锗硅射频电路

A. 为什么选用最外层电子为四的硅和锗作为半导体材料

是因为发现这些材料在一定工艺下生产的电子元件有半导体特性，才能作为半导体材料。

B. 硅二极管和锗二极管的特性有什么不同

由两种二极管的特性曲线可以看出：1、锗二极管正向在0.2V就开始有电流了，而硅二极管要内到0.5V才开始有电流，就是容开始导通时的电压不同，锗管小，硅管大；2、开始导通后，锗管电流增大得慢，硅管电流增大得快；

以上两点也可以总结为，在电流相同时，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻；但是硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。

另外，在反向电压下，硅管的漏电流要比锗管的漏电流小得多。

C. 锗管收音机换成硅硅,主要有那些电路改动

你好：

——★1、锗管 P / N 结的电压降较低，所以更换为硅管后应该重新调整各级放大电路的静态工内作点容，以保证放大电路正常工作。

——★2、由于硅管的 P / N 结电压降较高，电池电压稍有下降，变频电路就会停止振荡、不能工作。因此还要在变频级设计稳压电路，保证工作稳定。

D. 硅 锗 砷化镓 能带结构的异同(简答)

·硅锗与硅和砷化镓的对比

SiGe相比Si和GaAs具有四大优点：由于能量势垒较小，因而功耗较低，开关速度较高；低频和射频范围的噪声系数较低；由于功率输出大，有可能进行崭新的设计；整个制造过程可采用经济有效的解决方案，因为SiGe制造工艺保留了硅制造工艺的大部分成本经济性。

·砷化镓与硅的比较

砷化镓复合物一直被认为是Si最强大竞争对手的原因：GaAs集成电路的工作速度高于硅集成电路，原因是GaAs的低场电子迁移率要大于硅，同时GaAs的饱和场低于硅的饱和场；GaAs禁带宽度要比硅的禁带宽度大三个数量级，这样GaAs可做成半绝缘的，用半绝缘GaAs衬底做成的器件可减少寄生电容，其速度比硅还要快；GaAs是一种直接带材料，并能发射光，适于制作激光器、发光二极管和微波发射器。

硅比砷化镓具有几个明显的优点：硅可以把自己的氧化物形式用做绝缘体，这种绝缘体起着掩模的作用，对硅提供保护，而砷化镓却无此能力，因而GaAs器件较难制造，而且造价较高；硅的导热能力是砷化物的 2.75 倍，因此，用硅电路可实现的封装密度要高于GaAs电路；砷化物是剧毒的，因而即使用量极少，也会在处置和清除GaAs产品方面产生各种问题；硅是地球上最丰富的元素（仅次于氧），而砷化镓却极其稀少，获取要困难得多。

E. 为什么现在很少见到锗二极管或三极管了，而硅晶体管却很常见。

锗管耐压低，结受温度影响变化大，电流导通小，而硅管就不同了，结受温度变化影响极小，电流导通大，耐压高，除硅二三极管外，常用大电流二极管，可控硅管等，现代大规模集成电路，芯片，太阳能电池板等大量使用。

F. 硅晶体管与锗晶体管有什么异同

硅晶体管和锗晶体管都具有电流放大作用，所不同的是硅晶体管的死区电压比锗晶体管内大；硅晶体管的导通容电压约为0.7V，锗晶体管的导通电压约为0.3V；硅晶体管的反向电流比锗晶体管小得多；硅晶体管允许的最高工作温度比锗晶体管高；硅晶体管比锗晶体管稳定性好。

G. 为何CPU只用硅，而不用能耗更低的锗制作

锗很难用来做CPU，硅的地位也很难被取代在元素周期表中，金属和非金属元素之间有十二种具有半导体性质的元素，分别是：硼(B)、金刚石(C)、硅(Si)、锗(Ge)、灰-锡(Sn)、磷(P)、灰-砷(As)、黑-锑(Sb)、硫(S)、硒(Se)、碲(Te)、碘(I)。

锗在半导体领域也并不是一无是处，主要应用于光电学领域，如太阳能电池、光传感器、红外LED、锗激光器等等。所以小伙伴们，别再说为什么不用锗来做CPU了。以上个人浅见，欢迎批评指正。认同我的看法，请点个赞再走，感谢！喜欢我的，请关注我，再次感谢！

H. 硅半导体和锗半导体的区别（越详细越好）

半导体材料有很多种，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等

I. 为什么锗半导体最先得到应用，而现在的半导体材料却大都采用硅半导体

原子半径小，线路可以做很细。硅是单晶，化学性质稳定。
高压下硅半导体的压内降比锗容小得多，所以电力电子都是用硅。
锗一般用于电子电路中的单个晶体管，在电子设备的电压等级之下，锗的压降更小，电阻也更小，适合做电子设备的开关管。