集成电路与微电子的发展

❶ 集成电路产业的集成电路发展简史

1947年：贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑；集成电路
1950年：结型晶体管诞生；1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺；1951年：场效应晶体管发明；1956年：C S Fuller发明了扩散工艺；1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史；1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺；1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管；1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺；1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍；1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）；1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司；1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现；1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明；1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802；1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世；1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临；1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球第一台PC；1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世；1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM；1985年：80386微处理器问世，20MHz；1988年：16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（VLSI）阶段；1989年：1Mb DRAM进入市场；1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺；1992年：64M位随机存储器问世；1993年：66MHz奔腾处理器推出，采用0.6μm工艺；1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μm工艺；集成电路
1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世，采用0.25μm工艺；1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μm工艺，后采用0.18μm工艺；2000年：1Gb RAM投放市场；2000年：奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18μm工艺；2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。2003年：奔腾4 E系列推出，采用90nm工艺。2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工艺。2007年：基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。2009年：intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发。 (ball grid array)球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用 以代替引集成电路
脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP为40mm 见方。而且BGA 不 用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有 可 能在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。BGA 的问题是回流焊后的外观检查。尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。 美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。 表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗 口的集成电路
Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1. 5～ 2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3～5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形 。 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ－G(见QFJ)。 (al tape carrier package)双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于 利 用的是集成电路
TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为 定制品。 另外，0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机 械工 业)会标准规定，将DICP 命名为DTP。 (surface mount type)表面贴装型PGA。通常PGA 为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA 在封装的 底面有陈列集成电路
状的引脚，其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而 也称 为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA 小一半，所以封装本体可制作得 不 怎么大，而引脚数比插装型多(250～528)，是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有 多层陶 瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。 (pin grid array)陈列引脚封装。插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都 采 用多层陶集成电路
瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷PGA，用于高速大规模 逻辑 LSI 电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64 到447 左右。 了为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64～256 引脚的塑料PG A。 另外，还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)。(见表面贴装 型PGA)。 (quad flat non-leaded package)四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。QFN 是日本电子机械工业 会规定的集成电路
名称。封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFP 小，高度 比QFP 低。但是，当印刷基板与封装之间产生应力时，在电极接触处就不能得到缓解。因此电 极触点 难于作到QFP 的引脚那样多，一般从14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC 标记时基本上都是陶瓷QFN。电极触点中心距1.27mm。塑料QFN 是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除1.27mm 外， 还有0.65mm 和0.5mm 两种。这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。 (Small Outline Package(Wide-Jype))宽体SOP。部分半导体厂家采用的名称。

❷ 集成电路的发展趋势如何微电子技术会达到极限吗

集电在中国发展空间还很大，他的创造性还是很大的，比软件大。微电子技术的确快到极限了，但是取而代之的还有纳电子技术，量子效应，薄膜技术，有机电路等都是后续，所以说还没到尽头

❸ 微电子和集成电路哪个好就业

个人认为微电子更好就业一些，微电子学，从基础的半导体物理出发，构造出半导体单个器件，然后将器件连接起来，接上电源，形成电路，当器件数量越来越庞大，且器件和电路是被一起制造时，这就形成了所谓的集成，也就是产生了集成电路。

集成电路的发展方向，大部分是在电路设计，粗分有数字和模拟两大块，细分还有更细节的前后端，以及模拟延伸到高频的射频电路等等。而范畴更广的微电子，除了上面集成电路之外，还有器件，工艺，MEMS，CAD，EDA等等领域可以深入发展

❹ 微电子技术有哪些发展过程

随着晶体管应用的日益广泛，特别是制造工艺的发展，科学家们不由得想到：为什么不把组成电路的元器件和连线都像制造晶体管那样，集中在一块硅片上来实现电路的微型化呢？经过近十年的努力，这个天才想法才得以实现。1958年，大规模集成电路、超大规模集成电路相继问世，性能更强成本更低。这无疑引起了计算机技术的巨大变革。计算机的心脏——中央处理器和其他电路的高度集成化，使计算机小型化、微型化成为现实。“埃妮娅卡”房间大小的内部系统，采用集成电路后。就变得像一张扑克牌那么小。晶体管和集成电路，“都是微电子技术发展的结果，和传统电子技术相比，微电子技术立足于电子设备和系统的微型化。这是一门从60年代以来新兴的技术学科，它兼有精妙的理论和诱人的实用前景，研究起来极具挑战性。大批优秀的年轻人加入到这一领域，许多商家也被这一领域内不可估量的市场前景所吸引，将巨资投入到这一领域。两者的结合实现了几十年来微电子技术的飞速发展。

微电子技术的发展，使计算机真正成为人类历史的传奇。随着计算机处理能力的加强和工业造价的一再下降，电脑这“昔时王谢堂前燕”，如今也“飞入寻常百姓家”，个人电脑出现了，功能也开始摆脱单一的数值计算。在办公、教育、娱乐等多方面表现出威力。

今天，微电子技术几乎影响了所有的电子产品，而不仅仅是电脑。我们日常生活中的电视机、电话机、微波炉、音响、电子玩具、游戏机等，里面都有集成电路和微处理芯片。就电视机而言，一小块集成电路就取代了传统的由大量分立元件组成的功能电路，成本大大下降，功能却大大增强，因为微电子数字调谐技术，使电视机可以对多达100个频道任选，且提高了图像和声音的保真度。

由于微电子技术的迅速发展，以计算机技术为核心的现代信息技术群逐步形成，使工业生产与管理、通信邮电、教育、医疗等等方面都产生了变革，成为既代表国家现代化水平，又与人民生活息息相关的一项高新技术。

❺ 集成电路的发展前景是什么微电子技术会发展到尽头吗

前景就是越来越小，集成度越来越高，应用越来越广泛。
至于尽头，我想我们是赶不上了。

❻ 微电子行业国内发展前景怎样

摘要 微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子产业是基础性产业，之所以发展得如此之快，除了技术本身对国民经济的巨大贡献之外，还与它极强的渗透性有关。另外，现代战争将是以集成电路为关键技术、以电子战和信息战为特点的高技术战争。

❼ 集成电路的发展趋势如何微电子技术为达到极限吗

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❽ 集成电路是怎样发展起来的

现在人们公认抄，世界上最早袭的集成电路，是1958年美国物理学家基尔比和诺伊斯两人各自独立研究发明的。他们两人同时被推崇为微电子学的创始人。

早在第二次世界大战期间，就有人把油墨状的电阻材料与镀银金属片设法印在陶瓷基片上，做成电阻和连接线的组合体。印刷电路工艺的发展及晶体管的发明，为集成电路的发明做了必要的技术准备。

20世纪50年代以来，宇航工业、通信产业和计算机产业的迅速发展，迫切需要各种性能稳定、能实现更加复杂功能的半导体器件，而且还希望这种器件越小巧越好。1957年，前苏联第一颗人造地球卫星的发射，促使美国军方加快了实现电子器件微型化的步伐。

通信工程师们设想把一些晶体管及元件以新的形式组合成一种更复杂的线路，而不是简单地拼凑在一起，这种线路称为集成电路。从外形看来，它们就是小小的硅片，因此人们也称它们为芯片。至今，在各种通信设备、计算机及各种电器设备中，处处都可以见到这种芯片。

❾ 谁知道有关现代微电子技术的发展史

简述微电子技术的发展：
70年代中期以后，出现了以微电子技术为核心的新兴技术群。以微电子技术为基础的信息技术是新技术革命的主导技术和主要标志。它开辟了人类历史上的新时代——信息时代。今天，信息技术已渗透到社会生产和生活的一切领域，并产生了巨大而深远的影响。信息产业正逐步取代传统工业而跃居主导地位。从某种意义上说，人类社会己进入了信息时代。
新技术革命又称现代技术革命，也有人将它称为继蒸汽机、电力之后的第三次技术革命。它产生于本世纪40 年代中期，
70年代，光纤通信进入实用阶段。以微电子技术、电子计算机、激光、光纤通信、卫星通信和遥感技术为主要内容的信息技术成为新技术革命的先导技术。微电子技术是信息技术的基础。信息技术是新技术革命的核心技术之一。
微电子技术是采用微细加工工艺，在微小的半导体结构内制成微型电子线路或系统的技术。它是伴随集成电路技术而发展起来的一门新技术。微电子技术的形成引起电子设备和系统的设计、工艺、封装等方面的巨大变革。它最突出的成就是微处理器。
1947年底，美国贝尔实验室研制成了世界上第一个晶体管，微电子技术开始萌芽。50 年代末期，集成电路出现了。这一发明的功绩应属于美国得克萨斯仪器公司的基尔比和仙童公司研究与开发部的诺伊斯。
1962年，美国无线电公司的霍夫斯坦和海曼研制出金属氧化物半导体场效应管。它的集成度高，功耗低，可靠性好，工艺简单，但存在工作速度较慢、要求不同工作电压、易氧化等缺点。60 年代后期。制造MOS 电路的技术更加成熟，一些障碍被突破，MOS 电路才获得巨大发展。1967年，仙童公司生产出世界上第一个只读存贮器。它是一个 64 位 MOS 器件。1969 年，美国的英特尔公司制成了4 位的 4004 微处理机，采用了 P 沟道 MOS 工艺。1972年，该公司开发了计算机上使用的 MOS 结构 1024 位动态随机存贮器。1975年，他们又推出了4096位动态随机存贮器。这时，使用几片集成电路片子已能组装成一台微型计算机。
目前，微电子技术发展方兴未艾。各国政府对它极为重视。70年代，在日本政府扶植和资助下，日本5 家公司组成 “超大规模集成电路技术研究组合”，通过共同研究取得很大成功。美国半导体制造技术联合体，进行了 1987—1993 年的合作研究。西欧实施了欧洲联合亚微米硅计划，时间从 1989 年到 1996 年。中国引进的3 微米技术生产线已于 1990 年投产， “1微米兆位计划”已列为国家重点发展项目。
新技术革命又称现代技术革命，也有人将它称为继蒸汽机、电力之后的第三次技术革命。它产生于本世纪40 年代中期，伴随着当代科学技术的形成而发展起来，扩展到科学技术的各个领域。它首先在西方发达资本主义国家兴起，逐步向其他国家和地区辐射，直至席卷全球。以微电子技术为基础的信息技术是新技术革命的主导技术和主要标志。它开辟了人类历史上的新时代——信息时代。
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