『壹』 數字電路與邏輯設計
1、C
2、F=(A』+A)B』+BC+A』C
=B』+BC+A』C=B』+C
3、C
4、C
5、C。
『貳』 模擬數字電路的分析與設計
雖然你說不用講三極體,但我還是要介紹一下鈴木雅臣的《晶體管電路設計》模電方面的放大,運放的內部結構,差分放大,恆流電路,基本上都是有講到的,放心,這不是和那教科書那樣的千篇一律三極體電路的,你會知道一個三極體電路的電阻是怎麼計算得來的,為什麼要這么大的電阻
你說的74LS系列和NE555都是屬於數字電路方面的給你介紹一本書
數字電子技術:從電路分析到技能實踐
這也是一本不錯的書的,這本書裡面,你幾乎可以看到所有常用的數字電路方面的IC
<運算放大器權威指南>:
運放無處不在,功能強大,卻是最容易被輕視的,國內的書最多也就是一節課就講完了,在這里講了400多頁升級必備!
我所說的書不是什麼教科書,也不是什麼教材,這就是一本實用的工具書,實用性是很強的
我看過大部分的,但沒有精學過,想做什麼電路了才去學一點的,你可以去看一下我回答的其它問題,覺得有用就買,沒有用就算了
『叄』 數字電路設計
1、與非門實現與非功能,即L=-(A·B)【用-表示非】
A、B先與
再求非,輸入同時為1輸出才為0,否則為1(0的屏蔽作用)。真值表如下:
A
B
L
0
0
1
0
1
1
1
0
1
1
1
0
異或門L=A(+)B,輸入不同則輸出為1,否則為0(可用於半加器設計),真值表如下:
A
B
L
0
0
0
0
1
1
1
0
1
1
1
0
全加器能進行加數,被加數和地位來的進位信號相加,並根據求和結果給出該位的進位信號。真值表如下:(Ci為低位進位信號
Co為進位信號
S為和)
A
B
Ci
Co
S
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
0
1
0
1
1
1
0
1
0
0
0
1
1
0
1
1
0
1
1
0
1
0
1
1
1
1
1
2、TTL門電路的空載功耗與CMOS門的靜態功耗相比,是較大的,約為數十毫瓦(mw)而後者僅約為幾十納(10-9)瓦;
速度上通常以為TTL門的速度高於CMOS門電路。影響
TTL門電路工作速度的主要因素是電路內部管子的開關特性、電路結構及內部的各電阻阻數值。
集成門電路多餘輸入端一般不讓懸空(如TTL與非門輸入端懸空可以相當於高電平),以防止干擾信號的引入。處理以不改變電路工作狀態和穩定可靠為原則。有以下方法:1、把多餘端和其他輸入端連在一起;2、根據邏輯要求可以將「與門」或者「與非門」的多餘輸入端通過1-3千歐的電阻接正電源。將「或門」
「或非門」多餘端接地。
高速電路應採用第二種方法。
3、我做實驗結果是:其餘輸入端為高電平(邏輯1)時,連續脈沖能通過,但是有半個周期的時移(由於「非」功能的作用);其餘輸入端為低電平(邏輯0)時,輸出一直為高電平。
希望對你有幫助,有疑問q我
273158963,互相學習。
祝你學習愉快!!~
『肆』 高教社出版《數字電路與系統設計》孫萬蓉主編課後習題答案
高等教育出版社的吧,到這里去看吧,我就是在這里找到的。關注手機可以看!
『伍』 大學數字電子技術,邏輯電路的分析與設計。
ABC是1,公式1或A=A,不管前面是啥都等於原來的
『陸』 數字電路設計與模擬電路設計的本質區別
數字電路設計與模擬電路設計在本質上沒任何差別!數字電路本質上說,就是模擬電路的特例。模擬電路中要注意的事項,很多同樣適用於數字電路設計。其實我們通常都認為數電非0即1,其實未必是這樣的,若是數電輸入的電壓在其01可識別之間,那輸出就不確定了。
推薦你看本書,北京航空航天大學出版社出版的博客藏經閣叢書——《感悟設計——電子設計的經驗與哲理》EDN博客名人王瑋(網名 大道至簡)編的,相當不錯!
『柒』 為什麼要學數字電路與邏輯設計
這門課的學習對學習計算機組成原理有影響 . 這門課學好了計組的有些內容就好學了
『捌』 想考研,學校要考數字電路與邏輯設計,我們只學了數字電子技術。數字電路與邏輯設計和數字電子技術這兩本
電子技術基礎(數字部分和模擬部分)比較簡單
我同學考得雖說不是你說的專業,不過他專業課考這個。
至少他說這個很簡單,仔細點就是抓分的課。
至於你要考哪一個,還是要看你自己選。下面是參考資料,這個專業是分方向的,所以決定了你考什麼課比較好。
四、研究方向及課程設置
本專業分三個方向的培養方案:
方案(一)
研究方向:
(1)微電子、光電子材料與器件(2)納米半導體結構與材料(3)納米電子學與納米光電子學(4)半導體異質結構物理學 (5)寬禁帶半導體微電子材料與微波功率器件 (6)寬禁帶半導體量子點材料與器件(7)硅基半導體發光材料和光電子集成(8)半導體功能薄膜材料的制備與物性(9)微納電子、光電子材料物理與器件應用(10)半導體低維量子結構物理與器件。
課程設置:
(一)碩士生階段
A類:
科學社會主義理論與實踐 (2學分)
自然辯證法 (3學分)
英語 (4學分)
B類:
高等量子力學 (5學分)
C類:
凝聚態物理導論 (4學分)
高等半導體物理 (4學分)
固體理論 (4學分)
群論 (4學分)
D類:
電子薄膜物理 (4學分)
微機原理與應用 (4學分)
固體物理實驗方法 (4學分)
第二外語 (2學分)
(二)博士生階段
現代科學技術革命與馬克思主義
第一外語
專業英語
(三)碩士生,博士生選修課程:
半導體低維結構 (3學分)
半導體器件與集成電路設計基礎 (2學分)
現代半導體材料與器件 (2學分)
微電子學與固體電子學前沿講座 (2學分)
(博士生可根據需要選修為碩士生開設的課程)
方案(二)
研究方向:
(1)超大規模集成電路設計方法學(2)集成電路SOC_IP設計方法與設計技術(3)集成電路可重構設計方法與設計技術
課程設置:
(一)碩士生階段
A類:
科學社會主義理論與實踐 (2學分)
自然辯證法 (3學分)
英語 (4學分)
B類:
高性能計算機體系結構 (3學分)(計算機系)
VLSI 設計方法 (2學分)
C類:
VLSI 設計方法 (2學分)
Verilog HDL硬體描述方法語言 (2學分)
EDA工具 (2學分)
可編程集成電路設計 (2學分)
DSP與微控制器 (4學分)(電子系)
D類:
高性能計算機體系結構 (3學分)(計算機系)
微機原理與應用 (3學分)
數字圖像處理 (3學分)(電子系)
第二外語 (3學分)
現代數字信號處理 (3學分)(電子系)
方案(三)
研究方向:
(1)納米材料微波物性(2)磁性金屬薄膜微波物性(3)鐵氧體膜微波物性(4)磁性吸波材料(5)吸收材料工程應用
課程設置:
同凝聚態物理專業課程設置。