㈠ MOS管驅動電路與MOSFET作開關作用有什麼區別
MOSFET的開關作用是針對MOS特性得出的，MOS管輸出特性曲線有可變電阻區、夾斷區和恆專流區，當在可變屬電阻區和夾斷區內工作時，MOS管相當於一個電子開關。
MOS管驅動電路跟MOS本身沒有必然聯系，因為MOS管的控制比一般三極體麻煩一些，特別是關斷的要求比較高，為了讓MOS用起來更簡單，就出現了驅動電路這類東西。MOS管當然不用驅動電路，也完全可以工作。
簡單的說，驅動電路類似MOSFET的服務電路。
㈡ mos管或igbt為什麼要用驅動電路
不太復理解你的問題的意思啊制。驅動電路能進行受控的開和關，這樣就能對mos管中的Id電流進行調制，另外mos管開通和關斷都需要進行充電和放電（雖然mos是電壓驅動型器件，但由於結容的存在，需要對這些電容充電才能有驅動電壓），這都需要電流，電流就是由驅動電路提供的，除此之外你還想問什麼？
㈢ 請問mosfet管一定需要驅動電路嗎如果是的話該怎麼找謝謝！
mos管和三極體本身是驅動電路里比較重要的一部分，他們需要的是啟動信號。
在驅動電路當中，內我們所容用到他們的工作區是截止區和飽和區。
拿提問的mos管來說，只需要給mos管門極高低電平的信號，讓它能工作在截止和放大，那麼驅動的前提條件就達到了。這里的信號可以是處理器給的，可以是某個晶元的pwm信號。
你需要找的應該是mos管的驅動電路，這個在網路能搜到很多。
如果我回答的不是你想要了解的，追問我。當然了，還有其它問題也可以追問。
㈣ 如何用3.3V單片機驅動mos管
用三極體不如用ULN2803，一個ULN2803可以驅動8隻MOS管。沒有其他電路。 直接可以連接，簡單方便。 做H橋的話內，可以控制2路，容如果只控制一路，也可以用ULN2003.
補充：你肯定沒有看這兩個IC，輸出12V沒有問題，最高輸出電壓50V，最高輸出電流500mA，內部集成了續流二極體，基極電阻。直接上一個片子即可。其實這個片子裡面就是集成的達林頓管，和用三極體是一樣的道理。 可靠性比分立元件高。
㈤ 求解釋一些MOS管驅動電壓
過驅動電壓Vod=Vgs-Vth。可以理解為：超過驅動門限（Vth）的剩餘電壓大小。
1）只有在你的過驅動電壓「大於版零」的權情況下，溝道才會形成，MOS管才會工作。也就是說，能夠使用過驅動電壓來判斷晶體管是否導通。
2）溝道電荷多少直接與過驅動電壓二次方成正比。也就是說，能夠使用過驅動電壓來計算飽和區的電流。
3）如果能夠更加深入理解的話，可以領悟到過驅動電壓不單單適用於指代Vgs，也適用於指代Vgd。即
Vod1=Vgs-Vth；
Vod2=Vds-Vth；
如果兩種Vod都大於零，說明晶體管溝道全開，也就是處於線性區。只有一種Vod大於零，說明晶體管溝道半開（在DS任意一端沒打開有夾斷），也就是處於飽和區。
㈥ mos管為什麼要驅動電路 博客
不太理解你的問題的意思啊。驅動電路能進行受控的開和關，這樣就能對mos管中專的id電流進行調制，另外mos管開通屬和關斷都需要進行充電和放電（雖然mos是電壓驅動型器件，但由於結容的存在，需要對這些電容充電才能有驅動電壓），這都需要電流，電流就是由驅動電路提供的，除此之外你還想問什麼？
㈦ 請問IGBT、GTO、GTR與MOSFET的驅動電路有什麼特點
IGBT成為絕緣柵型場效應管 GTO 門極可關斷晶閘管 GTR 巨型晶閘管 MOSFET
如果你採用的是王兆安的第五版專的 那麼屬書上的結論如下：
1.GTO的驅動電路：分為脈沖變壓器耦合式和直接耦合兩種，直接耦合應用范圍廣，但是功耗大，效率低。給出的例子就是其驅動特點：
原方N1到副方N2出項兩種導通：
正向：C3放電—R1—V1（觸發導通）—L—觸發GTO
C1放電—R2—V2—L—GTO
反向關斷：C4放電 —關斷GTO—門級—L—V3
剩下三種推到方法類似....
2 GTR: 圖中給的分為電氣隔離和晶體管放大電路兩部分組成，主要是通過光耦合器控制三極體的原理控制觸發電路
3 MOSFET和IGBT都是電壓驅動器件，要求驅動電路有較小的輸出電阻。
㈧ MOSFET 為什麼要驅動電路
現在市面上實際應用的多是平面工藝的MOSFET，在開關電源等領域應用非常普遍，一般版作為開關管使權用。實際的MOSFET有別於理想的MOSFET，柵極和源極，源極和漏極都是存在電容的，要用合適的驅動電路才能使MOS管工作在低導通損耗的開關狀態。比如600V的MOS管多用8-12V的柵極電壓驅動，並且要求一定的驅動能力。
也可以用示波器看MOS管的波形，看是否工作在完全導通狀態，上升和下降時間在輻射滿足要求的情況下，盡量的陡峭。
㈨ 如何選擇最適合的MOS管驅動電路
1、管種類和結構
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被製造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
至於為什麼不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。
對於這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易製造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。
MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由於製造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，後邊再詳細介紹。
在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極體。這個叫體二極體，在驅動感性負載(如馬達)，這個二極體很重要。順便說一句，體二極體只在單個的MOS管中存在，在集成電路晶元內部通常是沒有的。
2、MOS管導通特性
導通的意思是作為開關，相當於開關閉合。
NMOS的特性，Vgs大於一定的值就會導通，適合用於源極接地時的情況(低端驅動)，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小於一定的值就會導通，適合用於源極接VCC時的情況(高端驅動)。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由於導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。
3、MOS開關管損失
不管是NMOS還是PMOS，導通後都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。
MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，損失也越大。
導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。縮短開關時間，可以減小每次導通時的損失;降低開關頻率，可以減小單位時間內的開關次數。這兩種辦法都可以減小開關損失。
4、MOS管驅動
跟雙極性晶體管相比，一般認為使MOS管導通不需要電流，只要GS電壓高於一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需要速度。
在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
第二注意的是，普遍用於高端驅動的NMOS，導通時需要是柵極電壓大於源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅動器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。
上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓，設計時當然需要有一定的餘量。而且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小。現在也有導通電壓更小的MOS管用在不同的領域里，但在12V汽車電子系統里，一般4V導通就夠用了。
MOS管的驅動電路及其損失，可以參考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。講述得很詳細，所以不打算多寫了。
5、MOS管應用電路
MOS管最顯著的特性是開關特性好，所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中，常見的如開關電源和馬達驅動。
5種常用開關電源MOSFET驅動電路解析
在使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但並不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個確定的MOSFET，其驅動電路，驅動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的開關性能。
當電源IC與MOS管選定之後， 選擇合適的驅動電路來連接電源IC與MOS管就顯得尤其重要了。
一個好的MOSFET驅動電路有以下幾點要求：
(1)開關管開通瞬時，驅動電路應能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開關管能快速開通且不存在上升沿的高頻振盪。
(2)開關導通期間驅動電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩定且可靠導通。
(3)關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放，保證開關管能快速關斷。
(4)驅動電路結構簡單可靠、損耗小。
(5)根據情況施加隔離。