集成電路復制

1. 集成電路製造五個步驟

半導體產業開始於上世紀。隨著 1947 年固體晶體管的發明， 半導體行業已經獲得了長足發展， 之後的發展方向是引入了集成電路和硅材料。集成電路將多個元件結合在了一塊晶元上，提高了晶元性能、降低了成本。隨著硅材料的引入，晶元工藝逐步演化為器件在矽片上層以及電路層的襯底上淀積。

晶元製造主要有五大步驟：矽片制備、晶元製造、晶元測試與挑選、裝配與封裝、終測。

晶元製造主要有五大步驟_國內矽片製造商迎來春天

晶元製造的五大步驟

（1）矽片制備。

首先是將硅從礦物中提純並純化，經過特殊工藝產生適當直徑的硅錠。然後將硅錠切割成用於製造晶元的薄矽片。最後按照不同的定位邊和沾污水平等參數製成不同規格的矽片。 本文討論的主要內容就是矽片制備環節。

（2）晶元製造。

裸露的矽片到達矽片制廠，經過各種清洗、成膜、光刻、刻蝕和摻雜等步驟，矽片上就刻蝕了一整套集成電路。晶元測試/揀選。 晶元製造完後將被送到測試與揀選區，在那裡對單個晶元進行探測和電學測試，然後揀選出合格的產品，並對有缺陷的產品進行標記。

（3）裝配與封裝。

矽片經過測試和揀選後就進入了裝配和封裝環節，目的是把單個的晶元包裝在一個保護殼管內。 矽片的背面需要進行研磨以減少襯底的厚度，然後把一個後塑料膜貼附在矽片背面，再沿劃線片用帶金剛石尖的鋸刃將矽片上每個晶元分開，塑料膜能保持晶元不脫落。在裝配廠，好的晶元被壓焊或抽空形成裝配包，再將晶元密封在塑料或陶瓷殼內。

（4）終測。

為確保晶元的功能， 需要對每一個被封裝的集成電路進行測試， 以滿足製造商的電學和環節的特性參數要求。

矽片製作的工藝流程

矽片制備之前是製作高純度的半導體級硅（semiconctor-grade silicon， SGS），也被稱為電子級硅。 制備過程大概分為三步，第一步是通過加熱含碳的硅石（SiO2） 來生成氣態的氧化硅 SiO；第二步是用純度大概 98%的氧化硅，通過壓碎和化學反應生產含硅的三氯硅烷氣體（SiHCl3）； 第三步是用三氯硅烷經過再一次的化學過程，用氫氣還原制備出純度為 99.9999999%的半導體級硅。

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半導體硅的生產過程

對半導體級硅進一步加工得到矽片的過程被稱為矽片制備環節。 矽片制備包括晶體生長、整型、切片、拋光、清洗和檢測等步驟，通過單晶硅生長、 機械加工、化學處理、表面拋光和質量檢測等環節最終生產出符合條件的高質量矽片。

2. 集成電路是怎樣製造出來的

真簡單的回答不了。看這個：

單片集成電路工藝 利用研磨、拋光、氧化、擴散、光刻、外延生長、蒸發等一整套平面工藝技術，在一小塊硅單晶片上同時製造晶體管、二極體、電阻和電容等元件，並且採用一定的隔離技術使各元件在電性能上互相隔離。然後在矽片表面蒸發鋁層並用光刻技術刻蝕成互連圖形，使元件按需要互連成完整電路，製成半導體單片集成電路。隨著單片集成電路從小、中規模發展到大規模、超大規模集成電路，平面工藝技術也隨之得到發展。例如，擴散摻雜改用離子注入摻雜工藝；紫外光常規光刻發展到一整套微細加工技術，如採用電子束曝光製版、等離子刻蝕、反應離子銑等；外延生長又採用超高真空分子束外延技術；採用化學汽相淀積工藝製造多晶硅、二氧化硅和表面鈍化薄膜；互連細線除採用鋁或金以外，還採用了化學汽相淀積重摻雜多晶硅薄膜和貴金屬硅化物薄膜，以及多層互連結構等工藝。

薄膜集成電路工藝 整個電路的晶體管、二極體、電阻、電容和電感等元件及其間的互連線,全部用厚度在1微米以下的金屬、半導體、金屬氧化物、多種金屬混合相、合金或絕緣介質薄膜，並通過真空蒸發工藝、濺射工藝和電鍍等工藝重疊構成。用這種工藝製成的集成電路稱薄膜集成電路。

3. 集成電路布圖設計的專有權

布圖設計專有權，是指通過申請注冊後，依法獲得的利用集成電路設計布圖實現布圖設計價值得到商業利益的權利。
（一）集成電路布圖設計權的主體
按照我國《集成電路布圖設計保護條例》第3條的規定，中國自然人、法人或者其他組織創作的布圖設計，依照本條例享有布圖設計權；外國人創作的布圖設計首先在中國境內投入商業利用的，依照本條例享有布圖設計權；外國人創作的布圖設計，其創作者所屬國同中國簽訂有關布圖設計保護協議或共同參加國際條約的，依照本條例享有布圖設計權。
（二）客體條件
集成電路布圖設計必須具備獨創性。
布圖設計應當是作者依靠自己的腦力勞動完成的，設計必須是突破常規的貴的設計或者即使設計者使用常規設計但通過不同的組合方式體現出獨創性時，都可以獲得法律保護。
（三）方式和程序
目前，世界各國主要採取三種取得方式：自然取得，登記取得，使用與登記取得，大多數國家採取登記取得制。我國也採取登記制度。
取得的程序：
（1）申請：向國家知識產權行政部門提交申請文件；
（2）初審；
（3）登記並公告；
（4）對駁回申請的復審；
（5）登記的撤銷。
（四）集成電路布圖設計申請階段需提交的材料：
（1）集成電路布圖設計登記申請表。
（2）集成電路布圖設計的復製件或者圖樣。
（3）集成電路布圖設計已投入商業利用的，提交含有該集成電路布圖設計的集成電路樣品。 集成電路布圖設計在申請日之前已投入商業利用的，申請登記時應當提交4件含有該集成電路布圖設計的集成電路樣品。
（4）國家知識產權局規定的其他材料。 （一）集成電路布圖設計專有權的內容
1、復制權
實際上是重新製作含有該布圖設計的集成電路。
2、商業利用權
是指專有權人為商業目的而利用布圖設計或含有布圖設計的集成電路的權利。
但是布圖設計權並不包括精神權利。
（二）布圖設計權的行使
1、布圖設計權的轉讓
布圖設計權的轉讓，就是權利人將其全部權利轉讓給受 讓人所有。根據我國《集成電路布圖設計保護條例》的規定，轉讓布圖設計權的，當事人應當訂立書面合同，並向國務院知識產權部門登記並公告。
2、布圖設計權的許可
當事人應當訂立書面合同。 （一）保護期限
布圖設計權的保護期限為10年，自布圖設計登記申請之日或在世界任何地方首次投入商業使用之日計算，以較前日期為准。但是，無論是否登記或投入商業利用，布圖設計自創作完成之日起15年後，不再受到保護。
（二）侵權行為
所謂布圖設計的侵權，是指侵犯了布圖設計人的權利，依法應當承擔的法律責任。包括侵犯布圖設計人的復制權和商業利用權。
（三）侵權責任及制止措施
1、侵權責任的形式
（1）民事責任
（2）行政責任
2、即發侵權的制止 （一）合理使用或利用
1、為個人目的的復制
2、供教學研究而復制
（二）反向工程
是指對他人的部圖設計進行分析、研究然後根據這種分析評價的結果創作出新的部圖設計。（此行為不視為侵權）
（三）權利窮竭
是指集成電路部圖設計權人或經其授權的人，將受保護的布圖設計或含有該布圖設計的半導體集成電路產品投入市場以後，對與該布圖設計或該半導體集成電路產品有關的任何商業利用行為，不再享有權利。
（四）善意買主
善意買主法律給予豁免。
（五）強制許可