㈠ mos管是怎樣控制電壓的
MOS管就是場效應管：一種是1V（高電位）導通，一種0V（低電位）導通，一般是三支腳器件，一個信號腳，兩個埠電路腳，當然很多應用是雙MOS，四MOS等，管腳相應會增加
㈡ 有大神幫忙分析下這個電路圖是什麼原理
題主，這個電路是一個Buck電路，什麼是Buck電路，就是降壓電路。
設計者為什麼這樣畫？
因為圖中用的Q1是N溝道的MOS管，N溝道的MOS管如果想要讓它導通的話
必須使其Vgs電壓大於閥值電壓，一般都是12-15V，因此需要現在對Vg的電壓進行抬升，也就是我們所說的高端驅動。
那麼如何抬升Vg電壓呢？
圖中很巧妙的運用3845的5腳接到換流點，也就是MOS源極、Q2整流二極體陰極以及電感的交叉點，而3845的6腳輸出電平參考5腳，因此6腳的電平肯定比換流點高，那麼高多少呢？
高1V也是高，高2V高也是高，但是高1V或者2V都不能使MOS管導通，必須要高於MOS管的開啟電壓，MOS管才能導通，MOS管的開啟電壓一般都是4-5V左右，你可以查一下這個MOS管的Datasheet。
那麼如何才能達到6腳的電平比MOS管高12-15V呢？
我們先來看看，3845是怎麼樣才開始工作的，就是3845的供電電源如何啟動的？
從圖中可知，3845的啟動電壓是從48V輸入電壓取的，48V通過R1(20K)對E2(50uF)電解電容進行充電，當充電電壓達到3845的開啟電壓時，應該是7.9V這樣子吧，3845就可以開始工作了。
但是有一點疑問，就是R2是對48V分壓，導致7腳的電平無法滿足7.9V啟動電壓要求，因此我懷疑R2的參數是不是錯了。否則這個電路工作不了，應該把R2的參數設大一些，R2等於5K差不多吧。
好，現在3845工作起來了，6腳開始陸續有PWM輸出，到時MOS管也開始工作在PWM狀態，隨著對L1電容和E4電解電容不斷的充電，輸出電壓，也就是12V慢慢建立起來。
一旦12V電壓建立了起來，D2導通，接替48V給3845供電，確保3845一直工作。
至於周圍的其它電容電阻，一般都是R/C震盪、電壓采樣等作用。
R5，C5組成RC震盪。
R8和R9組成輸出電壓采樣電路，由圖中可知，R8 = 3.3K，R9=12K，而3845的內部參考電壓為2.5V，因此輸出電壓等於 (1 + 12/3.3) * 2.5 = 11.59V，接近12V。可以微調R8的阻值達到微調輸出電壓的目的。
C3，R7組成采樣網路的反饋環節，經采樣得到的小信號送到3845內部進行處理，以控制3845輸出的PWM占空比大小。
C4和R4應該是組成電流采樣電路，但是有一個疑慮，主要的電流不是從R4這邊走，因此R4感覺在這里不是采樣電阻，不知道設計者為何在這里添加R4和C4，或者這個電路本身就沒有電流控制模式，只是單純的利用3845的PWM電壓控制模式，因為3845是峰值電流控制模式的。
補充一句，如果我沒猜錯的話，這個電路應該是電動車里的48V電瓶電壓轉換12V的電路。
因為單從電路中使用的Q2整流二極體以及Q1的參數來看，這個電路本身處理的電流比較大，
電路的功率應該比較大。
有點佩服設計者的思維。
㈢ 求MC34063 12V降壓5V 電流要求1A 和2A的，請問這要降壓擴流電路嗎要加三極體或MOS管嗎怎麼選
34063,開關最大允許通過電流1.5A，以75%效率計算，BUCK電路12VIN足夠輸出5V-1A-2A。
不需要擴流。但是散熱片一定要加。
另如果擴流，選擇TO220的三極體或者MOS當擴流開關管，也需要在上面加散熱器。
只是類似的散熱器比較好匹配。
開關管選擇只要保證電流與開關速度。
如1.5A,30K以上都可以。
㈣ 關於一個MOS管組成的電壓選擇電路的電路分析，請個人大俠幫忙分析一下，先謝謝啦！
個人觀點。。。。。。
首先MOS管是四端器件，柵源漏襯，一般源襯短接。
在集成電路製造中，NMOS製作在P型襯底上，P襯上做N阱，而PMOS做在N阱上的，
如果只有一個PMOS管（比如左邊的電路），
那麼當控制引腳是高電平時，左邊電路導通，現在假設只有Q5，電源通過Q5的源端再經過溝道區到達漏端然後輸出。
也就是說，此時漏端是高電平，而漏端是P型半導體區域，襯底是N型的，這即是說漏到N阱有一條低阻通路（正向pn結，很小的電壓即可導通），一旦N阱接到什麼低電平的地方，立馬會出現大的電流，那就完蛋啦。
如果在串聯一個PMOS，注意第二個PMOS是反向的，現在我們從電源開始走一遍。
首先是電源，然後來到第一個PMOS的襯，P+（表示重摻雜）半導體區域，然後來到第一個PMOS的源，P區域，再經過第一個的柵來到第一個PMOS的漏端，還是P區域。接下來來到第二個PMOS『漏』（其實這種說法不對但是更易於理解），這個也是P區域，那麼第二個PMOS的『漏』是不是可以和第一個的漏合並咯，都是P區域半導體嘛。再下來到第二個MOS的柵再到第二個MOS的『源』，然後來到第二個的襯，P+區域，而這個P+區域接的是高電位。也就是說電荷只會在每個P區域之間交換，不會無聊的去克服勢壘到達N阱的N區域的。這樣避免了大規模漏電。也就是說輸出端只輸出高電平而不輸出大的電流。在電路上講輸出阻抗很較大，這樣就不會影響下一級電路的設計了，這是大部分電路的理想要求哦
至於肖特基二極體，應該是用來鉗位的吧，保證輸出不會高於某個電壓值。比如鉗位電壓是1.5V，那麼選中左邊的時候，輸出是1.5V而不是3.3V
。。。。。。。只是個人這么覺得，，，，，
㈤ 請教：MOS管做電子開關電路
電路錯了，PMOS你還D入S出？也就是說，S和D反了，調過來就對了。這個電路很常用，類似於PNP型三極體，對P三極體來說，E接電源入，C接控制輸出，同理如上。