MOS集成电路

A. MOS集成电路的生产条件

除了集成电路技术本身之外，半导体车间对我国集成电路生产基础条件的发展也起了重要的推动作用。为了满足大规模集成电路生产对于设备的高精度和自动化要求，有很多关键设备都是自制的，例如高精度初缩机、扩散炉和三氯乙烯氧化系统、高速匀胶机、等离子刻蚀机等。有些设备是由半导体车间提出性能要求并进行试用改进，与其它单位协作生产，例如高精度分步重复精缩机就是与我校无线电系、精仪系协作定型生产的，这一精缩机成了当时国内集成电路厂普遍采用的设备。
为了满足大规模集成电路制造对减少灰尘沾污的要求，半导体车间自己设计、自己采购材料、联系施工，对原来的800平方米实验室进行了净化改造，于1975年建成了350平方米、净化级别达到1000级和10000级的超净车间。这是当时国内集成电路生产用的第一个超净车间，它满足了大规模集成电路研制的需要，一直使用到1993年。

B. MOS集成电路的介绍

MOS集成电路是以金属-氧化物-半导体（MOS）场效应晶体管为主要元件构成的集成电路 。简称MOSIC 。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到1968年解决了MOS器件的稳定。

C. 集成电路mos型和ttl型有什么区别

CMOS在集成度方面的优势太大，现在基本只有74这种简单的分立逻辑芯片还在用TTL，其他除非特殊应用，都会采用CMOS来完成。

D. MOS集成电路的类型

按晶体管的沟道导电类型，可分为P沟MOSIC、N沟MOSIC以及将P沟和N沟MOS晶体管结合成一个电路单元的互补MOSIC，分别称为PMOS 、NMOS和CMOS集成电路。随着工艺技术的发展，CMOS集成电路已成为集成电路的主流，工艺也日趋完善和复杂 ，由P阱或N阱CMOS发展到双阱CMOS工艺。80年代又出现了集双极型电路和互补金 属-氧化物-半导体（CMOS）电路优点的BiCMOS集成电路结构。按栅极材料可分为铅栅、硅栅、硅化物栅和难熔金属（如钼、钨）栅等MOSIC，栅极尺寸已由微米进入亚微米（0.5～1微米）和强亚微米（0.5微米以下）量级 。此外，还发展了不同的MOS集成电路结构的MOSIC：如浮栅雪崩注入MOS（FAMOS）结构，用于可擦写只读存贮器；扩散自对准MOS（DMOS）结构和V型槽MOS结构等，可满足高速、高电压要求。近年来发展了以蓝宝石为绝缘衬底的CMOS结构，具有抗辐照、功耗低和速度快等优点。MOSIC广泛用于计算机、通信、机电仪器、家电自动化、航空航天等领域，可使整机体积缩小、工作速度快、功能复杂、可靠性高、功耗低和成本便宜等。

E. MOS集成电路的使用操作准则

1 不要超过手册上所列出的极限工作条件的限制。
2 器件上所有空闲的输入端必须接 VDD 或 VSS，并且要接触良好。
3 所有低阻抗设备（例如脉冲信号发生器等）在接到 CMOS 或 NMOS 集成电路输入端以前必然让器件先接通电源，同样设备与器件断开后器件才能断开电源。
4 包含有 CMOS 和 NMOS 集成电路的印刷电路板仅仅是一个器件的延伸，同样需要遵守操作准则。从印刷电路板边缘的接插件直接联线到器件也能引起器件损伤，必须避免一般的塑料包装，印刷电路板接插件上的 CMOS 或 NMOS 集成电路的地址输入端或输出端应当串联一个电阻，由于这些串联电阻和输入电容的时间常数增加了延迟时间。这个电阻将会限制由于印刷电路板移动或与易产生静电的材料接触所产生的静电高压损伤。
5 所有 CMOS 和 NMOS 集成电路的储存和运输过程必须采用抗静电材料做成的容器，而不能按常规将器件插入塑料或放在普通塑料的托盘内，直到准备使用时才能从抗静电材料容器中取出来。
6 所有 CMOS 和 NMOS 集成电路应当放置在接地良好的工作台上，鉴于工作人员也能对工作台产出静电放电，所以工作人员在操作器件之前自身必须先接地，为此建议工作人员要用牢固的导电带将手腕或肘部与工作台表面连接良好。
7 尼龙或其它易产生静电的材料不允许与 CMOS 和 NMOS 集成电路接触。
8 在自动化操作过程中，由于器件的运动，传送带的运动和印刷电路板的运动可能会产生很高的静电压，因此要在车间内使用电离空气鼓风机和增湿机使室内相对湿度在 35% 以上，凡是能和集成电路接触的设备的顶盖、底部、侧面部分均要采用接地的金属或其它导电材料。
9 冷冻室要用二氧化碳制冷，并且要放置隔板，而器件必须放在导电材料的容器内。
10 需要扳直外引线和用手工焊接时，要采用手腕接地的措施，焊料罐也要接地。
11 波峰焊时要采用下面措施：
a 、波峰焊机的焊料罐和传送带系统必须接真地。
b 、工作台采用导电的顶盖遮盖，要接真地。
c 、工作人员必须按照预防准则执行。
d 、完成的工件要放到抗静电容器中，优先送到下一道工序去。
12 清洗印刷电路板要采用下列措施：
a 、蒸气去油剂和篮筐必须接真地，工作人员同样要接地。
b 、不准使用刷子和喷雾器清洗印数电路板。
c 、从清洗篮中拿出来的工件要立即放入蒸汽去油剂中。
d 、只有在工件接地良好或在工件上采用静电消除器后才允许使用高速空气和溶剂。
13 必须有生产线监督者的允许才能使用静电监测仪。
14 在通电状态时不准插入或拔出集成电路，绝对应当按下列程序操作：
a 、插上集成电路或印刷电路板后才通电。
b 、断电后才能拔出集成电路或印刷电路板。
15 告诫使用 MOS 集成电路的人员，决不能让操作人员直接与电气地相连，为了安全的原因，操作人员与地气之间的电阻至少应有 100K。
16 操作人员使用棉织品手套而不要用尼龙手套或橡胶手套。
17 在工作区，禁止使用地毯。
18 除非绝对必要外，都不准工作人员触摸 CMOS 或 NMOS 器件的引线端子。

F. MOS集成电路的优点

①制造结构简单，隔离方便。
②电路尺寸小、功耗低适于高密度集成。
③MOS管为双向器件，设计灵活性高。
④具有动态工作独特的能力。
⑤温度特性好。其缺点是速度较低、驱动能力较弱。一般认为MOS集成电路功耗低、集成度高，宜用作数字集成电路；双极型集成电路则适用作高速数字和模拟电路。

G. 谁有《mos集成电路分析》的试卷，最好包括数字和模拟部分。记住是，mos集成电路。。。

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H. 1为什么过去许多MOS集成电路非常容易损坏

很简单。
2、MOS的体积小，输入电阻大，噪声低，功耗低，易于集成。这些性能远比三极管要好，三极管的关键问题在于管子损耗太大，效率低。
3、虚地、虚短、虚断的意思都类似，看后面那个字即可，虚地就是实际上没有接地，而性能上类似接地，虚短就是表面上没有短路，但性能类似短路，虚断就是实际上没有断路，但性能类似断路。虚短虚断在运放电路中的应用条件是，运放工作在线性区，分析的时候可以看运放是否引入了电压负反馈，有电压负反馈的就是线性区了。
4、微变等效电路是研究三极管低频动态特性的模型，具体很复杂，大量的微分方程，网络上不可能说清楚，要看书。
利用这个模型，可以分析放大电路的动态参数，比如动态电阻rbe，输入电阻输出电阻，放大倍数等等。

I. 如何正确使用MOS 集成电路

标签：(36)集成电路(762)所有MOS 集成电路 （包括P沟道MOS， N沟道MOS， 互补MOS — CMOS 集成电路） 都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是 25nm 50nm 80nm 三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护，虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害（ESD），实验指出，在高电压放电时器件会失效，器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。 按损伤的严重程度静电损害有多种形式，最严重的也是最容易发生的是输入端或输出端的完全破坏以至于与电源端 VDD GND 短路或开路，器件完全丧失了原有的功能。稍次一等严重的损害是出现断续的失效或者是性能的退化，那就更难察觉。还有一些静电损害会使泄漏电流增加导致器件性能变坏。 由于不可避免的短时间操作引起的高静电电压放电现像，例如人在打腊地板上走动时会引起高达 4KV - 15KV 的静电高压，此高压与环境湿度和表面的条件有关，因而在使用 CMOS 、NMOS 器件时必须遵守下列预防准则： 1 不要超过手册上所列出的极限工作条件的限制。 2 器件上所有空闲的输入端必须接 VDD 或 VSS，并且要接触良好。 3 所有低阻抗设备（例如脉冲信号发生器等）在接到 CMOS 或 NMOS 集成电路输入端以前必然让器件先接通电源，同样设备与器件断开后器件才能断开电源。 4 包含有 CMOS 和 NMOS 集成电路的印刷电路板仅仅是一个器件的延伸，同样需要遵守操作准则。从印刷电路板边缘的接插件直接联线到器件也能引起器件损伤，必须避免一般的塑料包装，印刷电路板接插件上的 CMOS 或 NMOS 集成电路的地址输入端或输出端应当串联一个电阻，由于这些串联电阻和输入电容的时间常数增加了延迟时间。这个电阻将会限制由于印刷电路板移动或与易产生静电的材料接触所产生的静电高压损伤。 5 所有 CMOS 和 NMOS 集成电路的储存和运输过程必须采用抗静电材料做成的容器，而不能按常规将器件插入塑料或放在普通塑料的托盘内，直到准备使用时才能从抗静电材料容器中取出来。 6 所有 CMOS 和 NMOS 集成电路应当放置在接地良好的工作台上，鉴于工作人员也能对工作台产出静电放电，所以工作人员在操作器件之前自身必须先接地，为此建议工作人员要用牢固的导电带将手腕或肘部与工作台表面连接良好。 7 尼龙或其它易产生静电的材料不允许与 CMOS 和 NMOS 集成电路接触。 8 在自动化操作过程中，由于器件的运动，传送带的运动和印刷电路板的运动可能会产生很高的静电压，因此要在车间内使用电离空气鼓风机和增湿机使室内相对湿度在 35% 以上，凡是能和集成电路接触的设备的顶盖、底部、侧面部分均要采用接地的金属或其它导电材料。 9 冷冻室要用二氧化碳制冷，并且要放置隔板，而器件必须放在导电材料的容器内。 10 需要扳直外引线和用手工焊接时，要采用手腕接地的措施，焊料罐也要接地。 11 波峰焊时要采用下面措施： a 、波峰焊机的焊料罐和传送带系统必须接真地。 b 、工作台采用导电的顶盖遮盖，要接真地。 c 、工作人员必须按照预防准则执行。 d 、完成的工件要放到抗静电容器中，优先送到下一道工序去。 12 清洗印刷电路板要采用下列措施： a 、蒸气去油剂和篮筐必须接真地，工作人员同样要接地。 b 、不准使用刷子和喷雾器清洗印数电路板。 c 、从清洗篮中拿出来的工件要立即放入蒸汽去油剂中。 d 、只有在工件接地良好或在工件上采用静电消除器后才允许使用高速空气和溶剂。 13 必须有生产线监督者的允许才能使用静电监测仪。 14 在通电状态时不准插入或拔出集成电路，绝对应当按下列程序操作： a 、插上集成电路或印刷电路板后才通电。 b 、断电后才能拔出集成电路或印刷电路板。 15 告诫使用 MOS 集成电路的人员，决不能让操作人员直接与电气地相连，为了安全的原因，操作人员与地气之间的电阻至少应有 100K。 16 操作人员使用棉织品手套而不要用尼龙手套或橡胶手套。 17 在工作区，禁止使用地毯。 18 除非绝对必要外，都不准工作人员触摸 CMOS 或 NMOS 器件的引线端子。

J. TTL与MOS集成电路的优缺点， 以及各项评判的标准

TTL的意思是transistor-transistor logic，是用BJT和电阻来实现的逻辑电路。
首先，BJT的最大优点就是响应速度快，通常传输延时在5~10ns，这是因为BJT是电流放大，晶体管工作受寄生电容的影响非常小，因此对于很多高速逻辑运算的应用非常适合；
其次，另外由于TTL的输入输出信号是电流，因此其接口电路非常简单，不需要过分考虑电平匹配的问题；
最后，BJT器件的ESD性能远远好于CMOS。
TTL的缺点，首先是芯片面积，相比起CMOS工艺，单个器件的尺寸会达到几倍甚至十几倍以上，这就限制了芯片的集成度；其次是功耗，BJT工作是有静态功耗的。
CMOS电路是互补型金属氧化物场效应管电路，它的物理模型是一个跨导(gm)，也就是说输入信号是电压，输出信号是电流，因此CMOS逻辑电路的静态功耗几乎为零，它的功耗主要来自动态功耗，也就是各个逻辑门翻转时产生的动态电流，以及输入电压翻转时，对寄生的输入电容充放电的动态电流；CMOS逻辑电路不需要电阻，集成度能够轻松达到百万，千万门级。
CMOS的缺点是ESD性能比较差，还需要专门的接口电路。但是总体来说，CMOS在集成度方面的优势太大，现在基本只有74这种简单的分立逻辑芯片还在用TTL，其他除非特殊应用，都会采用CMOS来完成。