场效应管功放电路图

① 场效应管功放板功率低只需要加大三极管就可以了吗

不是，增加功率管的数量只能是增加带负载的能力，增加输出电流。不能有效增加输出功率。要增大输出功率，除了要增加末级输出功率管的数量，还得增大前置、激励级的放大倍数才行。

② 求场效应管做功放的电路图

③ 用场效应管做个功放

IRF530N、IRFPG50、IRF1405、K1601、J172均是内带阻尼二极管场效应管，主要用于逆变电源或开关电源中作开关管，不宜作音频放大。

④ 图上的场效应管功放电路可行不不行的话怎么改

1 Q1 B极通过R1、抄R7接到12V，是啥意思？袭
2 Q1、Q2上方空荡荡的！Q1Q2 E极应当通过电阻与12V连接。
3 Q4 BC极短接在一起！Q4有什么用？
4 Q1 C极、Q3 B极与输出端（Q5E极）直接相连！Q5导通时，Q1Q3不会损坏？
5 Q3怎么没有偏置电阻？
你这个图能算是功放电路吗？
还是好好学习，掌握知识后重新画一张吧。

⑤ 这功放中场效应管的驱动电压能足以启动吗

这是个模拟音频信号的放大电路，后级的场效应管已经设置好偏置电压了，所以回对于任何微小的信号都能够产生电流答放大作用，不存在启动电压的问题。
一般而言，启动电压之类的说法只适合于开关电路，只有当输入给栅极的电压大于设定值时才会导通进而进入饱和状态，完成开关电路的功能。而对于模拟电路，栅极的设定值一般是取在零到全导通的电压范围内，输入的音频信号也只能在这个范围内变化。

⑥ 功放对管能不能代替场效应管

只要对线路略加改动，完全可以，而且能大幅度提高功放的品质。

具体线路要根据你原专有功放的线路而定，如果属原来是甲乙类互补电路，功放对管是互补管的，那就需要一对N沟道和P沟道的场效应管，如果原来是甲乙类准互补电路，则只需要一对N沟道的场效应管。

改装前后线路如附图所示。

注意，调整Rw必须从零开始往大调，同时监视静态电流，一般控制在15-30mA。

⑦ 请大神帮我分析下这个运算放大器和场效应管组成的电路图啊~~~

图左U1A运放与VMOS管Q2构成电压转换恒定电流电路，负载电流正比于运放U1A的输入电压Vda，即在电阻R4中流过的电流等于Vda除以R4，这个电流大小与负载电阻阻值大小无关。现在第一个问题来了，当这个电压转换恒定电流电路工作后，Q1导通，在Q3 PNP管未导通前，Q1的D、S极之间没有电流流过，这里的Q3没有基极偏置电压就没有基极电流。第二个问题采用大功率VMOS管的Q2漏极竟没有负载，那个0.1uf的电容接在大功率管Q2的漏极啥意义也没有。第三个问题又来了，Q4与Q3的基极相连接，谁给它们的基极提供基极偏置电压，没有基极偏置电压就没有基极电流，没有基极电流就截止哦！
图右面yTTL只能是电平输出端，不可能是电平输入端。当Q5三极管导通时，yTTL端电平通过整流桥其中一只（左下）到Q5三极管的CE极、R10接地，将yTTL端电平钳位在0.7V+0.1V+6V，等于6。8V，此电压还要减去0.7V（左上的二极管压结降），约6V电压从yTTL端输出。其中（0.7是二极管压结降，0.1是Q5的饱和电压，6V是Q4、Q5三极管导通后R8、R10的分压点电压）。当Q5截止时在Q4导通的前提下，yTTL端通过整流桥其中一只（左上）再经过电阻R8连接+16V Vcc,与此同时，+16V Vcc也通过电阻R8、Q4的E 、C极通过整流桥其中一只（右上）到达电阻R7，给运放U2A同相端输入电平。运放U2A是一个可以输出负电压的同相放大器。这个图画的不完整，也许是为了保密，将关键的元器件未画出，故难以进一步分析。

⑧ 场效应管可以做高频功放吗

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconctor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
MOS场效应管电源开关电路
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconctor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而形成电流，使源极和漏极之间导通。可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。
C-MOS场效应管（增强型MOS场效应管）
电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。
1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3.场效应管可以用作可变电阻。
4.场效应管可以方便地用作恒流源。
5.场效应管可以用作电子开关。

⑨ 用这4只场效应管的功放电路图

做个互补推挽电路。

⑩ 用这4只场效应管的功放电路图

随便找个电路图对上去就好了啊 ....不过觉得这样的搭配有点悬...