串雙硅電路

A. 串雙硅後級的優點

效率高。串雙硅後級是由一個PNP管和一個NPN管所組成，其優點是效率高，省電，配合免雙通電路性能更優越，比普通單硅電路省電一倍以上。

B. 並雙硅後級工作原理

1.可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。
當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處於放大狀態。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發信號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic。
2.此時，電流ic2再經BG1放大，於是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環的結果，兩個管子的電流劇增，可控硅使飽和導通。
由於BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控硅導通後，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導通狀態，由於觸發信號只起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控硅是不可關斷的。
由於可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化，條件如下：
A、從關斷到導通1、陽極電位高於是陰極電位，2、控制極有足夠的正向電壓和電流，兩者缺一不可。
B、維持導通1、陽極電位高於陰極電位，2、陽極電流大於維持電流，兩者缺一不可。
C、從導通到關斷1、陽極電位低於陰極電位，2、陽極電流小於維持電流，任一條件即可。
觸發導通
在控制極G上加入正向電壓時因J3正偏，P2區的空穴時入N2區，N2區的電子進入P2區，形成觸發電流IGT。在可控硅的內部正反饋作用的基礎上，加上IGT的作用，使可控硅提前導通，導致伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。

C. 串雙硅為什麼會直通

構成正反饋作用。在串雙硅之後，在構成正反饋作用下會直通。雙硅是一種合金，是軟啟動散熱器中的雙硅是平板式晶閘管。是用在軟啟動中整流作用的。

D. 雙向可控硅電路工作原理求解釋……

以過零觸發電路作為驅動模塊

E. 雙向可控硅電路工作原理。

以過零觸發電路作為驅動模塊

F. 串雙硅後級的優點

您好，您是想問串雙硅後級的優點是什麼是嗎？串雙硅後級的優點是結構簡單，穩定性好，驅動能力強，功耗低。因為串雙硅後級是作為直流調速功率放大電路的驅動模塊，該模塊採用光耦合隔離技術，它的特點就是具有結構簡單，穩定性好，驅動能力強，功耗低的特點，但只能在觸發信號的控制下在高壓側產生柵極驅動電壓．驅動電壓驅動雙向可控硅通過控制觸發脈沖的觸發角的大小，從而實現對直流電機的調速控制。所以串雙硅後級的優點是結構簡單，穩定性好，驅動能力強，功耗低。

G. 雙向可控硅觸發電路不能從零伏起調是什麼原因

常用雙硅的觸發器一般採用同步觸發器 以阻容移向橋觸發器為例 當電容2端電壓大於雙硅的導通電壓時 觸發二極體才會發出一個觸發脈沖 所以導通角不可能為0~180度 從示波器上可以看出 第一個觸發脈沖發出時 交流電已經運行到60度的位置了 所以 一般來說雙硅的導通角為120度 那麼主迴路的輸出就不可能從0伏起調

H. 串四硅和串雙硅的區別

輸出不同。1、串四硅：電路復雜，峰值電壓高，損壞後不宜修理。2、串雙硅：電路簡單，LC配合不同，輸出特性不同，成本低，維修容易。

I. 光耦moc3041控制雙向可控硅電路，圖1實驗沒成功，圖2還不知道，請高手指點，問題有哪些

圖1你沒有成功的原因是：Q1的右邊沒有電壓，所以就算你給Q1的G級一個觸發電壓 它也不會導通，所以就算你短接AB Q1同樣不會導通，因為Q1的右邊無電壓

解決辦法是 把Q1撤掉不用， B直接接到Q2的G級 然後把Q2換個方向接入電路：這樣，當光耦導通的時候，復發電壓有了，電壓和T1，T2（Q2的另外兩端）的方向一致，Q2便導通。燈就亮了