分压式偏置放大电路图

Ⅰ 分压式偏置放大电路中，Ub基本不变什么意思，还有Ube下降，Ib为何也减小啊见电路图。

Ub基本不变是说温度变化时基本不变，因为Ub的表达式里只有电阻和VCC。
Ube下降，Ib减小，这是三极管本身具有的特性，可以看看三极管的输入特性曲线。

Ⅱ 如图所示电路分压式偏置放大电路中，已知RC＝3.3KΩ，RB1＝40KΩ，RB2＝10KΩ，RE＝1.5KΩ，β=70。

题目中缺一个晶体管用的材料这个条件，如果是锗半导体材料的晶体管，基极－发射极电压约0.25V（常按0.3V计算），硅材料半导体晶体管基极－发射极电压约0.65V（常按0.7V计算）

下面按硅晶体管考虑计算：

由RB1、RB2分压比是4/1，和电源电压是25V得知基极电位约5V，则发射极电压约4.3V，发射极电阻为1.5kΩ，

则发射极电流约为2.87mA，

基极电流＝发射/（β＋1）＝40.4μA，

集电极电流＝发射极电流－基极电流＝2.83mA，

UCE＝25V－2.87mA×1.5kΩ－2.83mA×3.3kΩ＝11.36V

题目中缺一个rbe（发射结电阻）条件，所以不能计算电压放大倍数。该参照不能凭计算得到，就象β一样，由晶体管型号和规格给定，也可以通过实验测量得到。在题目中应该作为已知条件给定。否则可能无法计算电压放大倍数。

但是如果电路中没有Ce，则电压放大倍数≈集电极电阻/发射极电阻，有了发射极电容时就不能这样估算了。

注意：现在网上有一种错误计算方法，就是 rbe＝发射结导通电压÷基极电流。实际上rbe比这样计算出来的电阻小得多。理论上只有基极电流极大时才可以近似相等。因为晶体管发射结是非线性器件，非线性器件的电阻要用 r＝dU/dI 来计算，也就是说，在不同的基极电流情况下，rbe是不同的。见下图：

这是晶体管基极－发射极的输入特性曲线，非常明显用Ube/Ib计算出的Rbe与rbe相差很大。电阻其实在U/I坐标图中就是曲线上各点的余切值，垂直的线电阻为0，水平的直线电阻为∞，而45°的直线就是1，电流的单位是μA，那就是1MΩ，说明rbe和Rbe的角度差一点就可能相差数kΩ至数百kΩ。所以不能用Ube/Ib求rbe。除非基极电流非常大时两条线才接近平行。

Ⅲ 分压式偏置放大电路

在交流等效图中，CE相当于短路，这样可以提高动态参数的电压增益。

Ⅳ .电路如图4.1所示，为分压式偏置放大电路，已知Vcc=24V，RC=3KΩ,RE=1.5KΩ,

Ⅳ 帮忙画下面这个分压偏置放大电路的原理图

这个不是已经是画好了的么？ 这个用的是dxp(altium designer)画的，你先去下一个altium dsigner summer 09的程序并破解好，进去后 菜单-文件-新建-原理图，然后在原理图中右键-放置期间，找到你要的元器件放上去即可，很简单的

Ⅵ 如图10所示分压式偏置放大电路中，Ucc=12V，β=50，RB1=50kΩ，RB2=20kΩ，RE=2.7kΩ，RC=5kΩ，RL=5kΩ

计算量这么大！
一点分都不给？

Ⅶ 分压式偏置电路如图所示

1）关于基极电压的求解；

简单的： Ub = Vcc*Rb2/(Rb1+Rb2)；

严谨点的如上图示，采用戴维南等效理论，通常工程设计上采用前一种方法已能满足要求；

2）有了Ub，则 Ub = Ube + Ue，Ue = Ie*Re，这样得到 Ie；

那么，Uc = Vcc - Ic*Rc；Ic 取 = Ie，或者 Ic = Ie*β/(1+β)；

这样，Ub、Uc、Ue、Ic 等参数都得到了；

同时因为Re交流短路，所以 rbe = rbb+(1+β)*26/Ie；（直接套用公式）

3） Ro = Rc，Ri = Rb1//Rb2//rbe；

Uo = ic*Rc，Ui = ib*rbe；

Au = Uo/Ui =β*Rc/rbe (还是公式)；

4）微变等效电路，比照教材做吧（没有Re的那种）

Ⅷ 分压式反馈偏置电路的原理

分压式偏置放大电路如图所示。V是放大管；RB1、RB2是偏置电阻，RB1、RB2组成分压式偏置电路，将电源电压UCC分压后加到晶体管的基极；RE是射极电阻，还是负反馈电阻；CE是旁路电容与晶体管的射极电阻RE并联，CE的容量较大，具有“隔直、导交”的作用，使此电路有直流负反馈而无交流负反馈，即保证了静态工作点的稳定性，同时又保证了交流信号的放大能力没有降低。稳定静态工作点的原理 分压式偏置放大电路的直流通路如图a所示。当温度升高，IC随着升高，IE也会升高，电流IE流经射极电阻RE产生的压降UE也升高。又因为UBE=UB-UE，如果基极电位UB是恒定的，且与温度无关，则UBE会随UE的升高而减小，IB也随之自动减小，结果使集电极电流IC减小，从而实现IC基本恒定的目的。