A. 熔断器rw1-10型号含义
r代表熔断器，w户外，1型，-10代表额定电压10kv，不过还真没见过1型的，RW11型最常见。
B. 电子电路板上的HW、MW、LW、COM、FL、RW、SW、AW是什么意思啊有没有相关的资料查旬网站给我一个谢谢！
楼主给出的符号，看起来都是自定义的，这都是设计电路板的厂家，自己规定的。
一般是查不到的。
看看它们的厂家，有没有官网吧。
C. 电路要起振,R3与RW1和R4的阻值应该满足什么关系是否越大越好为什么
电路必须是正反馈。
D. 差动放大电路中Rw1和Re1所起的负反馈作用有何不同
最好是把图发上来吧
E. 在用带AD口的单片机做数字电压表的时候，电路中的RW1和RW2为什么要用可调电阻请高手解答一下。
用可调电阻，便于调节每个档位的满量程值，因每个档是用电阻串联分压的，就必然有误差的。如0-50V一档，当输入电压最大为50V时，这时，加到单片机输入引的电压就应该是5V，即最大值，如果达不到，就可以通过调节RW1来达到标准。当然了，这种可调电阻一旦调节达到标准后就要固定了，更不允许用户私自调节了。
F. 单管放大电路中RW调大会出现何种失真
会出现截止失真
因为Rw调大会使得Uce增大，Ic减小，Q点也即静态工作点下移，所以会出现截止失真
G. 电路板上的RW是什么元器件
要根据外观识别，Rw 一般是电位器。
H. 图一图二的区别，稳压管的作用有区别吗，Rw1哪部分作用于电路
图一图二的区别是：前者可以通过接地的那个电位器调节频率；
稳压管的作用没有区别，都是为了获得正负等幅电压输出；
Rw1的作用是通过两个二极管的正反导向作用，Rw1被分为两个电阻，这样会出现给电容充电和放电电阻不等，从而改变输出锯齿波的斜率；
I. 单片机的读写操作，请问寄存器中的RW，为1时是读还是写
RW代表这个寄存器或者寄存器中的指定位是可读可写的，与你后面“为1”的描述并无关联。
我又反复看了一下你的提问，猜测你是不是在问I2C总线中的读写位，1代表读操作，0代表这操作。
J. 电路中的 VDD、GND 、BM、LW 、FW 、RW分别代表
VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压； VDD：D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压； VSS：S=series 表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压。 GND：在电路里常被定为电压参考基点。 VEE：负电压供电；场效应管的源极（S） VPP：编程/擦除电压。
1、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压（通常Vcc>Vdd），VSS是接地点。
2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚，说明这种器件自身带有电压转换功能。
3、在场效应管（或COMS器件）中，VDD为漏极，VSS为源极，VDD和VSS指的是元件引脚，而不表示供电电压。
4、从电气意义上说，GND分为电源地和信号地。PG是 Power Ground（电源地）的缩写。另一个是 Signal Ground（信号地）。实际上它们可能是连在一起的（不一定是混在一起哦！）。两个名称，主要是便于对电路进行分析。
进一步说，还有因电路形式不同而必须区分的两种“地”：数字地，模拟地。
数字地和模拟地都有信号地、电源地两种情况。数字地和模拟地之间，某些电路可以直接连接，有些电路要用电抗器连接，有些电路不可连接。
Vcc 来源于集电极电源电压, Collector Voltage, 一般用于双极型晶体管, PNP 管时为负电源电压, 有时也标成 -Vcc, NPN 管时为正电压.
Vdd 来源于漏极电源电压, Drain Voltage, 用于 MOS 晶体管电路, 一般指正电源. 因为很少单独用 PMOS 晶体管, 所以在 CMOS 电路中 Vdd 经常接在 PMOS 管的源极上.
Vss 源极电源电压, 在 CMOS 电路中指负电源, 在单电源时指零伏或接地. Vee 发射极电源电压, Emitter Voltage, 一般用于 ECL 电路的负电源电压. Vbb 基极电源电压, 用于双极晶体管的共基电路.
来源：CSDN
原文：https://blog.csdn.net/wise18146705004/article/details/79873074
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