峰值吸收电路

㈠ 开关电源输出端尖峰吸收电路出问题对开关管有什么影响

尖峰吸收电路的应用的目的是这样的；

为了防止开关管被峰值电压击穿，通常可以采用的方法有如下两种： 一是减小漏感，二是通过设计RCD 缓冲电路吸收很高的电压尖峰能量。

因此，如果尖峰吸收电路失效，会导致开关管承受高电压，严重的话就会烧毁开关管。

㈡ 看到一个二极管加电容的峰值保持电路，请教一下，其中的电容值怎么算

电容量的选择和多个因素相关，包括需要保持的时间、信号源的输出阻抗、负载的输入阻抗等。

㈢ 尖峰吸收电路是什么意思啊

开关电源中在开关管截止的瞬间，会在开关变压器初级感应出一个反向高回脉冲电压，容易损坏开关管答。为此在变压器初级并联一个由高压电容和快恢复二极管组成的脉冲吸收回路，给这个反向高脉冲电压提供一个放点通路，保护开关管。这个回路就叫尖峰吸收回路。

㈣ 开关电源中的RCD峰值吸收回路的工作原理是怎样的

若开关断开，蓄积在寄生电感中能量通过开关的寄生电容充电，开关电压上升。其电压上升到吸收电容的电压时，吸收二极管导通，开关电压被吸收二极管所嵌位，约为1V左右。寄生电感中蓄积的能量也对吸收电容充电。开关接通期间，吸收电容通过电阻放电。

㈤ 场效应管 尖峰吸收回路设计问题

1. 功率是 1/2(Lleak*Ipeak^2*(Vsnub/(Vsnub-N*Vout))) *F（Hz）。
2. 钳位电压一般选择为反射电压的1.4倍左右

选取电阻和电容时，应内先估算几容个参量，匝比，初级峰值电流，钳位电压，另外有些参数不可忽略如次级整流管压降，变压器二次侧漏感（尤其匝比比较大的时候）。有了这些参数之后，基本可以计算电阻了，P=V^2/R即可，选择一个纹波电压值Vr，如选为钳位电压的10%，C=I*T/Vr即可。
初步选定后，整机再做调整，即可得到合适的参数。离线式的反激电源，100K左右的频率，最终的参数一般电阻为几十千欧，电容为几纳法，否则计算的一定不合理或设计的不合理。

㈥ RCD吸收电路中R上消耗的功率如何计算请高人指点！

P=1/2(Lleak*Ipeak^2*(Vsnub/(Vsnub-N*Vout)))
上式中：Lleak-漏感
Ipeak-初级峰值电流
Vsnub-期望的钳位电压（一般为反射电压N*Vout的2-2.5倍）
N-匝比（初级比次级）
Vout-输出电压（要加上管压降）
细节可参考 飞兆半导体官网中的application note，里面有关于此方面的文章，介绍的较为详细。（注：英文，但简单易懂）

㈦ 尖峰吸收电路的原理是什么

在图中所示的电路中。

尖峰吸收电路

在开关管VT截止的瞬间，其集电极上产生的反峰专值电压属经C1、R1构成充电回路，充电电流使尖峰电压被控制在一定范围内，以免开关管被击穿。当C1充电结束后，C1通过开关变压器T的初级绕组、300V滤波电容、地、R1构成放电回路。因此，当R1取值小时，虽然利2.对尖峰电压的吸收，但增大了开关管的开启损耗；当R1取值大时，虽然降低了开关管的开启损耗，但降低了对尖峰电压的吸收。

㈧ 大神解释一下这个吸收电路作用

1. RCD尖峰吸收电路
2. 吸收高频变压器线圈产生的电动势

㈨ RCD吸收电路的RCD吸收电路的设计

一﹑首先对mos管的VD进行分段：
Ⅰ，输入的直流电压VDC；
Ⅱ，次级反射初级的VOR；
Ⅲ，主MOS管VD余量VDS；
Ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1。
二﹑对于以上主MOS管VD的几部分进行计算：
Ⅰ，输入的直流电压VDC。
在计算VDC时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V，即DC375V。
VDC=VAC *√2
Ⅱ，次级反射初级的VOR。
VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%（依Vo =5.25V计算），二极管VF为0.525V（此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值）．
VOR=(VF+Vo)*Np/Ns
Ⅲ，主MOS管VD的余量VDS．
VDS是依MOS管VD的10%为最小值．如KA05H0165R的VD=650应选择DC65V．
VDS=VD* 10%
Ⅳ，RCD吸收VRCD．
MOS管的VD减去Ⅰ，Ⅲ三项就剩下VRCD的最大值。实际选取的VRCD应为最大值的90%（这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响）。
VRCD=(VD-VDC -VDS)*90%
注意：
① VRCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合．
② VRCD必须大于VOR的1.3倍．（如果小于1.3倍，则主MOS管的VD值选择就太低了）
③ MOS管VD应当小于VDC的2倍．（如果大于2倍，则主MOS管的VD值就过大了）
④ 如果VRCD的实测值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影响电源效率。
⑤ VRCD是由VRCD1和VOR组成的
Ⅴ，RC时间常数τ确定．
τ是依开关电源工作频率而定的，一般选择10~20个开关电源周期。
三﹑试验调整VRCD值
首先假设一个RC参数，R=100K/RJ15, C=10nF/1KV。再上市电，应遵循先低压后高压，再由轻载到重载的原则。在试验时应当严密注视RC元件上的电压值，务必使VRCD小于计算值。 如发现到达计算值，就应当立即断电，待将R值减小后，重复以上试验。（RC元件上的电压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容“+”极的RC一 点上，测试点接到RC另一点上）
一个合适的RC值应当在最高输入电压，最重的电源负载下，VRCD的试验值等于理论计算值。
四﹑试验中值得注意的现象
输入电网电压越低VRCD就越高，负载越重VRCD也越高。那么在最低输入电压，重负载时VRCD的试验值如果大于以上理论计算的VRCD值，是否和（三）的内容相矛盾哪？一点都不矛盾，理论值是在最高输入电压时的计算结果，而现在是低输入电压。
重负载是指开关电源可能达到的最大负载。主要是通过试验测得开关电源的极限功率。
RCD吸收电路与RC电路的比较
采用RC、RCD吸收电路也可以对变压器消磁，这时就不必另设变压器绕组与二极管组成的去磁电路。变压器的励磁能量都在吸收电阻中消耗掉。RC与RCD吸收电路不仅消耗变压器漏感中蓄积的能量，而 且也消耗变压器励磁能量，因此降低了变换器变换效率。RCD吸收电路是通过二极管对开关电压嵌位，效果比RC好，它也可以采用较大电阻，能量损耗也比RC 小。
RCD吸收电路的影响
1.RCD电容C偏大
电容端电压上升很慢，因此导致mos 管电压上升较慢，导致mos管关断至次级导通的间隔时间过长，变压器能量传递过程较慢，相当一部分初级励磁电感能量消耗在RC电路上 。
2.RCD电容C特别大（导致电压无法上升至次级反射电压）
电容电压很小，电压峰值小于次级的反射电压，因此次级不能导通，导致初级能量全部消耗在RCD电路中的电阻上，因此次级电压下降后达成新的平衡，理论计算无效了，输出电压降低。
3.RCD电阻电容乘积R×C偏小
电压上冲后，电容上储存的能量很小，因此电压很快下降至次级反射电压，电阻将消耗初级励磁电感能量，直至mos管开通后，电阻才缓慢释放电容能量，由于RC较小，因此可能出现震荡，就像没有加RCD电路一样。
4.RCD电阻电容乘积R×C合理，C偏小
如果参数选择合理，mos管开通前，电容上的电压接近次级反射电压，此时电容能量泄放完毕，缺点是此时电压尖峰比较高，电容和mos管应力都很大
5.RCD电阻电容乘积R×C合理，R，C都合适
在上面的情况下，加大电容，可以降低电压峰值，调节电阻后，使mos管开通之前，电容始终在释放能量，与上面的最大不同，还是在于让电容始终存有一定的能量。

㈩ 开关电源中的RCD尖峰吸收电路电容耐压选多大合适，选200V的可以吗

开关抄电源中的RCD尖峰吸收电路电容上电压是脉冲波形，其峰值一般为供电电压的2-3倍左右。一般在220V供电的开关电源中，整流后直流电压约为310V，因此，反峰电压约为650-900V。此时RCD尖峰吸收电路电容的耐压应选1KV。所以选用200V是不行的。