調光電路分析

㈠ 晶閘管調光電路原理

工作原理：晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。

晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極。晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發電流。其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。

它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字元號為「V」、「VT」表示（舊標准中用字母「SCR」表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應用於可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。

(1)調光電路分析擴展閱讀

晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極體和一個NPN型三極體的復合管當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。

因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門機電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。

㈡ 晶閘管調光電路的工作原理

晶閘管調光電路的工作原理：
晶閘管在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。

晶閘管為半控型電力電子器件，它的工作條件如下：
1. 晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處於反向阻斷狀態。
2. 晶閘管承受正向陽極電壓時，僅在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。這時晶閘管處於正向導通狀態，這就是晶閘管的閘流特性，即可控特性。
3. 晶閘管在導通情況下，只要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何，晶閘管保持導通，即晶閘管導通後，門極失去作用。門極只起觸發作用。
4. 晶閘管在導通情況下，當主迴路電壓（或電流）減小到接近於零時，晶閘管關斷。
晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又被稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電氣公司開發出世界上第一款晶閘管產品，並於1958年將其商業化；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和控制極； 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應用於可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。

㈢ 請問，我有一道題關於單片機pwm調光的，具體電路見下圖，輸出三極體的部分分析一下，詳細一點啊。原理

Q1導通燈亮，這個好理解！
Q2的作用是在Q1截止時Q2導通，放掉迴路中的電流。
如果沒有Q2的存在Q1截止後燈是緩慢變暗的，當PWM頻率高的話，還沒等燈變暗Q1又導通了，所以就調光就不明顯了！

㈣ 調光台燈電路原理圖工作原理

電源接通後，Vc通過可變電阻器RP向電容充電，隨著電容充滿，滿足單結晶體管的導版通權條件，單結晶體管導通，電容C上的電壓通過R2放電並在R2兩端輸出一個很窄的正脈沖去導通單向晶閘管（一旦導通後控制極失去控制要關斷總電源才有效），隨著電容C放電，Uc下降，下降到一定值時單結晶體管截止，放電結束，此後電源Uc又通過RP向電容C充電，重復上述過程形成張弛振盪現象，這樣就在R2上形成正脈沖，調整RP阻值的大小，可改變電容C的充電常數，從而調整輸出脈沖的頻率。

㈤ 電阻調光電路原理

電阻調光原理:可變電阻與燈泡串聯在電路中，通過改變電阻阻值大小，實現對其工作電流大小的改變。從而改變了燈光亮度，實現調光。

㈥ 調光台燈電路原理分析，想知道圖中VT1和VT2的作用，和可控硅是怎樣控制燈泡EL的，以及電容C2和

當電源接通時，在整流橋右邊得到上正下負約220V脈動直流電壓，一路加到單向可控硅的陽極，一路經R1限流由穩壓管VS1.VS2穩壓得到24V電壓，一路由RP到VT2發射極。一路經R4加到VT1集電極，R3是VT2的偏置電阻，VT2是共基極放大，VT1共集電極射極輸出，R4為負載電阻，調整RP阻值即調VT2VT1放大輸出在R4產生的觸發電壓高低，這個電壓同時加到可控硅的G極，從而控制可控硅的通道電流，。反饋到左邊燈泡電流大小改變其亮度達到調光目的，C2的作用是調整PR時使VT2射極得到相對平滑變化的電壓。
僅供參巧

㈦ 晶閘管調光電路的電路原理圖

給你這個簡單的調光電路，最大可帶500W。
晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡版稱，又可稱做可控硅整流器，權以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電氣公司開發出世界上第一款晶閘管產品，並於1958年將其商業化；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極； 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應用於可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。

㈧ 無極調光電路原理

無極調光電路原理:

本電路採用雙向可控硅（雙向晶閘管）來調光，可以讓光線從弱到強均勻變化。雙
向可控硅的外形和三極體一樣，很多朋友會誤以為可控硅也是和三極體一樣，是類似於基極電流控制三極體分壓限流來完成調光的。說出來不怕大家笑，至少站長十幾年以前有好幾年就是這樣認為的，畢竟，通過自學在很多方面的突破都是有一定困難的，那時學習條件也很差，很多都是停留在想像狀態，很少有書講得詳細，很少提到重點。
可控硅和三極體的共同點在於：都是電流控制器件，都可以起到開關作用；不同點在於：三極體需要電流持續控制，可精確控制，可控硅導通後可以撤消控制電流，控制電流失去控製作用，負載電流取決於負載大小，可控硅在無控制電流和負載電流情況下會自動關斷。因此，可控硅控制電流又稱觸發電流。這是可控硅的重點，如果大家認真理解並實踐製作實驗，這一關就過了。

電路原理圖和可控硅97A6的資料：

本調光電路採用交流220V供電，可控硅會在每個電壓交變（正懸波的0電位）時
自動關斷。平時由於R1、W、C1、R2、C2、R3的移相延時作用，會使觸發電流來得比較遲， 這是因為電壓通過電阻給電容充電，電容兩端的電壓相位會滯後產生延時，當W的阻值調至最小時，R1和C1組成第一級延時，R2和C2組成第二級延時，但是，由於R1、R2的阻值很小，當A端電壓上升時，T1的控制極仍能很快產生觸發電流導通，讓負載有電流通過；但是，當W的阻值調節到最大時，C1、C2上的電壓上升很慢，T1甚至在正半周結束了還沒有導通，這樣負載就沒有電流通過。通過調節W的阻值，可以調節可控硅在每個交流電半周期的導通時間的長短，從而達到調節負載消耗功率來起到調光的作用。
交流電壓的負半周工作情況和正半周情況相同，僅僅是電壓極性不同而已。由於可控硅是工作在開關狀態，可控硅本身消耗的功率很小，從而效率很高，本製作元件包配用的97A6可控硅，外形和9014的三極體一樣大，但是可以控制100W的燈泡（理論值220V時可以控制220W），如果換成用三極體串聯分壓限制電流的原理來控制調光的話，那得需要一個幾十W的大功率三極體才行，光散熱片的成本就高得不得了

㈨ 簡述調光燈工作原理

電源接通後，Vc通過可變電阻器RP向電容充電，隨著電容充滿，滿足單結晶體管的導通條件，單結晶體管導通，電容C上的電壓通過R2放電並在R2兩端輸出一個很窄的正脈沖去導通單向晶閘管（一旦導通後控制極失去控制要關斷總電源才有效），隨著電容C放電，Uc下降，下降到一定值時單結晶體管截止，放電結束，此後電源Uc又通過RP向電容C充電，重復上述過程形成張弛振盪現象，這樣就在R2上形成正脈沖，調整RP阻值的大小，可改變電容C的充電常數，從而調整輸出脈沖的頻率。

㈩ 調光電路 工作原理 其中的原件各有什麼作用

調光電路的工作原理主要部分就是由一個雙向可控硅和由可調電阻，電容和雙向二極體組成的觸發電路，此電路採用220V交流供電，交流電正半周通過電位器VR4和電阻R19向電容C23充電，隨著電容C23上的充電電壓升高，達到雙向觸發二極體DB1的正向轉折電壓時，二極體呈低阻態導通。

從而觸發可控硅導通，至過零時截止，雙向觸發二極體是一個當兩端電壓達到一定值時就會導通，不管是正向還是反向，所以在負半周到來時，電容被反向充電，當反向電壓達到雙向二極體的轉折電壓時，也可觸發可控硅。

這樣，只需調節電位器阻值，就可以改變RC充電時間常數，進而改變可控硅的導通角，達到調壓的目的。

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調光電路的應用

用光電耦合器作固體繼電器具有體積小、耦合密切、驅動功率小、動作速度快、工作溫度范圍寬等優點。一個光電耦合器用作固體繼電器的實際電路圖，它的左半部分電路可用於將輸入的電信號Vi變成光電耦合器內發光二極體發光的光信號。

而右半部分電路則通過光電耦合器內的光敏三極體再將光信號還原成電信號，所以這是一種非常好的電光與光電聯合轉換器件。光電耦合器的電流傳輸比為20%，耐壓為150V，驅動電流在8～20mA之間。

在實際使用中，由於它沒有一般電磁繼電器常見的實際接點，因此不存在接觸不良和燃弧打火等現象，也不會因受外力或機械沖擊而引起誤動作。所以，它的性能比較可靠，工作十分穩定。