晶振电路电容

Ⅰ 晶振等效电路怎么来的等效电路中为什么要并联一个电容

因为无源晶振的两端到PCB上的走线，在高频下不再视为一个阻抗为0的通道，是带有容性的，所以晶振的等效电路是带有电容的。另外，无源晶振的正常工作条件是对负载有要求的，一般为几十个PF，一般在实际运用中，会在晶振两端并联对地电容用于调试

Ⅱ 单片机晶振电路中接在晶振旁的两个电容的作用是什么

单片机晶振电路中接在晶振旁的两个电容叫负载电容，它的作用是负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。

晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片），石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振；而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。

(2)晶振电路电容扩展阅读：

晶振在应用具体起到的作用，微控制器的时钟源可以分为两类：基于机械谐振器件的时钟源，如晶振、陶瓷谐振槽路；RC（电阻、电容）振荡器。一种是皮尔斯振荡器配置，适用于晶振和陶瓷谐振槽路。另一种为简单的分立RC振荡器。基于晶振与陶瓷谐振槽路的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温度系数。

RC振荡器能够快速启动，成本也比较低，但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差，会在标称输出频率的5%至50%范围内变化。但其性能受环境条件和电路元件选择的影响。需认真对待振荡器电路的元件选择和线路板布局。在使用时，陶瓷谐振槽路和相应的负载电容必须根据特定的逻辑系列进行优化。具有高Q值的晶振对放大器的选择并不敏感，但在过驱动时很容易产生频率漂移（甚至可能损坏）。

Ⅲ 一般的电路里晶振旁边都接了两个电容，是起什么作用的求解答

有人说是
负载电容
，是用来纠正晶体的振荡频率用的；有人说是启振电容；有人说起谐振作用的。
泰河
电子刘工给大家分析：
电容与内部电路共同组成一定频率的振荡，这个电容是硬连接，固定频率能力很强，其他频率的干扰就很难进来了。
讲的通俗易懂一点，用一个曾经听过的笑话来比喻，大概意思就是本飞机被我劫持了，其他劫持者等下次吧。这个电容就是本次劫机者。
晶振
电路其实是个电容
三点式振荡电路
，输出是正玄波晶体等效于电感，加两个槽路分压电容，输入端的电容越小，
正反馈
量越大。负载电容每个晶振都会有的参数，例如稳定度是多少PPM，部分人会称之为频差，单位都是PPM，负载电容是多少PF等。当晶振接到震荡电路上
在震荡电路所引入的电容不符合晶振的负载电容的容量要求时
震荡电路所出的频率就会和晶振所标的频率不同
再举例说明
一个4.0000MHz
+-20PPM
负载电容是
16PF
的晶振
当负载电容是10PF时
震荡电路所出的频率就可能会是4.0003MHz
当负载电容是20PF时
震荡电路所出的频率就可能会是3.9997MHz
在一些对频率精度要求高的电路上如PLL的基准等。。。就是并多个
可调电容
来微调频率的

Ⅳ 请问单片机晶振电路中两个电容的作用是什么

单片机晶振电路中两个电容（负载电容）的作用是把电能转换成其他形式的能。如果没这两个电容的话，振荡部分会因为没有回路而停振。电路不能正常工作了。

负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。

所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一致，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。

电动机能把电能转换成机械能，电阻能把电能转换成热能，电灯泡能把电能转换成热能和光能，扬声器能把电能转换成声能。电动机、电阻、电灯泡、扬声器等都叫做负载。

晶体三极管对于前面的信号源来说，也可以看作是负载。对负载最基本的要求是阻抗匹配和所能承受的功率。

(4)晶振电路电容扩展阅读

单片机能正常工作的必要条件之一就是时钟电路，所以单片机就很需要晶振。通过一定的外接电路来，可以生成频率和峰值稳定的正弦波。

而单片机在运行的时候，需要一个脉冲信号，做为自己执行指令的触发信号，可以简单的想象为：单片机收到一个脉冲，就执行一次或多次指令。

单片机工作时，是一条一条地从RoM中取指令，然后一步一步地执行。单片机访问一次存储器的时间，称之为一个机器周期，这是一个时间基准。

—个机器周期包括12个时钟周期。如果一个单片机选择了12兆赫兹晶振，它的时钟周期是1/12us，它的一个机器周期是12×（1/12）us，也就是1us。

晶振是给单片机提供工作信号脉冲的。这个脉冲就是单片机的工作速度。比如12兆晶振。单片机工作速度就是每秒12兆。单片机内部也有晶振。接外部晶振可以或得更稳定的频率。

Ⅳ 单片机的晶振电路中晶振的负载电容可以是独石电容吗

C1与C1(加上元件引脚的输入电容)组成谐振电路的负载电容，C1,C1一般取22pF～30pF。
独石电容广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
容量范围：10pF~10μF，单片机晶振负载电容可以用独石电容，
我使用的STAR-MA280
单片机开发板的晶振电容就是30pF独石电容。

Ⅵ 晶振要配多大的电容比较合适

这要根据晶振的规格和电路中的因素来确定,同是16MHZ的晶体谐振器,其负载电容值有可能不一样,如10PF,20PF.....负载电容值是在其生产加工过程中确定的,无法进行改变.购买晶振时应该能得到准确的规格书.
晶振在电路中使用时,应满足CL=C+CS.
CL为规格书中晶振的负载电容值,
C为电路中外接的电容值(一般由两颗电容通过串并联关系得到),
CS为电路的分布电容,这和电路的设计,元器件分布等因素有关,值不确定,一般为3到5PF.所以根据以上公式就可以大概推算出应该使用的电容值,而且这一电容值可以使晶振工作在其标称频率附近.

Ⅶ 晶振旁边接的两个电容是起什么作用

晶振旁边接的两个电容，作用是负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶专振，负载电属容不一定相同。

普通单片机的晶体振荡器在并联谐振状态下工作，这也可以理解为谐振电容器的一部分。 根据晶体制造商提供的晶体负载要求进行选择。 换句话说，晶体的频率是在其提供的负载电容下测量的，这可以确保频率值的最大误差。

同时，还可以保证温度漂移等错误。 两个电容器的值相同，或者相差不大，如果相位差太大，则容易引起共振不平衡，容易停止振动或根本不振动。

(7)晶振电路电容扩展阅读：

晶体振荡器在应用中起特定作用。微控制器的时钟源可分为两类：基于机械谐振设备的时钟源，例如晶体振荡器和陶瓷谐振器； RC（电阻，电容）振荡器。一种是Pierce振荡器配置，适用于晶体和陶瓷谐振储能电路。

另一个是简单的分立RC振荡器。基于晶体和陶瓷谐振回路的振荡器通常提供非常高的初始精度和较低的温度系数。RC振荡器可以快速启动，并且成本相对较低，但是在整个温度和工作电源电压范围（通常为标称输出频率的5％至50％）范围内，精度通常很差。

Ⅷ 晶振电容作用是什么

有人说是负载电容，是用来纠正晶体的振荡频率用的；有人说是启振电容；有人说起谐振作用的。泰河电子刘工给大家分析：
电容与内部电路共同组成一定频率的振荡，这个电容是硬连接，固定频率能力很强，其他频率的干扰就很难进来了。
讲的通俗易懂一点，用一个曾经听过的笑话来比喻，大概意思就是本飞机被我劫持了，其他劫持者等下次吧。这个电容就是本次劫机者。
晶振电路其实是个电容三点式振荡电路，输出是正玄波晶体等效于电感，加两个槽路分压电容，输入端的电容越小，正反馈量越大。负载电容每个晶振都会有的参数，例如稳定度是多少PPM，部分人会称之为频差，单位都是PPM，负载电容是多少PF等。当晶振接到震荡电路上 在震荡电路所引入的电容不符合晶振的负载电容的容量要求时 震荡电路所出的频率就会和晶振所标的频率不同
再举例说明
一个4.0000MHz +-20PPM 负载电容是16PF 的晶振
当负载电容是10PF时 震荡电路所出的频率就可能会是4.0003MHz
当负载电容是20PF时 震荡电路所出的频率就可能会是3.9997MHz
在一些对频率精度要求高的电路上如PLL的基准等。。。就是并多个可调电容来微调频率的
如果对频率精度要求不高就用固定电容就行了
晶振负载电容一般有2种接法 1 并联在晶振上 2 串联在晶振上
第2种比较常用 2个脚都接一个电容对交流地
记得采纳哦~

Ⅸ 为什么晶振两端要外接两个电容呢

这两个电容叫晶振的负载电容，分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般在几十皮发。它会影响到晶振的谐振频率和输出幅度，也是使振荡频率更稳定。

实际上就是电容三点式电路的分压电容, 接地点就是分压点。 以接地点即分压点为参考点, 振荡引脚的输入和输出是反相的。

当两个电容量相等时, 反馈系数是 0.5, 一般是可以满足振荡条件的, 但如果不易起振或振荡不稳定可以减小输入端对地电容量, 而增加输出端的值以提高反馈量。

(9)晶振电路电容扩展阅读：

晶振的功能作用：

晶振在应用具体起到的作用，微控制器的时钟源可以分为两类：基于机械谐振器件的时钟源，如晶振、陶瓷谐振槽路；RC（电阻、电容）振荡器。一种是皮尔斯振荡器配置，适用于晶振和陶瓷谐振槽路。另一种为简单的分立RC振荡器。

基于晶振与陶瓷谐振槽路的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温度系数。RC振荡器能够快速启动，成本也比较低，但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差，会在标称输出频率的5%至50%范围内变化。但其性能受环境条件和电路元件选择的影响。

需认真对待振荡器电路的元件选择和线路板布局。在使用时，陶瓷谐振槽路和相应的负载电容必须根据特定的逻辑系列进行优化。具有高Q值的晶振对放大器的选择并不敏感，但在过驱动时很容易产生频率漂移（甚至可能损坏）。

影响振荡器工作的环境因素有：电磁干扰（EMI）、机械震动与冲击、湿度和温度。这些因素会增大输出频率的变化，增加不稳定性，并且在有些情况下，还会造成振荡器停振。上述大部分问题都可以通过使用振荡器模块避免。

这些模块自带振荡器、提供低阻方波输出，并且能够在一定条件下保证运行。最常用的两种类型是晶振模块和集成RC振荡器（硅振荡器）。晶振模块提供与分立晶振相同的精度。硅振荡器的精度要比分立RC振荡器高，多数情况下能够提供与陶瓷谐振槽路相当的精度。

选择振荡器时还需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。CMOS放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如，HC04反相器门电路的功率耗散电容值是90pF。

在4MHz、5V电源下工作时，相当于1.8mA的电源电流。再加上20pF的晶振负载电容，整个电源电流为2.2mA。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，相应地也需要更多的电流。相比之下，晶振模块一般需要电源电流为10mA ~60mA。

硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。一种低功率的硅振荡器，如MAX7375，工作在4MHz时只需不到2mA的电流。在特定的应用场合优化时钟源需要综合考虑以下一些因素：精度、成本、功耗以及环境需求。

Ⅹ 晶振电路中的两个小电容要怎样选取

晶振起振后的频率准确与否,和选取的C1,C2是否与晶振规格要求的负载电容要求相吻合有直接关系,计算公式如下:CL=C1*C2/(C1+C2)+5pF;算出的CL值要与晶振规格要求的负载电容尽量接近才能获得晶振的标称频率的振荡频率.
一般电容的计算公式是：
两边电容为Cg,Cd,
负载电容为Cl
cl=cg*cd/(cg+cd)+a
就是说负载电容15pf的话，两边个接27pf的差不多了，一般a为6.5～13.5pF