絕緣柵型ＭＯＳ開關電路

❶ 技術小科普—MOS管場效應管（MOSFET）詳解

MOS管場效應管詳解如下：

一、定義與分類 定義：MOS場效應管是絕緣柵型場效應管的一種。 分類：根據溝道材料和導電方式，MOSFET分為N溝道和P溝道，以及耗盡型和增強型。

二、關鍵參數 飽和漏源電流：衡量MOSFET在一定條件下的最大漏源電流。 夾斷電壓：使MOSFET溝道夾斷所需的柵源電壓。 開啟電壓：使MOSFET開始導通的柵源電壓。 跨導：表示柵源電壓對漏源電流的控制能力。 漏源擊穿電壓：MOSFET能承受的最大漏源電壓，超過此值會導致器件損壞。 最大耗散功率：MOSFET在允許的最大結溫下所能耗散的最大功率。 最大漏源電流：MOSFET在允許條件下所能承受的最大漏源電流。

三、作用與應用 作用：包括放大、阻抗變換、可變電阻、恆流源和電子開關等。 應用：由於其高輸入阻抗和高開關速度，MOSFET在放大電路和開關電路中表現優異，廣泛應用於大規模集成電路、電力電子和半導體領域。

四、測試與防護 測試：測試場效應管時，需注意不同類型的管子的管腳識別和柵極判定，以及放大能力測試。對於MOSFET，還需特別關注靜電防護。 防護：在測試和使用過程中，應採取防靜電措施以保護器件，避免靜電損傷。同時，遵循焊接工藝規則以確保器件的可靠性和穩定性。

五、與晶體管的比較 MOSFET：電壓控制、單極型器件，適合低電流、低電壓條件。 晶體管：電流控制、雙極型器件，適合大電流、高電壓應用。

以上是對MOS管場效應管的詳細科普，更多詳細信息可參考相關官方網站和微信公眾號。

❷ mos管在電路中的作用

MOS即MOSFET全稱金屬氧化膜絕緣柵型場效應管，有門極Gate,源極Source,漏極Drain.通過給Gate加電壓產生電場控制S/D之間的溝道電子或者空穴密度（或者說溝道寬度）來改變S/D之間的阻抗。這是一種簡單好用，接近理想的電壓控制電流源電晶體
它具以下特點:開關速度快、高頻率性能好，輸入阻抗高、驅動功率小、熱穩定
性優良、無二次擊穿問題、全工作區寬、工作線性度高等等，其最重要的優點
就是能夠減少體積大小與重量，提供給設計者一種高速度、高功率、高電壓、
與高增益的元件。在各類中小功率開關電路中應用極為廣泛。
MOS又分為兩種，一種為耗盡型（Depletion MOS），另一種為增強型
（Enhancement MOS）。這兩種型態的結構沒有太大的差異，只是耗盡型MOS一
開始在Drain-Source的通道上就有載子，所以即使在VGS為零的情況下，耗盡型
MOS仍可以導通的。而增強型MOS則必須在其VGS大於某一特定值才能導通。

❸ 主板的mos管有什麼用

MOS管，全稱為MOSFET，即金屬氧化物半導體型場效應管，是一種場效應晶體管中的絕緣柵型器件。因此，MOS管有時也被稱為場效應管。在電子電路設計中，MOS管通常被應用在放大電路或開關電路中。

穩壓作用：我們知道MOS管對於整個供電系統具有穩壓功能，但單獨使用時效果有限。MOS管需要與電感線圈、電容等元件共同組成濾波穩壓電路，才能充分發揮其穩壓效果。

MOS管的工作原理主要依賴於其絕緣柵結構，這種結構使得MOS管具有高輸入阻抗、低導通電阻和高速開關等特性。這些特性使其在電子設備中廣泛應用於信號放大、電壓調節、信號開關等場景。

MOS管在電子電路中的應用非常廣泛。例如，在電源管理電路中，MOS管可以用於電壓調節，確保輸出電壓的穩定；在信號處理電路中，MOS管可以放大微弱的電信號，提高信號的強度；在開關電路中，MOS管可以實現高速切換，提高電路的工作效率。

由於MOS管具有高輸入阻抗特性，因此在放大電路中，它可以有效地隔離輸入信號和輸出信號，避免信號之間的干擾。同時，MOS管的低導通電阻特性使其在開關電路中具有較低的能量損耗，從而提高電路的工作效率。

綜上所述，MOS管作為一種重要的半導體器件，在電子電路設計中發揮著重要作用，不僅能夠實現穩壓功能，還能夠應用於放大、開關等電路中，提高電路的工作性能。

❹ MOS管在開關電路中的使用

MOS管也就是常說的場效應管（FET），有結型場效應管、絕緣柵型場效應管（又分為增強型和耗盡型場擾指差效應管）。

也可以只分成兩類P溝道和N溝道，這里我們就按照P溝道和N溝道分類。

對MOS管分類不了解的可以自己上網查一下。

場效應管的作用主要有信號的轉換、控制電路的通斷，這里我們講解的是MOS管作為開關管的使用。

對於MOS管的選型緩皮，注意4個參數：漏源電壓（D、S兩端承受的電壓）、工作電流（經過MOS管的電路）、開啟電壓（讓MOS管導通的G、S電壓）、工作頻率（最大的開關頻率）。

下面我們看一下MOS管的引腳，如下圖所示：

有三個引腳，分別為G（柵極）、S（源極）、D（漏極）。

在開關電路中，D和S相當於需要接通的電路兩端，G為開關控制。

這里分享一個自己的分辨P溝道和N溝道的方法，我們就看中間的箭頭，把G（柵極）連接的部分當做溝道，大家都知道PN結，而不是NP結，那麼就是P指向N的，所以腦海里想到這樣的情景 P-->N，所以箭頭都是P-->N的，那麼中間的箭頭指向的就是N，如果指向溝道那就是N溝道，如果指向的是S（沒有指向溝道），那就是P溝道。

這個方法也適用於三極體的判別（NPN、PNP）。

在上圖中我們可以看到右邊都有一個寄生二極體，起到保護的作用。

那麼根據二極體的單向導電性我們也能知道在電路連接中，D和S應該如何連接。使用有寄生二極體的N溝道MOS管的情況下，D的電壓要高於S的電壓，否則MOS管無法正常工作（二極體導通）。

使用有寄生二極體的P溝道MOS管，S的電壓要高於D的電壓，原因同上。

下面是MOS管的導通條件，只要記住電壓方向與中間箭頭方向相反即為導通（當然這個相反電壓需要達到MOS管的開啟電壓）。

比如導通電壓為3V的N溝道MOS管，只要G的電壓比S的電壓高3V即可導通（D的電壓也要比S的高）。

同理，導通電壓為3V的P溝道MOS管，只要G的電壓比S的電壓低3V即可導通（S的電壓比D的高）。

在電路中的典型逗桐應用如下圖所示，分別為N溝道與P溝道的MOS管驅動電路：

我們可以看到，N溝道的MOS管的電路中，BEEP引腳為高電平即可導通，蜂鳴器發出聲音，低電平關閉蜂鳴器；

P溝道的MOS管是用來控制GPS模塊的電源通斷，GPS_PWR引腳為低電平時導通，GPS模塊正常供電，高電平時GPS模塊斷電。

重點、重點、重點，以上兩個應用電路中，N溝道和P溝道MOS管不能互相替代，如下兩個應用電路不能正常工作：

對於上面兩個電路如何修改能正常工作？

❺ 求功率場效應管開關電路。

功率場抄效應管開關電路圖：

場效應管導通時，漏溝道電阻有幾千MΩ。所以，場效應客可以構成比較理想的低頻開關。場效應管的極間電容不利於高頻信號的隔離，從而增大了響應時間，限制了最高工作頻率。

功率MOS場效應晶體管也分為結型和絕緣柵型，但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconctor FET），簡稱功率MOSFET（Power MOSFET）。結型功率場效應晶體管一般稱作靜電感應晶體管（Static Inction Transistor——SIT）。其特點是用柵極電壓來控制漏極電流，驅動電路簡單，需要的驅動功率小，開關速度快，工作頻率高，熱穩定性優於GTR，但其電流容量小，耐壓低，一般只適用於功率不超過10kW的電力電子裝置。