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反激電路拓撲

發布時間:2022-02-10 10:23:23

1. 反激電源是什麼拓撲

是從BACK-BOOST轉換而來,反激拓撲其實就是用多組電感代替常用的單繞組電感的BUCK-BOOST電路

2. 開關電源反激式控制電路的工作原理,要詳細點的。

反激電路的重點是了解變壓器的工作原理:
1 當開關管導通時候,變壓器的初級線圈是用來儲能的。
2 當開關管截止時候,由電感的原理可知,初級線圈靠近電源的一端產生反極性電壓,傳給二次側。
也就是說,當開關管導通時,二次側無輸出。開關管截止時,二次側有輸出。

3. 電路拓撲是什麼意思

拓撲我個人理解就是組成結構,開關電源電路有幾種典型的結構,如Buck,Boost,反激,正激,半橋,全橋等,實際電路也都是以這些結構為基礎再進行具體化的

4. 請問這個是基於正激還是反激拓撲的開關電源

正激式主要就是變壓器原副邊時時刻刻在工作反激式就是開關管導通時變壓器原邊儲能,副邊不工作,開關管截止時原邊釋放能量,副邊工作正激和反激 的區別其實主要就是副邊圈感應出的電流方向不同當感應出的電流方向不同的話 副邊圈後面接的整流二極體的導通截止的時序是不同的另外主線圈接著的開關管的導通截止時序也不同。

5. 為什麼LED驅動器不可以採用標准反激式拓撲結構

LED驅動器絕對可以採用標准反激式拓撲結構。
根據具體的性能要求可以適當調整電路。
就反激式拓撲結構而言做LED驅動器毫無問題。

6. 什麼是電路拓撲

電路拓撲又稱電路的圖,即電路結構,是對電路圖進行再次抽象、僅由支路和結專點構成的一屬個集合,它討論的是電路的連接關系及其性質,即支路與結點的連接關系。

在一個圖中可以有許多迴路。如果迴路中不包圍其他支路,則稱這樣的迴路為網孔。如果在圖上標明各支路電流(或電壓)的參考方向(通常採用電壓和電流的一致參考方向來同時表示電壓和電流),這樣的圖則稱為有向圖。

(6)反激電路拓撲擴展閱讀:

電路拓撲約束:

1、基爾霍夫電流定律

基爾霍夫電流定律(Kirchhoff's Current Law,KCL)描述電路中流入(流出)同一個結點的電流之間的關系,其內容為:任一時刻,流出集總參數電路中任一結點的電流代數和為零。

2、基爾霍夫電壓定律

基爾霍夫電壓定律(Kirchhoff』s Voltage Law,KVI)描述電路中繞行同一個迴路一周的電壓之間的關系,其內容為: 任一時刻,沿集中參數電路的任一迴路繞行一周。各電壓降的代數和恆為零。

參考資料來源:網路-電路拓撲

7. 這是反激式開關電源的拓撲結構 誰幫忙講一下 當開關閉合後 和關斷時的工作狀態

閉合和斷開時,初級電流突變導致磁通量突變,次級就會有對應感應電流/電動勢,次級產生感應電流/電動勢方向在閉合和斷開時是相反的,二極體可以選擇性的讓正壓或者負壓通過,如果不斷開合這時通過二極體出來的電流就是脈沖直流,再經過電容器濾波出來就是近似直流了,

8. 反激式電源變換器的拓撲結構中輸入端為什麼要加穩壓管並串聯一個電阻

Snubber迴路,其目的是限制開關管關斷瞬間其兩端的最大尖峰電壓,而開關管本身的損耗基本不變。在工作原理上電壓鉗位模式RC的放電時間常數比抑制電壓上升率模式更長。

9. 為什麼要選擇反激拓撲結構

次級mosfet次級mosfet都是零電壓開通關斷,不存在開關損耗 次級mosfet的導通損耗同樣限制了反激在大功率場合的運用,mosfet體內二極體的反向恢復同樣產生損耗,值得注意的是這個損耗源於次級,發生在初級mosfet,計算公式如下 考慮到半橋的占空比D可以是0.9,所以以上三個公式基本上沒有區別。 3、磁性器件。反激的變壓器等效理想變壓器和電感器的結合,不知道該如何正激和半橋的磁性器件比較,這里只討論下為什麼反激變壓器中漏感的影響大。具體分析見EXEL中《磁性器件》頁面 4、電容。同樣關心電容的電流應力和電壓。電壓應力沒什麼區別。 輸入電容電流應力基本沒有區別,輸出電容上反激的電流應力很糟糕,但需要注意的是,輸出電容的電流應力與輸出電流成正比,與輸出功率並沒有直接關系,正激和半橋的輸出電容電流應力為0是因為電感假設為無窮大,實際值與△I有關。 5、總結:通過以上分析,反激不適合大功率引用原因如下: 初級mosfet開關損耗 次級mosfet導通損耗 變壓器漏感導致的損耗 輸出電容電流應力 上面的計算基於輸入電壓恆定為60V,但實際情況是25~125V。這個情況下,反激拓撲顯示出它的優勢,可能更恰當的說應該是正激、半橋變得更加難以設計,其原因在於占空比變化過大,導致次級開關管電壓應力大,同時初級mosfet的開關損耗可能超過反激 因為功率為400W,我考慮三個方案:全橋,雙相交錯有源嵌位正激或反激。全橋初級需要四個mosfet,且驅動要浮驅,比較難找到合適的驅動晶元;雙相交錯有源嵌位正激需要兩個N管,兩個P管,同樣有驅動晶元難找的問題;同時因為以前沒有做過反激,對反激比較感興趣,在一個以前的同事建議下選擇雙相交錯反激。後來事實證明我當時錯誤估計了漏感的影響,導致了使用復雜的吸收電路。

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