用TTL管，也就是PN結。功耗較大，驅動能力強，一般工作電壓+5V
CMOS集成電路使用MOS管，功耗小，工作電壓范圍很大，一般速度也低，但是技術在改進，這已經不是問題。
就TTL與CMOS電平來講，前者屬於雙極型數字集成電路，其輸入端與輸出端均為三極體，因此它的閥值電壓是<0.2V為輸出低電平；>3.4V為輸出高電平。
而CMOS電平就不同了，他的閥值電壓比TTL電平大很多。而串口的傳輸電壓都是以COMS電壓傳輸的。
1，TTL電平：
輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平
是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，雜訊容限是
0.4V。
2，CMOS電平：
1邏輯電平電壓接近於電源電壓，0邏輯電平接近於0V。而且具有很寬的雜訊容限。

3，電平轉換電路：
因為TTL和COMS的高低電平的值不一樣（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相連接時需
要電平的轉換：就是用兩個電阻對電平分壓，沒有什麼高深的東西。哈哈

4，OC門，即集電極開路門電路，OD門，即漏極開路門電路，必須外界上拉電阻和電源才能
將開關電平作為高低電平用。否則它一般只作為開關大電壓和大電流負載，所以又叫做驅
動門電路。

5，TTL和COMS電路比較：
1）TTL電路是電流控制器件，而coms電路是電壓控制器件。
2）TTL電路的速度快，傳輸延遲時間短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS電路的速度慢，傳輸延遲時間長(25-50ns),但功耗低。
COMS電路本身的功耗與輸入信號的脈沖頻率有關，頻率越高，晶元集越熱，這是正常
現象。
3）COMS電路的鎖定效應：
COMS電路由於輸入太大的電流，內部的電流急劇增大，除非切斷電源，電流一直在增大
。這種效應就是鎖定效應。當產生鎖定效應時，COMS的內部電流能達到40mA以上，很容易
燒毀晶元。
防禦措施：
1）在輸入端和輸出端加鉗位電路，使輸入和輸出不超過不超過規定電壓。
2）晶元的電源輸入端加去耦電路，防止VDD端出現瞬間的高壓。
3）在VDD和外電源之間加線流電阻，即使有大的電流也不讓它進去。
4）當系統由幾個電源分別供電時，開關要按下列順序：開啟時，先開啟COMS電路得電
源，再開啟輸入信號和負載的電源；關閉時，先關閉輸入信號和負載的電源，再關閉COMS

『捌』 用coms設計電路

1）是求出脈沖寬度最小的，還是脈沖串最短的，另外，篩選是什麼意思；
2）想用電壓來表示長度（又是什麼的長度？）得設定個范圍，否則無法實現；

『玖』 CMOS電路的優點和缺點

CMOS電路的優點
1．靜態功耗極低，每門功耗達納瓦量級。
2．電源電壓范回圍寬。CC4000系列，VDD＝3~18V。
二答、CMOS電路缺點
1．工藝復雜。在同一塊矽片上做出兩種溝道的增強型MOS管，工藝要求高。

『拾』 比較TTL電路和CMOS電路的主要特點

TTL門電路的空載功耗較CMOS門的靜態功耗是較大的；CMOS的雜訊容限更大，抗干擾能力更強；TTL的速度高於CMOS；CMOS驅動負載能力更強……

1. TTL邏輯電平即Transistor-Transistor Logic。最小輸出高電平VOHmin：2.4V ，輸出低電平VOLmax：0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V 輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平VIHmin：2.0V ，最大輸入低電平VILmax：0.8V ；它的雜訊容限是0.4V。

2. CMOS邏輯電平即Complementary metal-oxide-semiconctor 。邏輯電平電壓接近於電源電壓，0邏輯電平接近於0V。而且具有很寬的雜訊容限。

3. 電平轉換電路： 因為TTL和COMS的高低電平的值不一樣（ttl 5vcmos 3.3v），所以互相連接時需要電平的轉換：就是用兩個電阻對電平分壓，沒有什麼高深的東西。

4. OC門即集電極開路門電路；OD門即漏極開路門電路，必須外界上拉電阻和電源才能將開關電平作為高低電平用。否則它一般只作為開關大電壓和大電流負載，所以又叫做驅動門電路。

5. TTL和COMS電路比較：

1）TTL電路是電流控制器件，而coms電路是電壓控制器件。

2）TTL電路的速度快，傳輸延遲時間短(5-10ns)，但是功耗大。 COMS電路的速度慢，傳輸延遲時間長(25-50ns),但功耗低。 COMS電路本身的功耗與輸入信號的脈沖頻率有關，頻率越高，晶元集越熱，這是正常現象。

3）COMS電路的鎖定效應：COMS電路由於輸入太大的電流，內部的電流急劇增大，除非切斷電源，電流一直在增大。這種效應就是鎖定效應。當產 生鎖定效應時，COMS的內部電流能達到40mA以上，很容易燒毀晶元。