mos管开关电路

㈠ 请教：MOS管做开关电路

MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要回由栅源电压uGS决定其答工作状态。

MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程，但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间，而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。

MOS管也是三端压控元件，三端分别是G、D、S，可以等效于普通三极管的B、C、E三极，VGS的电压（=VG-VS）控制Mos 开关状态:

当VGS大于Von（开启电压，NMOS为2~4V，PMOS为-2~-4V）时就使得Mos打开，D& S两极之间导通，压降为零，阻抗较小，零点几欧姆；

同理当VGS小于Von时就使得Mos处于关闭状态，D& S两极之间阻抗很大；

所以，G极就是控制极；

要注意的是，Vgs不能太高，比如IRF530，Von的最大值为4V，可是击穿电压为正负20V；又比如IRF9530，开启电压为最大-4V，也就是说Vgs=-5V时已经打开，开启电压上限也为正负20V，当Vgs=-21V或者22V时，管子会被击穿。通常使用时，可以使所加电压Vgs=正负9伏比较适合。

㈡ 请帮忙设计一个mos管开关电路

这里给一个参考的mos管开关电路，根据不同的电压电流要求，更换相关元回器件的耐压、最大电流答容忍、最大功耗限制参数即可：

带软开启功能的MOS管电源开关电路

具体查看《带软开启功能的MOS管电源开关电路》的说明介绍。

㈢ Mos管 在开关电路中 是怎么工作的

■mos管开关电路中要用到mos场效应管来代替开关，场效应管有三个极：源极s、漏极
d和栅极（或叫内控制极）g.
工作容原理是：在给源极和漏极
之间加上正确极性和大小的电压（因为管型而异）后，再给g极和源极之间加上控制电压，就会有相应大小的电流从源极流向漏极
，如果信号电压够大，这个电路就能瞬间饱和而成为一个开关了。

㈣ 请教，mos管如何设计开关电路

图中电池的正电通过开关S1接到场效应管Q1的2脚源极，由于是一个P沟道管，它的1脚栅极通过R20电阻提供一个正电位电压，所以不能通电，电压不能继续通过，3v稳压IC输入脚得不到电压所以就不能工作不开机！这时，如果我们按下SW1开机按键时，正电通过按键、R11、R23、D4加到三极管Q2的基极，三极管Q2的基极得到一个正电位，三极管导通（前面讲到三极管的时候已经讲过），由于三极管的发射极直接接地，三极管Q2导通就相当于Q1的栅极直接接地，加在它上面的通过R20电阻的电压就直接入了地，Q1的栅极就从高电位变为低电位，Q1导通电就从Q1同过加到3v稳压IC的输入脚，3v稳压IC就是那个U1输出3v的工作电压vcc供给主控，主控通过复位清0，读取固件程序检测等一系列动作，输处一个控制电压到PWR_ON再通过R24、R13分压送到Q2的基极，保持Q2一直处于导通状态，即使你松开开机键断开Q1的基极电压，这时候有主控送来的控制电压保持着，Q2也就一直能够处于导通状态，Q1就能源源不断的给3v稳压IC提供工作电压！SW1还同时通过R11、R30两个电阻的分压，给主控PLAYON脚送去时间长短、次数不同的控制信号，主控通过固件鉴别是播放、暂停、开机、关机而输出不同的结果给相应的控制点，以达到不同的工作状态！

㈤ MOS管作为开关的电路图如何画

从图标出VBAT、VBAT OUT看，你的整个电路都错了：

1、P型场效应管应从S极输入、D极输出，回你把输入和输出弄反了。答

2、那个R23，应接在S、G之间，而不是接在G、D之间。R23是泄放电阻，当控制信后从0到1时，迅速将加在G极的负压释放，保证有效关断。就算你标错那个OUT，在S极输入、D极输出，你哪个R23就会使管子导通。除非EN FANG有个正压输入加到G极上，否则电路就不会关闭。

㈥ 请教：MOS管做电子开关电路

电路错了，PMOS你还D入S出？也就是说，S和D反了，调过来就对了。这个电路很常用，类似于PNP型三极管，对P三极管来说，E接电源入，C接控制输出，同理如上。

㈦ 怎样用MOS管做开关电路

电路
错了，PMOS你还D入S出？也就是说，S和D反了，调过来就对了。这个电路很常用，类似于
PNP型三极管
，对P
三极管
来说，E接
电源
入，C接控制输出，同理如上。

㈧ P沟道MOS管开关电路

P沟道MOS管开关电路图：

MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“回感应答电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。