力士K8电路

A. 电路图上的T1T2的T代表什么

T1 、T2 是延时触点，你下袭载一份电气符号大全对照。

http://wenku..com/link?url=_wuUC8hQ8SKDTar-HVIyANJxKdvGQAo6iKYax_M5WMgFNr8SpJjCIuyvYS

有的资料图例画的不好，你多搜索几种资料，或者直接网络图片搜索。

对触点的专业名称不理解的再搜索详细的解释，知道栏目都有现成的答案。

B. 交通灯控制电路

http://wenku..com/link?url=2vC9k8unWaRvUkitxEVMFA9IME2i-0kUxsZEEZhy9q--UMDauYRFatAWbnPMegwksEZny

首先分析我们要设计的这个交通灯控制电路的功能有以下几点：1、可回以控制主干道与支干道的答信号灯的明暗，2、可以对主干道与支干道的信号灯亮的时间进行倒数计时。因此我们可以知道此电路应包含振荡电路、计数器电路、译码显示、主控制电路和信号灯译码驱动器等五个部分，并分析其原理图如图1所示并作出以下两种方案。

C. tgbi电路

IGBT栅极驱动电路的特性分析和应用 2009-07-03 16:23 摘要: 详细叙述了功率绝缘栅双极型晶体管 IGBT 对驱动电路的特殊要求以及设计驱动电路应该考虑的问题 , 概述了 IGBT 驱动电路的常用类型 , 并给出了几个具有实用意义的典型电路。 关键词 : 绝缘栅双极型晶体管 (IGBT); 特性 ; 分立驱动电路 ; 集成驱动电路 1 前言 以MOS 与双极型晶体管结合产生的绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 具有电压型驱动、驱动功率小、开关速度高、饱和压降低和可耐高电压、大电流等一系列应用上的优点 , 表现出良好的综合性能。 IGBT 已经逐步取代了电力晶体管 (GTR), 并在许多领域中逐步取代电力场效应晶体管 (MOSFET) 。然而 ,IGBT 良好特性的发挥往往因其栅极驱动电路设计上的不合理 , 制约着 IGBT 的推广及应用。本文分析了 IGBT 对其栅极驱动电路的要求 , 并介绍了部分栅极驱动集成电路的应用。 2 IGBT 栅极驱动电路的特性 IGBT 栅极驱动条件与 IGBT 的特性密切相关 , 设计栅极驱动电路时 , 应特别注意开通特性、负载短路能力和 ce/dt 引起的误触发。此外 , 当 IGBT 出现过电流故障时 , 由于其抗浪涌能力有限 , 当器件电流过大时 , 会产生不可控的擎柱效应而失去关断能力 , 因此电路的过电流保护必须很快 , 避免短路电流上升到擎柱状态。但是如果关断速度过快 , 将会造成 di/dt 过大形成很高的电压尖峰 , 损坏器件或设备中其它元器件。 因此应该采取先降栅压 , 再软关断的方法。基于以上分析 ,IGBT 栅极驱动电路应该具有以下特性 [1]: 1) 栅极驱动电压脉冲的上升率和下降率要充分大 , 以减小开通和关断损耗。但是 , 由于主电路中存在分布电感及滤波电容的串联电感 , 随着 IGBT 的超速开通与关断将在电路中产生高频幅值很高而宽度很窄的尖峰电压 Ldi/dt, 该尖峰电压应用常规的过电压吸收电路是吸收不掉的 , 因而有可能造成 IGBT 自身或电路中其它元件过电压击穿而损坏 , 所以主电路应尽可能使用短引线或双绞线降低分布电感的影响 , 而且 IGBT 开关时间也不能过分短 , 其值应根据所有元件及 IGBT 自身的承受 /dt 的能力综合考虑 ; 2)IGBT 导通后 , 栅极驱动电路提供给 IGBT 的驱动电压和电流要具有足够的幅值维持 IGBT 处于饱和状态 , 且当 IGBT 瞬时过载时 IGBT 不退出饱和区而损坏 ; 3) 栅极驱动电路提供给 IGBT 的正向驱动电压 +UGE 应取值适当。因为 , 虽然 +UGE 增加时 ,IGBT 输出级晶体管的导通压降 UCE 和开通损耗值将下降。但是 , 在负载短路过程中 ,IGBT 的集电极电流也随着 +UGE 的增加而增加 , 并使 IGBT 承受短路损坏的脉宽变窄 ; 4)IGBT 栅射极施加的反向偏压有利于其快速关断 , 但反向负偏压 -UGE 受 IGBT 栅 - 射极之间反向最大耐压的限制 , 过大的反向电压会造成 IGBT 栅 - 射极的反向击穿 , 所以 -UGE 应取合适的值 , 一般为 -2-15V; 5) 由于 IGBT 内寄生晶体管、寄生电容的存在 , 使栅极驱动与 IGBT 损坏时的脉宽有密切的关系 , 这就要求在设计驱动电路时合理地处理这种关系 ; 6) 由于 IGBT 多用于高电压场合 , 所以驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离 ; 7)IGBT 的栅极驱动电路应尽可能的简单、实用 , 最好自身带有对驱动 IGBT 的完整保护能力及很强的抗干扰性能 , 而且输出阻抗应尽可能的低 ; 8) 由于栅极信号的高频变化 , 为防止造成同一个系统多个 IGBT 的栅极驱动电路捆扎在一起很容易相互干扰 , 引线应采用绞线或同轴电缆屏蔽线 , 同时栅极驱动电路中 IGBT 模块栅 - 射极的引线应尽可能的短。 3 IGBT 栅极驱动电路的应用 IGBT 栅极驱动电路有多种形式。按照驱动电路元件的组成可分为分立元件组成的驱动电路和集成化的驱动电路 ; 按照驱动方式可分为直接驱动和隔离驱动。以下分别阐述各种驱动电路的工作原理及特点。 3.1 分立元件驱动电路 1) 直接驱动电路 如图1 所示 , 为了使 IGBT 稳定工作 , 一般要求双电源供电方式 , 即驱动电路要求采用正、负偏压的双电源方式 , 输入信号经整形器整形后进入放大级 , 放大级采用有源负载方式以提供足够的门极电流。为消除可能出现的振荡现象 ,IGBT 的栅射极间接入了 RC 网络组成的阻尼滤波器。此种驱动电路适用于小容量 , 开关频率较低的 IGBT; 2) 耦合驱动电路 耦合驱动电路常见的有变压器耦合和光电耦合两种 , 如图 2 、图 3 、图 4 所示。图 2 是最简单的变压器隔离驱动电路 , 适用于小容量的 IGBT 。图 3 为光电耦合隔离驱动电路 , 采用双电源供电的方式。当 UG 使发光二极管有电流流过时 , 光电耦合器 HU 的二极管导通 ,R1 上有电流流过 , 场效应管 T1 关断 , 在 VC 的作用下 , 经电阻 R2 、 T2 管的基 - 发射器有了偏流 ,T2 迅速导通 , 经 RG 栅极电阻 ,IGBT 得到正偏而导通。当 UG 没有脉冲电压时 , 发光二极管不发光 , 作用过程相反 ,T1 导通使 T3 导通 ,-VC 经栅极电阻 RG 加在 IGBT 的栅射极之间 , 使 IGBT 迅速关断。图 4 是一个具有完善短路保护功能的 IGBT 驱动电路。高速光耦 6N137 实现输入输出信号的电隔离 , 它的传输信号的时间只有 75ns 适合高频应用场合。 V2 、 V3 、 V4 构成驱动脉冲放大环节。利用集电极退饱和原理 ,D2 、 R6 、 V1 、 R4 构成短路信号检测环节 , 其中 D2 采用快恢复二极管 , 是为了防止 IGBT 关断时其集电极上的高电压窜入驱动电路。 A1 、 A2 、 V5 组合实现短路信号门限电压比较以及延时缓降栅压功能。 V6 、 V7 、 LMC555 、 CD4081 组合实现延时封锁输入信号功能。 A1 、 A2 采用高速电压比较器 LM319, 提高了保护电路的反映速度。调整 VZ1 的稳压值可以调节保护动作的短路电流门限值 ;C4 、 R9 的参数决定降栅压动作的延迟时间 ;C5 、 VZ5 的参数决定封锁输入信号的延迟时间 ;C3 是控制缓降栅压斜率的电容器 [2] 。 正常工作状态时 , 控制电路送来高电平脉冲信号 ,6N137 导通 ,V1 、 V2 截止 ,V3 导通 , 驱动电路向 IGBT 提供 +15V 的栅极驱动信号。控制电路送来脉冲低电平信号 ,6N137 关断 ,V1 、 V2 导通 , 由于 IGBT 的发射极接地 , 故 V4 导通 ,IGBT 获得 -5V 的栅极驱动信号。当短路故障时 ,IGBT 集电极退饱和 ,A 点电位升高。当短路电流超过额定值时 ,A1 反转输出高电平 ,V5 延时 2.5Ls 导通 ,B 点电位缓慢下降 ,IGBT 的栅极驱动电压随之缓慢下降 , 延长了 IGBT 的短路电流承受时间。这部分电路实现了延时缓降栅压功能。 V5 导通 ,V6 截止 , 如果短路信号再维持 7Ls, 则 LMC555 反转输出高电位 ,V7 导通 , 通过与门 4081 封锁输入信号 ,IGBT 被保护中断。如果在 LMC555 反转之前 , 短路故障自动消失 , 则 B 点电位将恢复到 +15V 。 3.2 IGBT 集成化驱动电路 IGBT 的集成栅极驱动器种类繁多 , 几乎各生产 IGBT 模块的公司都推出了自己的配套驱动器。如 HL402[3] 就是一个保护功能齐全的 IGBT 厚膜集成驱动器。 HL402 具有先降栅压、后软关断的双重短路保护功能 , 降栅压延迟时间、降栅压时间、软关断斜率均可通过外接电容器进行整定 , 因而能适应不同的饱和压降 IGBT 的驱动和保护。 HL403A(B) 是在 HL402A(B) 的基础上改进电路设计及工艺 , 采用高新技术制作的厚膜集成驱动器 , 它在外加功率放大单元后可直接驱动 600A 、 1200V 的电力 IGBT, 且本身又具有 HL402A(B) 的所有功能 , 并且其典型接线的电参数、各主要引脚的波形及外配元器件的选用与 HL402 完全相同。 EXB841[4] 具有过电流保护电路 , 采用了检测集电极电压判断故障和软关断技术。以上 3 种驱动模块在许多文章中都有详述 , 本文不再赘述。 下面介绍一种具有保护及定时复位功能的厚膜集成驱动模块 M57959AL, 它是厚膜混合集成电路 , 内置具有良好电器隔离的光耦合器 , 可以可靠驱动 IGBT 。它可以直接驱动 UCES=600V 、电流容量在 200A 以内的 IGBT 模块及 UCES=1200V 系列、电流容量在 100A 以内的 IGBT 模块。 M57959AL 的内部结构和工作原理如图 5 所示 [1][5] 。它的设计特点 : 1) 采用双电源驱动技术 ; 2) 内部集成具有输出端口的内置短路保护电路 ; 3) 输入与 TTL 电平兼容 ; 输入与输出间用光电耦合器实现电气隔离 , 绝缘电压为 2500V,1min 。 M57959AL 应用技术如图 6 和图 7 所示 , 分别是单电源和双电源工作典型接线图 , 应用中应该特别注意 以下问题 : 1) 引脚 3 、 7 、 9 、 10 是用于测试的 , 所以使用中不允许与外部电路相连接 ; 2) 电压补偿电容器与它之间的连线应尽可能短。接于高压与引脚 1 之间的快恢复二极管 VD1 的反向耐压应与功率模块的耐压相同 ; 3) 作为钳位保护措施应在引脚 1 和 6 之间接入一稳压二极管。如果引脚 2 处于工作状态 , 引脚 2 、 4 之间的引线应尽可能的短 ( 标准长度 [5cm); 4) 单电源供电时应特别注意 , 只有当提供的工作电源 UCC 确已施加到该驱动器 , 并且延时 >R1Cref 的时间常数后 , 才可以向该驱动器的输入端输入驱动 IGBT 导通的信号 ; 5) 图 6 中 Ucc=25V,Ctrip=100LF,R1=2.7k8 。图 7 中 Ucc=15V,Uee=-10V,Ctrip=1000pF,C1 、 C2\100LF, 并且是高质量的无感电容。 4 结束语 IGBT 对驱动电路有一些特殊要求 , 驱动电路性能的优劣是其可靠工作、正常运行的关键所在 , 高性能驱动电路的开发和设计是其应用的难点。本文详细分析了 IGBT 栅极驱动电路的特性 , 并给出了各种驱动电路的实例 , 这些电路具有较高的实用价值。 随着功率 IGBT 应用的日益广泛和制造技术的不断提高 , 必将在工农业和国防等方面发挥愈来愈大的作用。

D. 格兰仕微波炉G8023DTL-K8故障

我是格兰仕员工
我建议你拿回公司售后服务部

E. RC电路的延迟原理是什么 求详细解答 可以以下图为例

就是利用大学里的电路基础的RC电路充电时暂态过程形成的时限，用你的图简单来说就回是当保答护启动后接通回路的正电源，电容开始充电，一定延时后电压达到足够值，先后启动K4K3K2K1，再有K1常开接点经电容延时启动K8后跳闸出口

F. 美的电磁炉sk2115x断续加热240K820K电阻可调5uF 0。3uF都是好的请高手赐教

这位朋友是想问 为什么会出现断断续续加热
解答如下：

大部分美的电磁炉都在LM339的6，脚，要正常有一个黄金数据点，就是7脚电压必须比6脚至少高0.2V,哪怕只高0.17V也会出现奇怪的故障。你查那些大电阻虽然看起来是正确的，但你不要忘记了。下面那个几K的电阻，哪怕只升高了2K，也会改变6，7脚之间的电压差。而几K的误差往往正好在万用表的误差范围之内。所以用万用表检查往往是好的，而且一般也认为这个电压肯定是正确的。但实际上，这正是关键所在。对于我们维修人员来说要找到精确的五环电阻几乎是不可能完成的任务，所以有时候就要灵活更换了。
还有要说明的是，同样6，7脚的电压差也不要相差太多，否则会出现更古怪的故障。
有许多电磁炉与美的的这个特点很相似，但也有很不一致的，比如万利达电磁炉就不是这样。它是另一种很有特色的电磁炉。
很多修理人员必须关注的是一些关键点的电压值，但对于电磁炉来说更重要的是电压差。这个同步电路就是如此 如果理解了这一点就能够修理好很多故障，完全不用电路图就能够轻松快速修理好大部分问题。
电磁炉不捡锅快修；
修不检锅的电磁炉，对熟手来说是轻而易举的事，但新手往往会觉得较难查，而很容易误判为MCU损坏。针对这一情况，我把平时积累得的一点经验说给大家听听，同时也是为了能与大家多多交流，相互提高自己的技术水平。
对不检锅的电磁炉，我把常见的故障归为以下三类：
1、300V 滤波电容不良造成主电压过低而使同步电路检测到的电压不正常。
2、同步电路的大功率电阻变质或开路导致检测电路不正常。
3、PWM 脉冲信号失常而不检锅。（检查PWM脉冲的方法简单，就是找一小型的变压器，在初级上接一只发光二极管，放在电磁炉的发热盘上后开机，发光二极管有闪光说明PWM脉冲正常，无反应则不正常）
下面着重讲一下第三点，在没有图纸的情况下怎样才能快速准确地找出 PWM 脉冲信号进出方向呢？这就先要了解好 LM339 的内部框图1、先找到两驱动管的基极，再看其与LM339的哪个脚相连。
2、根据LM339的内部框图可以看到与其相关的另外两个脚，这两个脚必定有一个是通往MCU的，通往MCU的这一脚就是 PWM 脉冲信号的输入脚。
3、找出该脚后问题就简单了，下一步可先断开 D20 后测量MCU输出的PWM脉冲信号是否来判定故障位置。到这里后，其它具体的检测步骤就不用再说了，相信有一点基础知识的朋友都知道该怎么去查了。
4、还有一个关键点，就是B点与D点是相连的（1与5脚），1脚与6、7脚相关，如6、7脚的电压产生变化，那么1脚的电压也会随之变化，PWM 脉冲信号必然会受到影响。最常见的也就是这个问题，就是6、7脚之间的绦纶电容（2A222J）不良造成不检锅。
希望对你有帮助