集成電路四層

Ⅰ 集成電路行業中所說的「掩膜」是什麼意思啊

集成電路行業中所說的「掩膜」是光掩膜

光掩膜(mask)資料:
在半導體製造的整個流程中，其中一部分就是從版圖到wafer製造中間的一個過程，即光掩膜或稱光罩(mask)製造。這一部分是流程銜接的關鍵部分，是流程中造價最高的一部分，也是限制最小線寬的瓶頸之一。
光掩膜除了應用於晶元製造外，還廣泛的應用與像LCD，PCB等方面。常見的光掩膜的種類有四種，鉻版(chrome)、干版，凸版、液體凸版。主要分兩個組成部分，基板和不透光材料。基板通常是高純度，低反射率，低熱膨脹系數的石英玻璃。鉻版的不透光層是通過濺射的方法鍍在玻璃下方厚約0.1um的鉻層。鉻的硬度比玻璃略小，雖不易受損但有可能被玻璃所傷害。應用於晶元製造的光掩膜為高敏感度的鉻版。干版塗附的乳膠，硬度小且易吸附灰塵，不過干版還有包膜和超微顆粒干版，其中後者可以應用於晶元製造。(順便提一下，通常講的菲林即film，底片或膠片的意思，感光為微小晶體顆粒)。
在刻畫時，採用步進機刻畫(stepper)，其中有電子束和激光之分，激光束直接在塗有鉻層的4-9「 玻璃板上刻畫，邊緣起點5mm，與電子束相比，其弧形更逼真，線寬與間距更小。光掩膜有掩膜原版(reticle mask，也有稱為中間掩膜，reticle作為單位譯為光柵)，用步進機重復將比例縮小到master maks上，應用到實際曝光中的為工作掩膜(working mask)，工作掩膜由master mask復制過來。

Ⅱ 關於集成電路的組成部分

集成電路是採用半導體製作工藝，在一塊較小的單晶矽片上製作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，並按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。它在電路中用字母「IC」（也有用文字元號「N」等）表示。

（一）按功能結構分類

集成電路按其功能、結構的不同，可以分為模擬集成電路和數字集成電路兩大類。

模擬集成電路用來產生、放大和處理各種模擬信號（指幅度隨時間邊疆變化的信號。例如半導體收音機的音頻信號、錄放機的磁帶信號等），而數字集成電路用來產生、放大和處理各種數字信號（指在時間上和幅度上離散取值的信號。例如VCD、DVD重放的音頻信號和視頻信號）。

（二）按製作工藝分類

集成電路按製作工藝可分為半導體集成電路和薄膜集成電路。

膜集成電路又分類厚膜集成電路和薄膜集成電路。

（三）按集成度高低分類

集成電路按集成度高低的不同可分為小規模集成電路、中規模集成電路、大規模集成電路和超大規模集成電路。

（四）按導電類型不同分類

集成電路按導電類型可分為雙極型集成電路和單極型集成電路。

雙極型集成電路的製作工藝復雜，功耗較大，代表集成電路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等類型。單極型集成電路的製作工藝簡單，功耗也較低，易於製成大規模集成電路，代表集成電路有CMOS、NMOS、PMOS等類型。

（五）按用途分類

集成電路按用途可分為電視機用集成電路。音響用集成電路、影碟機用集成電路、錄像機用集成電路、電腦（微機）用集成電路、電子琴用集成電路、通信用集成電路、照相機用集成電路、遙控集成電路、語言集成電路、報警器用集成電路及各種專用集成電路。

電視機用集成電路包括行、場掃描集成電路、中放集成電路、伴音集成電路、彩色解碼集成電路、AV/TV轉換集成電路、開關電源集成電路、遙控集成電路、麗音解碼集成電路、畫中畫處理集成電路、微處理器（CPU）集成電路、存儲器集成電路等。

音響用集成電路包括AM/FM高中頻電路、立體聲解碼電路、音頻前置放大電路、音頻運算放大集成電路、音頻功率放大集成電路、環繞聲處理集成電路、電平驅動集成電路、電子音量控制集成電路、延時混響集成電路、電子開關集成電路等。

影碟機用集成電路有系統控制集成電路、視頻編碼集成電路、MPEG解碼集成電路、音頻信號處理集成電路、音響效果集成電路、RF信號處理集成電路、數字信號處理集成電路、伺服集成電路、電動機驅動集成電路等。

錄像機用集成電路有系統控制集成電路、伺服集成電路、驅動集成電路、音頻處理集成電路、視頻處理集成電路。

Ⅲ 集成電路各元件介紹

雙極型集成電路

bipolar integrated circuit

以通常的NPN或PNP型雙極型晶體管為基礎的單片集成電路。它是1958年世界上最早製成的集成電路。雙極型集成電路主要以硅材料為襯底，在平面工藝基礎上採用埋層工藝和隔離技術，以雙極型晶體管為基礎元件。按功能可分為數字集成電路和模擬集成電路兩類。在數字集成電路的發展過程中，曾出現了多種不同類型的電路形式，典型的雙極型數字集成電路主要有晶體管-晶體管邏輯電路(TTL)，發射極耦合邏輯電路(ECL)，集成注入邏輯電路(I2L)。TTL電路形式發展較早，工藝比較成熟。ECL電路速度快，但功耗大。I2L電路速度較慢，但集成密度高。

同金屬-氧化物-半導體集成電路相比，雙極型集成電路速度快，廣泛地應用於模擬集成電路和數字集成電路。

在半導體內，多數載流子和少數載流子兩種極性的載流子（空穴和電子）都參與有源元件的導電，如通常的NPN或PNP雙極型晶體管。以這類晶體管為基礎的單片集成電路，稱為雙極型集成電路。
雙極型集成電路是最早製成集成化的電路，出現於1958年。雙極型集成電路主要以硅材料為襯底，在平面工藝基礎上採用埋層工藝和隔離技術，以雙極型晶體管為基礎元件。它包括數字集成電路和線性集成電路兩類。
發展簡況 雙極型集成電路是在硅平面晶體管的基礎上發展起來的，最早的是雙極型數字邏輯集成電路。在數字邏輯集成電路的發展過程中，曾出現過多種不同類型的電路形式。常見的雙極型集成電路可分類如下。

DCTL電路是第一種雙極型數字邏輯集成電路，因存在嚴重的「搶電流」問題(見電阻-晶體管邏輯電路)而不實用。RTL電路是第一種有實用價值的雙極型集成電路。早期的數字邏輯系統曾採用過 RTL電路，後因基極輸入迴路上有電阻存在，限制了開關速度。此外,RTL邏輯電路的抗干擾的性能較差，使用時負載又不能多，因而被淘汰。電阻-電容-晶體管邏輯電路（RCTL）是為了改善RTL電路的開關速度而提出來的，即在RTL電路的電阻上並接電容。實際上 RCTL電路也未得到發展。DTL電路是繼 RTL電路之後為提高邏輯電路抗干擾能力而提出來的。DTL電路在線路上採用了電平位移二極體,抗干擾能力可用電平位移二極體的個數來調節。常用的 DTL電路的電平位移二極體，是用兩個硅二極體串接而成，其抗干擾能力可提高到1.4伏左右（見二極體-晶體管邏輯電路）。HTL電路是在 DTL電路的基礎上派生出來的。HTL電路採用反接的齊納二極體代替DTL電路的電平位移二極體,使電路的閾值提高到約7.4伏左右(見高閾值邏輯電路)。可變閾值邏輯電路(VTL)也是DTL電路系列中的另一種變形電路。閾值邏輯電路(TLC)是 HTL和VTL邏輯電路的總稱。TTL邏輯電路是在DTL邏輯電路基礎上演變而來，於1962年研製成功。為了提高開關速度和降低電路功耗,TTL電路在線路結構上經歷了三代電路形式的改進(見晶體管-晶體管邏輯電路)。
以上均屬飽和型電路。在進一步探索提高飽和型電路開關速度的同時，發現晶體管多餘載流子的存儲效應是一個極重要的障礙。存儲現象實質上是電路在開關轉換過程中由多餘載流子所引起。要提高電路開關速度,除了減少晶體管PN結電容，或者設法縮短多餘載流子的壽命以外，就得減少和消除晶體管內載流子存儲現象。60年代末和70年代初，人們開始在集成電路中利用熟知的肖特基效應。在TTL電路上制備肖特基勢壘二極體,把它並接在原有晶體管的基極和集電極上，使晶體管開關時間縮短到1納秒左右；帶肖特基勢壘二極體箝位的TTL門電路的平均傳輸延遲時間達2～4納秒。
肖特基勢壘二極體-晶體管-晶體管邏輯電路(STTL)屬於第三代 TTL電路。它在線路上採用了肖特基勢壘二極體箝位方法，使晶體管處於臨界飽和狀態，從而消除和避免了載流子存儲效應。與此同時,在TTL電路與非門輸出級倒相器的基極引入晶體管分流器，可以改善與非門特性。三極體帶有肖特基勢壘二極體，可避免進入飽和區，具有高速性能；輸出管加上分流器，可保持輸出級倒相的抗飽和程度。這類雙極型集成電路，已不再屬於飽和型集成電路，而屬於另一類開關速度快得多的抗飽和型集成電路。
發射極耦合邏輯電路(ECL)是電流型邏輯電路(CML)。這是一種電流開關電路, 電路的晶體管工作在非飽和狀態,電路的開關速度比通常TTL電路又快幾倍。ECL邏輯電路把電路開關速度提高到 1納秒左右，大大超過 TTL和STTL電路。ECL電路的出現,使雙極型集成電路進入超高速電路范圍。
集成注入邏輯電路 (I2L)又稱合並晶體管邏輯電路(MTL)，是70年代研製成的。在雙極型集成電路中，I2L電路的集成密度是最高的。
三層結構邏輯電路(3TL)是1976年中國在I2L電路的基礎上改進而成,因有三層結構而得名。3TL邏輯電路採用NPN管為電流源，輸出管採用金屬做集電極(PNM)，不同於I2L結構。
多元邏輯電路(DYL)和雙層邏輯電路(DLL)，是1978年中國研製成功的新型邏輯電路。DYL邏輯電路線性與或門,能同時實現開關邏輯和線性邏輯處理功能。DLL電路是通過ECL和TTL邏輯電路雙信息內部變換來實現電路邏輯功能的。
此外，在雙極型集成電路發展過程中，還有許多其他型式的電路。例如,發射極功能邏輯電路(EFL)、互補晶體管邏輯電路(CTL)、抗輻照互補恆流邏輯電路(C3L)、電流參差邏輯電路(CHL)、三態邏輯電路(TSL)和非閾值邏輯電路(NTL)等。
特點和原理 雙極型集成電路的製造工藝，是在平面工藝基礎上發展起來的。與製造單個雙極型晶體管的平面工藝相比，具有若干工藝上的特點。
①雙極型集成電路中各元件之間需要進行電隔離。集成電路的製造，先是把矽片劃分成一定數目的相互隔離的隔離區；然後在各隔離區內製作晶體管和電阻等元件。在常規工藝中大多採用PN結隔離，即用反向PN結達到元件之間相互絕緣的目的。除PN結隔離以外，有時也採用介質隔離或兩者混合隔離法（見隔離技術）。
②雙極型集成電路中需要增添隱埋層。通常，雙極型集成電路中晶體管的集電極，必須從底層向上引出連接點，因而增加了集電極串連電阻，這不利於電路性能。為了減小集電極串連電阻，製作晶體管時在集電極下邊先擴散一層隱埋層，為集電極提供電流低阻通道和減小集電極的串聯電阻。隱埋層，簡稱埋層，是隱埋在矽片體內的高摻雜低電阻區。埋層在製作集成電路之前預先「埋置」在晶片體內。其工藝過程是：在 P型矽片上，在預計製作集電極的正下方某一區域里先擴散一層高濃度施主雜質即N+區;而後在其上再外延生長一層N型硅單晶層。於是，N型外延層將N+區隱埋在下面,再在這一外延層上製作晶體管。
③雙極型集成電路通常採用擴散電阻。電路中按電阻阻值大小選擇制備電阻的工藝，大多數是利用晶體管基區P型擴散的同時，製作每方約 150～200歐·厘米的P型擴散電阻。但是,擴散電阻存在阻值誤差大、溫度系數高和有寄生效應等缺點。除採用擴散電阻外，有時也採用硅單晶體電阻。
④雙極型集成電路元件間需要互連線，通常為金屬鋁薄層互連線。單層互連布線時難以避免交叉的位置，必要時可採用濃磷擴散低阻區，簡稱磷橋連接法。
⑤雙極型集成電路存在寄生效應。雙極型集成電路的縱向NPN晶體管，比分立晶體管多一個P型襯底層和一個PN結。它是三結四層結構。增加的襯底層是所有元件的公共襯底，增加的一個PN結是隔離結(包括襯底結)。雙極型集成電路因是三結四層結構而會產生特有的寄生效應：無源寄生效應、擴散電阻的寄生電容和有源寄生效應。隔離電容是集電極N型區與隔離槽或襯底P型區形成的PN結產生的電容。隔離和襯底接最低電位，所以這個電容就是集電極對地的寄生電容。擴散電阻的寄生電容是擴散電阻P型區與集電極外延層N型區產生的PN結電容，也屬無源寄生效應。這一PN結電容總是處於反偏置工作狀態。有源寄生效應即 PNP寄生晶體管。在電路中，NPN晶體管的基區、集電區（外延層）和襯底構成PNP寄生晶體管。在通常情況下，因PN結隔離，外延層和襯底之間總是反向偏置。只有當電路工作時,NPN管的集電結正偏，寄生PNP管才進入有源區。
工藝制備 （見彩圖）是利用PN結隔離技術制備雙極型集成電路倒相器的工藝流程，圖中包括一個NPN晶體管和一個負載電阻R。原始材料是直徑為75～150毫米摻P型雜質的硅單晶棒，電阻率ρ=10歐·厘米左右。其工藝流程是：先經過切片、研磨和拋光等工藝(是矽片制備工藝)制備成厚度約300～500微米的圓形矽片作為襯底，然後進行外延生長、氧化、光刻、擴散、蒸發、壓焊和多次矽片清洗，最後進行表面鈍化和成品封裝。

製作雙極型集成電路晶元需要經過 5次氧化，對氧化硅 (SiO2)薄層進行5次光刻，刻蝕出供擴散摻雜用的圖形窗口。最後還經過兩次光刻，刻蝕出金屬鋁互連布線和鈍化後用於壓焊點的窗口。因此，整套雙極型集成電路掩模版共有 7塊。即使通常省去鈍化工藝，也需要進行6次光刻，需要6塊掩模版。

Ⅳ 集成電路怎樣使用

概述  集成電路是一種採用特殊工藝，將晶體管、電阻、電容等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件，英文為縮寫為IC，也俗稱晶元。集成電路是六十年代出現的，當時只集成了十幾個元器件。 後來集成度越來越高，也有了今天的P－III。

  集成電路根據不同的功能用途分為模擬和數字兩大派別，而具體功能更是數不勝數，其應用遍及人類生活的方方面面。集成電路根據內部的集成度分為大規模中規模小規模三類。其封裝又有許多形式。「雙列直插」和「單列直插」的最為常見。消費類電子產品中用軟封裝的IC，精密產品中用貼片封裝的IC等。

對於CMOS型IC，特別要注意防止靜電擊穿IC，最好也不要用未接地的電烙鐵焊接。使用IC也要注意其參數，如 工作電壓，散熱等。數字IC多用＋5V的工作電

集成電路介紹
  集成電路IC是封在單個封裝件中的一組互連電路。裝在陶瓷襯底上的分立元件或電路有時還和單個集成電路連在一起，稱為混合集成電路。把全部元件和電路成型在單片晶體硅材料

使用TTL集成電路與CMOS集成電路的注意事項
  （1）使用TTL集成電路注意事項
  ①TTL集成電路的電源電壓不能高於＋5.5V使用時，不能將電源與地顛倒錯接，否則將會因為過大電流而造成器件損壞。
  ②電路的各輸入端不能直接與高於＋5.5V和低於-0.5V的低內阻電源連接，因為低內阻電源能提供較大的電流，導致器件過熱而燒壞。
  ③除三態和集電極開路的電路外，輸出端不允許並聯使用。如果將 圖T306雙列直插集電極開路的門電路輸出端並聯使用而使電路具有線與功能時，應在其輸出端加一個預先計算好的上拉負載電阻到VCC端。
  ④輸出端不允許與電源或地短路。否則可能造成器件損壞。但可以通過電阻與地相連，提高輸出電平。
  ⑤在電源接通時，不要移動或插入集成電路，因為電流的沖擊可能會造成其永久性損壞。
  ⑥多餘的輸入端最好不要懸空。雖然懸空相當於高電平，並不影響與非門的邏輯功能，但懸空容易受干擾，有時會造成電路的誤動作，在時序電路中表現更為明顯。因此，多餘輸入端一般不採用懸空辦法，而是根據需要處理。例如：與門、與非門的多餘輸入端可直接接到VCC上；也可將不同的輸入端通過一個公用電阻（幾千歐）連到VCC上；或將多餘的輸入端和使用端井聯。不用的或門和或非門等器件的所有輸入端接地，也可將它們的輸出端連到不使用的與門輸入端上。

Ⅳ 什麼是集成電路

集成電路的發明，是多項技術不斷發展的綜合結果。

最早提出製造半導體集成電路思想的，是從事雷達研究的英國科學家達默。他在1952年5月發表的一篇論文中提出：「由於現在晶體管的出現和半導體方面的研究成果，有可能製造單塊形狀的電子器件而省去連接線。這種器件由多層絕緣材料、通導材料、整流材料和放大材料構成，在各層中去掉某一部分就能使器件具有某種電功能。」

達默的上述設想很有意義，可惜他本人未能使之付諸實施。進入50年代以後，軍事工業和宇航工業的迅速發展，迫切需要各種功能更強、能實現更加復雜功能的半導體器件，而且還希望這種器件越小巧越好。

在社會需要的刺激下，那些早期來到矽谷開創電子工業的一批年輕的微電子工程師們，很自然地把研究方向瞄準到上述目標上。他們設想把一些晶體管及一些元件在新的形式下組合成一種更復雜的線路，而不是簡單地拼湊在一起，這種線路稱為集成電路。從外形來看，它們就是小小的矽片，因此人們也把它們稱為晶元。至今，在各種計算機、計算器及各種電器設備中處處都可以看到這種晶元。早在第二次世界大戰期間，有人就已設法把油墨狀的電阻材料和鍍銀金屬片印在陶瓷基片上，做成電阻和連接線的組合體；而印刷電路工藝的發展和晶體管的發明，都為集成電路的發明做了必要的技術准備。

現在人們認為，世界上最早的集成電路，是1958年由美國物理學家基爾比和諾伊斯兩人各自獨立地研究發明的，為了認定這項發明的專利權，他們兩人所屬的公司之間曾為此引發了一場為時不短的爭執，因此，回顧一下他們各自的發明過程，是很有意思的。

基爾比於1923年生於美國密蘇里州傑斐遜市，1947年畢業於伊利諾大學，1950年在威斯康星大學獲碩士學位。

1958年5月，基爾比進入得克薩斯儀器公司還只有3個月，他被安排去進行電子設備微型化的研究。當時電子設備應用了電子管，後來逐步使用晶體管，但體積龐大。

按照國防部的要求，基爾比的任務是研究如何通過採用較小的元件、更細密的接線，使電子設備體積縮小，更加緊湊靈巧。

在這一年夏天，當基爾比的同事都去度假時，他卻在寧靜的環境中，坐在辦公桌前苦苦思索解決微型化問題的辦法。他在想出新辦法前，屢次碰壁，後來才想到，所需用的全部電路元件包括晶體管、電阻、電容在內，可以用同一種半導體材料製成；這些電路元件必須絕緣，因此能單獨起作用，彼此沒有干擾；而全部電路元件都焊接在半導體圓片的基片或附近，從而可以利用先進的半導體技術手段使電路相互連接，不必擔心元件在連接的地方會出現短路。當時基爾比把這種電路稱為固體電路(現在有人稱為微型電路)。1958年9月，基爾比的第一個安置在半導體鍺片上的電路——「相移振盪器」取得了成功。

諾伊斯於1927年出生於美國衣阿華州的一個小鎮。他對現實世界充滿了好奇心，在十二三歲時就同二哥先後製造過一架碩大的滑翔機，裝配出一輛汽車。他在大學同時學習物理、數學兩個專業，對晶體管及其應用也很感興趣，在晶體管方面奠定了堅實的理論基礎。在1949年考取博士研究生後，仍選修一些有助於晶體管基礎研究的課程，而在學術活動中，又有機會見到晶體管領域著名的專家肖克萊等人。

諾伊斯在1953年取得博士學位後，寧願到待遇低的小公司任職。他認為：「越是小地方，就越能得到多方面的鍛煉，有利於發揮作用。這樣既便於選擇合適的課題進行研究，又能成為企業家。」

當1955年肖克萊在矽谷創建「肖克萊半導體公司」時，諾伊斯就是其中被聘請來的優秀科技人才之一。在肖克萊半導體實驗室成立的第一年內，諾伊斯和他的同事們竭力鼓動肖克萊把研究重點轉向硅晶體管，但肖克萊執意要搞四層二極體的研究。由於認識上的分歧，1957年，諾伊斯和公司的另外7名年輕人一起離開了肖克萊公司，自己成立了「仙童半導體公司」，成為矽谷的第一家專門研製硅晶體管的公司。從這個意義上來說，諾伊斯早年想當企業家的願望果真實現了。

當時，仙童公司在生產晶體管中首先使用一種「平面工藝」。主持技術工作的是赫爾尼，他是當時矽谷最有才乾的科學家之一。他提出的平面工藝法，是通過各種措施把硅表面的氧化層盡量擠壓，直到壓成一張扁平的薄片為止，使器件的各電極在同一個平面上。因此，只要預先設計出晶體管的電極結構圖，通過照相製版的方法，把它精縮成掩模板，就可使立體形狀的晶體管製作成平面形狀的晶體管。於是，結構無論怎樣復雜和精密的晶體管，都可以用這種平面工藝壓縮在一片小小的半導體矽片上。

平面工藝法的提出，使仙童公司科學家的思路豁然開朗，他們一下子看到了令人振奮的應用前景，他們意識到，不只是幾個晶體管可以放置在一塊矽片上，幾十個、幾百個甚至幾百萬個晶體管都可以放到一塊矽片上。

平面工藝後來很快就應用到集成電路的製造上。仙童公司的科學家發現，運用照相平板印刷技術，可以在硅的表面上，把同樣的晶體管按照一定的規律重復地排列，同時又使這些晶體管彼此相連。仙童公司的副經理諾伊斯與他人共同提出了製造集成電路的平面工藝法，並主持製造出世界上第一塊用半導體硅製成的集成電路。

得克薩斯儀器公司的基爾比當然也認識到平面工藝法的重大價值。在諾伊斯之前半年就在製造「相移振盪器」時成功地實現了把電子線路安放在鍺片上的設想。但諾伊斯製成的硅集成電路比基爾比的鍺集成電路更實用，更容易生產。

當後來回憶自己在32歲發明集成電路的情況時，諾伊斯風趣地說：「我發明集成電路，那是因為我是一個『懶漢』。當時曾考慮，用導線連接電子元件太費事，我希望越簡單越好。」

而基爾比在得克薩斯儀器公司發明了後來稱為集成電路的「固體電路」後，立即得到該公司負責人的重視，他們意識到這種新電子器件的重要性，並預計它將會得到廣泛的應用，因此必須大力推廣。

1959年2月，基爾比為他本人的「固體電路」申請了專利。不久之後，得克薩斯儀器公司宣布，他們已生產出一種比火柴頭還小的半導體固體電路。而仙童公司的諾伊斯，雖然在此之前已使用平面工藝製造出半導體矽片集成電路，但並沒有及時申請專利，直到1959年7月，諾伊斯才想到要去辦專利申請手續，但時間已比基爾比晚了半年。

此後上述兩家公司為集成電路的發明權長期爭執不休，就是因為基爾比比諾伊斯申請專利的時間要早一些。基爾比先取得專利，但他的設計思想未能實現；而諾伊斯的平面工藝技術後來成為微電子革命的基礎，但他卻是在基爾比之後才申請專利的，更何況這一項技術在仙童公司並不是由他一人獨自發現並加以完善的。

最後經法庭裁決，集成電路的發明專利權屬於基爾比，而關鍵的有關集成電路的內部連接技術專利權屬於諾伊斯。從1961年起，兩人的專利使各自所在的公司都得到很大的經濟效益，而他們兩人也都因此成為國內外知名的發明家及微電子學的創始人，兩人還一起獲得美國科技人員最渴望得到的「巴倫坦獎章」。

Ⅵ 市面上的主板有4層和6層的區別嗎

單憑肉眼是看不見的 集成度高的自然要多層的 數碼相機的還要8成以上呢 難道就好嗎 別聽亂講 現在主機板大多在4層或以上 與多少層沒有絕對的關系 我們看得是晶元型號

Ⅶ PCB四層板與二層最重要的區別是什麼

PCB四層板與二層最重要的區別是：四層板有內層，而二層板沒有內層。

PCB 行業發展

改革開放以來，中國由於在勞動力資源、市場、投資等方面的優惠政策，吸引了歐美製造業的大規模轉移，大量的電子產品及製造商將工廠設立在中國，並由此帶動了包括PCB 在內的相關產業的發展。

據中國CPCA
統計，2006 年我國PCB 實際產量達到1.30 億平方米，產值達到121 億美元，佔全球PCB
總產值的24.90%，超過日本成為世界第一。2000 年至2006 年中國PCB 市場年均增長率達20%，遠超過全球平均水平。

2008
年全球金融危機給PCB 產業造成了巨大沖擊，但沒有給中國PCB 產業造成災難性打擊，在國家經濟政策刺激下2010 年中國的PCB
產業出現了全面復甦，2010 年中國PCB 產值高達199.71 億美元。

Prismark 預測2010-2015
年間中國將保持8.10%的復合年均增長率，高於全球5.40%的平均增長率。

(7)集成電路四層擴展閱讀：

PCB特點：

PCB之所以能得到越來越廣泛地應用，因為它有很多獨特優點，概栝如下。

可高密度化。數十年來，印製板高密度能夠隨著集成電路集成度提高和安裝技術進步而發展著。

高可靠性。通過一系列檢查、測試和老化試驗等可保證PCB長期（使用期，一般為20年）而可靠地工作著。

可設計性。對PCB各種性能（電氣、物理、化學、機械等）要求，可以通過設計標准化、規范化等來實現印製板設計，時間短、效率高。

可生產性。採用現代化管理，可進行標准化、規模（量）化、自動化等生產、保證產品質量一致性。

可測試性。建立了比較完整測試方法、測試標准、各種測試設備與儀器等來檢測並鑒定PCB產品合格性和使用壽命。

可組裝性。PCB產品既便於各種元件進行標准化組裝，又可以進行自動化、規模化批量生產。同時，PCB和各種元件組裝部件還可組裝形成更大部件、系統，直至整機。

可維護性。由於PCB產品和各種元件組裝部件是以標准化設計與規模化生產，因而，這些部件也是標准化。所以，一旦系統發生故障，可以快速、方便、靈活地進行更換，迅速恢服系統工作。當然，還可以舉例說得更多些。

如使系統小型化、輕量化，信號傳輸高速化等。

Ⅷ PCB板的層數

不是的.

PCB板是由樹脂,基板,銅箔壓合而成的.而樹脂是半透明的.

四層板和六八層回在壓合後答的厚度是差不多的..也就是說,四層板的基板比較厚,所以透光性幾乎為0.而六八層的基板比較薄,相對於四層板來說.透光性較好.

這也是為什麼導孔的位置能透光卻是6/8層板了.

四層板結構: 含有四層導電層[四層銅皮]
--------- 銅箔[銅皮,一般為0.07mm]
--------- 樹脂[英文簡稱: PP]
--------- 基板[包含兩層銅皮,一般為0.47mm]
--------- 樹脂
--------- 銅箔

六/八層板結構: [包含六層或八層導電層]
--------- 銅箔[銅皮,一般為0.07mm]
--------- 樹脂
--------- 基板[一般為0.06-0.08mm]
--------- 樹脂
--------- 基板[一般為0.06-0.08mm]
--------- 樹脂
--------- 銅箔

Ⅸ 集成電路E4 代表什麼

It is regarding the lead content or plating finish. Here is an excerpt from IPC/JEDEC J-STD-609:
用來抄表示鉛含量和電度層表面處理的
e0 - contains intentionally added lead (Pb)

e1 - SnAgCu (shall not be included in category e2)

e2 - Sn alloys with no Bi or Zn excluding SnAgCu

e3 - Sn

e4 - Preplated (e.g., Ag, Au, NiPd, NiPdAu)

e5 - SnZn, SnZnx (no Bi)

e6 - contains Bi

e7 - low temperature solder (≤ 150C) containing Indium (no Bi)

e8, e9 - unassigned