1. 在射極偏置放大電路re模型（國內叫H參數模型）中考慮內阻Rce即Ro，Zb是怎麼算出來的
1、IBQ=VCC/[Rb+(1+β)(Re1+Re2)] ICQ=β*IBQ UceQ=VCC-ICQ(RC+Re1+Re2) 2、ri=RB//rbe+(1+β)(Re1+Re2) rbe=rbb+(1+β)*26/[(1+β)IBQ] ro=RC Au=β(RC//RL)/[+(1+β)(Re1+Re2)] Aus=[ri/(ri+Rs)]*Au vo=Aus*Us 這是所有的公式，你可以代數計算就行了。具體數我就不算了。
2. 什麼叫H參數小信號等效電路
上課的等效電路其實是H等效電路的縮減版，H參數是研究低頻小信號晶體管放大電路的工具，比較復雜，有n個偏微分方程。你可以參考一下：童詩白的《模擬電子技術基礎》第四版，裡面寫得很清楚，非常經典的一本書。
3. 電路簡化的H參數微變等效電路是什麼意思
是在交流小信號的條件下三極體的一個等效模型
4. 微變等效電路的h參數模型是小信號放大電路的主要線性分析方法它主要解決哪些
它主要解決了小信號放大電路：
放大倍數、輸入電阻、輸出電阻
的計算方法。
5. 三極體放大器動態分析中小信號H參數等效電路是什麼
認為基極電流ib和集-射壓降uce是BJT管子的兩個輸入量，集電極電流ic和發射結電壓ube是兩個輸出量。ic和ube主要與ib有關，還受uce的影響。在工作點上認為兩個輸入量對兩個輸出量的影響是線性化的，將β改用hFE表示，rbe改用hIE表示，將uce對ic的影響用1/rce用改用hOE表示，uce對ube的影響用hRE表示，建立線性化模型
Δic=hFEΔib+hOEΔuce
Δube=hIEΔib+hREΔuce
該模型中有四個H參數，故稱為H四參數線性化混合模型(Hybrid model)。
由相應的函數求導可以得到四個H參數的大小，所以要求導。
數字萬用表上也有H參數的痕跡，hFE檔就是用來測試晶體管β值的。
以上是H四參數晶體管數理模型。
hRE大約只有0.001，故常被忽略。忽略hRE，則有H三參數晶體管數理模型
Δic=hFEΔib+hOEΔuce
Δube=hIEΔib
H三參數晶體管數理模型可用於有源負載放大器分析計算。
hOE也很小，也常被忽略。繼續忽略hOE，並將hFE改為β，hIE改用rbe，則有H兩參數晶體管數理模型
Δic=βΔib
Δube=rbeΔib
H兩參數晶體管數理模型可用於分立元件放大器分析計算。
6. 混合π和h參數等效電路有什麼不同
R1代表定子銅損耗電阻，X1代表定子漏磁通電抗，Rm代表鐵損耗電阻，Xm代表主磁通電抗，X2'代表折算後的轉子漏磁通電抗，R2『代表轉子銅損耗電阻，（1-s/s）R2'代表總機械損耗的虛擬電阻
7. 如何畫出簡化的h參數微變等效電路
1、微變等效是解決晶體管電路的一種方法，與圖解法並列。
2、h參數模型是微變等效法中的一個模型（也就是解決方法之一），適用於小信號，低頻領域。
3、我們常說的微變等效模型其實是h參數模型的簡化版本。
8. 什麼情況下,可以用h參數小信號模型分析放大電路
在低頻小信號的情況下，可以用h參數小信號模型分析放大電路。
9. 模電中H參數等效電路和微變等效電路
1、微變等效是解決晶體管電路的一種方法，與圖解法並列。
2、H參數模型是微變等效法中的一個模型（也就是解決方法之一），適用於小信號，低頻領域。
3、我們常說的微變等效模型其實是H參數模型的簡化版本。