放闩锁电路

㈠ 电视电源部分原理

一、开关电源的组成

一般的开关电源是由振荡电路、稳压电路、保护电路三大部分组成．
1．振荡电路：开关电源振荡电路分为晶体管振荡电路和集成块振荡电路，如ＳＴＲ－Ｓ系列ＩＣ，ＴＥＡ2104，ＴＤＡ4601，ＴＤＡ4605，ＴＤＡ2261等等．
2．稳压电路：开关电源的稳压原理均采用脉冲调宽式的稳压方式，即通过自动改变开关功率管的关闭和导通时间的比例，或通过改变振荡器输出脉冲的占空比来达到稳压的目的．稳压部分的电路由取样、比较、控制三个部分组成，很多机芯此部分电路是采用ＩＣ（如ＳＥ110等ＩＣ）和光耦件组合而成，而有些机芯则用分立元件组成（多为国产机），而有些机芯采用的电源ＩＣ本身就集成了这部分电路（如部分串联型开关电源ＩＣ）．
3．保护电路：彩电开关电源都设有保护电路，其保护方式均是使电路停振。有过流保护、过压保护和欠压保护（短路保护），还有过热保护。
过流保护电路其过流取样点，大部分电视机中都是在主振功率管的发射极电位上。
过压保护电路的取样点一般取自２20Ｖ交流经整流滤波后的电压或主负载供电电压，通过一个齐纳二极管（稳压管）来进行取样判别。
短路保护电路的取样点一般在稳压电源输出的低压组电源上．通过一个二极管来进行判别取样．在ＩＣ式开关电源中，有部分机所采用的电源ＩＣ内部设有“闩锁电路”，这个“闩锁电路”实际上是一个保护执行电路，各取样点送来的信号，通过它执行对电路的停振控制，引起开关电源故障的成因很多，限于篇幅这里就不一一列举，这里我们只谈谈其基本维修方法。

二、彩电电源检修要领

彩电电源的损坏在彩电维修中占有很大的比例。各种各样的故障往往是由电源产生的。如：屏幕Ｓ扭，有水平条纹从上而下或从下而上，工作一会就关机，＋Ｂ输出偏高偏低，屡烧电源管，屡烧行管，开机要烧很久才有电源，机内有严重的吱吱叫声，等等。
检修电源的方法很多。在这拿三洋电源作介绍。电源出故障，打开机盖，动用我们的嗅觉－－闻机内有无异味。看机内有无严重的烧坏痕迹。特别是爆裂元件，可以从有明显变化的元件着手。在这告诉同行一个好办法来判断：滤波后的＋300Ｖ会在几秒之内消失，表示电源基本工作正常，这为负载短路。300Ｖ总是不变为起动电路开路。消失的很慢振荡或激励电路不正常。
建议加假负载检修，（切断场供电，短路行推动变压器，切断伴音供电。注意三洋电源不能在＋Ｂ整流上切除，因为其稳压取样电路与之相连，否则会造成＋Ｂ过高而烧坏其它元器件。）
出现三无首先测电源管Ｂ极电压，可由其电压来反映电源具体工作情况，1：Ｂ极无电压－－起动电阻或电容开路，激励管短路。2：为正电压－－激励电路或反馈电路没有工作，3：为负电压，由此可以看出－－电源基本工作正常，有可能保护电路保护或负载短路。
其次反馈电路，振荡电路，这主要由于三极管因内和外在原因所致。如：电阻变大，三极管性能变差等。发现有某一三极管击穿，与之相连的元件必须复查清楚，最好相连电容三极管之类全部更换，以免后患。
取样稳压电路有的在原边有的在副边，当＋Ｂ偏高或偏低一般为取样电路故障，这部分元件少易排除。在此特别提醒：在三洋电源中由Ｒ554（150Ｋ电阻）阻值变大造成＋Ｂ过高烧坏行管甚至ＣＲＴ的特别多，建议在＋Ｂ上接一Ｒ2Ｍ加以保护。
另外电源部分的小电解电容视损坏程度的不同表现不同的故障主要有＋Ｂ太高，开机吱吱叫但＋Ｂ正常，开机吱吱叫随着叫声的减小而＋Ｂ慢慢升高，屡损开关管等。
同时我们还要注意保护电路的影响。在怀疑保护电路有故障时切除任何一个保护端必须作可靠的保护措施。在这再以提醒加假负载检查。

㈡ 闩锁效应的原理分析

Q1为一垂直式PNP BJT, 基极(base)是nwell, 基极到集电极(collector)的增益可达数百倍；Q2是一侧面式的NPN BJT，基极为P substrate，到集电极的增益可达数十倍；Rwell是nwell的寄生电阻；Rsub是substrate电阻。
以上四元件构成可控硅（SCR）电路，当无外界干扰未引起触发时，两个BJT处于截止状态，集电极电流是C-B的反向漏电流构成，电流增益非常小，此时Latch up不会产生。当其中一个BJT的集电极电流受外部干扰突然增加到一定值时，会反馈至另一个BJT，从而使两个BJT因触发而导通（通常情况下是PNP比较容易触发起来），VDD至GND（VSS）间形成低抗通路。之后就算外界干扰消失，由于两三极管之间形成正反馈，还是会有电源和地之间的漏电，即锁定状态。Latch up由此而产生。
产生Latch up 的具体原因
1. 芯片一开始工作时VDD变化导致nwell和P substrate间寄生电容中产生足够的电流，当VDD变化率大到一定地步，将会引起Latch up。
2. 当I/O的信号变化超出VDD-GND（VSS）的范围时，有大电流在芯片中产生，也会导致SCR的触发。
3. ESD静电加压，可能会从保护电路中引入少量带电载子到well或substrate中，也会引起SCR的触发。
4.当很多的驱动器同时动作，负载过大使power和gnd突然变化，也有可能打开SCR的一个BJT。
5. Well 侧面漏电流过大。
防止Latch up 的方法：
1.在基体（substrate)上改变金属的掺杂，降低BJT的增益
2.避免source和drain的正向偏压
3.增加一个轻掺杂的layer在重掺杂的基体上，阻止侧面电流从垂直BJT到低阻基体上的通路
4. 使用Guard ring: P+ ring环绕nmos并接GND；N+ ring环绕pmos 并接VDD，一方面可以降低Rwell和Rsub的阻值，另一方面可阻止载流子到达BJT的基极。如果可能，可再增加两圈ring。
5. Substrate contact和well contact应尽量靠近source,以降低Rwell和Rsub的阻值。
6.使nmos尽量靠近GND，pmos尽量靠近VDD,保持足够的距离在pmos 和nmos之间以降低引发SCR的可能
7.除在I/O处需采取防Latch up的措施外，凡接I/O的内部mos 也应圈guard ring。
8. I/O处尽量不使用pmos(nwell)
COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。
防御措施：
1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过规定电压。
2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
3）在VDD和外电源之间加限流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路的电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。

㈢ 什么是闩锁效应

闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻，使寄生的三极管不会处于正偏状态。 静电是一种看不见的破坏力，会对电子元器件产生影响。ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应（latch-up）是半导体器件失效的主要原因之一。如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上，则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏。很细的金属化迹线会由于大电流而损坏，并会由于浪涌电流造成的过热而形成开路。这就是所谓的“闩锁效应”。在闩锁情况下，器件在电源与地之间形成短路，造成大电流、EOS（电过载）和器件损坏。 MOS工艺含有许多内在的双极型晶体管。在CMOS工艺下，阱与衬底结合会导致寄生的n-p-n-p结构。这些结构会导致VDD和VSS线的短路，从而通常会破坏芯片，或者引起系统错误。
例如，在n阱结构中，n-p-n-p结构是由NMOS的源，p衬底，n阱和PMOS的源构成的。当两个双极型晶体管之一前向偏置时（例如由于流经阱或衬底的电流引起），会引起另一个晶体管的基极电流增加。这个正反馈将不断地引起电流增加，直到电路出故障，或者烧掉。
可以通过提供大量的阱和衬底接触来避免闩锁效应。闩锁效应在早期的CMOS工艺中很重要。不过，现在已经不再是个问题了。在近些年，工艺的改进和设计的优化已经消除了闩锁的危险。Latch up 的定义�0�1 Latch up 最易产生在易受外部干扰的I/O电路处, 也偶尔发生在内部电路
�0�1 Latch up 是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和GND之间产生大电流
�0�1 随着IC制造工艺的发展, 封装密度和集成度越来越高,产生Latch up的可能性会越来越大
�0�1 Latch up 产生的过度电流量可能会使芯片产生永久性的破坏, Latch up 的防范是IC Layout 的最重要措施之一Latch up 的原理分析 Q1为一垂直式PNP BJT, 基极(base)是nwell, 基极到集电极(collector)的增益可达数百倍；Q2是一侧面式的NPN BJT，基极为P substrate，到集电极的增益可达数十倍；Rwell是nwell的寄生电阻；Rsub是substrate电阻。
以上四元件构成可控硅（SCR）电路，当无外界干扰未引起触发时，两个BJT处于截止状态，集电极电流是C-B的反向漏电流构成，电流增益非常小，此时Latch up不会产生。当其中一个BJT的集电极电流受外
部干扰突然增加到一定值时，会反馈至另一个BJT，从而使两个BJT因触发而导通，VDD至GND（VSS）间
形成低抗通路，Latch up由此而产生。产生Latch up 的具体原因�6�1 芯片一开始工作时VDD变化导致nwell和P substrate间寄生电容中产生足够的电流，当VDD变化率大到一定地步，将会引起Latch up。
�6�1当I/O的信号变化超出VDD-GND（VSS）的范围时，有大电流在芯片中产生，也会导致SCR的触发。
�6�1ESD静电加压，可能会从保护电路中引入少量带电载子到well或substrate中，也会引起SCR的触发。
�6�1 当很多的驱动器同时动作，负载过大使power和gnd突然变化，也有可能打开SCR的一个BJT。
�6�1Well 侧面漏电流过大。防止Latch up 的方法�6�1 在基体（substrate)上改变金属的掺杂，降低BJT的增益
�6�1 避免source和drain的正向偏压
�6�1 增加一个轻掺杂的layer在重掺杂的基体上，阻止侧面电流从垂直BJT到低阻基体上的通路
�6�1 使用Guard ring: P+ ring环绕nmos并接GND；N+ ring环绕pmos 并接VDD，一方面可以降低Rwell和Rsub的阻值，另一方面可阻止栽子到达BJT的基极。如果可能，可再增加两圈ring。
�6�1Substrate contact和well contact应尽量靠近source,以降低Rwell和Rsub的阻值。
�6�1使nmos尽量靠近GND，pmos尽量靠近VDD,保持足够的距离在pmos 和nmos之间以降低引发SCR的可能
�6�1 除在I/O处需采取防Latch up的措施外，凡接I/O的内部mos 也应圈guard ring。

㈣ 如何解决CMOS电路中的闩锁效应在现实生活中有什么具体的事例应用没有

请先整理一下问题吧，这个问题看不懂啊。
闩锁的特点：异常大电流；部分或全部功能暂时失效甚至永久失效；关闭电源才可以脱离闩锁状态。闩锁效应是CMOS的一个特点，理论上来说，CMOS电路都有闩锁可能，只是程度不同。
危害：频繁死机；电池待机时间急剧缩短；芯片发热严重；芯片烧毁。

㈤ 什么是Latch-up效应，试分析CMOS电路产生Latch-up效应的原因，通常使用哪些方法来防止或抑制Latch-up效应

Latch up 的定义
􀂃 Latch up 最易产生在易受外部干扰的I/O电路处, 也偶尔
发生在内部电路
􀂃 Latch up 是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线
GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互
影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和
GND之间产生大电流
􀂃 随着IC制造工艺的发展, 封装密度和集成度越来越高,
产生Latch up的可能性会越来越大
􀂃 Latch up 产生的过度电流量可能会使芯片产生永久性的
破坏, Latch up 的防范是IC Layout 的最重要措施之一
Latch up 的原理图分析
Latch up 的原理分析Q1为一垂直式PNP BJT, 基极(base)是nwell, 基极到
集电极(collector)的增益可达数百倍；Q2是一侧面式的
NPN BJT，基极为P substrate，到集电极的增益可达数
十倍；Rwell是nwell的寄生电阻；Rsub是substrate电
阻。
以上四元件构成可控硅（SCR）电路，当无外界干
扰未引起触发时，两个BJT处于截止状态，集电极电流
是C-B的反向漏电流构成，电流增益非常小，此时
Latch up不会产生。当其中一个BJT的集电极电流受外
部干扰突然增加到一定值时，会反馈至另一个BJT，从
而使两个BJT因触发而导通，VDD至GND（VSS）间
形成低抗通路，Latch up由此而产生。
CMOS电路中的寄生双极型晶体管部分出现闩锁，必须满足以下几个条件：
(1) 电路要能进行开关转换,其相关的PNPN结构的回路增益必须大于1
即 βnpn*βpnp >1，在最近的研究中,把闩锁产生的条件用寄生双极晶体管的有效注入效率和小信号电流增益来表达。即
(2) 必须存在一种偏置条件，使两只双极型晶体管导通的时间足够长，以使
通过阻塞结的电流能达到定义的开关转换电流的水平。一般来说，双极管的导通都是由流过一个或两个发射极/基极旁路电阻的外部激发电流所引起的。
(3) 偏置电源和有关的电路，必须能够提供至少等于PNPN结构脱离阻塞态
所需开关转换电流和必须能提供至少等于使其达到闩锁态的保持电流。
闩锁的触发方式：
(1) 输入或输出节点的上冲或下冲的触发，使第一个双极型晶体管导通，然
后再使第二个双极型晶体管导通。当流入寄生PNPN结构的总电流达到开关转换电流时，闩锁就发生。
(2) 当流过阱-衬底结的雪崩电流，光电流及位移电流，，同时通过两个旁路
电阻RW，RS时，旁路电阻较大的晶体管先导通。然而要使闩锁发生，第二个双极型晶体管必须导通。同时通过PNPN结构的总电流必须达到开关转换电流。
(3) 当出现穿通,场穿通时，低阻通路一般发生在电源和地线之间，或者发
生在电源和衬底发生器之间。在源-漏发生雪崩击穿的情况下，低阻通路发生在电源和信号线之间，或者发生在信号线和衬底发生器之间。这些来源于穿通，场穿通或漏结雪崩的电流，一旦PNPN结构的电流达到用取消被激发晶体管旁路电阻形成的三极管结构计算的开关转换电流时，至少会发生瞬时闩锁，若总电流也能达到四极管结构开关转换电流，即闩锁将维持下去。
闩锁的防止技术：
体硅CMOS中的闩锁效应起因于寄生NPN和PNP双极晶体管形成的PNPN
结构，若能使两只晶体管的小信号电流增益之和小于1，闩锁就可防止。一是将双极型晶体管的特性破坏掉，即通过改进CMOS制造工艺，用减少载流子运输或注入的方法来达到破坏双极型晶体管作用的目的，例如，掺金，中子辐射形成基区阻碍电场以及形成肖特基源/漏势垒等。二是将两个双极型晶体管间的耦合去掉，即防止一只双极管导通另一只双极管，这可通过版图设计和工艺技术来实现。版图设计去耦技术包括：
版图级抗闩锁措施：
(1) 加粗电源线和地线,合理布局电源接触孔,减小横向电流密度和串联电阻.
采用接衬底的环形VDD电源线,并尽可能将衬底背面接VDD.增加电源VDD和VSS接触孔,并加大接触面积.对每一个接VDD的孔都要在相邻的阱中配以对应的VSS接触孔,以便增加并行的电流通路.尽量使VDD和VSS的接触孔的长边相互平行.接VDD的孔尽可能安排得离阱远些.接VSS的孔尽可能安排在p阱的所有边上.
(2) 加多子保护环或少子保护环。其中多子保护环主要可以减少RS和RW；
少子环可以预先收集少子，减小横向三极管的β值，从而到达减小闩锁效应的目的。
工艺级抗闩锁措施：
(1) 降低少数载流子的寿命可以减少寄生双极型晶体管的电流增益，一般使
用金掺杂或中子辐射技术，但此方法不易控制且也会导致漏电流的增加。
(2) 倒转阱技术，可以减小寄生三极管的阱电阻，防止寄生三极管EB结导
通。倒转阱如下图所示：
(3) 另一种减少闩锁效应的方法，是将器件制作于重掺杂衬底上的低掺杂外
延层中。重掺杂衬底提供一个收集电流的高传导路径，降低了RS，若在阱中加入重掺杂的p+埋层(或倒转阱)，又可降低RW。实验证明,此方法制造的CMOS电路有很高的抗闩锁能力。
(4) 闩锁亦可通过沟槽隔离结构来加以避开。在此技术中，利用非等向反应
离子溅射刻蚀，刻蚀出一个比阱还要深的隔离沟槽。接着在沟槽的底部和侧壁上生长一热氧化层，然后淀积多晶硅或二氧化硅，以将沟槽填满。因为n沟道与p沟道MOSFET被沟槽所隔开，所以此种方法可以消除闩锁。
以上措施都是对传统CMOS工艺技术的改造，更先进的工艺技术如SOI(Silicon on Insulator)等能从根本上来消除闩锁产生，但工艺技术相对来讲要复杂一些。
电路应用级抗闩锁措施：
(1) 要特别注意电源跳动。防止电感元件的反向感应电动势或电网噪声窜入CMOS电路，引起CMOS电路瞬时击穿而触发闩锁效应.因此在电源线较长的地方,要注意电源退耦，此外还要注意对电火花箝位。
(2) 防止寄生晶体管的EB结正偏。输入信号不得超过电源电压，如果超过这个范围，应加限流电阻。因为输入信号一旦超过电源电压,就可能使EB结正偏而使电路发生闩锁。输出端不宜接大电容,一般应小于0.01uF.
(3) 电流限制。CMOS的功耗很低,所以在设计CMOS系统的电源时，系统实际需要多少电流就供给它多少电流，电源的输出电流能力不要太大。从寄生可控硅的击穿特性中可以看出，如果电源电流小于可控硅的维持电流，那么即使寄生可控硅有触发的机会，也不能维持闩锁，可通过加限流电阻来达到抑制闩锁的目的。
综上所述,CMOS电路具有其它电路无法比拟的低功耗的优点，是在ULSI领域最有前途的电路结构。但传统CMOS电路的工艺技术会产生与生俱来的闩锁效应(当然必须满足闩锁形成的三个条件)，从而限制了它的应用。一般可以从版图设计，工艺过程及电路应用等方面采取各种技术措施，尽可能地避免，降低或消除闩锁的形成，从而为CMOS电路的广泛应用奠定基础。
版图设计时，要尽量降低电路密度，衬底和阱的串联电阻，伪收集极的引入，可以切断形成闩锁的回路。设计工艺时，可以采用适量的金掺杂，深阱，高能离子注入形成倒转阱，低阻外延技术等来降低寄生晶体管的电流增益和串联电阻；沟槽隔离基本上可以完全切断形成闩锁的回路；更先进的SOI技术可以完全消除闩锁的形成。电路应用时,要尽量避免噪声的引入，附加限流电阻等措施。
防止闩锁效应方法的发展
掺金，中子辐照（会增加泄漏电流和影响成品率）——》介质隔离（增加成本）——》优化版图措施（多子或少子保护环，电源与地线布线技术）——》重掺杂衬底外延加重掺杂掩埋层技术

㈥ 闩锁效应的简介

闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻，使寄生的三极管不会处于正偏状态。 静电是一种看不见的破坏力，会对电子元器件产生影响。ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应（latch-up）是半导体器件失效的主要原因之一。如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上，则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏。很细的金属化迹线会由于大电流而损坏，并会由于浪涌电流造成的过热而形成开路。这就是所谓的“闩锁效应”。在闩锁情况下，器件在电源与地之间形成短路，造成大电流、EOS（电过载）和器件损坏。
MOS工艺含有许多内在的双极型晶体管。在CMOS工艺下，阱与衬底结合会导致寄生的n-p-n-p结构。这些结构会导致VDD和VSS线的短路，从而通常会破坏芯片，或者引起系统错误。
例如，在n阱结构中，n-p-n-p结构是由NMOS的源，p衬底，n阱和PMOS的源构成的。当两个双极型晶体管之一前向偏置时（例如由于流经阱或衬底的电流引起），会引起另一个晶体管的基极电流增加。这个正反馈将不断地引起电流增加，直到电路出故障，或者烧掉。
可以通过提供大量的阱和衬底接触来避免闩锁效应。闩锁效应在早期的CMOS工艺中很重要。不过，现在已经不再是个问题了。在近些年，工艺的改进和设计的优化已经消除了闩锁的危险。
Latch up 的定义
Latch up 最易产生在易受外部干扰的I/O电路处, 也偶尔发生在内部电路
Latch up 是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和GND之间产生大电流
随着IC制造工艺的发展, 封装密度和集成度越来越高,产生Latch up的可能性会越来越大
Latch up 产生的过度电流量可能会使芯片产生永久性的破坏, Latch up 的防范是IC Layout 的最重要措施之一

㈦ 闩锁效应是什么

闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。
如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上，则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏。很细的金属化迹线会由于大电流而损坏，并会由于浪涌电流造成的过热而形成开路。这就是所谓的“闩锁效应”。

㈧ 闩锁电路是触发器吗

摘要 您好，触发器是一类元器件的统称，闩锁电路的元器件构成里面有触发器的哈

㈨ 电视机电源怎么修

〈 一 〉 电视机是一部很复杂的机器。尤其是现在才生产的电视，那更是集成度很的收视设备，有的整个机器包括微处理器就只有一片集成电路。就原理上讲，电视机大致可包括如下几个部分： 1、电源。电源是整个电视机最重要的部分，它担负着为整个电视机各个部分提供能量的重任。它的工作流程是首先把220伏交流电转换为约300伏的直流电供开关电源工作；而开关电源则是把整流后的300伏直流电转换为几种电压：正110伏电压供行输出级使用；正26伏供场输出级使用；正19伏供伴音电路使用。正19伏电压还要经过稳压电路输出正12伏，供高频头、信号处理集成电路使用；还要输出正5伏电压供微处理器使用。正110伏电压还要经过降压、稳压电路输出正33伏电压，供高频头选台使用。 2、高频头。高频头是电视信号进入电视机的大门。从天线上或有线电视终端盒送入的电视信号首选进入高频头，经过高频头的处理选出我们所需要的电视信号并把它变为电视机容易放大的中频信号并输送给中频放大电路。高频头坏了，电视机不会接收电视信号，当然也不会产生图像。但的较强的澡波点。 3、中频放大电路。中频放大电路把高频头送出的我们所需要的中频电视信号放大到一定的幅度，并把图像信号和伴音信号分开送出，图像信号送往视频（即图像）放大器进行放大，放大的图像信号加在显像管上，使之显示出我们所要看的图像信号；伴音信号送往音频功率放大器，并推动扬声器（喇叭）放出声音。 中频放大器和视频放大器的电路目前都是集中一块集成电路中的，例如常用的LA7680、LA7685等。由高频头输出的中频电视信号送给它后，它会把图像信号直接送给显像管；把伴音信号送给伴音功放电路。另外，这块集成电路还要输出场、行振荡信号，并送给相应的放大电路。 4、行输出电路。把由集成电路送给的行振荡信号进行放大，并经过行输出变压器产行显像管所需要的各种电压。行输出电路的用途有以下几个： A、输出高压、高频脉冲电压，送往行偏转线圈，由偏转线圈形成锯齿波电压，使电子束作水平运动，在显像管的屏幕上形成水平亮线； B、输出直流25000伏高压，供给显像管阳极，使显像管的阳极具有吸引由阴极发射出的电子的作用，能够使显像管发出光栅； C、输出消隐电压，主要目的是消除场、行扫描电子束由左到右扫描返回时的回扫亮线。 D、输出180伏电压，供视放管工作。 E、输出6.3伏灯丝电压，为显像管灯丝加热，并烘烤显像管的阴极，使阴极能够发射电子。 G、输出约数千伏电压，作为显像管聚焦电压。没有聚焦电压，图像就会模糊不清。 H、输出约500伏电压，作为显像管的加速电压。没有加速电压，显像管不能发光。 5、场输出电路。场输出电路的主要作用是为场偏转线圈提供场锯齿波电压，使显像管的电子扫描线由上而下的运动。这一部分坏了，显像管所显示的只是一条水平亮线。 6、视频放大电路。视频放大电路大都在显像管的尾座上，由三至五只管子组成，也有是一片集成电路，其工作原理是一样的。任务是把由集成电路送出的视频信号进行放大，并送往显像管显示出图像。视频放大电路坏了，显像管只能显示出干净的光栅，没有图像，但会有电视台的声音。其中某一只管子坏了，会造成图像的缺色。 另外，电视机内还有其他一些，例如保险丝、消磁电路等。保险丝是作为整个电视机保险用的，它若断了，整机不会通电，会造成开不开机。消磁电路含一个消磁电阻、一个消磁线圈。消磁线圈安放在显像管上，一般情况下不会坏，易坏的是消磁电阻。消磁电路坏了，时间短时，不会有什么影响，但时间长了显像管上会出现杂乱的彩色斑块，或显示的颜色不正常。 〈二〉 彩电电源电路的损坏率在电视机维修中是比较高的，现在的彩色电视机电源电路无一不是采用开关式稳压电源电路。开关稳压电源电路大致分为并联型和串联型两大类，其振荡电路均是清一色的自激式振荡电路，有些引入了行同步功能，有些则没有，开关电源的原理这里就不多说了，主要介绍一下开关电源的主要检修方法。 一、开关电源的组成 一般的开关电源是由振荡电路、稳压电路、保护电路三大部分组成． 1．振荡电路：开关电源振荡电路分为晶体管振荡电路和集成块振荡电路，如STR－S系列IC，TEA2104，TDA4601，TDA4605，TDA2261等等． 2．稳压电路：开关电源的稳压原理均采用脉冲调宽式的稳压方式，即通过自动改变开关功率管的关闭和导通时间的比例，或通过改变振荡器输出脉冲的占空比来达到稳压的目的．稳压部分的电路由取样、比较、控制三个部分组成，很多机芯此部分电路是采用IC（如SE110等IC）和光耦件组合而成，而有些机芯则用分立元件组成（多为国产机），而有些机芯采用的电源IC本身就集成了这部分电路（如部分串联型开关电源IC）． 3．保护电路：彩电开关电源都设有保护电路，其保护方式均是使电路停振。有过流保护、过压保护和欠压保护（短路保护），还有过热保护。 过流保护电路其过流取样点，大部分电视机中都是在主振功率管的发射极电位上。 过压保护电路的取样点一般取自220V交流经整流滤波后的电压或主负载供电电压，通过一个齐纳二极管（稳压管）来进行取样判别。 短路保护电路的取样点一般在稳压电源输出的低压组电源上．通过一个二极管来进行判别取样．在IC式开关电源中，有部分机所采用的电源IC内部设有“闩锁电路”，这个“闩锁电路”实际上是一个保护执行电路，各取样点送来的信号，通过它执行对电路的停振控制，引起开关电源故障的成因很多，限于篇幅这里就不一一列举，这里我们只谈谈其基本维修方法。 二、彩电电源检修要领 彩电电源的损坏在彩电维修中占有很大的比例。各种各样的故障往往是由电源产生的。如：屏幕S扭，有水平条纹从上而下或从下而上，工作一会就关机，＋B输出偏高偏低，屡烧电源管，屡烧行管，开机要烧很久才有电源，机内有严重的吱吱叫声，等等。 检修电源的方法很多。在这拿三洋电源作介绍。电源出故障，打开机盖，动用我们的嗅觉－－闻机内有无异味。看机内有无严重的烧坏痕迹。特别是爆裂元件，可以从有明显变化的元件着手。在这告诉同行一个好办法来判断：滤波后的＋300V会在几秒之内消失，表示电源基本工作正常，这为负载短路。300V总是不变为起动电路开路。消失的很慢振荡或激励电路不正常。 建议加假负载检修，（切断场供电，短路行推动变压器，切断伴音供电。注意三洋电源不能在＋B整流上切除，因为其稳压取样电路与之相连，否则会造成＋B过高而烧坏其它元器件。） 出现三无首先测电源管B极电压，可由其电压来反映电源具体工作情况，1：B极无电压－－起动电阻或电容开路，激励管短路。2：为正电压－－激励电路或反馈电路没有工作，3：为负电压，由此可以看出－－电源基本工作正常，有可能保护电路保护或负载短路。 其次反馈电路，振荡电路，这主要由于三极管因内和外在原因所致。如：电阻变大，三极管性能变差等。发现有某一三极管击穿，与之相连的元件必须复查清楚，最好相连电容三极管之类全部更换，以免后患。 取样稳压电路有的在原边有的在副边，当＋B偏高或偏低一般为取样电路故障，这部分元件少易排除。在此特别提醒：在三洋电源中由R554（150K电阻）阻值变大造成＋B过高烧坏行管甚至CRT的特别多，建议在＋B上接一R2M加以保护。 另外电源部分的小电解电容视损坏程度的不同表现不同的故障主要有＋B太高，开机吱吱叫但＋B正常，开机吱吱叫随着叫声的减小而＋B慢慢升高，屡损开关管等。 同时我们还要注意保护电路的影响。在怀疑保护电路有故障时切除任何一个保护端必须作可靠的保护措施。在这再以提醒加假负载检查。 三、开关电源电路的维修 开关电源损坏后，大多都可独立进行维修，将负载全部断开，在主负载供电组电源上带一只220V40W的灯泡作假负载，并采用低压供电安全方式，即将供电电源经一自耦式变压器降至70V左右进行维修，这种维修方法可完全避免了因电路存在隐患而再度损坏元件的现象，一般正常的开关电源（并联式），在70V左右的供电压就能正常起振工作，慢慢调整自耦变压器的输出电压，开关电源的输出电压都应固定在其预设的电压值上不变，如果开关电源的输出电压随输入电压的变化而变化，则表明其稳压部分电路有问题；如果没有电压输出则表明振荡电路部分有问题． 第一种情况：我们以并联型光耦控制稳压式开关电源为例，讨论一下其维修方法．当开关电源不能正常稳压时，第一步是要确认引起故障的部位，简单快捷的方法是：将光耦件热地端的两控制脚短路，如果电路进入停振状态，则表明故障在取样比较部分电路，取样比较电路有问题多半是比较IC和光耦件损坏所至（比较IC损坏多数会引起光耦件同时损坏），如果是控制电路问题，如控制晶体管损坏，在晶体管的代换上一定要注意晶体管的参数． 第二种情况：电路不起振，当确信供电电压正常时，首先检查启动电阻（即跨接在311伏电源与主振功率管基极之间的电阻是否开路或变直，另外要考虑到不起振是否是由于保护电路动作所引起，如STRS6309的第6脚电压（正常为0V），STR50213的第5脚（正常时100V左右）TEA2261的第3脚（正常时为0V），TDA4601的第5脚等等，如果是保护电路引起停振，一般在开机的瞬间电路能正常起振，可通过此点来进行判别，另外当控制电路有问题（如控制管击穿）也会引起电路停振．其实开关电源电路是比较简单的电路，只要分清主振电路，保护电路和比较稳压电路三者的联接关系，维修起来就觉容易了． 四、彩电电源故障检修三例 例1：故障现象一台C541型金星彩电，开机后伴音正常，屏幕图像上、下部分各出现有一条宽亮带，并向上缓慢移动，图像随亮带的移动两边出现波浪式扭曲。将频道置于AV时，屏幕中间出现黑、白亮带，而且固定不变。 分析与检修根据故障现象判断，故障发生在电源电路。主要故障原因是电源50Hz干扰。打开机壳后，测得C732电容器两端110V电压正常。但测得C706电容器两端的280V电压明显偏低，只有200V左右。焊下C706电容用三用表×1kΩ电阻挡测量检查充、放电性能，发现此电容器失效，只有几百kΩ的固定电阻值。换一只同类型电容器后，故障排除。 例2：故障现象一台日立牌CPT2177／DU型遥控彩色电视机，开机电源启动时好时坏，好时收看一切正常；不正常时，开机后听到机内有“吱”的响声，电源指示灯闪亮一下随“吱”的声音消失而熄灭，有时连续多次启动也不成功。 分析与检修检修时，首先测量C909电容器两端开机瞬间的110V电压变化情况，发现此电压没有摆幅，近似于零伏。再测C906电容器两端280V电压正常。断开负载回路，接一7．5W电烙铁做假负载，开机故障依旧，判断故障发生在电源部分。根据电路原理图分析，将保护电路上的支路电阻R907断开，此时不接负载，开机试验110V电压恢复正常。当接上负载回路时，短时间监测电压也正常。对Q902可控硅及外围元件测量检查未发现问题。经过分析，故障原因最大可能是可控硅性能变差，导致造成电源误保护。换一同型号可控硅，故障排除，电视机恢复正常。 从彩色电视机在我国普及以来，彩色电视机的电源电路是损坏率最高、检修难度最大的一部分电路。彩色电视机电源虽然几经改进，已趋于稳定可靠，但仍因种种原因常发生故障。因此，了解彩色电视机开关电源电路常用故障形式，解析实际电路中的性能要求及故障检修思路，揭示电源电路检修技术的奥秘。

㈩ 电视机没有图像来提示维修人员来维修故障故障也能排除

一、开关电源的组成

一般的开关电源是由振荡电路、稳压电路、保护电路三大部分组成．
1．振荡电路：开关电源振荡电路分为晶体管振荡电路和集成块振荡电路，如STR－S系列IC，TEA2104，TDA4601，TDA4605，TDA2261等等．
2．稳压电路：开关电源的稳压原理均采用脉冲调宽式的稳压方式，即通过自动改变开关功率管的关闭和导通时间的比例，或通过改变振荡器输出脉冲的占空比来达到稳压的目的．稳压部分的电路由取样、比较、控制三个部分组成，很多机芯此部分电路是采用IC（如SE110等IC）和光耦件组合而成，而有些机芯则用分立元件组成（多为国产机），而有些机芯采用的电源IC本身就集成了这部分电路（如部分串联型开关电源IC）．
3．保护电路：彩电开关电源都设有保护电路，其保护方式均是使电路停振。有过流保护、过压保护和欠压保护（短路保护），还有过热保护。
过流保护电路其过流取样点，大部分电视机中都是在主振功率管的发射极电位上。
过压保护电路的取样点一般取自220V交流经整流滤波后的电压或主负载供电电压，通过一个齐纳二极管（稳压管）来进行取样判别。
短路保护电路的取样点一般在稳压电源输出的低压组电源上．通过一个二极管来进行判别取样．在IC式开关电源中，有部分机所采用的电源IC内部设有“闩锁电路”，这个“闩锁电路”实际上是一个保护执行电路，各取样点送来的信号，通过它执行对电路的停振控制，引起开关电源故障的成因很多，限于篇幅这里就不一一列举，这里我们只谈谈其基本维修方法。

二、彩电电源检修要领

彩电电源的损坏在彩电维修中占有很大的比例。各种各样的故障往往是由电源产生的。如：屏幕S扭，有水平条纹从上而下或从下而上，工作一会就关机，＋B输出偏高偏低，屡烧电源管，屡烧行管，开机要烧很久才有电源，机内有严重的吱吱叫声，等等。
检修电源的方法很多。在这拿三洋电源作介绍。电源出故障，打开机盖，动用我们的嗅觉－－闻机内有无异味。看机内有无严重的烧坏痕迹。特别是爆裂元件，可以从有明显变化的元件着手。在这告诉同行一个好办法来判断：滤波后的＋300V会在几秒之内消失，表示电源基本工作正常，这为负载短路。300V总是不变为起动电路开路。消失的很慢振荡或激励电路不正常。
建议加假负载检修，（切断场供电，短路行推动变压器，切断伴音供电。注意三洋电源不能在＋B整流上切除，因为其稳压取样电路与之相连，否则会造成＋B过高而烧坏其它元器件。）
出现三无首先测电源管B极电压，可由其电压来反映电源具体工作情况，1：B极无电压－－起动电阻或电容开路，激励管短路。2：为正电压－－激励电路或反馈电路没有工作，3：为负电压，由此可以看出－－电源基本工作正常，有可能保护电路保护或负载短路。
其次反馈电路，振荡电路，这主要由于三极管因内和外在原因所致。如：电阻变大，三极管性能变差等。发现有某一三极管击穿，与之相连的元件必须复查清楚，最好相连电容三极管之类全部更换，以免后患。
取样稳压电路有的在原边有的在副边，当＋B偏高或偏低一般为取样电路故障，这部分元件少易排除。在此特别提醒：在三洋电源中由R554（150K电阻）阻值变大造成＋B过高烧坏行管甚至CRT的特别多，建议在＋B上接一R2M加以保护。
另外电源部分的小电解电容视损坏程度的不同表现不同的故障主要有＋B太高，开机吱吱叫但＋B正常，开机吱吱叫随着叫声的减小而＋B慢慢升高，屡损开关管等。
同时我们还要注意保护电路的影响。在怀疑保护电路有故障时切除任何一个保护端必须作可靠的保护措施。在这再以提醒加假负载检查。
三、开关电源电路的维修

开关电源损坏后，大多都可独立进行维修，将负载全部断开，在主负载供电组电源上带一只220V40W的灯泡作假负载，并采用低压供电安全方式，即将供电电源经一自耦式变压器降至70V左右进行维修，这种维修方法可完全避免了因电路存在隐患而再度损坏元件的现象，一般正常的开关电源（并联式），在70V左右的供电压就能正常起振工作，慢慢调整自耦变压器的输出电压，开关电源的输出电压都应固定在其预设的电压值上不变，如果开关电源的输出电压随输入电压的变化而变化，则表明其稳压部分电路有问题；如果没有电压输出则表明振荡电路部分有问题．
第一种情况：我们以并联型光耦控制稳压式开关电源为例，讨论一下其维修方法．当开关电源不能正常稳压时，第一步是要确认引起故障的部位，简单快捷的方法是：将光耦件热地端的两控制脚短路，如果电路进入停振状态，则表明故障在取样比较部分电路，取样比较电路有问题多半是比较IC和光耦件损坏所至（比较IC损坏多数会引起光耦件同时损坏），如果是控制电路问题，如控制晶体管损坏，在晶体管的代换上一定要注意晶体管的参数．
第二种情况：电路不起振，当确信供电电压正常时，首先检查启动电阻（即跨接在311伏电源与主振功率管基极之间的电阻是否开路或变直，另外要考虑到不起振是否是由于保护电路动作所引起，如STRS6309的第6脚电压（正常为0V），STR50213的第5脚（正常时100V左右）TEA2261的第3脚（正常时为0V），TDA4601的第5脚等等，如果是保护电路引起停振，一般在开机的瞬间电路能正常起振，可通过此点来进行判别，另外当控制电路有问题（如控制管击穿）也会引起电路停振．其实开关电源电路是比较简单的电路，只要分清主振电路，保护电路和比较稳压电路三者的联接关系，维修起来就觉容易了．

四、彩电电源故障检修三例

例1：故障现象一台C541型金星彩电，开机后伴音正常，屏幕图像上、下部分各出现有一条宽亮带，并向上缓慢移动，图像随亮带的移动两边出现波浪式扭曲。将频道置于AV时，屏幕中间出现黑、白亮带，而且固定不变。
分析与检修根据故障现象判断，故障发生在电源电路。主要故障原因是电源50Hz干扰。打开机壳后，测得C732电容器两端110V电压正常。但测得C706电容器两端的280V电压明显偏低，只有200V左右。焊下C706电容用三用表×1kΩ电阻挡测量检查充、放电性能，发现此电容器失效，只有几百kΩ的固定电阻值。换一只同类型电容器后，故障排除。
例2：故障现象一台日立牌CPT2177／DU型遥控彩色电视机，开机电源启动时好时坏，好时收看一切正常；不正常时，开机后听到机内有“吱”的响声，电源指示灯闪亮一下随“吱”的声音消失而熄灭，有时连续多次启动也不成功。
分析与检修检修时，首先测量C909电容器两端开机瞬间的110V电压变化情况，发现此电压没有摆幅，近似于零伏。再测C906电容器两端280V电压正常。断开负载回路，接一7．5W电烙铁做假负载，开机故障依旧，判断故障发生在电源部分。根据电路原理图分析，将保护电路上的支路电阻R907断开，此时不接负载，开机试验110V电压恢复正常。当接上负载回路时，短时间监测电压也正常。对Q902可控硅及外围元件测量检查未发现问题。经过分析，故障原因最大可能是可控硅性能变差，导致造成电源误保护。换一同型号可控硅，故障排除，电视机恢复正常。
从彩色电视机在我国普及以来，彩色电视机的电源电路是损坏率最高、检修难度最大的一部分电路。彩色电视机电源虽然几经改进，已趋于稳定可靠，但仍因种种原因常发生故障。因此，了解彩色电视机开关电源电路常用故障形式，解析实际电路中的性能要求及故障检修思路，揭示电源电路检修技术的奥秘。