放閂鎖電路

㈠ 電視電源部分原理

一、開關電源的組成

一般的開關電源是由振盪電路、穩壓電路、保護電路三大部分組成．
1．振盪電路：開關電源振盪電路分為晶體管振盪電路和集成塊振盪電路，如ＳＴＲ－Ｓ系列ＩＣ，ＴＥＡ2104，ＴＤＡ4601，ＴＤＡ4605，ＴＤＡ2261等等．
2．穩壓電路：開關電源的穩壓原理均採用脈沖調寬式的穩壓方式，即通過自動改變開關功率管的關閉和導通時間的比例，或通過改變振盪器輸出脈沖的占空比來達到穩壓的目的．穩壓部分的電路由取樣、比較、控制三個部分組成，很多機芯此部分電路是採用ＩＣ（如ＳＥ110等ＩＣ）和光耦件組合而成，而有些機芯則用分立元件組成（多為國產機），而有些機芯採用的電源ＩＣ本身就集成了這部分電路（如部分串聯型開關電源ＩＣ）．
3．保護電路：彩電開關電源都設有保護電路，其保護方式均是使電路停振。有過流保護、過壓保護和欠壓保護（短路保護），還有過熱保護。
過流保護電路其過流取樣點，大部分電視機中都是在主振功率管的發射極電位上。
過壓保護電路的取樣點一般取自２20Ｖ交流經整流濾波後的電壓或主負載供電電壓，通過一個齊納二極體（穩壓管）來進行取樣判別。
短路保護電路的取樣點一般在穩壓電源輸出的低壓組電源上．通過一個二極體來進行判別取樣．在ＩＣ式開關電源中，有部分機所採用的電源ＩＣ內部設有「閂鎖電路」，這個「閂鎖電路」實際上是一個保護執行電路，各取樣點送來的信號，通過它執行對電路的停振控制，引起開關電源故障的成因很多，限於篇幅這里就不一一列舉，這里我們只談談其基本維修方法。

二、彩電電源檢修要領

彩電電源的損壞在彩電維修中佔有很大的比例。各種各樣的故障往往是由電源產生的。如：屏幕Ｓ扭，有水平條紋從上而下或從下而上，工作一會就關機，＋Ｂ輸出偏高偏低，屢燒電源管，屢燒行管，開機要燒很久才有電源，機內有嚴重的吱吱叫聲，等等。
檢修電源的方法很多。在這拿三洋電源作介紹。電源出故障，打開機蓋，動用我們的嗅覺－－聞機內有無異味。看機內有無嚴重的燒壞痕跡。特別是爆裂元件，可以從有明顯變化的元件著手。在這告訴同行一個好辦法來判斷：濾波後的＋300Ｖ會在幾秒之內消失，表示電源基本工作正常，這為負載短路。300Ｖ總是不變為起動電路開路。消失的很慢振盪或激勵電路不正常。
建議加假負載檢修，（切斷場供電，短路行推動變壓器，切斷伴音供電。注意三洋電源不能在＋Ｂ整流上切除，因為其穩壓取樣電路與之相連，否則會造成＋Ｂ過高而燒壞其它元器件。）
出現三無首先測電源管Ｂ極電壓，可由其電壓來反映電源具體工作情況，1：Ｂ極無電壓－－起動電阻或電容開路，激勵管短路。2：為正電壓－－激勵電路或反饋電路沒有工作，3：為負電壓，由此可以看出－－電源基本工作正常，有可能保護電路保護或負載短路。
其次反饋電路，振盪電路，這主要由於三極體因內和外在原因所致。如：電阻變大，三極體性能變差等。發現有某一三極體擊穿，與之相連的元件必須復查清楚，最好相連電容三極體之類全部更換，以免後患。
取樣穩壓電路有的在原邊有的在副邊，當＋Ｂ偏高或偏低一般為取樣電路故障，這部分元件少易排除。在此特別提醒：在三洋電源中由Ｒ554（150Ｋ電阻）阻值變大造成＋Ｂ過高燒壞行管甚至ＣＲＴ的特別多，建議在＋Ｂ上接一Ｒ2Ｍ加以保護。
另外電源部分的小電解電容視損壞程度的不同表現不同的故障主要有＋Ｂ太高，開機吱吱叫但＋Ｂ正常，開機吱吱叫隨著叫聲的減小而＋Ｂ慢慢升高，屢損開關管等。
同時我們還要注意保護電路的影響。在懷疑保護電路有故障時切除任何一個保護端必須作可靠的保護措施。在這再以提醒加假負載檢查。

㈡ 閂鎖效應的原理分析

Q1為一垂直式PNP BJT, 基極(base)是nwell, 基極到集電極(collector)的增益可達數百倍；Q2是一側面式的NPN BJT，基極為P substrate，到集電極的增益可達數十倍；Rwell是nwell的寄生電阻；Rsub是substrate電阻。
以上四元件構成可控硅（SCR）電路，當無外界干擾未引起觸發時，兩個BJT處於截止狀態，集電極電流是C-B的反向漏電流構成，電流增益非常小，此時Latch up不會產生。當其中一個BJT的集電極電流受外部干擾突然增加到一定值時，會反饋至另一個BJT，從而使兩個BJT因觸發而導通（通常情況下是PNP比較容易觸發起來），VDD至GND（VSS）間形成低抗通路。之後就算外界干擾消失，由於兩三極體之間形成正反饋，還是會有電源和地之間的漏電，即鎖定狀態。Latch up由此而產生。
產生Latch up 的具體原因
1. 晶元一開始工作時VDD變化導致nwell和P substrate間寄生電容中產生足夠的電流，當VDD變化率大到一定地步，將會引起Latch up。
2. 當I/O的信號變化超出VDD-GND（VSS）的范圍時，有大電流在晶元中產生，也會導致SCR的觸發。
3. ESD靜電加壓，可能會從保護電路中引入少量帶電載子到well或substrate中，也會引起SCR的觸發。
4.當很多的驅動器同時動作，負載過大使power和gnd突然變化，也有可能打開SCR的一個BJT。
5. Well 側面漏電流過大。
防止Latch up 的方法：
1.在基體（substrate)上改變金屬的摻雜，降低BJT的增益
2.避免source和drain的正向偏壓
3.增加一個輕摻雜的layer在重摻雜的基體上，阻止側面電流從垂直BJT到低阻基體上的通路
4. 使用Guard ring: P+ ring環繞nmos並接GND；N+ ring環繞pmos 並接VDD，一方面可以降低Rwell和Rsub的阻值，另一方面可阻止載流子到達BJT的基極。如果可能，可再增加兩圈ring。
5. Substrate contact和well contact應盡量靠近source,以降低Rwell和Rsub的阻值。
6.使nmos盡量靠近GND，pmos盡量靠近VDD,保持足夠的距離在pmos 和nmos之間以降低引發SCR的可能
7.除在I/O處需採取防Latch up的措施外，凡接I/O的內部mos 也應圈guard ring。
8. I/O處盡量不使用pmos(nwell)
COMS電路由於輸入太大的電流，內部的電流急劇增大，除非切斷電源，電流一直在增大這種效應就是鎖定效應。當產生鎖定效應時，COMS的內部電流能達到40mA以上，很容易燒毀晶元。
防禦措施：
1）在輸入端和輸出端加鉗位電路，使輸入和輸出不超過規定電壓。
2）晶元的電源輸入端加去耦電路，防止VDD端出現瞬間的高壓。
3）在VDD和外電源之間加限流電阻，即使有大的電流也不讓它進去。
4）當系統由幾個電源分別供電時，開關要按下列順序：開啟時，先開啟COMS電路的電源，再開啟輸入信號和負載的電源；關閉時，先關閉輸入信號和負載的電源，再關閉COMS電路的電源。

㈢ 什麼是閂鎖效應

閂鎖效應是CMOS工藝所特有的寄生效應，嚴重會導致電路的失效，甚至燒毀晶元。閂鎖效應是由NMOS的有源區、P襯底、N阱、PMOS的有源區構成的n-p-n-p結構產生的，當其中一個三極體正偏時，就會構成正反饋形成閂鎖。避免閂鎖的方法就是要減小襯底和N阱的寄生電阻，使寄生的三極體不會處於正偏狀態。 靜電是一種看不見的破壞力，會對電子元器件產生影響。ESD 和相關的電壓瞬變都會引起閂鎖效應（latch-up）是半導體器件失效的主要原因之一。如果有一個強電場施加在器件結構中的氧化物薄膜上，則該氧化物薄膜就會因介質擊穿而損壞。很細的金屬化跡線會由於大電流而損壞，並會由於浪涌電流造成的過熱而形成開路。這就是所謂的「閂鎖效應」。在閂鎖情況下，器件在電源與地之間形成短路，造成大電流、EOS（電過載）和器件損壞。 MOS工藝含有許多內在的雙極型晶體管。在CMOS工藝下，阱與襯底結合會導致寄生的n-p-n-p結構。這些結構會導致VDD和VSS線的短路，從而通常會破壞晶元，或者引起系統錯誤。
例如，在n阱結構中，n-p-n-p結構是由NMOS的源，p襯底，n阱和PMOS的源構成的。當兩個雙極型晶體管之一前向偏置時（例如由於流經阱或襯底的電流引起），會引起另一個晶體管的基極電流增加。這個正反饋將不斷地引起電流增加，直到電路出故障，或者燒掉。
可以通過提供大量的阱和襯底接觸來避免閂鎖效應。閂鎖效應在早期的CMOS工藝中很重要。不過，現在已經不再是個問題了。在近些年，工藝的改進和設計的優化已經消除了閂鎖的危險。Latch up 的定義�0�1 Latch up 最易產生在易受外部干擾的I/O電路處, 也偶爾發生在內部電路
�0�1 Latch up 是指cmos晶片中, 在電源power VDD和地線GND(VSS)之間由於寄生的PNP和NPN雙極性BJT相互影響而產生的一低阻抗通路, 它的存在會使VDD和GND之間產生大電流
�0�1 隨著IC製造工藝的發展, 封裝密度和集成度越來越高,產生Latch up的可能性會越來越大
�0�1 Latch up 產生的過度電流量可能會使晶元產生永久性的破壞, Latch up 的防範是IC Layout 的最重要措施之一Latch up 的原理分析 Q1為一垂直式PNP BJT, 基極(base)是nwell, 基極到集電極(collector)的增益可達數百倍；Q2是一側面式的NPN BJT，基極為P substrate，到集電極的增益可達數十倍；Rwell是nwell的寄生電阻；Rsub是substrate電阻。
以上四元件構成可控硅（SCR）電路，當無外界干擾未引起觸發時，兩個BJT處於截止狀態，集電極電流是C-B的反向漏電流構成，電流增益非常小，此時Latch up不會產生。當其中一個BJT的集電極電流受外
部干擾突然增加到一定值時，會反饋至另一個BJT，從而使兩個BJT因觸發而導通，VDD至GND（VSS）間
形成低抗通路，Latch up由此而產生。產生Latch up 的具體原因�6�1 晶元一開始工作時VDD變化導致nwell和P substrate間寄生電容中產生足夠的電流，當VDD變化率大到一定地步，將會引起Latch up。
�6�1當I/O的信號變化超出VDD-GND（VSS）的范圍時，有大電流在晶元中產生，也會導致SCR的觸發。
�6�1ESD靜電加壓，可能會從保護電路中引入少量帶電載子到well或substrate中，也會引起SCR的觸發。
�6�1 當很多的驅動器同時動作，負載過大使power和gnd突然變化，也有可能打開SCR的一個BJT。
�6�1Well 側面漏電流過大。防止Latch up 的方法�6�1 在基體（substrate)上改變金屬的摻雜，降低BJT的增益
�6�1 避免source和drain的正向偏壓
�6�1 增加一個輕摻雜的layer在重摻雜的基體上，阻止側面電流從垂直BJT到低阻基體上的通路
�6�1 使用Guard ring: P+ ring環繞nmos並接GND；N+ ring環繞pmos 並接VDD，一方面可以降低Rwell和Rsub的阻值，另一方面可阻止栽子到達BJT的基極。如果可能，可再增加兩圈ring。
�6�1Substrate contact和well contact應盡量靠近source,以降低Rwell和Rsub的阻值。
�6�1使nmos盡量靠近GND，pmos盡量靠近VDD,保持足夠的距離在pmos 和nmos之間以降低引發SCR的可能
�6�1 除在I/O處需採取防Latch up的措施外，凡接I/O的內部mos 也應圈guard ring。

㈣ 如何解決CMOS電路中的閂鎖效應在現實生活中有什麼具體的事例應用沒有

請先整理一下問題吧，這個問題看不懂啊。
閂鎖的特點：異常大電流；部分或全部功能暫時失效甚至永久失效；關閉電源才可以脫離閂鎖狀態。閂鎖效應是CMOS的一個特點，理論上來說，CMOS電路都有閂鎖可能，只是程度不同。
危害：頻繁死機；電池待機時間急劇縮短；晶元發熱嚴重；晶元燒毀。

㈤ 什麼是Latch-up效應，試分析CMOS電路產生Latch-up效應的原因，通常使用哪些方法來防止或抑制Latch-up效應

Latch up 的定義
􀂃 Latch up 最易產生在易受外部干擾的I/O電路處, 也偶爾
發生在內部電路
􀂃 Latch up 是指cmos晶片中, 在電源power VDD和地線
GND(VSS)之間由於寄生的PNP和NPN雙極性BJT相互
影響而產生的一低阻抗通路, 它的存在會使VDD和
GND之間產生大電流
􀂃 隨著IC製造工藝的發展, 封裝密度和集成度越來越高,
產生Latch up的可能性會越來越大
􀂃 Latch up 產生的過度電流量可能會使晶元產生永久性的
破壞, Latch up 的防範是IC Layout 的最重要措施之一
Latch up 的原理圖分析
Latch up 的原理分析Q1為一垂直式PNP BJT, 基極(base)是nwell, 基極到
集電極(collector)的增益可達數百倍；Q2是一側面式的
NPN BJT，基極為P substrate，到集電極的增益可達數
十倍；Rwell是nwell的寄生電阻；Rsub是substrate電
阻。
以上四元件構成可控硅（SCR）電路，當無外界干
擾未引起觸發時，兩個BJT處於截止狀態，集電極電流
是C-B的反向漏電流構成，電流增益非常小，此時
Latch up不會產生。當其中一個BJT的集電極電流受外
部干擾突然增加到一定值時，會反饋至另一個BJT，從
而使兩個BJT因觸發而導通，VDD至GND（VSS）間
形成低抗通路，Latch up由此而產生。
CMOS電路中的寄生雙極型晶體管部分出現閂鎖，必須滿足以下幾個條件：
(1) 電路要能進行開關轉換,其相關的PNPN結構的迴路增益必須大於1
即 βnpn*βpnp >1，在最近的研究中,把閂鎖產生的條件用寄生雙極晶體管的有效注入效率和小信號電流增益來表達。即
(2) 必須存在一種偏置條件，使兩只雙極型晶體管導通的時間足夠長，以使
通過阻塞結的電流能達到定義的開關轉換電流的水平。一般來說，雙極管的導通都是由流過一個或兩個發射極/基極旁路電阻的外部激發電流所引起的。
(3) 偏置電源和有關的電路，必須能夠提供至少等於PNPN結構脫離阻塞態
所需開關轉換電流和必須能提供至少等於使其達到閂鎖態的保持電流。
閂鎖的觸發方式：
(1) 輸入或輸出節點的上沖或下沖的觸發，使第一個雙極型晶體管導通，然
後再使第二個雙極型晶體管導通。當流入寄生PNPN結構的總電流達到開關轉換電流時，閂鎖就發生。
(2) 當流過阱-襯底結的雪崩電流，光電流及位移電流，，同時通過兩個旁路
電阻RW，RS時，旁路電阻較大的晶體管先導通。然而要使閂鎖發生，第二個雙極型晶體管必須導通。同時通過PNPN結構的總電流必須達到開關轉換電流。
(3) 當出現穿通,場穿通時，低阻通路一般發生在電源和地線之間，或者發
生在電源和襯底發生器之間。在源-漏發生雪崩擊穿的情況下，低阻通路發生在電源和信號線之間，或者發生在信號線和襯底發生器之間。這些來源於穿通，場穿通或漏結雪崩的電流，一旦PNPN結構的電流達到用取消被激發晶體管旁路電阻形成的三極體結構計算的開關轉換電流時，至少會發生瞬時閂鎖，若總電流也能達到四極管結構開關轉換電流，即閂鎖將維持下去。
閂鎖的防止技術：
體硅CMOS中的閂鎖效應起因於寄生NPN和PNP雙極晶體管形成的PNPN
結構，若能使兩只晶體管的小信號電流增益之和小於1，閂鎖就可防止。一是將雙極型晶體管的特性破壞掉，即通過改進CMOS製造工藝，用減少載流子運輸或注入的方法來達到破壞雙極型晶體管作用的目的，例如，摻金，中子輻射形成基區阻礙電場以及形成肖特基源/漏勢壘等。二是將兩個雙極型晶體管間的耦合去掉，即防止一隻雙極管導通另一隻雙極管，這可通過版圖設計和工藝技術來實現。版圖設計去耦技術包括：
版圖級抗閂鎖措施：
(1) 加粗電源線和地線,合理布局電源接觸孔,減小橫向電流密度和串聯電阻.
採用接襯底的環形VDD電源線,並盡可能將襯底背面接VDD.增加電源VDD和VSS接觸孔,並加大接觸面積.對每一個接VDD的孔都要在相鄰的阱中配以對應的VSS接觸孔,以便增加並行的電流通路.盡量使VDD和VSS的接觸孔的長邊相互平行.接VDD的孔盡可能安排得離阱遠些.接VSS的孔盡可能安排在p阱的所有邊上.
(2) 加多子保護環或少子保護環。其中多子保護環主要可以減少RS和RW；
少子環可以預先收集少子，減小橫向三極體的β值，從而到達減小閂鎖效應的目的。
工藝級抗閂鎖措施：
(1) 降低少數載流子的壽命可以減少寄生雙極型晶體管的電流增益，一般使
用金摻雜或中子輻射技術，但此方法不易控制且也會導致漏電流的增加。
(2) 倒轉阱技術，可以減小寄生三極體的阱電阻，防止寄生三極體EB結導
通。倒轉阱如下圖所示：
(3) 另一種減少閂鎖效應的方法，是將器件製作於重摻雜襯底上的低摻雜外
延層中。重摻雜襯底提供一個收集電流的高傳導路徑，降低了RS，若在阱中加入重摻雜的p+埋層(或倒轉阱)，又可降低RW。實驗證明,此方法製造的CMOS電路有很高的抗閂鎖能力。
(4) 閂鎖亦可通過溝槽隔離結構來加以避開。在此技術中，利用非等向反應
離子濺射刻蝕，刻蝕出一個比阱還要深的隔離溝槽。接著在溝槽的底部和側壁上生長一熱氧化層，然後淀積多晶硅或二氧化硅，以將溝槽填滿。因為n溝道與p溝道MOSFET被溝槽所隔開，所以此種方法可以消除閂鎖。
以上措施都是對傳統CMOS工藝技術的改造，更先進的工藝技術如SOI(Silicon on Insulator)等能從根本上來消除閂鎖產生，但工藝技術相對來講要復雜一些。
電路應用級抗閂鎖措施：
(1) 要特別注意電源跳動。防止電感元件的反向感應電動勢或電網雜訊竄入CMOS電路，引起CMOS電路瞬時擊穿而觸發閂鎖效應.因此在電源線較長的地方,要注意電源退耦，此外還要注意對電火花箝位。
(2) 防止寄生晶體管的EB結正偏。輸入信號不得超過電源電壓，如果超過這個范圍，應加限流電阻。因為輸入信號一旦超過電源電壓,就可能使EB結正偏而使電路發生閂鎖。輸出端不宜接大電容,一般應小於0.01uF.
(3) 電流限制。CMOS的功耗很低,所以在設計CMOS系統的電源時，系統實際需要多少電流就供給它多少電流，電源的輸出電流能力不要太大。從寄生可控硅的擊穿特性中可以看出，如果電源電流小於可控硅的維持電流，那麼即使寄生可控硅有觸發的機會，也不能維持閂鎖，可通過加限流電阻來達到抑制閂鎖的目的。
綜上所述,CMOS電路具有其它電路無法比擬的低功耗的優點，是在ULSI領域最有前途的電路結構。但傳統CMOS電路的工藝技術會產生與生俱來的閂鎖效應(當然必須滿足閂鎖形成的三個條件)，從而限制了它的應用。一般可以從版圖設計，工藝過程及電路應用等方面採取各種技術措施，盡可能地避免，降低或消除閂鎖的形成，從而為CMOS電路的廣泛應用奠定基礎。
版圖設計時，要盡量降低電路密度，襯底和阱的串聯電阻，偽收集極的引入，可以切斷形成閂鎖的迴路。設計工藝時，可以採用適量的金摻雜，深阱，高能離子注入形成倒轉阱，低阻外延技術等來降低寄生晶體管的電流增益和串聯電阻；溝槽隔離基本上可以完全切斷形成閂鎖的迴路；更先進的SOI技術可以完全消除閂鎖的形成。電路應用時,要盡量避免雜訊的引入，附加限流電阻等措施。
防止閂鎖效應方法的發展
摻金，中子輻照（會增加泄漏電流和影響成品率）——》介質隔離（增加成本）——》優化版圖措施（多子或少子保護環，電源與地線布線技術）——》重摻雜襯底外延加重摻雜掩埋層技術

㈥ 閂鎖效應的簡介

閂鎖效應是CMOS工藝所特有的寄生效應，嚴重會導致電路的失效，甚至燒毀晶元。閂鎖效應是由NMOS的有源區、P襯底、N阱、PMOS的有源區構成的n-p-n-p結構產生的，當其中一個三極體正偏時，就會構成正反饋形成閂鎖。避免閂鎖的方法就是要減小襯底和N阱的寄生電阻，使寄生的三極體不會處於正偏狀態。 靜電是一種看不見的破壞力，會對電子元器件產生影響。ESD 和相關的電壓瞬變都會引起閂鎖效應（latch-up）是半導體器件失效的主要原因之一。如果有一個強電場施加在器件結構中的氧化物薄膜上，則該氧化物薄膜就會因介質擊穿而損壞。很細的金屬化跡線會由於大電流而損壞，並會由於浪涌電流造成的過熱而形成開路。這就是所謂的「閂鎖效應」。在閂鎖情況下，器件在電源與地之間形成短路，造成大電流、EOS（電過載）和器件損壞。
MOS工藝含有許多內在的雙極型晶體管。在CMOS工藝下，阱與襯底結合會導致寄生的n-p-n-p結構。這些結構會導致VDD和VSS線的短路，從而通常會破壞晶元，或者引起系統錯誤。
例如，在n阱結構中，n-p-n-p結構是由NMOS的源，p襯底，n阱和PMOS的源構成的。當兩個雙極型晶體管之一前向偏置時（例如由於流經阱或襯底的電流引起），會引起另一個晶體管的基極電流增加。這個正反饋將不斷地引起電流增加，直到電路出故障，或者燒掉。
可以通過提供大量的阱和襯底接觸來避免閂鎖效應。閂鎖效應在早期的CMOS工藝中很重要。不過，現在已經不再是個問題了。在近些年，工藝的改進和設計的優化已經消除了閂鎖的危險。
Latch up 的定義
Latch up 最易產生在易受外部干擾的I/O電路處, 也偶爾發生在內部電路
Latch up 是指cmos晶片中, 在電源power VDD和地線GND(VSS)之間由於寄生的PNP和NPN雙極性BJT相互影響而產生的一低阻抗通路, 它的存在會使VDD和GND之間產生大電流
隨著IC製造工藝的發展, 封裝密度和集成度越來越高,產生Latch up的可能性會越來越大
Latch up 產生的過度電流量可能會使晶元產生永久性的破壞, Latch up 的防範是IC Layout 的最重要措施之一

㈦ 閂鎖效應是什麼

閂鎖效應是CMOS工藝所特有的寄生效應，嚴重會導致電路的失效，甚至燒毀晶元。閂鎖效應是由NMOS的有源區、P襯底、N阱、PMOS的有源區構成的n-p-n-p結構產生的，當其中一個三極體正偏時，就會構成正反饋形成閂鎖。
如果有一個強電場施加在器件結構中的氧化物薄膜上，則該氧化物薄膜就會因介質擊穿而損壞。很細的金屬化跡線會由於大電流而損壞，並會由於浪涌電流造成的過熱而形成開路。這就是所謂的「閂鎖效應」。

㈧ 閂鎖電路是觸發器嗎

摘要 您好，觸發器是一類元器件的統稱，閂鎖電路的元器件構成裡面有觸發器的哈

㈨ 電視機電源怎麼修

〈 一 〉 電視機是一部很復雜的機器。尤其是現在才生產的電視，那更是集成度很的收視設備，有的整個機器包括微處理器就只有一片集成電路。就原理上講，電視機大致可包括如下幾個部分： 1、電源。電源是整個電視機最重要的部分，它擔負著為整個電視機各個部分提供能量的重任。它的工作流程是首先把220伏交流電轉換為約300伏的直流電供開關電源工作；而開關電源則是把整流後的300伏直流電轉換為幾種電壓：正110伏電壓供行輸出級使用；正26伏供場輸出級使用；正19伏供伴音電路使用。正19伏電壓還要經過穩壓電路輸出正12伏，供高頻頭、信號處理集成電路使用；還要輸出正5伏電壓供微處理器使用。正110伏電壓還要經過降壓、穩壓電路輸出正33伏電壓，供高頻頭選台使用。 2、高頻頭。高頻頭是電視信號進入電視機的大門。從天線上或有線電視終端盒送入的電視信號首選進入高頻頭，經過高頻頭的處理選出我們所需要的電視信號並把它變為電視機容易放大的中頻信號並輸送給中頻放大電路。高頻頭壞了，電視機不會接收電視信號，當然也不會產生圖像。但的較強的澡波點。 3、中頻放大電路。中頻放大電路把高頻頭送出的我們所需要的中頻電視信號放大到一定的幅度，並把圖像信號和伴音信號分開送出，圖像信號送往視頻（即圖像）放大器進行放大，放大的圖像信號加在顯像管上，使之顯示出我們所要看的圖像信號；伴音信號送往音頻功率放大器，並推動揚聲器（喇叭）放出聲音。 中頻放大器和視頻放大器的電路目前都是集中一塊集成電路中的，例如常用的LA7680、LA7685等。由高頻頭輸出的中頻電視信號送給它後，它會把圖像信號直接送給顯像管；把伴音信號送給伴音功放電路。另外，這塊集成電路還要輸出場、行振盪信號，並送給相應的放大電路。 4、行輸出電路。把由集成電路送給的行振盪信號進行放大，並經過行輸出變壓器產行顯像管所需要的各種電壓。行輸出電路的用途有以下幾個： A、輸出高壓、高頻脈沖電壓，送往行偏轉線圈，由偏轉線圈形成鋸齒波電壓，使電子束作水平運動，在顯像管的屏幕上形成水平亮線； B、輸出直流25000伏高壓，供給顯像管陽極，使顯像管的陽極具有吸引由陰極發射出的電子的作用，能夠使顯像管發出光柵； C、輸出消隱電壓，主要目的是消除場、行掃描電子束由左到右掃描返回時的回掃亮線。 D、輸出180伏電壓，供視放管工作。 E、輸出6.3伏燈絲電壓，為顯像管燈絲加熱，並烘烤顯像管的陰極，使陰極能夠發射電子。 G、輸出約數千伏電壓，作為顯像管聚焦電壓。沒有聚焦電壓，圖像就會模糊不清。 H、輸出約500伏電壓，作為顯像管的加速電壓。沒有加速電壓，顯像管不能發光。 5、場輸出電路。場輸出電路的主要作用是為場偏轉線圈提供場鋸齒波電壓，使顯像管的電子掃描線由上而下的運動。這一部分壞了，顯像管所顯示的只是一條水平亮線。 6、視頻放大電路。視頻放大電路大都在顯像管的尾座上，由三至五隻管子組成，也有是一片集成電路，其工作原理是一樣的。任務是把由集成電路送出的視頻信號進行放大，並送往顯像管顯示出圖像。視頻放大電路壞了，顯像管只能顯示出干凈的光柵，沒有圖像，但會有電視台的聲音。其中某一隻管子壞了，會造成圖像的缺色。 另外，電視機內還有其他一些，例如保險絲、消磁電路等。保險絲是作為整個電視機保險用的，它若斷了，整機不會通電，會造成開不開機。消磁電路含一個消磁電阻、一個消磁線圈。消磁線圈安放在顯像管上，一般情況下不會壞，易壞的是消磁電阻。消磁電路壞了，時間短時，不會有什麼影響，但時間長了顯像管上會出現雜亂的彩色斑塊，或顯示的顏色不正常。 〈二〉 彩電電源電路的損壞率在電視機維修中是比較高的，現在的彩色電視機電源電路無一不是採用開關式穩壓電源電路。開關穩壓電源電路大致分為並聯型和串聯型兩大類，其振盪電路均是清一色的自激式振盪電路，有些引入了行同步功能，有些則沒有，開關電源的原理這里就不多說了，主要介紹一下開關電源的主要檢修方法。 一、開關電源的組成 一般的開關電源是由振盪電路、穩壓電路、保護電路三大部分組成． 1．振盪電路：開關電源振盪電路分為晶體管振盪電路和集成塊振盪電路，如STR－S系列IC，TEA2104，TDA4601，TDA4605，TDA2261等等． 2．穩壓電路：開關電源的穩壓原理均採用脈沖調寬式的穩壓方式，即通過自動改變開關功率管的關閉和導通時間的比例，或通過改變振盪器輸出脈沖的占空比來達到穩壓的目的．穩壓部分的電路由取樣、比較、控制三個部分組成，很多機芯此部分電路是採用IC（如SE110等IC）和光耦件組合而成，而有些機芯則用分立元件組成（多為國產機），而有些機芯採用的電源IC本身就集成了這部分電路（如部分串聯型開關電源IC）． 3．保護電路：彩電開關電源都設有保護電路，其保護方式均是使電路停振。有過流保護、過壓保護和欠壓保護（短路保護），還有過熱保護。 過流保護電路其過流取樣點，大部分電視機中都是在主振功率管的發射極電位上。 過壓保護電路的取樣點一般取自220V交流經整流濾波後的電壓或主負載供電電壓，通過一個齊納二極體（穩壓管）來進行取樣判別。 短路保護電路的取樣點一般在穩壓電源輸出的低壓組電源上．通過一個二極體來進行判別取樣．在IC式開關電源中，有部分機所採用的電源IC內部設有「閂鎖電路」，這個「閂鎖電路」實際上是一個保護執行電路，各取樣點送來的信號，通過它執行對電路的停振控制，引起開關電源故障的成因很多，限於篇幅這里就不一一列舉，這里我們只談談其基本維修方法。 二、彩電電源檢修要領 彩電電源的損壞在彩電維修中佔有很大的比例。各種各樣的故障往往是由電源產生的。如：屏幕S扭，有水平條紋從上而下或從下而上，工作一會就關機，＋B輸出偏高偏低，屢燒電源管，屢燒行管，開機要燒很久才有電源，機內有嚴重的吱吱叫聲，等等。 檢修電源的方法很多。在這拿三洋電源作介紹。電源出故障，打開機蓋，動用我們的嗅覺－－聞機內有無異味。看機內有無嚴重的燒壞痕跡。特別是爆裂元件，可以從有明顯變化的元件著手。在這告訴同行一個好辦法來判斷：濾波後的＋300V會在幾秒之內消失，表示電源基本工作正常，這為負載短路。300V總是不變為起動電路開路。消失的很慢振盪或激勵電路不正常。 建議加假負載檢修，（切斷場供電，短路行推動變壓器，切斷伴音供電。注意三洋電源不能在＋B整流上切除，因為其穩壓取樣電路與之相連，否則會造成＋B過高而燒壞其它元器件。） 出現三無首先測電源管B極電壓，可由其電壓來反映電源具體工作情況，1：B極無電壓－－起動電阻或電容開路，激勵管短路。2：為正電壓－－激勵電路或反饋電路沒有工作，3：為負電壓，由此可以看出－－電源基本工作正常，有可能保護電路保護或負載短路。 其次反饋電路，振盪電路，這主要由於三極體因內和外在原因所致。如：電阻變大，三極體性能變差等。發現有某一三極體擊穿，與之相連的元件必須復查清楚，最好相連電容三極體之類全部更換，以免後患。 取樣穩壓電路有的在原邊有的在副邊，當＋B偏高或偏低一般為取樣電路故障，這部分元件少易排除。在此特別提醒：在三洋電源中由R554（150K電阻）阻值變大造成＋B過高燒壞行管甚至CRT的特別多，建議在＋B上接一R2M加以保護。 另外電源部分的小電解電容視損壞程度的不同表現不同的故障主要有＋B太高，開機吱吱叫但＋B正常，開機吱吱叫隨著叫聲的減小而＋B慢慢升高，屢損開關管等。 同時我們還要注意保護電路的影響。在懷疑保護電路有故障時切除任何一個保護端必須作可靠的保護措施。在這再以提醒加假負載檢查。 三、開關電源電路的維修 開關電源損壞後，大多都可獨立進行維修，將負載全部斷開，在主負載供電組電源上帶一隻220V40W的燈泡作假負載，並採用低壓供電安全方式，即將供電電源經一自耦式變壓器降至70V左右進行維修，這種維修方法可完全避免了因電路存在隱患而再度損壞元件的現象，一般正常的開關電源（並聯式），在70V左右的供電壓就能正常起振工作，慢慢調整自耦變壓器的輸出電壓，開關電源的輸出電壓都應固定在其預設的電壓值上不變，如果開關電源的輸出電壓隨輸入電壓的變化而變化，則表明其穩壓部分電路有問題；如果沒有電壓輸出則表明振盪電路部分有問題． 第一種情況：我們以並聯型光耦控制穩壓式開關電源為例，討論一下其維修方法．當開關電源不能正常穩壓時，第一步是要確認引起故障的部位，簡單快捷的方法是：將光耦件熱地端的兩控制腳短路，如果電路進入停振狀態，則表明故障在取樣比較部分電路，取樣比較電路有問題多半是比較IC和光耦件損壞所至（比較IC損壞多數會引起光耦件同時損壞），如果是控制電路問題，如控制晶體管損壞，在晶體管的代換上一定要注意晶體管的參數． 第二種情況：電路不起振，當確信供電電壓正常時，首先檢查啟動電阻（即跨接在311伏電源與主振功率管基極之間的電阻是否開路或變直，另外要考慮到不起振是否是由於保護電路動作所引起，如STRS6309的第6腳電壓（正常為0V），STR50213的第5腳（正常時100V左右）TEA2261的第3腳（正常時為0V），TDA4601的第5腳等等，如果是保護電路引起停振，一般在開機的瞬間電路能正常起振，可通過此點來進行判別，另外當控制電路有問題（如控制管擊穿）也會引起電路停振．其實開關電源電路是比較簡單的電路，只要分清主振電路，保護電路和比較穩壓電路三者的聯接關系，維修起來就覺容易了． 四、彩電電源故障檢修三例 例1：故障現象一台C541型金星彩電，開機後伴音正常，屏幕圖像上、下部分各出現有一條寬亮帶，並向上緩慢移動，圖像隨亮帶的移動兩邊出現波浪式扭曲。將頻道置於AV時，屏幕中間出現黑、白亮帶，而且固定不變。 分析與檢修根據故障現象判斷，故障發生在電源電路。主要故障原因是電源50Hz干擾。打開機殼後，測得C732電容器兩端110V電壓正常。但測得C706電容器兩端的280V電壓明顯偏低，只有200V左右。焊下C706電容用三用表×1kΩ電阻擋測量檢查充、放電性能，發現此電容器失效，只有幾百kΩ的固定電阻值。換一隻同類型電容器後，故障排除。 例2：故障現象一台日立牌CPT2177／DU型遙控彩色電視機，開機電源啟動時好時壞，好時收看一切正常；不正常時，開機後聽到機內有「吱」的響聲，電源指示燈閃亮一下隨「吱」的聲音消失而熄滅，有時連續多次啟動也不成功。 分析與檢修檢修時，首先測量C909電容器兩端開機瞬間的110V電壓變化情況，發現此電壓沒有擺幅，近似於零伏。再測C906電容器兩端280V電壓正常。斷開負載迴路，接一7．5W電烙鐵做假負載，開機故障依舊，判斷故障發生在電源部分。根據電路原理圖分析，將保護電路上的支路電阻R907斷開，此時不接負載，開機試驗110V電壓恢復正常。當接上負載迴路時，短時間監測電壓也正常。對Q902可控硅及外圍元件測量檢查未發現問題。經過分析，故障原因最大可能是可控硅性能變差，導致造成電源誤保護。換一同型號可控硅，故障排除，電視機恢復正常。 從彩色電視機在我國普及以來，彩色電視機的電源電路是損壞率最高、檢修難度最大的一部分電路。彩色電視機電源雖然幾經改進，已趨於穩定可靠，但仍因種種原因常發生故障。因此，了解彩色電視機開關電源電路常用故障形式，解析實際電路中的性能要求及故障檢修思路，揭示電源電路檢修技術的奧秘。

㈩ 電視機沒有圖像來提示維修人員來維修故障故障也能排除

一、開關電源的組成

一般的開關電源是由振盪電路、穩壓電路、保護電路三大部分組成．
1．振盪電路：開關電源振盪電路分為晶體管振盪電路和集成塊振盪電路，如STR－S系列IC，TEA2104，TDA4601，TDA4605，TDA2261等等．
2．穩壓電路：開關電源的穩壓原理均採用脈沖調寬式的穩壓方式，即通過自動改變開關功率管的關閉和導通時間的比例，或通過改變振盪器輸出脈沖的占空比來達到穩壓的目的．穩壓部分的電路由取樣、比較、控制三個部分組成，很多機芯此部分電路是採用IC（如SE110等IC）和光耦件組合而成，而有些機芯則用分立元件組成（多為國產機），而有些機芯採用的電源IC本身就集成了這部分電路（如部分串聯型開關電源IC）．
3．保護電路：彩電開關電源都設有保護電路，其保護方式均是使電路停振。有過流保護、過壓保護和欠壓保護（短路保護），還有過熱保護。
過流保護電路其過流取樣點，大部分電視機中都是在主振功率管的發射極電位上。
過壓保護電路的取樣點一般取自220V交流經整流濾波後的電壓或主負載供電電壓，通過一個齊納二極體（穩壓管）來進行取樣判別。
短路保護電路的取樣點一般在穩壓電源輸出的低壓組電源上．通過一個二極體來進行判別取樣．在IC式開關電源中，有部分機所採用的電源IC內部設有「閂鎖電路」，這個「閂鎖電路」實際上是一個保護執行電路，各取樣點送來的信號，通過它執行對電路的停振控制，引起開關電源故障的成因很多，限於篇幅這里就不一一列舉，這里我們只談談其基本維修方法。

二、彩電電源檢修要領

彩電電源的損壞在彩電維修中佔有很大的比例。各種各樣的故障往往是由電源產生的。如：屏幕S扭，有水平條紋從上而下或從下而上，工作一會就關機，＋B輸出偏高偏低，屢燒電源管，屢燒行管，開機要燒很久才有電源，機內有嚴重的吱吱叫聲，等等。
檢修電源的方法很多。在這拿三洋電源作介紹。電源出故障，打開機蓋，動用我們的嗅覺－－聞機內有無異味。看機內有無嚴重的燒壞痕跡。特別是爆裂元件，可以從有明顯變化的元件著手。在這告訴同行一個好辦法來判斷：濾波後的＋300V會在幾秒之內消失，表示電源基本工作正常，這為負載短路。300V總是不變為起動電路開路。消失的很慢振盪或激勵電路不正常。
建議加假負載檢修，（切斷場供電，短路行推動變壓器，切斷伴音供電。注意三洋電源不能在＋B整流上切除，因為其穩壓取樣電路與之相連，否則會造成＋B過高而燒壞其它元器件。）
出現三無首先測電源管B極電壓，可由其電壓來反映電源具體工作情況，1：B極無電壓－－起動電阻或電容開路，激勵管短路。2：為正電壓－－激勵電路或反饋電路沒有工作，3：為負電壓，由此可以看出－－電源基本工作正常，有可能保護電路保護或負載短路。
其次反饋電路，振盪電路，這主要由於三極體因內和外在原因所致。如：電阻變大，三極體性能變差等。發現有某一三極體擊穿，與之相連的元件必須復查清楚，最好相連電容三極體之類全部更換，以免後患。
取樣穩壓電路有的在原邊有的在副邊，當＋B偏高或偏低一般為取樣電路故障，這部分元件少易排除。在此特別提醒：在三洋電源中由R554（150K電阻）阻值變大造成＋B過高燒壞行管甚至CRT的特別多，建議在＋B上接一R2M加以保護。
另外電源部分的小電解電容視損壞程度的不同表現不同的故障主要有＋B太高，開機吱吱叫但＋B正常，開機吱吱叫隨著叫聲的減小而＋B慢慢升高，屢損開關管等。
同時我們還要注意保護電路的影響。在懷疑保護電路有故障時切除任何一個保護端必須作可靠的保護措施。在這再以提醒加假負載檢查。
三、開關電源電路的維修

開關電源損壞後，大多都可獨立進行維修，將負載全部斷開，在主負載供電組電源上帶一隻220V40W的燈泡作假負載，並採用低壓供電安全方式，即將供電電源經一自耦式變壓器降至70V左右進行維修，這種維修方法可完全避免了因電路存在隱患而再度損壞元件的現象，一般正常的開關電源（並聯式），在70V左右的供電壓就能正常起振工作，慢慢調整自耦變壓器的輸出電壓，開關電源的輸出電壓都應固定在其預設的電壓值上不變，如果開關電源的輸出電壓隨輸入電壓的變化而變化，則表明其穩壓部分電路有問題；如果沒有電壓輸出則表明振盪電路部分有問題．
第一種情況：我們以並聯型光耦控制穩壓式開關電源為例，討論一下其維修方法．當開關電源不能正常穩壓時，第一步是要確認引起故障的部位，簡單快捷的方法是：將光耦件熱地端的兩控制腳短路，如果電路進入停振狀態，則表明故障在取樣比較部分電路，取樣比較電路有問題多半是比較IC和光耦件損壞所至（比較IC損壞多數會引起光耦件同時損壞），如果是控制電路問題，如控制晶體管損壞，在晶體管的代換上一定要注意晶體管的參數．
第二種情況：電路不起振，當確信供電電壓正常時，首先檢查啟動電阻（即跨接在311伏電源與主振功率管基極之間的電阻是否開路或變直，另外要考慮到不起振是否是由於保護電路動作所引起，如STRS6309的第6腳電壓（正常為0V），STR50213的第5腳（正常時100V左右）TEA2261的第3腳（正常時為0V），TDA4601的第5腳等等，如果是保護電路引起停振，一般在開機的瞬間電路能正常起振，可通過此點來進行判別，另外當控制電路有問題（如控制管擊穿）也會引起電路停振．其實開關電源電路是比較簡單的電路，只要分清主振電路，保護電路和比較穩壓電路三者的聯接關系，維修起來就覺容易了．

四、彩電電源故障檢修三例

例1：故障現象一台C541型金星彩電，開機後伴音正常，屏幕圖像上、下部分各出現有一條寬亮帶，並向上緩慢移動，圖像隨亮帶的移動兩邊出現波浪式扭曲。將頻道置於AV時，屏幕中間出現黑、白亮帶，而且固定不變。
分析與檢修根據故障現象判斷，故障發生在電源電路。主要故障原因是電源50Hz干擾。打開機殼後，測得C732電容器兩端110V電壓正常。但測得C706電容器兩端的280V電壓明顯偏低，只有200V左右。焊下C706電容用三用表×1kΩ電阻擋測量檢查充、放電性能，發現此電容器失效，只有幾百kΩ的固定電阻值。換一隻同類型電容器後，故障排除。
例2：故障現象一台日立牌CPT2177／DU型遙控彩色電視機，開機電源啟動時好時壞，好時收看一切正常；不正常時，開機後聽到機內有「吱」的響聲，電源指示燈閃亮一下隨「吱」的聲音消失而熄滅，有時連續多次啟動也不成功。
分析與檢修檢修時，首先測量C909電容器兩端開機瞬間的110V電壓變化情況，發現此電壓沒有擺幅，近似於零伏。再測C906電容器兩端280V電壓正常。斷開負載迴路，接一7．5W電烙鐵做假負載，開機故障依舊，判斷故障發生在電源部分。根據電路原理圖分析，將保護電路上的支路電阻R907斷開，此時不接負載，開機試驗110V電壓恢復正常。當接上負載迴路時，短時間監測電壓也正常。對Q902可控硅及外圍元件測量檢查未發現問題。經過分析，故障原因最大可能是可控硅性能變差，導致造成電源誤保護。換一同型號可控硅，故障排除，電視機恢復正常。
從彩色電視機在我國普及以來，彩色電視機的電源電路是損壞率最高、檢修難度最大的一部分電路。彩色電視機電源雖然幾經改進，已趨於穩定可靠，但仍因種種原因常發生故障。因此，了解彩色電視機開關電源電路常用故障形式，解析實際電路中的性能要求及故障檢修思路，揭示電源電路檢修技術的奧秘。