1. 有關動態元件二階電路,建立微分方程的問題 。元件的基本性質我都知道 。這題我算來算去 ,比較好列出
列出方程組,消元即可。
2. RLC串聯二階電路中電阻的大小直接影響二階電路暫態過程性質,RLC串聯電路的總電阻包括哪幾項
電路中的電阻有串聯電阻R,電感電阻,欠阻尼狀態R方小於4L/C ,臨界阻尼R方等於4L/C ,過阻尼R方大於4L/C
3. 如何區分低通濾波器的一階和二階電路有何相同點和不同點他們的幅頻特性曲線有區別嗎
一階二階主要是指極點的個數,一般階數越高實現的過渡帶可以越窄。
4. 畫出二階系統的頻率特徵曲線,並說明其性質。
邏輯Bank數量 DDR2 SDRAM中有和8Bank的設計,目的就是為了應對未來大容量晶元的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步,因此起始的邏輯Bank就是8個,另外還為未來的16個邏輯Bank做好了准備。 2、封裝(Packages) DDR3由於新增了一些功能,所以在引腳方面會有所增加,8bit晶元採用78球FBGA封裝,16bit晶元採用96球FBGA封裝,而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝,不能含有任何有害物質。 3、突發長度(BL,Burst Length) 由於DDR3的預取為8bit,所以突發傳輸周期(BL,Burst Length)也固定為8,而對於DDR2和早期的DDR架構的系統,BL=4也是常用的,DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop(突發突變)模式,即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸,屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是,任何突發中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更靈活的突發傳輸控制(如4bit順序突發)。 3、定址時序(Timing) 就像DDR2從DDR轉變而來後延遲周期數增加一樣,DDR3的CL周期也將比DDR2 有所提高。DDR2的CL范圍一般在2至5之間,而DDR3則在5至11之間,且附加延遲(AL)的設計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0至4,而 DDR3時AL有三種選項,分別是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3還新增加了一個時序參數——寫入延遲(CWD),這一參數將根據具體的工作頻率而定。 4、新增功能——重置(Reset) 重置是DDR3新增的一項重要功能,並為此專門准備了一個引腳。 DRAM業界已經很早以前就要求增這一功能,如今終於在DDR3身上實現。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時,DDR3 內存將停止所有的操作,並切換至最少量活動的狀態,以節約電力。在Reset期間,DDR3內存將關閉內在的大部分功能,所以有數據接收與發送器都將關閉。所有內部的程序裝置將復位,DLL(延遲鎖相環路)與時鍾電路將停止工作,而且不理睬數據匯流排上的任何動靜。這樣一來,將使DDR3達到最節省電力的目的。 5、新增功能——ZQ校準 ZQ也是一個新增的腳,在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集,通過片上校準引擎(ODCE,On-Die Calibration Engine)來自動校驗數據輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當系統發出這一指令之後,將用相應的時鍾周期(在加電與初始化之後用512個時鍾周期,在退出自刷新操作後用256時鍾周期、在其他情況下用64個時鍾周期)對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。 6、參考電壓分成兩個 對於內存系統工作非常重要的參考電壓信號VREF,在DDR3系統中將分為兩個信號。一個是為命令與地址信號服務的VREFCA,另一個是為數據匯流排服務的VREFDQ,它將有效的提高系統數據匯流排的信噪等級。 7、根據溫度自動自刷新(SRT,Self-Refresh Temperature) 為了保證所保存的數據不丟失,DRAM必須定時進行刷新,DDR3也不例外。不過,為了最大的節省電力,DDR3採用了一種新型的自動自刷新設計(ASR,Automatic Self-Refresh)。當開始ASR之後,將通過一個內置於DRAM晶元的溫度感測器來控制刷新的頻率,因為刷新頻率高的話,消電就大,溫度也隨之升高。而溫度感測器則在保證數據不丟失的情況下,盡量減少刷新頻率,降低工作溫度。不過DDR3的ASR是可選設計,並不見得市場上的DDR3內存都支持這一功能,因此還有一個附加的功能就是自刷新溫度范圍(SRT,Self-Refresh Temperature)。通過模式寄存器,可以選擇兩個溫度范圍,一個是普通的的溫度范圍(例如0℃至85℃),另一個是擴展溫度范圍,比如最高到 95℃。對於DRAM內部設定的這兩種溫度范圍,DRAM將以恆定的頻率和電流進行刷新操作。 8、局部自刷新(RASR,Partial Array Self-Refresh) 這是DDR3的一個可選項,通過這一功能,DDR3內存晶元可以只刷新部分邏輯Bank,而不是全部刷新,從而最大限度的減少因自刷新產生的電力消耗。這一點與移動型內存(Mobile DRAM)的設計很相似。 9、點對點連接(P2P,Point-to-Point) 這是為了提高系統性能而進行了重要改動,也是與DDR2系統的一個關鍵區別。在DDR3系統中,一個內存控制器將只與一個內存通道打交道,而且這個內存通道只能一個插槽。因此內存控制器與DDR3內存模組之間是點對點(P2P,Point-to-Point)的關系(單物理Bank的模組),或者是點對雙點(P22P,Point-to-two-Point)的關系(雙物理Bank的模組),從而大大減輕了地址/命令/控制與數據匯流排的負載。而在內存模組方面,與DDR2的類別相類似,也有標准DIMM(台式PC)、SO-DIMM/Micro-DIMM(筆記本電腦)、FB-DIMM2(伺服器)之分,其中第二代FB-DIMM將採用規格更高的AMB2(高級內存緩沖器)。不過目前有關DDR3內存模組的標准制定工作剛開始,引腳設計還沒有最終確定。 除了以上9點之外,DDR3還在功耗管理,多用途寄存器方面有新的設計,但由於仍入於討論階段,且並不是太重要的功能,在此就不詳細介紹了。下面我們來總結一下DDR3與DDR2之間的對比: DDR2與DDR3規格對比,業界認為DDR3-800將被限定於高端應用市場,這有點像當今DDR2-400的待遇,預計DDR3在台式機上將以1066MHz的速度起步 從整體的規格上看,DDR3在設計思路上與DDR2的差別並不大,提高傳輸速率的方法仍然是提高預取位數。但是,就像DDR2和DDR的對比一樣,在相同的時鍾頻率下,DDR2與DDR3的數據帶寬是一樣的,只不過DDR3的速度提升潛力更大。所以初期我們不用對DDR3抱以多大的期望,就像當初我們對待 DDR2一樣。當然,在能耗控制方面,DDR3顯然要出色得多,因此將可能率先受到移動設備的歡迎,就像最先歡迎DDR2內存的不是台式機,而是伺服器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC台式機領域,DDR3未來也將經歷一個慢熱的過程
5. 簡述在二階電路中,過渡過程的性質取決於什麼因素
應該是電阻器和電感吧!因為是交流電! T=2π/ω,ω=1/(LC)的二分之一次方,故增大電容,T增大
6. 二階電路RLC串聯
R+(1/jwC)+jwL
7. 二階有源濾波器電路的特性是什麼
並非所有的有源二階低通濾波器都如此。
壓控二階有源低通濾波器符合您描回述的特點答。
二階有源壓控低通濾波器的傳遞函數為:
Au(s)=Aup/(1+(3-Aup)sCR+(sCR)^2)
當Aup>=3時,傳遞函數有極點出現在復平面的右半平面,系統為不穩定系統。
直觀的理解,當Aup>=3,必然存在至少一個頻率,使Au為無窮大,系統不穩定。