栅极偏置电路

A. 场效应管基本自给偏压电路中栅极电阻RG作用

提供栅极零电位的静态偏置，如无该电阻，栅极静态电位无法确保为零。

B. 栅极偏置电压低于最低值会怎么样

是指栅极与参考地之间的电压。
如果不加说明，任何电压均指对地电压。如果要考察栅极与其他节点之间的电压，例如研究栅极与源极间的电压，那就应该说是“栅—源电压”。

C. 与BJT放大电路相比MOSFET偏置电路有什么特点

MOSFET是电压型控制器件，它的栅极电压决定着它的电流，不同的mosfet特性也不同，增强型、耗尽型的控制电压不同。
这样一来，mos的偏置需要一个准确的栅极电压，而偏置电流却很低，偏置电阻可以取到很大，这样MOS的输入阻抗也会很高。
D、S极与三极管略同。
相比于IGBT和BJT耐冲击性好,故障率低.由于电导率负温度系数,MOSFET可扩展性很好.大功率应用时,如成本不敏感,如军用、工业、高端消费产品,MOSFET是最优选择.低压大电流领域是MOSFET的强项.
IGBT是和功率MOSFET同步发展起来的一类开关器件,IGBT的优点在于做大功率时成本低,堪称“穷人的法拉利”,耐压比MOSFET容易做高.相比于BJT,更少被二次击穿而失效.常用于高压（600V)应用领域.以及低端大功率（2000W)设备,如电磁炉、逆变器等.
BJT是最老的开关器件,目前由于国内仍有一批尚未淘汰的BJT生产线没有停产,仍然活跃于低端市场.低压BJT开关频率可以较高,但由于饱和CE压降高达0.4V以上而远逊于MOSFET,只被用在最低端领域.高压BJT驱动麻烦,需使用低压大电流的电流源驱动,一般使用变压器驱动.在驱动不当或电压应力过大时容易发生二次击穿而失效.适合中功率(50~1000W),对成本极度敏感的市场.
BJT有两种驱动方式,一种是基极开关,一种是射极开关.射极开关的效率和开关速度都优于基极开关,是BJT应用的潮流.
答：MOSFET是稳定性最好的器件,不容易损坏.MOSFET常见的失效模式有：
栅极击穿.即栅极和源极之间的绝缘层破坏.此时的MOSFET（此处均指增强型MOSFET）无法开启.
封装破裂.这是由瞬间高热引起的.在瞬间产热过大,散热不良的情形下,树脂封装材料部分分解气化并膨胀,把封装撑裂.
漏源极之间击穿.这是MOSFET最严重的一种失效模式,通常不易发生.发生后会导致短路而非断路.会导致强电源灌进弱电部分,如输入电压直接进入控制芯片而烧毁很多控制电路.通常是持续温度太高引起的（管芯温度大面积超过200度持续工作时才可能发生)IGBT稳定性比MOSFET稍差,但仍强过BJT.除了MOSFET的失效模式外,还有二次击穿的失效模式.
当IGBT持续超过安全工作区工作时,会出现还未大面积发热就出现CE极击穿的现象,这种击穿称为二次击穿.IGBT出现二次击穿的可能性比BJT小很多,但仍有可能出现.
BJT常见的失效模式有：
二次击穿：最常见的失效模式,表现为芯片并未大面积发热,但CE之间持续低阻.此时BJT已经损坏.如果是用在电源上没有保护,则会进一步发展为整管熔毁.CB间绝缘破坏：比较少见,通常发生在整管熔毁时,或CB间承受的电压高于VCBO时击穿.
热击穿：在高温下管子热失效.通常不易发生,因二次击穿发生更加容易,先发生二次击穿.
MOSFET开关极快,而且是多子导电器件,没有拖尾电流,损耗主要是开通时的输出电容放电损耗.计算公式为:
Ploss = f * 0.5 * Coss * V^2 ,
V是MOSFET开通前一瞬间承受的电压.
IGBT开关速度较快,没有存储时间,但存在拖尾电流.拖尾电流,就是在VCE已经升高的情况下,CE之间仍然有一股小电流流通一段时间,拖尾电流导致的电流--电压交叉损耗构成了IGBT的主要损耗.
BJT开关速度慢,而且是少子器件,存在存储时间.存储时间就是基极电流已经切断甚至反向,而集极和射极仍然保持完全导通的时间.在存储时间后进入下降时间.下降时间是电压、电流交叉的时间,交叉损耗发生在下降时间.低压BJT由于β值高,下降时间比较短,存储时间也可以通过肖特基箝位电路大幅减小,因此主要损耗在于导通损耗,开关损耗不太大.高压BJT的存储时间不容易通过箝位控制,下降时间也较长,主要损耗包括电流--电压交叉损耗.
但必须注意,采用射极开关的BJT没有存储时间,下降时间也很短,开关损耗可以达到MOSFET的水准.
答：从损耗分析上来看,
MOSFET的主要损耗是输出电容放电损耗,因此需要实现零电压开通,即开通前一瞬间DS电压为0.
电路形式有LLC半桥以及准方波谐振的变换器,如移相全桥ZVS,准谐振反激.
IGBT的主要损耗来自拖尾电流,因此需要实现零电流关断,消除拖尾电流,即关断前一瞬间CE电流为0.
电路形式有ZCS半桥、ZCS全桥.
BJT的主要损耗和IGBT相仿,主要在关断时有电流--电压交叉损耗,因此也应实行零电流关断.

D. 什么是自给偏压电路啊

自给偏压就是不必另外设置偏置电压，电路能自己形成偏置的电路。这种情况内主要用在结型容场效应管中，不需要另外加栅极偏压，只需要在栅极与地之间串接一个1MΩ的电阻就可以形成栅偏压，当然漏极D下面应该接一个几十至几千欧姆的电阻就行啦。

E. 请问什么叫偏置（模拟电路）

三极管工作于正常状态，需要由基极提供控制电流；场效应管工作，由栅极提供控制电压，要从基极或栅极提供电流或电压时，必须有电路，通常使用电阻，这个给基极或栅极提供电流或电压的电阻，就叫偏置电阻；偏置简单理解就是：给三极管或场效应管提供正常工作条件的控制电路

F. N沟道增强型MOS管构成的分压式偏置共源放大电路中栅极电流为0，那栅极...

因为场效晶体管的输入电阻rGS是很高的，比RG1或RG2都高得多，三者并联后可将rGS略去。显然，由于RG1和RG2的接入使放大电路的输入电阻降低了。因此，通常在分压点和栅极之间接入一个阻值较高的电阻RG，这样就大大提高了放大电路的输入电阻。图见这里http://www.dz3w.com/pic/010908/6.47.gif

G. 场效应管的栅极偏置电阻怎么选合适

场效应管的栅极，一般都是绝缘栅，所以其栅极与漏极，源极是不导电的，
栅极电阻只是用于给栅级注入电荷或者抽干电荷，所以这个电阻大小应该以你所需要的信号上升、下降时间来选择。

H. 栅极分压式电路，适合哪些类型的场效管

分压偏置适合任何类型
场效应管
。以及晶体管
自偏压仅适合
结型场效应管

I. 场效应管三极管的偏置电阻，一般多少k，因为不会，计算偏置电阻，所以准备买个精一密电位器调，经验太少

场效应管三极管的偏置电阻取值？？好比你凭空问买一辆车多少钱一样，会有N种答案；

与场效应管、三极管连接的电阻大部分都属于偏置电阻，如基极电阻、集电极电阻、发射极电阻，栅极电阻、源极电阻、漏极电阻等。那么取值范围就大了去了；

这个不是经验少，而是电路知识少啊，工欲善其事必先利其器啊

J. 增强型绝缘栅场效应管能采用自偏压偏置电路吗其偏置电路应采用什么类型

不能，对于绝缘栅场效应管需要另提供偏压电源，