BEQ电路

① arm 中b 与bne的区别

一、意思不同

b：数据跳转指令，标志寄存器中Z标志位等于零时,跳转到BEQ后标签处。

bne:数据跳转指令，标志寄存器中Z标志位不等于零时,跳转到BNE后标签处。

二、作用不同

BNE指令，是个条件跳转，即：是“不相等（或不为0）跳转指令”。如果不为0就跳转到后面指定的地址，继续执行。

B 是最简单的分支。一旦遇到一个 B 指令，ARM 处理器将立即跳转到给定的地址，从那里继续执行。

三、执行跳转的条件不同

例一：cmp同bne搭配

cmp r1,r2 //这个cmp搭配下边的bne指令构成了如果r1≠r2则执行bne指令，跳转到_loop函数处执行。否则，就跳过下边

bne _loop//的bne指令向下执行。

例二：cmp同beq搭配

cmp r0,r1//如果r0=r1，就执行beq，跳转到clean_bss函数处执行，否则跳过beq向下执行。

beq clean_bss

② 三极管放大电路中,设u b、u e分别表示基极和发射极的信号电位,则u b=U BEQ+u

三极管基极电压等于基-发极电压加上发射极电压，即u b=U BEQ+ue。

③ 射极偏置电路里的V(BEQ)为什么等于0.7V

硅管的VBE在三极管导通状态下vBE的特性曲线，在IB变化时VBE变化不太基本为0.7V就象是稳压二极管。

④ LED恒流源电路图

R1是限流电阻，R2为反馈电阻，计算方法如下：
设工作时负载的电流为I,而三极管专的放大倍数为B,则流过基属极的电流为I/B,限流电阻R1应该小于[V(S)-V(DZ1)]/(I/B),取一个最近值即可，而R2=[V(DZ1)-V(BEQ)]/I,其中V(BEQ)和I的值可以在三极管使用说命中查到！

⑤ 模电题目，2.7和2.11求电流Ibq为什么求出来是0哪里错了

2.7题
1、用分压法求得：Ubeq=3*15/59=.76v。故偏置电路能保证放大电路能工作在正常状态。2、这时，内Ib1=Is=0.76/3=0.253mA。
3、由于Ibeq的存在，故实际容 Ubeq=0.6v左右。实际的Ibeq=0.253mA-0.6/3=0.053mA。
4、Ic=80*0.053=4.27mA（一会要验算）。
5、Rc的压降：5*4.27=21.3v，比电源电压高，显然不合适。唯一解释就是由于Rc的作用，使得三极管不能工作于放大状态（应该为非线性区）。
由于电路图不清晰，无法得到正确答案，但方法你可以参考。
2.11，注意电容存在时，交流电是没有阻抗的（短路了反馈电阻）

⑥ led恒流源电路

R1是限流电阻，R2为反馈电阻，计算方法如下：
设工作时负载的电流为I,而三极管的放大倍数为B,则流过基极的电流为I/B,限流电阻R1应该小于[V(S)-V(DZ1)]/(I/B),取一个最近值即可，而R2=[V(DZ1)-V(BEQ)]/I,其中V(BEQ)和I的值可以在三极管使用说命中查到！

⑦ 两道关于三极管微变电路的电路题

第一题,
Uce=Vcc-Rc*Ic
9=12-3000*Ic
Ic=3mA
ib=Ic/50
=3/50
=0.06mA
Ie=Ic+Ib

rbe=300＋（1＋beta）*（26/Ie）(26是一个常数)
=300+51*26/3.06
=742
Rb=(Vcc-Vbe)/0.06 (Vbe=0.7 是常数)
=14.3/0.06
=238K
Ri=Rb//Rbe
=238K//0.742K
约等于238K
Ro=RC//RL
=3K//3K
=1.5K
A=【beta（Rc//Rl）】/rbe
=(50*1.5k)/0.742
=100(约等于,方便计算)

放大及静态工作点不稳定,容易随温度及晶体的差异,容易产生偏差.

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第二题
Uceq=Vcc-Rc*Ic
=15-3*2mA
=15-6
=9V
(Rb+Rp)*Ib=Vcc-Vbe
Ib=Ic/50
=2/50
=0.04mA
Rb+Rp=14.3/0.04mA
=357K (因缺少rb的值故无法分离RP的值)

放大倍数,输入,输出阻抗.请参阅第一题
方法一样

⑧ 求如图所示的电路静态工作点，设三极管U(BEQ)=0.7V

三极管要饱和必须发射结和集电结都正偏，ie=[[0-(-6)]-0.7]/Re,Ve=iexRe+(-6),Vb>Ve,ic约等于ie,Vc=6-Rcxie,Vb>Vc;

⑨ 大学物理模拟电路中，那个晶体管的U beq是默认0.7V吗为什么

硅管QQ.7v锗管管0.3v，这是由于be的伏安特性决定的导通压降在这个数佐附近，可近似看作0.7V和和0.3v。

⑩ 模电基本放大电路求静态工作点 直流电路图怎么画 如图 主要是第一问不太会 大恩不言谢

画直流通路方法：令输入为零（即电压源短路、电流源开路），电容器（如果有）开路。
对于本题，有ui=0，即输入端（Rb左边）接地。此时，由基尔霍夫电压定律KVL，R(b)的端电压（由I(BQ)产生）与BJT发射结压降U(BEQ)之和等于VEE，I(BQ)可由此求出。
I(CQ)与I(BQ)由β联系。
由基尔霍夫电压定律KVL，R(c)的端电压（由I(CQ)产生）与BJT集-射压降U(CEQ)之和等于VCC+VEE。