mos管電路

① 請教：MOS管做電子開關電路

電路錯了，PMOS你還D入S出？也就是說，S和D反了，調過來就對了。這個電路很常用，類似於PNP型三極體，對P三極體來說，E接電源入，C接控制輸出，同理如上。

② 求一個單片機控制mos管的電路圖

電路原理圖：

單片機驅動mos管電路主要根據MOS管要驅動什麼東西， 要只是一個繼電器之類的小負載的話直接用51的引腳驅動就可以，要注意電感類負載要加保護二極體和吸收緩沖，最好用N溝道的MOS。

如果驅動的東西（功率）很大，（大電流、大電壓的場合），最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等~~ 此時既要隔離傳送控制信號（例如PWM信號），也要給驅動級（MOS管的推動電路）傳送電能。

常用的信號傳送有PC923 PC929 6N137 TL521等 至於電能的傳送可以用DC-DC模塊。如果是做產品的話建議自己搞一個建議的DC-DC，這樣可以降低成本。

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MOS管應用

1、低壓應用

當使用5V電源，這時候如果使用傳統的圖騰柱結構，由於三極體的be有0.7V左右的壓降，導致實際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時候，我們選用標稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風險。同樣的問題也發生在使用3V或者其他低壓電源的場合。

2、寬電壓應用

輸入電壓並不是一個固定值，它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導致PWM電路提供給MOS管的驅動電壓是不穩定的。

為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內置了穩壓管強行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當提供的驅動電壓超過穩壓管的電壓，就會引起較大的靜態功耗。

③ 怎麼看一個mos管電路

這里場效應管肯定是起著開關作用，至於說電平轉換，真的沒必要如此浪費資源，用電阻就可以了。而這樣構成電路，估計是要多個相同IIC設備，卻無法改變其相同的地址，就只能是採用開關電路來切換了；

④ MOS管在開關電路的作用

MOS管在開關電路的作用是信號的轉換、控制電路的通斷。

金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。

改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。

N溝道的MOS管的電路中，BEEP引腳為高電平即可導通，蜂鳴器發出聲音，低電平關閉蜂鳴器；P溝道的MOS管是用來控制GPS模塊的電源通斷，GPS_PWR引腳為低電平時導通，GPS模塊正常供電，高電平時GPS模塊斷電。

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NMOS的特性，Vgs大於一定的值就會導通，適合用於源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小於一定的值就會導通，適合用於源極接VCC時的情況（高端驅動）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由於導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。

PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領域內應用的器件。PMOS集成電路採用-24V電壓供電。

MOS場效應晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便於直接耦合，容易製成規模大的集成電路 。

⑤ MOS管開關電路

1 這個電來路採用是NMOS管，如自果COP是高組態，那麼為什麼A點處是高電平，那個Rcop上拉電阻如果達到1M，那麼A處還是高電平嗎？ 答：正是由於Rcop所以COP是高組態時處是高電平。即便Rcop阻值高達10MA處還會是高電平，只是阻值太高容易引入干擾，所以取幾K的阻值就好。

2 圖中標識的放電用FET，我大概分析下是：NMOS管的柵極B如果是低電平，那麼放電用MOS管應該是導通的，此時電流流向是D流向S的，這個分析對嗎？答：應該DOB是高電平時放電FET導通。

⑥ 【求教】MOS管開關電路。

MOS和三極體相像，但是三極體屬於電流驅動型，而MOS屬於電壓驅動型，因此在控制回的時候需要考慮MOS的G端電答壓。一般的N溝道MOS在3V往上就可以導通，但是為了考慮可靠性，往往是加上一個電阻，接到12V左右，這是我們常用的。如圖我們產品中的一個圖，是電機驅動，用的就是MOS的開關特性。另外，數字電路中所用到的三極體和MOS就是一個開關，因為數字電路只有0和1。圖中的PWM是單片機IO埠直接過來的，0V和5V可變。後面一個推挽電路，然後給MOS。

⑦ 誰能幫我分析一下這個mos管的電路

這個電路是典來型的USB_OTG電路：源當外接USB是DEVICE設備時，板上的USB_ID引腳被檢測到懸空或者上拉，此時MCU_OTG_PWEON輸出高電平，Q8導通，G集被拉低，5V向VCC5V端供電，同時板上設備可以對外接DEVICE設備進行讀寫操作（比如電腦外接U盤或者手機）；同理，當外接USB是HOST設備時，板上的USB_ID引腳被檢測到下拉，此時MCU_OTG_PWEON輸出低電平，Q8截止，G集被Q6或Q7中D到S電平較高的PMOS上拉，同時外接HOST設備可以對板上設備進行燒寫程序（好比電腦剛生產出來需要燒寫驅動程序一樣）。所以，Q6，Q7的接法並沒有錯，當然，樓上說的也沒有錯，不管何種狀態，都會有一個PMOS導通，這是為了保證G集電平的確定性，這就是為什麼有個10K的R103電阻的原因。望採納。

⑧ 請教：MOS管做開關電路

MOS管作為開關元件，同樣是工作在截止或導通兩種狀態。由於MOS管是電壓控制元件，所以主要回由柵源電壓uGS決定其答工作狀態。

MOS管在導通與截止兩種狀態發生轉換時同樣存在過渡過程，但其動態特性主要取決於與電路有關的雜散電容充、放電所需的時間，而管子本身導通和截止時電荷積累和消散的時間是很小的。

MOS管也是三端壓控元件，三端分別是G、D、S，可以等效於普通三極體的B、C、E三極，VGS的電壓（=VG-VS）控制Mos 開關狀態:

當VGS大於Von（開啟電壓，NMOS為2~4V，PMOS為-2~-4V）時就使得Mos打開，D& S兩極之間導通，壓降為零，阻抗較小，零點幾歐姆；

同理當VGS小於Von時就使得Mos處於關閉狀態，D& S兩極之間阻抗很大；

所以，G極就是控制極；

要注意的是，Vgs不能太高，比如IRF530，Von的最大值為4V，可是擊穿電壓為正負20V；又比如IRF9530，開啟電壓為最大-4V，也就是說Vgs=-5V時已經打開，開啟電壓上限也為正負20V，當Vgs=-21V或者22V時，管子會被擊穿。通常使用時，可以使所加電壓Vgs=正負9伏比較適合。

⑨ mos管在電路中的作用

MOS即MOSFET全稱金屬氧化膜絕緣柵型場效應管，有門極Gate,源極Source,漏極Drain.通過給Gate加電壓產生電場控制S/D之間的溝道電子或者空穴密度（或者說溝道寬度）來改變S/D之間的阻抗。這是一種簡單好用，接近理想的電壓控制電流源電晶體
它具以下特點:開關速度快、高頻率性能好，輸入阻抗高、驅動功率小、熱穩定
性優良、無二次擊穿問題、全工作區寬、工作線性度高等等，其最重要的優點
就是能夠減少體積大小與重量，提供給設計者一種高速度、高功率、高電壓、
與高增益的元件。在各類中小功率開關電路中應用極為廣泛。
MOS又分為兩種，一種為耗盡型（Depletion MOS），另一種為增強型
（Enhancement MOS）。這兩種型態的結構沒有太大的差異，只是耗盡型MOS一
開始在Drain-Source的通道上就有載子，所以即使在VGS為零的情況下，耗盡型
MOS仍可以導通的。而增強型MOS則必須在其VGS大於某一特定值才能導通。