NMOS电路

❶ NMOS管高边驱动，希望能够设计一个升压驱动电路使栅极电压高于电源电压，使NMOS管导通。。。

如图：我自己对MOS管的理解就是P型在应用时栅极应给个上拉的正偏的电压，N型栅极拉低让其零偏回或答反偏；可是看到有人在电路中应用时没有加那个下拉电阻。
这个电路MOS管只用作开关作用，那是不是说MOS在实际应用时，在数电和模电电路中的用法不一样？ 像图里这样应用会不会对电路有什么影响？
也就是说这个下拉电阻有没有对电路有什么影响，为什么？？？

❷ pmos与nmos的辨别 该电路图中的场效应管都是PMOS吗有NMOS吗哪些是

这些箭头指向是电流方向，所以和三极管的判断方式一样。如果是衬底PN结指向，则跟三极管的相反。所以上面4个是Pmos,下面5个是Nmos

❸ 求简单的NMOS的开关电路

错了这么接

❹ 请教：MOS管做开关电路

MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要回由栅源电压uGS决定其答工作状态。

MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程，但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间，而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。

MOS管也是三端压控元件，三端分别是G、D、S，可以等效于普通三极管的B、C、E三极，VGS的电压（=VG-VS）控制Mos 开关状态:

当VGS大于Von（开启电压，NMOS为2~4V，PMOS为-2~-4V）时就使得Mos打开，D& S两极之间导通，压降为零，阻抗较小，零点几欧姆；

同理当VGS小于Von时就使得Mos处于关闭状态，D& S两极之间阻抗很大；

所以，G极就是控制极；

要注意的是，Vgs不能太高，比如IRF530，Von的最大值为4V，可是击穿电压为正负20V；又比如IRF9530，开启电压为最大-4V，也就是说Vgs=-5V时已经打开，开启电压上限也为正负20V，当Vgs=-21V或者22V时，管子会被击穿。通常使用时，可以使所加电压Vgs=正负9伏比较适合。

❺ 一个PNP普通三极管控制一个NMOS的开关电路，开关ON时灯泡亮，求电路图并说明原理

给你这个电路图做参考，手摸AN1,灯逐渐亮，摸AN2灯逐渐暗。

❻ NMOS晶体管的工作原理

NMOS晶体管的工作原理：
在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底（提供大量可以动回空穴）答上，制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源)，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极（通常是多晶硅）,作为栅极G。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的。
NMOS晶体管简介：
NMOS英文全称为：N-Mental-Oxide-Semiconctor。 意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。

❼ 在设计一个Nmos管功率驱动电路来控制48VDC电压的通断，采用IRF3810mos管

对于场效应管的输入阻抗来说，光耦关断时的漏电流足以使它导通，你应该在场效应管的回控制极接一只下答偏置电阻才行，因为光耦不管是导通还是截止对场效应管来说都是导通状态，在R10和R15下端各接上一只下偏置电阻就行了，取值以光耦导通时的分压足以使场效应管导通，关断时又可以将电压置于接近零为准，哦，R10和R15取值太小了，光耦会烧断的，可以将阻值增大一千倍

❽ 怎么用NMOS表现F=ABC 和F=A+B+C 逻辑电路分析

对于CMOS电路，分为抄N网络和P网络。
P网络在上，N网络在下。
P网络的逻辑是与并或串，N网络与串或并。
这样出来的结果是反逻辑。

比如F=ABC，这是与逻辑，上面的P网络就是三只PMOS并联（源端连一起接电源，漏端连在一起作为输出），然后三只PMOS的栅极分别接信号A、B、C。
对于下面的N网络，三只NMOS依次串联，栅极接ABC。最上面的一个NMOS的漏端作为输出，最下面的NMOS源端接地。
这样出来的是反逻辑，就是F取非，再在输出端接一个非门就可以了。

对于或逻辑以此类推。