集成電路框架

❶ 集成電路企業投資價值評價框架包括哪些內容

集成電路企業投資價值埋橡歲評價框架包括內容如高。
1、調整分析框架結構，邏輯現條更加清晰。
2、對於估值的評估，彎睜增加了從定性和定量兩個角度。
3、增加了其他部分的細節分析。

❷ 怎麼畫晶元的結構框架圖

根據產品的晶元結構在紙上繪制，按照標準的線路進行繪畫即可。
結構框架圖是指以模塊的調用關系為線索，用自上而下的連線表示調用關系並註明參數傳遞的方向和內容，從宏觀上反映軟體層次結構的圖形，結構圖分建築圖和組織結構圖。
集成電路（integrated circuit）是電路（主要包括半導體設備空首，也包括被動組件等）小型化的方式，採用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，製作在一小塊或幾小塊斗拍數半導體晶片或介質基片上，然後封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體賀敬，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。集成電路可以把很大數量的微晶體管集成到一個小晶元。

❸ 什麼是 PPF 引線框架

PPF (Pre-Plating frame Finish 預電鍍), 作為無鉛零錫須危險替代物的一種選擇，最初由德州儀器在1989年引入，
採用PPF處理的lead frame, 免去了後道電鍍工藝post plating（就是指鍍錫或錫鉛）, 不但符合綠色環保要求，同時能夠極大節約後電鍍相關的成本，如設備、廢水、樓層空間、產能損失和循環時間等。
目前normal PPF一般採用NIPdAu這三層 （也有採用鎳鈀金銀的，比如三星的upgrade U-PPF）。
鎳層較厚，含磷，也較硬。鍍層的焊接性能是由鎳層來體現的，真正需要焊接形成金屬間化物的是鎳而不是金，金僅僅是為了保護鎳不被氧化或腐蝕，金層在焊接一開始就溶解到焊料之中去了。
金層不能太厚，厚的話影響可焊性（上板焊錫），當然金層相對厚一點對WB有利。
鈀層在鎳金層中間，是防止鎳與金的直接接觸後發生噬金現像導致金層的疏孔。鈀的價格相對於金來說不是很貴。
有化學鍍鎳鈀金 與電鍍鎳鈀金之分。
化學鍍是通過化學置換反應將金從溶液中置換到被鍍表面，只要置換上來的金將鍍層完全覆蓋，則該置換反應自動停止，化學鍍的工藝相對容易控制，鍍金層往往只有約0.03～0.1 微米的厚度，且厚度都均勻一致。
電鍍鎳金是通過施電的方式，在電鍍液一定的情況下，通過控制電鍍的時間來實現對鍍層厚度的控制。
PPF (Pre-Plating frame Finish 預電鍍), 作為無鉛零錫須危險替代物的一種選擇，在沒有進行PPF的情況下，在封裝後線要進行電鍍錫工藝（Post plating）。
常溫下純錫鍍層會長出樹枝狀的突出物，稱之為錫須(晶須)，錫須的生長主要是有電鍍層上開始的，具有較長的潛伏期，從幾天到幾個月甚至幾年，錫須的長度太長，會造成導體或零組件之間的短路，一般很難准確預測錫須所帶來的危害。

一般來說，錫須有如下的產生原因：
1、錫與銅之間相互擴散，形成金屬互化物，致使錫層內壓應力的迅速增長，導致錫原子沿著晶體邊界進行擴散，形成錫須；
2、電鍍後鍍層的殘余應力，導致錫須的生長。
一般的防錫須解決措施：
1、電鍍霧錫，改變其結晶的結構，減小應力；
2、在150攝氏度下烘烤2小時退火；（實驗證明，在溫度90攝氏度以上，錫須將停止生長）
3、Enthone FST浸錫工藝添加少量的有機金屬添加劑，限制錫銅金屬互化物的生成；
4、在錫銅之間加一層阻擋層，如鎳層；
5、抑制錫須，現發現的最好辦法是在錫中添加鉛。人們在多年以前就認識到通過在鍍層中摻入鉛來解決這個問題，但現在鉛已經被認為是有害物質，並被RoHS指令禁止使用。當然錫須也會從鉛錫表面生長出來，但是這種錫須要比從純錫中長出來的錫須短得多。
6、添加1～2%的黃金，也具有很好的抑制錫須的作用。

❹ 集成電路框架使用高強高導銅相比紫銅有哪些優勢

高強高導銅合金是由太原熱研科技研發的高導熱銅合金，導熱系數達524w/mk，遠遠高於紫銅的導熱系數。
與紫銅對比，高強高導銅合金主要有三大優勢:
1
強度
紫銅很軟，一般不用，除非不得不用(主要是導電和導熱的要求)。高導銅比紫銅硬得多，HRB可到55。
紫銅的HRB在軟態下就測不出來，即使做成硬態到達30左右，遇熱後立馬變軟。紫銅不耐磨，高導銅耐磨。
2
導電率
紫銅軟態導電率為100%，高導銅導電率根據強度變化，在98%-104%之間。
3
熱導率
紫銅熱導率最高為398，高導銅根據強度變化在518~524w/mk之間。
CPU、手機、航空、航天、軍工等行業都急需高熱導率散熱材料。電瓶汽車、高功率電機、集成電路等的發展瓶頸也是散熱問題。
對散熱要求高的，多採用銅或銅合金散熱。其機械性能也非常好，是導熱、散熱的理想材料。

❺ 集成電路的基本知識

IC晶元（Integrated Circuit集成電路）是將大量的微電子元器件（晶體管、電阻、電容等）形成的集成電路放在一塊塑基上，做成一塊晶元。而今幾乎所有看到的晶元，都可以叫做IC晶元。
集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。採用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極體、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，製作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然後封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母「IC」表示。集成電路發明者為傑克·基爾比（基於鍺的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基於硅的集成電路）。當今半導體工業大多數應用的是基於硅的集成電路。

DIP封裝技術
集成電路有很多種不同的封裝方式，常用DIP封裝，是al inline-pin package的縮寫，也叫雙列直插式封裝技術，雙入線封裝，DRAM的一種元件封裝形式，採用雙列直插形式封裝的集成電路晶元，絕大多數中小規模集成電路均採用這種封裝形式。這種封裝方式由於受工藝的影響，引腳一般都不超過100個。隨著CPU內部的高度集成化，DIP封裝很快退出了歷史舞台。只有在老的VGA/SVGA顯卡或BIOS晶元上可以看到它們的「足跡」。
DIP封裝結構形式有：多層陶瓷雙列直插式DIP，單層陶瓷雙列直插式DIP，引線框架式DIP（含玻璃陶瓷封接式，塑料包封結構式，陶瓷低熔玻璃封裝式）等。
一般從左下角開始，環繞到右端，管腳間的距離正好是1/10英寸。

❻ IC框架是什麼東西

集成電路(IC)由晶元,引線框扮猜架和塑封三部分組成。其中,引線框架的主要功能是為晶元提供機械支撐載體,並作為導電介質連接IC外部電路,傳送電卜兄信號,以及與塑封材料一起,向外散發晶元工作時產生的熱量,成為IC中極為廳弊型關鍵的零部件。

❼ 做封裝的上市公司有哪些

晶元封裝:

1.通富微電（002156）： 公司主要從事集成電路的封裝測試業務，是國內現在實現高端封裝測試技能MCM、MEMS量化生產的封裝測試廠家，技能氣力居超越職位。

公司為IC封裝測試代工型企業，以來料加工樣式接納晶元策畫或製造企業的委託訂單，為其提供封裝測試辦事，遵照封裝量收取加工費，其IC封測范圍在內資控股企業中居於前線。

2.長電科技（600584）：公司是我國半導體第一大封裝生產基地，國內著名的晶體管和集成電路製造商，產物格量處於國內超越程度。

已擁有與皮畝國際進步技能同步的IC三大重點技能研發平台，形成年產集成電路75億塊、大中小功率晶體管250億只、分立器件晶元120萬片的生產才能，已成為中國最大的半導體封測企業，正努力擠出身界前五位，公司局部產物被國防科工委指定為軍工產物，普遍應用於航空、航天、軍事工程、電子信息、自動控制等范疇。

3.華天科技（002185）： 公司主要從事半導體集成電路、半導體元器件的封裝測試業務，是國內重點集成電路封裝測試企業之一。

公司的封裝才能和技能程度在內資企業中位居第三，為我國西部地域最大的集成電路封裝基地和富裕創新精力確當代化高新技能企業。

公司被評為我國最具發展性封裝測試企業，受到了政策稅收的大舉支持，自主開辟一系列集成電路封裝技能，進軍集成電路封裝高端范疇。

4.太極實業（600667）： 太極實業與韓國海力士的配合，始末組建合股公司將使公司進來更具發展性和成長遠景的半導體集成電路家當，也為公司將來的家當機關轉型創造了契機。

投資額為3.5億美元的海力士大范圍集成電路封裝測試項目，建成後可形成每月12萬片12英燃族森寸晶圓測試和7500萬片12英寸晶圓封裝的生產配套才能。

太極實業參預該項目，將由如今簡單的業務模式轉變為包羅集成電路封裝測試在內的雙主業模式。

5.蘇州固鍀（002079）： 公司的主要產物為種種半導體二極體（不包羅光電二極體），具備全面的二極體晶圓、晶元策畫製造及二極體封裝、測試才能,保留國內半導體分立器件行業前10名、二極體分行業超越職位。

公司加大技能含量和毛利率更高的產物---QFN封裝產物的投入，使公司逐步從單純的半導體分立器件的生產企業向集成電路封裝企業轉變。

公司是國內最早從事QFN封裝切磋並實現家當化的企業，現在可以或許生產各類QFN/DFN封裝的集成電路穗賀產物，是國內最大的QFN/DFN集成電路封裝企業。

6.康強電子（002119）：公司主要從事半導體封裝用引線框架和鍵合金絲的生產，公司引線框架的銷量行業第一，鍵合金絲銷量行業第二，天下的遮蓋率高達60%，是電子范疇中細分龍頭。

公司的集成電路框架及電力電子器件框架、外觀貼裝元器件框架和TO-92、TO-3P平分立器件框架，產銷范圍持續十一年居國內偕行第一，具業內超越職位。

7.三佳科技（600520）： 公司主營半導體集成電路專用模具和化學建材專用模具的策畫、研發及生產，是兩市唯一的模具製造上市公司，具有奇異的行業上風。

公司生產的集成電路塑封模具和塑料異型材擠出模具產銷量均為天下第一，國內市場佔有率分別為15%和30%以上。

現擁有年產化學建材擠出模具1500套、擠出卑劣設置100套/台、半導體塑封壓機200台、半導體塑封模具200副、半導體自動化（切筋成型）封裝編制60台、集成電路引線框架40億只的生產才能。

(7)集成電路框架擴展閱讀:

封裝就是將抽象得到的數據和行為（或功能）相結合，形成一個有機的整體，也就是將數據與操作數據的源代碼進行有機的結合，形成「類」，其中數據和函數都是類的成員。

是為實現各式各樣的數據傳送，將被傳送的數據結構映射進另一種數據結構的處理方式。

❽ 什麼叫集成電路、集成模塊

一、概述
集成電路（integrated circuit，港台稱之為積體電路）是一種微型電子器件或部件。採用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極體、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，製作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然後封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體，這樣，整個電路的體積大大縮小，且引出線和焊接點的數目也大為減少，從而使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進了一大步。
集成電路具有體積小，重量輕，引出線和焊接點少，壽命長，可靠性高，性能好等優點，同時成本低，便於大規模生產。它不僅在工、民用電子設備如收錄機、電視機、計算機等方面得到廣泛的應用，同時在軍事、通訊、遙控等方面也得到廣泛的應用。用集成電路來裝配電子設備，其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍，設備的穩定工作時間也可大大提高。
它在電路中用字母「IC」（也有用文字元號「N」等）表示。
[編輯本段]二、集成電路的分類

（一）按功能結構分類
集成電路按其功能、結構的不同，可以分為模擬集成電路、數字集成電路和數/模混合集成電路三大類。
模擬集成電路又稱線性電路,用來產生、放大和處理各種模擬信號（指幅度隨時間邊疆變化的信號。例如半導體收音機的音頻信號、錄放機的磁帶信號等），其輸入信號和輸出信號成比例關系。而數字集成電路用來產生、放大和處理各種數字信號（指在時間上和幅度上離散取值的信號。例如VCD、DVD重放的音頻信號和視頻信號）。
（二）按製作工藝分類
集成電路按製作工藝可分為半導體集成電路和薄膜集成電路。
膜集成電路又分類厚膜集成電路和薄膜集成電路。
（三）按集成度高低分類
集成電路按集成度高低的不同可分為小規模集成電路、中規模集成電路、大規模集成電路、超大規模集成電路、特大規模集成電路和巨大規模集成電路。
（四）按導電類型不同分類
集成電路按導電類型可分為雙極型集成電路和單極型集成電路,他們都是數字集成電路.
雙極型集成電路的製作工藝復雜，功耗較大，代表集成電路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等類型。單極型集成電路的製作工藝簡單，功耗也較低，易於製成大規模集成電路，代表集成電路有CMOS、NMOS、PMOS等類型。
（五）按用途分類
集成電路按用途可分為電視機用集成電路、音響用集成電路、影碟機用集成電路、錄像機用集成電路、電腦（微機）用集成電路、電子琴用集成電路、通信用集成電路、照相機用集成電路、遙控集成電路、語言集成電路、報警器用集成電路及各種專用集成電路。
1.電視機用集成電路包括行、場掃描集成電路、中放集成電路、伴音集成電路、彩色解碼集成電路、AV/TV轉換集成電路、開關電源集成電路、遙控集成電路、麗音解碼集成電路、畫中畫處理集成電路、微處理器（CPU）集成電路、存儲器集成電路等。
2.音響用集成電路包括AM/FM高中頻電路、立體聲解碼電路、音頻前置放大電路、音頻運算放大集成電路、音頻功率放大集成電路、環繞聲處理集成電路、電平驅動集成電路，電子音量控制集成電路、延時混響集成電路、電子開關集成電路等。
3.影碟機用集成電路有系統控制集成電路、視頻編碼集成電路、MPEG解碼集成電路、音頻信號處理集成電路、音響效果集成電路、RF信號處理集成電路、數字信號處理集成電路、伺服集成電路、電動機驅動集成電路等。
4.錄像機用集成電路有系統控制集成電路、伺服集成電路、驅動集成電路、音頻處理集成電路、視頻處理集成電路。
（六）按應用領域分
集成電路按應用領域可分為標准通用集成電路和專用集成電路。
(七)按外形分
集成電路按外形可分為圓形(金屬外殼晶體管封裝型,一般適合用於大功率)、扁平型(穩定性好,體積小)和雙列直插型.
[編輯本段]三、集成電路發展簡史
1.世界集成電路的發展歷史
1947年：貝爾實驗室肖克萊等人發明了晶體管，這是微電子技術發展中第一個里程碑；
1950年：結型晶體管誕生；
1950年： R Ohl和肖特萊發明了離子注入工藝；
1951年：場效應晶體管發明；
1956年：C S Fuller發明了擴散工藝；
1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數月分別發明了集成電路，開創了世界微電子學的歷史；
1960年：H H Loor和E Castellani發明了光刻工藝；
1962年：美國RCA公司研製出MOS場效應晶體管；
1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術，今天，95%以上的集成電路晶元都是基於CMOS工藝；
1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預測晶體管集成度將會每18個月增加1倍；
1966年：美國RCA公司研製出CMOS集成電路，並研製出第一塊門陣列（50門）；
1967年：應用材料公司（Applied Materials）成立，現已成為全球最大的半導體設備製造公司；
1971年：Intel推出1kb動態隨機存儲器（DRAM），標志著大規模集成電路出現；
1971年：全球第一個微處理器4004由Intel公司推出，採用的是MOS工藝，這是一個里程碑式的發明；
1974年：RCA公司推出第一個CMOS微處理器1802；
1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問世；
1978年：64kb動態隨機存儲器誕生，不足0.5平方厘米的矽片上集成了14萬個晶體管，標志著超大規模集成電路（VLSI）時代的來臨；
1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之後，IBM基於8088推出全球第一台PC；
1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世；
1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM；
1985年：80386微處理器問世，20MHz；
1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的矽片上集成有3500萬個晶體管，標志著進入超大規模集成電路（ULSI）階段；
1989年：1Mb DRAM進入市場；
1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，後來50MHz晶元採用 0.8μm工藝；
1992年：64M位隨機存儲器問世；
1993年：66MHz奔騰處理器推出,採用0.6μm工藝；
1995年:Pentium Pro, 133MHz，採用0.6-0.35μm工藝；
1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世,採用0.25μm工藝；
1999年：奔騰Ⅲ問世，450MHz，採用0.25μm工藝，後採用0.18μm工藝；
2000年: 1Gb RAM投放市場；
2000年：奔騰4問世，1.5GHz，採用0.18μm工藝；
2001年：Intel宣布2001年下半年採用0.13μm工藝。
2.我國集成電路的發展歷史
我國集成電路產業誕生於六十年代，共經歷了三個發展階段：
1965年-1978年：以計算機和軍工配套為目標，以開發邏輯電路為主要產 品，初步建立集成電路工業基礎及相關設備、儀器、材料的配套條件；
1978年-1990年：主要引進美國二手設備，改善集成電路裝備水平，在「治散治亂」的同時，以消費類整機作為配套重點，較好地解決了彩電集成電路的國產化；
1990年-2000年：以908工程、909工程為重點，以CAD為突破口，抓好科技攻關和北方科研開發基地的建設，為信息產業服務，集成電路行業取得了新的發展。
[編輯本段]四、集成電路的封裝種類
1、BGA(ball grid array)
球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式製作出球形凸點用 以 代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI 晶元，然後用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也 稱為凸 點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。 封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360 引腳 BGA 僅為31mm 見方；而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP 為40mm 見方。而且BGA 不 用擔心QFP 那樣的引腳變形問題。 該封裝是美國Motorola 公司開發的，首先在攜帶型電話等設備中被採用，今後在美國有 可 能在個人計算機中普及。最初，BGA 的引腳(凸點)中心距為1.5mm，引腳數為225。現在 也有 一些LSI 廠家正在開發500 引腳的BGA。 BGA 的問題是迴流焊後的外觀檢查。現在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為 ， 由於焊接的中心距較大，連接可以看作是穩定的，只能通過功能檢查來處理。 美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為 GPAC(見OMPAC 和GPAC)。
2、BQFP(quad flat package with bumper)
帶緩沖墊的四側引腳扁平封裝。QFP 封裝之一，在封裝本體的四個角設置突起(緩沖墊) 以 防止在運送過程中引腳發生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC 等電路中 採用 此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數從84 到196 左右(見QFP)。
4、C－(ceramic)
表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。
5、Cerdip
用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用於ECL RAM，DSP(數字信號處理器)等電路。帶有 玻璃窗口的Cerdip 用於紫外線擦除型EPROM 以及內部帶有EPROM 的微機電路等。引腳中 心 距2.54mm，引腳數從8 到42。在日本，此封裝表示為DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。
6、Cerquad
表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用於封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗 口的Cerquad 用於封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好，在自然空冷條件下可容許1. 5～ 2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 高3～5 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多種規格。引腳數從32 到368。
帶引腳的陶瓷晶元載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形 。 帶有窗口的用於封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機電路等。此封裝也稱為 QFJ、QFJ－G(見QFJ)。
8、COB(chip on board)
板上晶元封裝，是裸晶元貼裝技術之一，半導體晶元交接貼裝在印刷線路板上，晶元與 基 板的電氣連接用引線縫合方法實現，晶元與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，並用 樹脂覆 蓋以確保可靠性。雖然COB 是最簡單的裸晶元貼裝技術，但它的封裝密度遠不如TAB 和 倒片 焊技術。
9、DFP(al flat package)
雙側引腳扁平封裝。是SOP 的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法，現在已基本上不用。
10、DIC(al in-line ceramic package)
陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).
11、DIL(al in-line)
DIP 的別稱(見DIP)。歐洲半導體廠家多用此名稱。
12、DIP(al in-line package)
雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種 。 DIP 是最普及的插裝型封裝，應用范圍包括標准邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。 引腳中心距2.54mm，引腳數從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數情況下並不加 區分， 只簡單地統稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP 也稱為cerdip(見cerdip)。
13、DSO(al small out-lint)
雙側引腳小外形封裝。SOP 的別稱(見SOP)。部分半導體廠家採用此名稱。
14、DICP(al tape carrier package)
雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳製作在絕緣帶上並從封裝兩側引出。由於 利 用的是TAB(自動帶載焊接)技術，封裝外形非常薄。常用於液晶顯示驅動LSI，但多數為 定製品。 另外，0.5mm 厚的存儲器LSI 簿形封裝正處於開發階段。在日本，按照EIAJ(日本電子機 械工 業)會標准規定，將DICP 命名為DTP。
15、DIP(al tape carrier package)
同上。日本電子機械工業會標准對DTCP 的命名(見DTCP)。
16、FP(flat package)
扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見QFP 和SOP)的別稱。部分半導體廠家采 用此名稱。
17、flip-chip
倒焊晶元。裸晶元封裝技術之一，在LSI 晶元的電極區製作好金屬凸點，然後把金屬凸 點 與印刷基板上的電極區進行壓焊連接。封裝的佔有面積基本上與晶元尺寸相同。是所有 封裝技 術中體積最小、最薄的一種。 但如果基板的熱膨脹系數與LSI 晶元不同，就會在接合處產生反應，從而影響連接的可 靠 性。因此必須用樹脂來加固LSI 晶元，並使用熱膨脹系數基本相同的基板材料。
18、FQFP(fine pitch quad flat package)
小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小於0.65mm 的QFP(見QFP)。部分導導體廠家采 用此名稱。
19、CPAC(globe top pad array carrier)
美國Motorola 公司對BGA 的別稱(見BGA)。
20、CQFP(quad fiat package with guard ring)
帶保護環的四側引腳扁平封裝。塑料QFP 之一，引腳用樹脂保護環掩蔽，以防止彎曲變 形。 在把LSI 組裝在印刷基板上之前，從保護環處切斷引腳並使其成為海鷗翼狀(L 形狀)。 這種封裝 在美國Motorola 公司已批量生產。引腳中心距0.5mm，引腳數最多為208 左右。
21、H-(with heat sink)
表示帶散熱器的標記。例如，HSOP 表示帶散熱器的SOP。
22、pin grid array(surface mount type)
表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的 底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm 到2.0mm。貼裝採用與印刷基板碰焊的方法，因而 也稱 為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型PGA 小一半，所以封裝本體可製作得 不 怎麼大，而引腳數比插裝型多(250～528)，是大規模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有 多層陶 瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材製作封裝已經實用化。
23、JLCC(J-leaded chip carrier)
J 形引腳晶元載體。指帶窗口CLCC 和帶窗口的陶瓷QFJ 的別稱(見CLCC 和QFJ)。部分半 導體廠家採用的名稱。
24、LCC(Leadless chip carrier)
無引腳晶元載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是 高 速和高頻IC 用封裝，也稱為陶瓷QFN 或QFN－C(見QFN)。
25、LGA(land grid array)
觸點陳列封裝。即在底面製作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可。現 已 實用的有227 觸點(1.27mm 中心距)和447 觸點(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，應用於高速 邏輯 LSI 電路。 LGA 與QFP 相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由於引線的阻 抗 小，對於高速LSI 是很適用的。但由於插座製作復雜，成本高，現在基本上不怎麼使用 。預計 今後對其需求會有所增加。
26、LOC(lead on chip)
晶元上引線封裝。LSI 封裝技術之一，引線框架的前端處於晶元上方的一種結構，晶元 的 中心附近製作有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在晶元側面 附近的 結構相比，在相同大小的封裝中容納的晶元達1mm 左右寬度。
27、LQFP(low profile quad flat package)
薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的QFP，是日本電子機械工業會根據制定的新QFP 外形規格所用的名稱。
28、L－QUAD
陶瓷QFP 之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8 倍，具有較好的散熱性。 封裝的框架用氧化鋁，晶元用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI 開發的一種 封裝， 在自然空冷條件下可容許W3的功率。現已開發出了208 引腳(0.5mm 中心距)和160 引腳 (0.65mm 中心距)的LSI 邏輯用封裝，並於1993 年10 月開始投入批量生產。
29、MCM(multi-chip mole)
多晶元組件。將多塊半導體裸晶元組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據基板材料可 分 為MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大類。 MCM－L 是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎麼高，成本較低 。 MCM－C 是用厚膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使 用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高於MCM－L。
MCM－D 是用薄膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組 件。 布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。
30、MFP(mini flat package)
小形扁平封裝。塑料SOP 或SSOP 的別稱(見SOP 和SSOP)。部分半導體廠家採用的名稱。
31、MQFP(metric quad flat package)
按照JEDEC(美國聯合電子設備委員會)標准對QFP 進行的一種分類。指引腳中心距為 0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm 的標准QFP(見QFP)。
32、MQUAD(metal quad)
美國Olin 公司開發的一種QFP 封裝。基板與封蓋均採用鋁材，用粘合劑密封。在自然空 冷 條件下可容許2.5W～2.8W 的功率。日本新光電氣工業公司於1993 年獲得特許開始生產 。
33、MSP(mini square package)
QFI 的別稱(見QFI)，在開發初期多稱為MSP。QFI 是日本電子機械工業會規定的名稱。
34、OPMAC(over molded pad array carrier)
模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola 公司對模壓樹脂密封BGA 採用的名稱(見 BGA)。
35、P－(plastic)
表示塑料封裝的記號。如PDIP 表示塑料DIP。
36、PAC(pad array carrier)
凸點陳列載體，BGA 的別稱(見BGA)。
37、PCLP(printed circuit board leadless package)
印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑料QFN(塑料LCC)採用的名稱(見QFN)。引
腳中心距有0.55mm 和0.4mm 兩種規格。目前正處於開發階段。
38、PFPF(plastic flat package)
塑料扁平封裝。塑料QFP 的別稱(見QFP)。部分LSI 廠家採用的名稱。
39、PGA(pin grid array)
陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都 采 用多層陶瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數為陶瓷PGA，用於高速大規模 邏輯 LSI 電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從64 到447 左右。 了為降低成本，封裝基材可用玻璃環氧樹脂印刷基板代替。也有64～256 引腳的塑料PG A。 另外，還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊PGA)。(見表面貼裝 型PGA)。
40、piggy back
馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝，形關與DIP、QFP、QFN 相似。在開發帶有微機的設 備時用於評價程序確認操作。例如，將EPROM 插入插座進行調試。這種封裝基本上都是 定製 品，市場上不怎麼流通。
41、PLCC(plastic leaded chip carrier)
帶引線的塑料晶元載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形 ， 是塑料製品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中採用，現在已經 普 及用於邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件)等電路。引腳中心距1.27mm，引腳數從18 到84。 J 形引腳不易變形，比QFP 容易操作，但焊接後的外觀檢查較為困難。 PLCC 與LCC(也稱QFN)相似。以前，兩者的區別僅在於前者用塑料，後者用陶瓷。但現 在已經出現用陶瓷製作的J 形引腳封裝和用塑料製作的無引腳封裝(標記為塑料LCC、PC LP、P －LCC 等)，已經無法分辨。為此，日本電子機械工業會於1988 年決定，把從四側引出 J 形引 腳的封裝稱為QFJ，把在四側帶有電極凸點的封裝稱為QFN(見QFJ 和QFN)。
42、P－LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)
有時候是塑料QFJ 的別稱，有時候是QFN(塑料LCC)的別稱(見QFJ 和QFN)。部分
LSI 廠家用PLCC 表示帶引線封裝，用P－LCC 表示無引線封裝，以示區別。
43、QFH(quad flat high package)
四側引腳厚體扁平封裝。塑料QFP 的一種，為了防止封裝本體斷裂，QFP 本體製作得 較厚(見QFP)。部分半導體廠家採用的名稱。
44、QFI(quad flat I-leaded packgac)
四側I 形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈I 字 。 也稱為MSP(見MSP)。貼裝與印刷基板進行碰焊連接。由於引腳無突出部分，貼裝佔有面 積小 於QFP。 日立製作所為視頻模擬IC 開發並使用了這種封裝。此外，日本的Motorola 公司的PLL IC 也採用了此種封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數從18 於68。
45、QFJ(quad flat J-leaded package)
四側J 形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈J 字形 。 是日本電子機械工業會規定的名稱。引腳中心距1.27mm。
材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ 多數情況稱為PLCC(見PLCC)，用於微機、門陳列、 DRAM、ASSP、OTP 等電路。引腳數從18 至84。
陶瓷QFJ 也稱為CLCC、JLCC(見CLCC)。帶窗口的封裝用於紫外線擦除型EPROM 以及 帶有EPROM 的微機晶元電路。引腳數從32 至84。
46、QFN(quad flat non-leaded package)
四側無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。現在多稱為LCC。QFN 是日本電子機械工業 會規定的名稱。封裝四側配置有電極觸點，由於無引腳，貼裝佔有面積比QFP 小，高度 比QFP 低。但是，當印刷基板與封裝之間產生應力時，在電極接觸處就不能得到緩解。因此電 極觸點 難於作到QFP 的引腳那樣多，一般從14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料兩種。當有LCC 標記時基本上都是陶瓷QFN。電極觸點中心距1.27mm。
塑料QFN 是以玻璃環氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點中心距除1.27mm 外， 還有0.65mm 和0.5mm 兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。
47、QFP(quad flat package)
四側引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從四個側面引出呈海鷗翼(L)型。基材有 陶 瓷、金屬和塑料三種。從數量上看，塑料封裝占絕大部分。當沒有特別表示出材料時， 多數情 況為塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引腳LSI 封裝。不僅用於微處理器，門陳列等數字 邏輯LSI 電路，而且也用於VTR 信號處理、音響信號處理等模擬LSI 電路。引腳中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多種規格。0.65mm 中心距規格中最多引腳數為304。
日本將引腳中心距小於0.65mm 的QFP 稱為QFP(FP)。但現在日本電子機械工業會對QFP 的外形規格進行了重新評價。在引腳中心距上不加區別，而是根據封裝本體厚度分為 QFP(2.0mm～3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三種。
另外，有的LSI 廠家把引腳中心距為0.5mm 的QFP 專門稱為收縮型QFP 或SQFP、VQFP。 但有的廠家把引腳中心距為0.65mm 及0.4mm 的QFP 也稱為SQFP，至使名稱稍有一些混亂 。 QFP 的缺點是，當引腳中心距小於0.65mm 時，引腳容易彎曲。為了防止引腳變形，現已 出現了幾種改進的QFP 品種。如封裝的四個角帶有樹指緩沖墊的BQFP(見BQFP)；帶樹脂 保護 環覆蓋引腳前端的GQFP(見GQFP)；在封裝本體里設置測試凸點、放在防止引腳變形的專 用夾 具里就可進行測試的TPQFP(見TPQFP)。 在邏輯LSI 方面，不少開發品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP 里。引腳中心距最小為 0.4mm、引腳數最多為348 的產品也已問世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP(見Gerqa d)。
48、QFP(FP)(QFP fine pitch)
小中心距QFP。日本電子機械工業會標准所規定的名稱。指引腳中心距為0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小於0.65mm 的QFP(見QFP)。
49、QIC(quad in-line ceramic package)
陶瓷QFP 的別稱。部分半導體廠家採用的名稱(見QFP、Cerquad)。
50、QIP(quad in-line plastic package)
塑料QFP 的別稱。部分半導體廠家採用的名稱(見QFP)。
51、QTCP(quad tape carrier package)
四側引腳帶載封裝。TCP 封裝之一，在絕緣帶上形成引腳並從封裝四個側面引出。是利 用 TAB 技術的薄型封裝(見TAB、TCP)。
52、QTP(quad tape carrier package)
四側引腳帶載封裝。日本電子機械工業會於1993 年4 月對QTCP 所制定的外形規格所用 的 名稱(見TCP)。
53、QUIL(quad in-line)
QUIP 的別稱(見QUIP)。
54、QUIP(quad in-line package)
四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個側面引出，每隔一根交錯向下彎曲成四列。引腳 中 心距1.27mm，當插入印刷基板時，插入中心距就變成2.5mm。因此可用於標准印刷線路板 。是 比標准DIP 更小的一種封裝。日本電氣公司在台式計算機和家電產品等的微機晶元中采 用了些 種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數64。
55、SDIP (shrink al in-line package)
收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP 相同，但引腳中心距(1.778mm)小於DIP(2.54 mm)，
因而得此稱呼。引腳數從14 到90。也有稱為SH－DIP 的。材料有陶瓷和塑

❾ 框架變形晶元還能用嗎

不能。
因為晶元是焊接在框架上的，芯灶嘩片的功能區用金線或銅線連接到框架上形成迴路，所以框架變形會影響晶元的使用。
框架作為集成電路的晶元載體，是一種藉助於鍵合材料（金絲、鋁絲、銅絲）實現晶元內部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回跡敗路的關鍵結構件，引線框架起到了和外部導線連接的橋梁隱州行作用，絕大部分的半導體集成塊中都需要使用引線框架，是電子信息產業中重要的基礎材料。

❿ 4J42 為什麼替代了4J29

鐵鎳鈷埋野合金4J29（Kovar,可伐合金，科瓦合金，ASTM F-15）1.3912/UNS K94610

4J29合金又稱可伐(Kovar)合金。該合金在20～450℃具有與硅硼硬玻璃相近的線膨脹系數，居里點較高，並有良好的低溫組織穩定性。並有良好的低溫組織穩定性。合金的氧化膜緻密，能很好地被玻璃浸潤。且不與汞作用，適合在含汞放電的儀表中使用。是電真空器件主要密封結構材料。

YB/T 5231-1993《鐵鎳鈷玻封合金4J29和4J44技術條件》。

C≤0.03% Mn≤0.50% Si≤0.30% P≤0.020% S≤0.020% Cu≤0.20% Cr≤0.20% Mo≤0.20%

Ni=28.5～29.5% Co=16.8～17.8%

Fe=餘量

標准規定的膨脹系數及低溫組織穩定性的性能檢驗試樣，在氫氣氣氛中加熱至900℃±20℃扒鬧,保溫1h，再加熱至1100℃±20℃，保溫15min，以不大於5℃/min速度冷至200℃以下出爐。

在平均線膨脹系數達到標准規定條件下，允許鎳、鈷含量偏離表1-2規定范圍。鋁、鎂、鋯和鈦的含量各不彎此喊大於0.10%，其總量應不大於0.20%。

該合金是國際通用的典型的Fe-Ni-Co硬玻璃封接合金。經航空工廠長期使用，性能穩定。主要用於電真空元器件如發射管、振盪管、引燃管、磁控管、晶體管、密封插頭、繼電器、集成電路的引出線、底盤、外殼、支架等的玻璃封接。在應用中應使選用的玻璃與合金的膨脹系數相匹配。根據使用溫度嚴格檢驗其低溫組織穩定性。在加工過程中應進行適當的熱處理，以保證材料具有良好的深沖引伸性能。當使用鍛材時應嚴格檢驗其氣密性。