雪崩爆闪电路

❶ 请问有谁知道三极管雪崩击穿状态是怎样以npn三极管为例是正极接集电极还是发射极

雪崩击穿与齐纳击穿都是在反压情况下的，也就是说，元件在电路中该怎么连接就怎么连接只要保证元件是可以正常运行的，然后是将工作电压提高，到达某一个值后元件就产生击穿现象；一句话就是元件工作电压低时正常，电压高了就会产生击穿问题；

❷ 雪崩光电二极管的主要特性

主要特性 ①雪崩增益系数M（也叫倍增因子），对突变结

式中V为反向偏压，VB为体雪崩击穿电专压；n与材料、

器件属结构及入射波长等有关，为常数，其值为1～3。②增益带宽积，增益较大且频率很高时，
M(ω)·ω
式中ω为角频率；N为常数，它随离化系数比缓慢变化；W为耗尽区厚度；Vs为饱和速度；αn及αp分别为电子及空穴的离化系数，增益带宽积是个常数。要想得到高乘积，应选择大Vs，小W及小αn/αp（即电子、空穴离化系数差别要大，并使具有较高离化系数的载流子注入到雪崩区）。③过剩噪声因子F，在倍增过程中，噪声电流比信号电流增长快，用F表示雪崩过程引起的噪声附加F≈Mx。式中x称过剩噪声指数。要选择合适的M值，才能获得最佳信噪比，使系统达到最高灵敏度。④温度特性，载流子离化系数随温度升高而下降，导致倍增因子减小、击穿电压升高。用击穿电压的温度系数卢描述APD的温度特性。
β=
式中VB及VB0分别是温度为T及T0时的击穿电压。
使用时要对工作点进行温控，要制造均匀的P-N结，以防局部结面被击穿。

❸ 震荡电路原理

振荡电流是一种大小和方向都随 周期发生变化的 电流，能产生振荡电流的电路就叫做振荡电路。其中最简单的振荡电路叫LC回路。

原理
充电完毕（放电开始）： 电场能达到最大， 磁场能为零，回路中感应电流i=0。

放电完毕（充电开始）：电场能为零，磁场能达到最大，回路中感应电流达到最大。

充电过程：电场能在增加，磁场能在减小，回路中电流在减小，电容器上电量在增加。从能量看：磁场能在向电场能转化。

放电过程：电场能在减少，磁场能在增加，回路中电流在增加，电容器上的电量在减少。从能量看：电场能在向磁场能转化。

在振荡电路中产生振荡电流的过程中，电容器极板上的电荷，通过线圈的电流，以及跟电流和电荷相联系的磁场和电场都发生周期性变化，这种现象叫电磁振荡。

技术应用
正弦波振荡器在量测、自动控制、无线电通讯及遥控等许多领域有着广泛的应用。例如调整放大器时，我们用一个"正弦波信号发生器"和生一个频率和振幅均可以调整的正弦信号，作为放大器的输入电压，以便观察放大器输出电压的波形有没有失真，并且量测放大器的电压放大倍数和频率特性。这种正弦信号发生器就是一个正弦波振荡器。它在各种放大电路的调整测试中是一种基本的实验仪器。在无线电的发送和接收机中，经常用高频正弦信号作为音频信号的"载波"，对信号进行"调制"变换，以便于进行远距离的传输。高频振荡还可以直接作为加工的能源，例如焊接半导体器件引脚时使用的"超声波压焊机"，就是利用60KHz左右的正弦波（即超声波）作为焊接的"能源"。

那么一个正弦波振荡器为什么能够自己产生一个正弦波的振荡呢？它产生的正弦振荡又怎么能够满足我们所提出来一定频率和振幅的要求呢？最后，这个正弦振荡在外界干扰之下又怎么能够维持其确定的振荡频率和振幅呢？这些就是下面我们要讨论的基本问题。放大电路是典型的两端口网络，振荡电路是一个典型的单端口网络，只有一个射频信号的输出端口。从能量转化的角度来看射频放大电路和射频振荡电路都是直流电的能量转换到特定频率射频信号的能量。两者的区别就在于振荡电路没有射频信号的输入而放大电路必须有射频信号的输入。振荡电路的技术指标包括：出射频信号频率的准确度和稳定度；②输出射频信号振幅的准确性和稳定度；③输出射频信号的波形失真度；④射频信号输出端口的阻抗和最大输出功率。对于射频振荡电路的设计都需要按照上述技术指标进行。通常在射频信号源的参数中也可以找到上述技术指标。

振荡器通常可以分为反馈型振荡电路和负阻型振荡电路。

反馈型振荡电路是由含有两端口的射频晶体管两端口网络和一个反馈网络构成。如使用双极型晶体管或者场效应管构成的振荡电路采用在射频放大电路中引入正反馈网络和频率选择网络形成振荡电路。

负阻型振荡电路由射频负阻有源器件和频率选择网络构成，如使用雪崩二极管﹑隧道二极管﹑耿氏二极管等构成射频信号源。在负阻型振荡电路中通常不出现反馈网络，而反馈型振荡电路必须包含正反馈网络。因此，反馈网络是区分两种类型振荡电路的标志。通常反馈型振荡电路的工作频率为射频的中低端频段，负阻振荡电路的工作频率为射频的高端频段。负阻振荡电路更适合于工作在微波﹑毫米波等频率更高的频段。

❹ 雪崩三极管多管串联电路输出电压太低是什么导致的

如果不考虑输出功率的话可以做到，在升压转换器的输出端使用倍压整流的话可以达到较高的输出电压，但是电流很小。

❺ 这个单管闪光电路是什么原理，为什么换成3dd15d三极管就不行了

关于原理二楼的解释是正确的，之所以LED能闪光正是利用了三极管的反向击穿特性(没记错的话，好像叫雪崩击穿，N多年前就在无线电杂志上看过国外的很多应用电路)，换了3DD15D不行可能是因为该管的雪崩击穿电压更高，24V电压尚未达到其雪崩击穿阈值。

❻ 雪崩光电二极管利用什么原理使检测灵敏度提高

光敏二极管和光敏三极管是光电转换半导体器件，与光敏电阻器相比具有灵敏度高、高频性能好，可靠性好、体积小、使用方便等优点。 光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的PN结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。无光照时,光敏二极管截止。当光线照射PN结时，光敏二极管导通。光敏二极管使用时要反向接入电路中，即正极接电源负极，负极接电源正极。常见的有2CU、2DU等系列。 光敏二极管是一种光电转换器件，其基本原理是光照到PN结上时，吸收光能并转变为电能。它具有两种工作状态：（1）当光敏二极管加上反向电压时，管子中的反向电流随着光照强度的改变而改变，光照强度越大，反向电流越大，大多数都工作在这种状态。（2）光敏二极管上不加电压，利用P-N结在受光照时产生正向电压的原理，把它用作微型光电池。这种工作状态，一般作光电检测器。光敏二极管分有P-N结型、PIN结型、雪崩型和肖特基结型，其中用得最多的是PN结型，价格便宜。.光敏三极管和普通三极管相似，也有电流放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。 通常基极不引出，但一些光敏三极管的基极有引出，用于温度补偿和附加控制等作用。当具有光敏特性的PN 结受到光辐射时，形成光电流，由此产生的光生电流由基极进入发射极，从而在集电极回路中得到一个放大了相当于β倍的电流。不同材料制成的光敏三极管具有不同的光谱特性，与光敏二极管相比，具有很大的光电流放大作用，即很高的灵敏度。它由光控三极管和35集成电路两部分组成。图中光敏三极管T1和晶体三极管T2，电阻R1、R2、R3和电容C1、C2等构成光控开关电路。集成电路IC及三极管T3、电阻R4、R5等构成放大电路。平常在光源照射下，T1呈低阻状态，T2饱和导通，IC触发端3脚得不到正触发脉冲而不工作，扬声器无声。当T1被物体遮挡时，便产生一负脉冲电压，并通过C1耦合到T2的基极，导致T2进入截止状态，IC获得一正触发脉冲而工作，输出音频通过T3放大，推动扬声器发出声响 这个估计需要详细的说明才弄的了去硬之城看看吧或许有人会。

❼ 如图利用三极管雪崩做的闪光灯，去掉两个电阻可以吗为什么电阻作用是什么

1K电阻与电容组成RC充放电（振荡）电路，没有了1K电阻组成不了振荡，三极管总是导通，发光二极管常亮。

❽ 怎样用半导体二极管及其电路来解释雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿形成的原因，并说明热击穿与电击穿的异同

雪崩击穿：当加在PN结两端反向电压足够大时，PN结内的自由电子数量激增导致反专向电流迅速增属大，导致击穿。
齐纳击穿：当PN结两端加入高浓度的杂志，在不太高的反向电压作用下同样会使反向电流迅速增大产生击穿。
热击穿：加在PN结两端的电压和流过PN结电流的乘积大于PN结允许的耗散功率，PN结会因为热量散发不出去而被烧毁。
热击穿与电击穿的不同：电击穿可逆，而热击穿不可逆。

❾ 雪崩光电二极管的保护环是如何保护二极管的

雪崩光电二极管偏压保护装置及电路
申请号/专利号： 200820117325
本实用新型公开了一种雪崩光电二极管偏压保护装置及电路，其中，上述装置包括供电单元和雪崩光电二极管，还包括反馈部，其中，反馈部的输入端连接至供电单元的输出端；反馈部的第一输出端连接至供电单元的输入端；反馈部的第二输出端连接至ＡＰＤ的输入端。本实用新型通过对雪崩光电二极管提供偏压过载保护，防止雪崩光电二极管管芯烧毁，提高了雪崩光电二极管接收机的安全性，降低了维修成本。

❿ 雪崩击穿稳压二极管与齐纳击穿稳压二极管在电流上有什么的区别

一般来说，发生雪崩击穿，二极管就报废，齐纳区是工作状态，能够恢复；实际上我觉得雪崩要高电压，齐纳电压低。