晶元電路大小

『壹』 功放IC的電源供電大小對電路有什麼影響

容量大對低頻放大效果好，反之，低頻效果不好。
具體來說有以下幾點：
1、功放電內路信號輸入端的電容容為「耦合電容」，一般在4.7μ左右即可滿足要求。小電容的高頻特性好，而大電容的低頻分量足。
2、功放電路選擇單電源還是雙電源，與功放電路組成形式有關：一般「dtl」輸出的功放電路需要單電源就可以正常工作，而「ocl」輸出的功放電路，則必須要（正負對稱的）雙電源才能工作的。
3、功放電路需要直流電源的。交流電需要（橋式）整流、濾波，就成為直流電源了。

『貳』 大功率LED晶元尺寸大小為多少厚度為多少

大功率LED的燈珠晶元尺寸，根據不同品牌，尺寸也是不同的。一般中等產品燈珠晶元專尺寸是屬38MIU。檔次最高的燈珠晶元，很多都是45MIU。

發光二極體簡稱為LED。由含鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物製成。
當電子與空穴復合時能輻射出可見光，因而可以用來製成發光二極體。在電路及儀器中作為指示燈，或者組成文字或數字顯示。砷化鎵二極體發紅光，磷化鎵二極體發綠光，碳化硅二極體發黃光，氮化鎵二極體發藍光。因化學性質又分有機發光二極體OLED和無機發光二極體LED。

『叄』 電源電路對穩壓晶元的輸出電流大小有什麼要求

至少是負載的1.5倍。

『肆』 一個晶元中有幾個獨立的電路 請問如果壞一個電路的可能性有多大

幾率比較大。
具體還要看是什麼原因導致的損壞。
如自然損壞，輸入信號超范內圍，那麼容壞一個和全部同時壞的可能性比較大。全部壞事因為公共部分電路損壞。壞一個是因為壞了一個，電路就不能使用了，就會被人為地停止使用或者替換。
另外對於溫度超標和電源超標這些，就全部壞的可能性都大。
簡單說，就是集成IC不一定全部壞，可以壞一部分。

『伍』 超大規模集成電路有多大

集成電路的集成度從小規模到大規模、再到超大規模的迅速發展，關鍵就在於集成電路的布圖設計水平的迅速提高，集成電路的布圖設計由此而日益復雜而精密。中國的集成電路產業起步於20世紀60年代中期，現在已經初具規模，形成了產品設計、晶元製造、電路封裝共同發展的態勢。 集成電路的廣泛應用，極大地推動了社會經濟的發展，促進了信息時代的加速到來，並正在深刻改變著人類的生產生活。現在，集成電路的技術水平和產業規模已經成為衡量一個國家科技發展水平、綜合國力強弱和產業結構高級化程度的公認標准之一，集成電路產業也成為關繫到國家安全和國民經濟發展的戰略性產業之一。各發達國家和諸多新興國家及地區紛紛投入巨額資金，不惜血本地加入這一競爭激烈的領域。 研製開發一種新的集成電路，需要在布圖設計方面耗費大量的人力、物力和財力。然而，集成電路布圖設計的可復制性決定了先進的布圖設計容易被他人復制，侵權人可以輕而易舉地以較小的代價進行仿製。內這就嚴重損害了布圖設計研製開發者的利益，從而也影響了集成電路新產品的研製開發。從20世紀70年代起，集成電路盜版問題迅速增長。據集成電路行業的巨頭英特爾公司的統計，集成電路的盜版可以節省90%以上的開發成本和一年半左右的開發時間。盜版廠商以低廉的成本復制集成電路的布圖設計，極大的挫傷了前期投入昂貴的研發費用的正規開發商的積極性。盜版問題已經成為集成電路產業發展的一個嚴重障礙。為了維護集成電路研製開發者的智力勞動成果，保障集成電路研製生產的正常開展，世界各國以及相關的國際組織紛紛尋求從知識產權角度加強對集成電路的布圖設計的保護。 一、保護模式：漸進與統一 世界各國對於集成電路布圖設計的保護通常採用三種模式：專利法保護、版權法保護以及專門立法保護。但在實踐中，通過專利制度或者版權制度保護集成電路布圖設計都存在一定的不足，通過專門立法加以保護成為目前世界各國包括國際條約的普遍選擇。 （一）專利法保護 部分國家將集成電路的布圖設計作為一種可專利的技術方案，通過向集成電路的技術設計方案授以專利權的方法來進行保護。 僅從理論上分析，集成電路的布圖設計實質上是一種圖形設計方案，如果根據該設計生產出的集成電路產品符合專利法所規定的條件，的確可以獲得專利權授權。對於被授予專利權的集成電路產品未經專利權人許可，他人不得製造、銷售、使用和進口，否則必須承擔侵權的法律責任。然而，大部分集成電路布圖設計都屬於對於已知電路的重新設計，在設計的時候必須遵守工程設計的基本原理、方法和規范，還必須採用相當數量通用性的常規設計；上述這些知識已進入公有領域，所以，集成電路的布圖設計往往缺乏專利授權必須的新穎性。此外，集成電路在專利法要求的創造性方面也顯得力不從心。集成電路不論其規模有多大，其布圖設計的中心思想都是實現電路集成的功能。為實現這一目的，布圖設計將電路圖中的多個元器件合理地分布在多個疊層中，並使其互連，形成三維配置。因而，同類集成電路產品的布圖設計方案不會有太大的變化，研製開發不過是在提高集成度、節約材料、降低能耗方面下功夫，很少具備實質性的差異，因而也很難達到專利法對創造性的要求。何況，布圖設計也只是產品的一種中間形態，沒有獨立的產品功能。換言之，布圖設計不同於專利法中能夠直接運用的技術方案。此外，集成電路技術更新換代相當快，技術的生命周期非常短，而專利申請與審批的時間卻比較長，這也不利於集成電路技術及時獲得專利法的保護。 鑒於通過專利制度保護集成電路的布圖設計存在難以逾越的障礙，除需對《專利法》進一步完善外，對集成電路布圖設計的保護還需其他法律部門共同調整。 （二）版權法保護 也有部分國家將集成電路的布圖設計作為一種圖形作品，將其納入版權法中作品的范圍，通過版權法給予保護。典型的例子是美國1984年制定的《半導體晶元保護法案》，該法案明確採用類似版權的保護方式對集成電路進行保護，並續接到美國版權法，並將其保護客體稱為「掩膜作品」，而不是簡單地稱為「掩膜」。根據該法案將「掩膜作品」定義為，一套已固著或已編碼的相關圖象，它們(A)具有或表示半導體晶元產品各層預定出現或不出現金屬、絕緣或半導體材料形成的三維空間圖形；並且(B)此套圖象之間的關系是每個圖象在半導體晶元中都有一種形式的平面圖形 。可見，在美國集成電路作為一種單獨的作品種類已經被納入了廣義版權法的保護范圍。 在傳統版權法的理念中，版權法的保護對象是文學、藝術和科技作品，其中也包含工程設計、產品設計圖紙等圖形作品。集成電路布圖設計圖紙具備了獨創性的要求，即受到版權法的保護，這自然是題中應有之意。但是，單純以版權法保護集成電路，在保護力度上顯得很吃力，很難提供充分有效的保護。 從布圖設計的作用來看，它與享有版權的作品明顯不同。作品的作用主要是供人欣賞，而布圖設計及含布圖設計的集成電路是一種電子產品，布圖設計的作用不是供人欣賞，而是為了執行電子電路的功能。也就是說，一般作品不具有功能性，而布圖設計則具有鮮明的功能性。如果不具備電子電路的功能，就不成其為布圖設計。因此，從功能性出發，不難發現布圖設計與版權法中的圖形作品存在本質上的不同。 即使將版權法上的作品擴大解釋為包括布圖設計在內，也不能有效的保護布圖設計。作品保護的方式主要通過制止他人未經權利人許可的復制，而此種方式對布圖設計並沒有實際的意義。通常，針對集成電路布圖設計的侵權並不是將他人的布圖設計簡單的復制下來，而是將他人的布圖設計不法的應用到自己的集成電路中去，這個過程已遠非版權法上的「復制」能夠概括的。所以，國外關於集成電路的立法以及相應的國際條約中都沒有使用「」一詞，而是使用了「reproce」。雖然，中國的立法和相關的學術論文中，我們仍然使用「復制」這一詞語，但這種「復制」已經不再是版權法意義上的復制了。 況且，版權法只保護作品思想的表達形式，不保護作品思想本身，因此很難通過版權法保護集成電路布圖設計中的技術創新和進步。此外，版權的保護期限過長，一般為作者創作完成後的有生之年外加死後50年。而集成電路技術更新換代的時間非常快，給予太長的保護期限容易造成技術的壟斷，影響集成電路技術的借鑒與推廣，限制了先進的技術在全社會范圍內的共享。因此，單純的採用版權法來保護集成電路顯然也不是一個明智的選擇。

『陸』 用單片機檢測電流的大小（500ma左右），電流采樣電路怎麼做

就在電流通路里串聯復一個大功率小制阻值的精密電阻就可以了,然後放大兩端的電壓,與你的ADC匹配即可.
這個電阻要小一些,比如0.5歐姆,5W（功率最好大一些，這樣發熱比較少，電阻不會很燙，精度可以保證）
0.1歐是可以的（理論上這個電阻越小，對現有電路的影響越小，但對後面的放大電路要求越高， 所以要綜合考慮）。不過後級放大倍數要大一些，最好是91倍左右（0-4.5V，剩餘的部分作為安全裕量，量程要比設計的要求大一些比較好），你可以先用兩個反相比例放大器（比例電阻10K，91K，平衡電阻8.2K），第二個是（比例電阻10K，100K，平衡電阻9.1K），運算放大器的電源選正負15V，反相比例放大電路的基本構型你看一下模電書，這里上圖太麻煩了。

『柒』 單片機外圍電路常用的晶元有哪些，常用的電阻、電容、電感分別是多大的

除了單片機之外其他的器件都屬於外圍器件，你說的常用的，那就太多了，構成單片機最專小系統的那些器件就不屬用說了吧，那些東西都是固定的。做流水燈，可以接電阻（LED不同，電阻值不同），也可以接鎖存器（常用的是74HC573）；數碼管呢，少的話可以用三極體（一般共陽用PNP，9012或8550，共陰用NPN，9013或8050），多的話用鎖存器，用兩片573就滿足了；蜂鳴器驅動用PNP三極體，外加1K左右電阻；串口通信，用晶元MAX232，外加1UF的電容4個。很多的，具體設計的時候再去查找相關內容，網上都有的。

『捌』 集成電路晶元與晶體管尺寸有關嗎

集成電路晶元與上面集成的晶體管尺寸是有關的，集成電路的製程越先進就是說每個元器件的導電溝道越小，那麼可集成的晶體管數量就越多，比如現在的驍龍，865就是5納米製程裡面集成的13億個晶體管。

『玖』 集成電路那麼小怎麼做的

集成電路就是把原來電路板上的電路做到晶元裡面，只不過三極體，MOS管，二極體等都大多數是用硅做成的，器件與器件之間是用鋁連成的，肉眼都是看不見的，因為是用離子注入機完成的。

『拾』 請問有沒有可以控制電流大小的晶元或電路

這個你一定用得上。