门电路漏电流

『壹』 压敏电阻漏电流是什么原因

漏电流又称等待电流，是指压敏电阻器在规定的温度和最大直流电压下，流过压敏电阻器的电流
压敏电阻的漏电流有专门的仪器测试，一般测试的原理是用规格电压值的80%通过压敏电阻后测到的电流，一般不会超过20微安
一般也是μA级，数值在30μA以下为合格
漏电流越小越好
对于漏电流特别应强调的是必须稳定，不允许在工作中自动升高，一旦发现漏电流自动升高，就应立即淘汰，因为漏电流的不稳定是加速防雷器老化和防雷器爆炸的直接原因
压敏电阻标准定义的漏电流是指在0.75E1电压施加下的回路电流，一般是μA级
数值在15μA以下为合格
但是，对于小规格低电压的压敏电阻，如5mm尺寸以下，压敏电压在100v以下的，标准定义的漏电流是指在0.85E0.1电压施加下的回路电流，一般也是μA级，数值在30μA以下为合格
E1电压是指通过压敏电阻电流为1mA时的电压，为压敏电压
E0.1指通过压敏电阻电流为0.1mA时的电压，这是一个特殊的参数
上面是指常规压敏电阻的漏电流，常规压敏是突变型的
那么对于缓变型的压敏电阻，漏电流的数值会在20mA以下，是毫安级
还有一个是评价工作电压下的漏电流，就是在压敏电阻装在的电路的正常工作电压施加在压敏电阻时的压敏电阻回路电流
突变型的数值在微安级，缓变型的漏电流的数值会在毫安级

『贰』 oc门漏电流多大

74LS03输出低电平时：最大电压0.5V,最大吸收8MA电流,上拉电阻最小值=（5-0.5）/8=0.56k,这个数值是要记住的.
74LS03输出高电平时：最大漏电流0.1mA,设计上拉电阻压降小于0.5V,电阻就是5K.要精确计算再加上5个CMOS门的电流.不知道你的老师提出的设计依据是什么.
电阻在0.56K----5K之间,就可以保证逻辑正确.
这样的问题我在设计中是不计算的,对功耗要求不高,或者是用在干扰大的部位,电阻取小些就是了,一般取2、3K.
最低要求时,第二项可以这样算：
CMOS输入最小高电平是电源电压的70%=0.7*5=3.5v,3.5/(0.2+0.005)=17.07K.

『叁』 什么是漏电流 source current

漏源电压：漏极和源极两端的电压。栅源电压：栅极和源极两端的电压。栅极（Gate——G，也叫做门极），源极(Source——S)，漏极（Drain——D）将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极和漏极，很薄的N区称为导电沟道。共漏极放大电路——源极输出器栅极简称为G,源极简称为S,漏极简称为D。

『肆』 TTL电路和CMOS电路的区别和联系

联系：CMOS电路与TTL电路通过电平转换能使两者电平域值能匹配。两者区别如下：

一、主体不同

1、TTL电路：是晶体管-晶体管逻辑电路。

2、CMOS电路：是互补型金属氧化物半导体电路。

二、特点不同

1、TTL电路：采用双极型工艺制造，具有高速度低功耗和品种多等特点。

2、CMOS电路：静态功耗低,每门功耗为纳瓦级；逻辑摆幅大近似等于电源电压；抗干扰能力强，直流噪声容限达逻辑摆幅的35%左右。

三、构成不同

1、TTL电路：采用等平面工艺制造的先进的STTL(ASTTL)和先进的低功耗STTL（ALSTTL）。

2、CMOS电路：由绝缘场效应晶体管组成，由于只有一种载流子，因而是一种单极型晶体管集成电路，其基本结构是一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管

『伍』 有谁知道门电路集成电路有那些在线等人解答.

门”是这样的一种电路：它规定各个输入信号之间满足某种逻辑关系时，才有信号输出，通版常有下列三种门权电路：与门、或门、非门（反相器）。从逻辑关系看，门电路的输入端或输出端只有两种状态，无信号以“0”表示，有信号以“1”表示。也可以这样规定：低电平为“0”，高电平为“1”，称为正逻辑。反之，如果规定高电平为“0”，低电平为“1”称为负逻辑，然而，高与低是相对的，所以在实际电路中要选说明采用什么逻辑，才有实际意义，例如，负与门对“1”来说，具有“与”的关系，但对“0”来说，却有“或”的关系，即负与门也就是正或门；同理，负或门对“1”来说，具有“或”的关系，但对“0”来说具有“与”的关系，即负或门也就是正与门。
与门：0+0=0，0+1=0，1+0=0，1+1=1
或门：0+0=0，0+1=1，1+0=1，1+1=1
非门：1=0，0=1

『陆』 电路输出低电平电流和输出低电平漏电流有区别吗

TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V电源。

1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol

Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V

2.输入高电平和输入低电平

Uih≥2.0V，Uil≤0.8V

二.CMOS

CMOS电路是电压控制器件，输入电阻极大，对于干扰信号十分敏感，因此不用的输入端不应开路，接到地或者电源上。CMOS电路的优点是噪声容限较宽，静态功耗很小。

1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol

Uoh≈VCC，Uol≈GND

2.输入高电平Uoh和输入低电平Uol

Uih≥0.7VCC,Uil≤0.2VCC (VCC为电源电压，GND为地)

从上面可以看出:

在同样5V电源电压情况下，COMS电路可以直接驱动TTL，因为CMOS的输出高电平大于2.0V,输出低电平小于0.8V;而TTL电路则不能直接驱动CMOS电路，TTL的输出高电平为大于2.4V，如果落在2.4V～3.5V之间，则CMOS电路就不能检测到高电平，低电平小于0.4V满足要求，所以在TTL电路驱动COMS电路时需要加上拉电阻。如果出现不同电压电源的情况，也可以通过上面的方法进行判断。

如果电路中出现3.3V的COMS电路去驱动5V CMOS电路的情况，如3.3V单片机去驱动74HC,这种情况有以下几种方法解决，最简单的就是直接将74HC换成74HCT(74系列的输入输出在下面有介绍)的芯片，因为3.3V CMOS 可以直接驱动5V的TTL电路;或者加电压转换芯片;还有就是把单片机的I/O口设为开漏，然后加上拉电阻到5V，这种情况下得根据实际情况调整电阻的大小，以保证信号的上升沿时间。

三.74系列简介

74系列可以说是我们平时接触的最多的芯片，74系列中分为很多种，而我们平时用得最多的应该是以下几种：74LS，74HC，74HCT这三种，这三种系列在电平方面的区别如下：

输入电平 输出电平

74LS TTL电平 TTL电平

74HC COMS电平 COMS电平

74HCT TTL电平 COMS电平

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TTL和CMOS电平

1、TTL电平(什么是TTL电平)：

输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。

2、CMOS电平：

1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。

3、电平转换电路：

因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v<==>cmos 3.3v)，所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。

4、OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。

5、TTL和COMS电路比较：

1)TTL电路是电流控制器件，而CMOS电路是电压控制器件。

2)TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。

3)COMS电路的锁定效应：

COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。

防御措施： 1)在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。

2)芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。

3)在VDD和外电源之间加限流电阻，即使有大的电流也不让它进去。

4)当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS路得电 源，再开启输入信号和负载的电源;关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。

6、COMS电路的使用注意事项

1)COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。

2)输入端接低内阻的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在1mA之内。

3)当接长信号传输线时，在COMS电路端接匹配电阻。

4)当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。

5)COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS。

7、TTL门电路中输入端负载特性(输入端带电阻特殊情况的处理)：

1)悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。

2)在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知，只有在输入端接的串联电阻小于910欧 时，它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来，串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。COMS门电路就不用考虑这些了。

8、TTL电路有集电极开路OC门，MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门，它的输出就叫做开漏输出。OC门在截止时有漏电流输出，那就是漏电流，为什么有漏电流呢?那是因为当三极管截止的时候，它的基极电流约等于0，但是并不是真正的为0，经过三极管的集电极的电流也就不是真正的 0，而是约0。而这个就是漏电流。

『柒』 TTL电路与COMS电路有什么不同,各有什么特点

TTL全称-TransistorLogic,即BJT-BJT逻辑门电路，是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路，应用较早，技术已比较成熟。TTL主要有BJT（BipolarJunctionTransistor即双极结型晶体管，晶体三极管）和电阻构成，具有速度快的特点。最早的TTL门电路是74系列，后来出现了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。但是由于TTL功耗大等缺点，正逐渐被CMOS电路取代。TTL门电路有74（商用）和54（军用）两个系列，每个系列又有若干个子系列。TTL电平信号:TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑“1”，0V等价于逻辑“0”，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的，首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路；再者，计算机处理器控制的设备内部的数据传输是在高速下进行的，而TTL接口的操作恰能满足这个要求。TTL型通信大多数情况下，是采用并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。这是由于可靠性和成本两面的原因。因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问题，这些问题对可靠性均有影响。TTL输出高电平>2.4V，输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。TTL电路是电流控制器件，TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
CMOS（），互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件。是组成CMOS数字集成电路的基本单元。
CMOS集成电路介绍
自1958年美国德克萨斯仪器公司(TI)发明集成电路（IC）后，随着硅平面技术的发展，二十世纪六十年代先后发明了双极型和MOS型两种重要的集成电路，它标志着由电子管和晶体管制造电子整机的时代发生了量和质的飞跃。MOS是:金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconctor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC（）。目前数字集成电路按导电类型可分为双极型集成电路（主要为TTL）和单极型集成电路（CMOS、NMOS、PMOS等）。CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。CMOS发展比TTL晚，但是以其较高的优越性在很多场合逐渐取代了TTL。以下比较两者性能，大家就知道其原因了。1.CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成2.CMOS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差4.CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）5.CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。集成电路中详细信息：1,TTL电平：输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。2，CMOS电平：1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。3，电平转换电路：因为TTL和CMOS的高低电平的值不一样（ttl5v<＝＝>cmos3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。4，驱动门电路OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外接上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。5，TTL和CMOS电路比较：
1）TTL电路是电流控制器件，而CMOS电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。CMOS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。CMOS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
3）CMOS电路的锁定效应：CMOS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，CMOS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。防御措施：1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启CMOS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭CMOS电路的电源。6，CMOS电路的使用注意事项1）CMOS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。2）输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在1mA之内。3）当接长信号传输线时，在CMOS电路端接匹配电阻。4）当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。
5）CMOS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏CMOS。7，TTL门电路中输入端负载特性（输入端带电阻特殊情况的处理）：1）悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。2）在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知，只有在输入端接的串联电阻小于910欧时，它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来，串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。CMOS门电路就不用考虑这些了。8，TTL和CMOS电路的输出处理TTL电路有集电极开路OC门，MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门，它的输出就叫做开漏输出。OC门在截止时有漏电流输出，那就是漏电流，为什么有漏电流呢？那是因为当三机管截止的时候，它的基极电流约等于0，但是并不是真正的为0，经过三极管的集电极的电流也就不是真正的0，而是约0。而这个就是漏电流。开漏输出：OC门的输出就是开漏输出；OD门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流，但是不能向外输出的电流。所以，为了能输入和输出电流，它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。OD门一般作为输出缓冲/驱动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。

『捌』 为什么门电路的输入端经过电阻接地其状态与阻值有关

ttl逻辑门输入端通过小电阻入地，相当于接低电平；
通过大电阻入地，相当于接高电平；
如果接在vcc上，无论是直接相连、通过小电阻、通过大电阻，都是输入的高电平；
大电阻指的是大于“开门电阻”，小电阻指的是小于“关门电阻”。
oc门的输出相“线与”，两个oc门的输出只要有一个为0，则输出就是0，否则为1.
解释：oc
指的是开集电极输出，npn三极管发射极接地，从集电极输出。显然如果三极管开通，则集电极为0；如果不开通，集电极悬空的话，既不是1也不是0，所以往往要通过外接电阻连到vcc,
两oc门三极管集电极连在一起，又通过电阻接到vcc,当然是只要一个开通，输出就是0
没有画图，因为上传图片很可能不能提交，见谅。
望采纳。

『玖』 什么是拉电流，灌电流和漏电流

1. 拉电流就是输出电流；灌电流就是吸收电流，漏电流就是泄漏电流。

2. 拉电流和灌电流是衡量电路输出驱动能力（注意：拉、灌都是对输出端而言的，所以是驱动能力）的参数，这种说法一般用在数字电路中。拉即泄，主动输出电流，从输出口输出电流； 灌即充，被动输入电流，从输出端口流入；

3. 由于数字电路的输出只有高、低（0，1）两种电平值，高电平输出时，一般是输出端对负载提供电流，其提供电流的数值叫“拉电流”；低电平输出时，一般是输出端要吸收负载的电流，其吸收电流的数值叫“灌（入）电流”。(1)逻辑门输出为高电平时的负载电流（为拉电流）。
   (2)逻辑门输出为低电平时的负载电流（为灌电流）。
   (3)逻辑门输入为高电平时的电流（为灌电流）。
   (4)逻辑门输入为低电平时的电流（为拉电流）。

4. 漏电流分为四种，分别为：半导体元件漏电流、电源漏电流、电容漏电流和滤波器漏电流。

(1)半导体元件漏电流:PN结在截止时流过的很微小的电流;

(2)电源漏电流:开关电源中为了减少干扰，按照国标，必须设有EMI滤波器电路。由于EMI电路的关系，使得在开关电源在接上市电后对地有一个微小的电流，这就是漏电流。如果不接地，计算机的外壳会对地带有110伏电压，用手摸会有麻的感觉，同时对计算机工作也会造成影响。

(3)电容漏电流:电容介质不可能绝对不导电，当电容加上直流电压时，电容器会有漏电流产生。若漏电流太大，电容器就会发热损坏。除电解电容外，其他电容器的漏电流是极小的，故用绝缘电阻参数来表示其绝缘性能；而电解电容因漏电较大，故用漏电流表示其绝缘性能（与容量成正比）。 对电容器施加额定直流工作电压将观察到充电电流的变化开始很大，随着时间而下降，到某一终值时达到较稳定状态这一终值电流称为漏电流。 其计算公式为：i=kcu(μa)；其中k值为漏电流常数，单位为μa(v·μf)。

(4)滤波器漏电流:电源滤波器漏电流定义为：在额定交流电压下滤波器外壳到交流进线任应一端的电流。 如果滤波器的所有端口与外壳之间是完全绝缘的，则漏电流的值主要取决于共模电容CY的漏电流，即主要取决于CY的容量。 由于滤波器漏电流的大小，设计到人身安全，国际上各国对插都有严格的标准规定：对于是20V/50Hz交流电网供电，一般要求噪声滤波器的漏电流小于1mA。