电路kbc

A. 谁能给我个笔记本主板电路图上的英文字母解释大全

1.RTC电路：南桥内部的实时时钟电路，也可以叫CMOS电路，主要用来存储时间和日期和ESCD(扩展系统配置数据)。
& ^" R! e$ y) |% M: Z2.返回电路（模块）：是南桥内部的电源管理模块的一部分，所有的SLP信号都是由此模块电路完成。' w/ v; O" [" X/ @/ t, I
3.VccSus:ICH4里面的返回模块(重新开始模块）的电源，有VccSus3_3 VccSus1_5和V5REF_Sus三个电源。
9 [3 D/ [- R6 {其中VccSus3_3是返回模块I/O缓冲电路电源;3 a# B" }- z' ?3 x7 ?
VccSus1_5是返回模块的主电压‘
( h) e: k; `7 S$ X8 iV5REF_Sus是返回模块的5V参考电压输入。' e6 i) h5 `$ p G5 d- x# y ?6 Q
4.PWROK：这个信号是由外部送往ICH4M的代表ICH4的核心电压正常的电源好信号，当PWROK取消时，ICH4将会引用PCIRST#。
2 a3 C# Q* Z( P# O# i% b 值得注意的是，在3个RTC时钟之内，PWROK失效。这样才能保证ICH4产生正常的PCIRST#。
7 j& {( U* _1 ~) l/ x$ h8 p5.VGATE/VRMPWRGD(VGATE/VRM Power Good）：这是由CPU核心电源管理器产生输出给ICH4的代表CPU电源正常的电源好信号。# p4 q) r: i4 S3 a2 d9 z
6.CPUPWRGD(CPU Power Good）：这是由ICH4输出给CPU的一个电源好信号，与CPU相连。南桥发出这个信号的意图在于告诉CPU所有的电源已经正常，可以进入待命状态。这个信号在ICH4内部是有PWROK和VGATE/VRMPWRGD相与后形成的。
7 `: i2 s( o" U2 c( K7.RSMRST#：南桥所需的返回模块复位信号输入。
" K( Y8 @3 z. y4 d7 I8.SUS_STAT#(suspend statas):挂起状态指示。当这个信号被引用时，表示系统将要进入低功耗状态。
8 H4 e! Z/ L# G: K9.V_CPU_IO#:CPU的I/O电源，南桥需要这个电源来输出处理器的接口信号。
0 a O/ a% q0 N" S9 R4 R: A10.SUSCLK：南桥内RTC电路产生的挂起时钟，用来给外部芯片作为刷新时钟用。在IBM,SONY等机器中常有使用。在待机时，当这个时钟送到主板的EC/KBC（通常为H8S）后，EC/KBC将进入低功耗模式，此时H8S自身的震荡进入跳波状态。 v$ O: j1 K3 |" \" j
11.SYS_RESET#(system reset)：这个信号输入到南桥并经南桥防反跳之后，将强行复位南桥的内部逻辑，从而使机器重启
! N( R; ?/ R" y9 s! q1 e- n N: Z J+ L( u9 Z

8 s: `; e- Z6 Q/ d. q1 |ADJ 可调 Adjustable 比如大小和方向 控制的意思是通断了 ; k4 i0 M# M$ q8 w4 D: c
VID 电压识别 Voltage Identification
2 I; `2 m1 V9 o* Z. D6 Z& YSS 软启动 (soft Start两个单词的缩写）
* D2 e/ {7 v5 }' a; f5 E2 cFB 反馈 (feedback单词的缩写）
2 m+ F& d: C$ I: D9 aCOMP 补偿 (Compensatory单词的缩写） / A1 [) I9 a( f, D D
VSEN 电压侦测 voltage senser
* Q3 @# y4 |% _' t7 F5 H1 x" ~ISP 电流侦测 p 正端 与 isn n负端 对应
/ n6 |% e3 b6 U8 ~) [0 _IRMP 没查到 Ramp amplitude PWM ramp amplitude set by external resistor. Ramp
+ K) R! F! ~9 u- s' f6 O, [amplitude 脉宽调制用的 用这个电阻调节振幅斜率
h1 v/ l; `9 W" p5 Q8 }& uDVD 没查到 uvlo 欠压锁定脚 低于某值就保护
4 T# {; @6 r, kIMAX 最大电流 (不知道对不对）对 Over current protection amplitude set. 过流保护幅度设置 % `9 e7 ~. V# e9 l# S% `) z
PWM 脉宽调制 Pulse-Width Molation
8 x, w" z. u' Z5 X* H: _ISN 没查到
7 D F ~7 k2 V8 L# B8 J5 {( e7 yCAS#：列选信号
; P) Y: q& b3 {' M: GRAS#：行选信号! f0 `* [+ J% `+ m) L7 Q: _4 [; v
WE#：允许信号（高电平允许读，低电平允许写）
7 I2 k! D7 Q' Z1 Q) V- E5 r/ uCS#：片选信号6 ]) d; }$ z5 W9 _. D: j
SCL：串行时钟，/ S( |! }5 S& s7 A
SDA：串行数据，由南桥提供3.3V电压
* Q7 h8 }7 N% }FRAME#：帧周期信号3 f; ]# l. Y: f: Q& ^3 V1 a7 P
TRDY#：从设备准备好- z( u& k" K0 j6 ^& h/ [$ l/ @6 ^
IRDY#：主设备准备好 G. Q- e) K( ~7 g$ y4 X/ T
DEVSEL#：设备选择信号
% |% j$ }/ t/ B) ?* D1 O6 j# ZC/BE#(0)、C/BE#(1)、C/BE(2)、C/BE(3)，是命令/字节允许信号, ]" ~# e# o& E8 ^2 r/ w
OVP 是过压保护，OCP是过流保护
?# E' v6 ]$ R$ z+ YINV-PWM 是高压板驱动控制信号
; A$ K- C; i2 d2 CCLK：时钟 INPUT CPU：初始化 RESET：复位 2 _5 d; _5 |+ A, x- o( X( x# m) O- n8 J
ADS：地址状态 BEO#-7#：字节使能 AP：地址偶校验
0 c4 l6 Q b) f% i! a: A6 MAP：地址偶校验 DP0-7：数据偶校验 INIR：可屏蔽中断请求
. M) N r% p3 m3 vDBSY：数据忙 SCYC：裂开周期输出 HIT#：命中指示
8 F2 Z6 U k: C7 S' ]0 r1 [NMI：非屏蔽中断请求 INV：无效输入 IERR：内部检验错 & V$ t$ J! s% ]- Q7 l
BREQ：内部总线占用请求 BUSCHK：总线检查输入 A20M#：地址位20屏蔽
4 b' i, T+ n. q3 G7 j, IPWT：页面高速缓存内存通写 PCD：页面高速缓存禁止 EWBE#：外部写缓冲器输入
4 v( O3 [3 K# v: Z' n, G4 J4 AAPCHK#：地址校验检测状态 FLUSH#：高速缓存清洗 AHOLD：地址占用请求 ; g- [1 W& o+ }, ~3 y
M/IO#：内存/IO指示 LOCK：总线封锁 SMIACT#：系统管理中断请求
' n. `, S, G" t3 T! S8 c' M* RSMT#：系统管理中断 FERR#：浮点数值出错 BOFF#：总线屏蔽 ( K/ K+ e% C% L4 q3 j* \' w
IGNNE#：忽略数值出错 HLDA：总线占用响应 HOLD：总线占用请求
, @" u$ G" R5 D+ X/ ?4 I X) z- xNMI：非屏蔽中断请求 # P5 b5 |) U1 ? p+ O( \
EADS#：有效外部地址 INIR：可屏蔽中断请求 KEN#：高速缓存使能
8 x( V- x/ d/ H7 t) APCHK#：奇偶校验错使能 SDONE：监听完成信号 SERR：系统错误报告
& D8 r, S% H- B( B/ S0 z [: YPAK64：奇偶双字节校验 DEVSEL：设备选择 STOP：停止数据传送 , D( @, C! W! Y* e1 t- x* D

B. 电路图中什么叫时钟和复位

当所有芯片组系统供电供电正常后其会发出信号来送到一个特殊的单元小电路(只是门电路集成块)

1

然后通过各种逻辑运算之后会产生一个最终形成的PG信号并将其送到KBC在送到KBC后再向cpu供电电路发出一个开启信号来开启cpu供电电路这个信号就是VR_ON这个信号被cpu供电芯片收到之后成功发出脉冲方波来产生相应的CPU供电电压当这供电正常之后会发出VRM_PWRGD来送到时钟产生电路作为时钟电路的工作条件之一另外当供电最终稳定输出正常以后会向KBC发出cpu供电的好信号

2

当KBC收到以后向南桥发出ICH_PWRGD同时另一路向北桥发出NB_PWRGD而此时当SB收到了信号之后其会发出开启时钟电路工作的另外两个关键的开启信号CPU_STP#和PCI_STP#

3

当这两个信号成功被时钟电路成功收到以后当时钟电路3.3V供电或者2.5v供电正常后其14.318Mhz晶振将起振然后接下来当clk_en的开启和另外两个cpu_stp信号和PCI_STP信号均正常以后时钟电路会通过各时钟产生引脚向各设备发出各自的时钟信号而这里关键的时钟在于25引脚产生的ICH_CLK+当这个时钟成功送到SB后SB将开始对全部的硬件设备进行复位以及

4

DRV_RST复位而这里比较关键的地方在于当北桥收到了南桥的复位以后会向CPU发出复位信号来复位CPU而当cpu成功复位之后也就预示着机器的硬启动已经完成。

C. 电路图纸KBC什么意思

OEM新机型电路图的读图方法
以LENOVO F41为例
1． 首先找到参与触发上电的EC/KBC（或电源管理控制器IC）；
EC/KBC的作用：负责系统电源管理，上电管理，充电管理，键盘控制等等
这款机器的EC/KBC是PC97551；
笔记本EC/KBC的识别：
a.按厂家，用得最为普遍地EC/KBC只有几个厂家：美国国家半导体（WINBOND），ENE，SMSC，或PLD，ITXXXX，M38857等等；
b.按接AC待机时的工作状态：在接有AC时，EC/KBC都是要部分工作的，所以必须要有时钟；
c.按供电电源的类型：一般都有两种以上的电源种类供电，它们分为上电前和上电后的电源与CMOS电池电源；
d.按所需输入信号的种类：有一个共同点，它们都需要得到如AC存在，BATTERY存在等，并都与触发开关信号相连；
e.按是否需要SLP信号，是否发出BATTLOW#信号，是否发出RSMRST#，是否发出各种S状态信号也可以找到此类IC。
根据以上特点可以很肯定的说F41的EC/KBC为U16（IT8511）
2． 确定了EC/KBC后，就可以根据笔记本自身的上电特点及芯片组对电源的要求来进一步确定各个信号的时间关系。这种时间关系可以从产生复位信号的顺序来做大概上的判断：AUXOK→SUSOK→RSMRST#→AOK→BOK（HWRG）→SYSOK→IMVPOK
3． 确定EC/KBC最初应该得到的电源；（在这一步我们可以确定AC和电池的公共主供电）
这些电源有一个最大的特点就是它们不受任何信号的控制而出现的，即只要接入AC或电池盒就出现，而且都是由一些LDO芯片产生的专供EC/KBC使用的电压。这个便是AC接入后出现的第一个低压。除此以外还有CMOS电池电压在某些EC/KBC也有需要。
在F41机器中，可以断定为VCCRTC。所以这个电压必须要有，且必须存在。
我们再看+3VALW，它是由MAX8734内部LDO出来的。现在需要确定的是MAX8743所需的电源是否受控。由MAX8734的特性可知只要PIN20得到VIN电压，内部LDO则会工作。
可见，接入AC后，EC/KBC会得到两个压，即VCCRTC、+3VALW。当然同时还有+5VALW。
4． EC/KBC（IT8511）先完成自身工作。
1．自身工作也有自身工作所需要的条件。如首先要有时种。所以首当其冲的是先让时钟电路开始工作。
2．IT8511得到复位，这是一个带有处理能力的芯片必须满足的第二个条件。
很容易能找到，IT8511的复位脚是PIN19，即WRST#。它由一个专用芯片MAX809来完成，MAX809最少能将+3VALW延迟140mS后送出591RESET#到PIN19。
591RESET#？这不是IT8511吗，可笑吧！其实大家应该清楚了，IT8511与国半的PC87591的内核是相同的。这样一来，是不是越来越熟悉了。
5． 到了这步，我想不用说大家也应该清楚，EC/KBC该干什么了，那就是要检测AC存在的信号ACIN了。这样才能确认是AC供电还是电池供电。
应该注意的是有些机器，在EC/KBC未接收到ACIN时，会发出ACOFF的关断信号，确保只让电池供电。在F41里，这个信号是PWRSHD。
6． 看看还有没有别的
为了尽可能的完全弄明白它的工作过程，应该再仔细查看有没有别的电源设备送来的识别信号，如电池盒、DOCKING装置，光驱接口等。
找到了，还有一个MBAT_PRES#信号，这是由电池盒送过来的。用来检测电池是否存在的信号。
7． 以上这些完成以后，EC/KBC将开始发出对外部ROM寻址并读取其外部ROM的程序了。读取完外部ROM的程序代码后，EC/KBC就知道自己将来该怎么做了。
哪些架构需要在AC待机时读取BIOS代码呢？
对采用通用的如以国半EC/KBC为代表的，几乎都是这个做的。它们有一个很明显的特征，就是BIOS的AD线接与EC/KBC相连。这点也很容易理解，因为CPU要对读取BIOS代码，完全可以将BIOS接在桥片上就可以。居然把BIOS改接在EC/KBC上，那当然是EC/KBC要利用了，利用的目的无非就是把自己的代码放在BIOS里。所以这类机器在AC待机时，BIOS是工作的。当然，很多人可能会问，AC存在时需要BIOS工作，那为什么单用电池盒时又不要了呢。那是因为在有AC存在时，EC要检测多个信号，而且这个信号是与ACPI相关的，再加上EC/KBC要发出相应的信号是要与硬件设计者的要求进行的，而这些要求就是BIOS代码。
举个例子，在有AC存在的状态下，我们中途接入电池，是不是EC要判断电池的参数，而这些参数就在BIOS里；
8． EC/KBC进入待机状态，等待用户发出开机请求。
9． 首先送出3VAUX_EN，产生5VAUX和3VAUX，下面的+5VSUS、+3VSUS等将由它切换过来。
10． 触发后发出的第一个信号：SUSON，这个信号想也不用想，当然是用来控制产生南桥SUS电源和与SLP状态有关的电源的。SUSON再生成SUSON#和SUSD。SUSON#在这里主要是用来放电用的，而SUSD是用来产生+5VSUS、+3VSUS的。
11． EC/KBC送出RSMRST#和PWRBTN#至南桥，当然少不了BATLOW#。
12． 南桥发出SLP#给EC/KBC
13． EC/KBC收到SLP#信号后，发出MAINON信号。MAINON再转换成MAINON#和MAIND，MAINON#主要用来放电用。MAINON的作用是产生+2.5V、VDIMM、同时发出MAX8632_POK1通过一电阻并由U30（MAX8734）产得到SUSOK；+1.5V、+VCCP并送出+1.5V_PWROK和VCCP_PWROK；MAIND的作用是生成+3V、+5V。并通过U15（G792）发出漏极开路的HWRG信号，与D62一起最终得到高电平有效的HWRG信号。
SUSOK代表SUS电源正常，HWRG代表由MAINON控制的电源正常，即除了CPU电源以外的所有电压都正常。这两个信号同时送往EC/KBC。
14． EC/KBC在得到SUSOK和HWRG后，首先发出PWROK给南桥。
15． 发出VRON信号。并与+1.5V_PWROK和VCCP_PWROK一起得到VCORE_ON，从而产生VCORE_CPU。
16． 产生IMVP_PWG给南桥。

D. 主板上这个两是北桥电路吗

北桥芯片提供对CPU的类型和主频、内存的类型和最大容量、ISA/PCI/AGP插槽、ECC纠错等支持。南桥芯片则内提供对KBC(键盘容控制器)、 RTC(实时时钟控制器)、USB(通用串行总线)、Ultra DMA/33(66)EIDE数据传输方式和ACPI(高级能源管理)等的支持。其中北桥芯片起着主导性的作用，也称为主桥(Host Bridge)。但是Nvidia这个厂商的一部分主板采用的是集成芯片设计，没有南北桥之分。位置上，靠近CPU插槽的那块大芯片，为北桥另一个就是南桥

E. 主板电路中，南桥与北桥的正常电路是什么样子

北桥芯片提供对CPU的类型和主频、内存的类型和最大容量、ISA/PCI/AGP插槽、ECC纠错等支内持。南桥容芯片则提供对KBC(键盘控制器)、 RTC(实时时钟控制器)、USB(通用串行总线)、Ultra DMA/33(66)EIDE数据传输方式和ACPI(高级能源管理)等的支持。其中北桥芯片起着主导性的作用，也称为主桥(Host Bridge)。但是Nvidia这个厂商的一部分主板采用的是集成芯片设计，没有南北桥之分。位置上，靠近CPU插槽的那块大芯片，为北桥另一个就是南桥

F. +V3.3A_KBC,+v3.3s 在主板电子电路中代表什么意思 本人学习认识主板电路图，找认识主板电路的资料

这是标记而已，你只要知道这两点就行，
1，这是电源，电压为3.3v
2，这回是3.3v中的其中一组答 还有其他3.3v
当然了 有的大哥做pcb的时候，单一电源，也标记也很复杂，其实没必要，
我可以这么标记呀，3.3v1（第一组）,3.3v2（第二组）,3.3v3（第三组）……
看个人兴趣。。

G. 什么是芯片

芯片是半导体元件产品的统称，又称微电路、微芯片、集成电路。是指内含集成回电路的硅片，体积很小答，常常是计算机或其他电子设备的一部分。

半导体是一类材料的总称，集成电路是用半导体材料制成的电路的大型集合，芯片是由不同种类型的集成电路或者单一类型集成电路形成的产品。

(7)电路kbc扩展阅读：

半导体材料的起源及早期发展：

英国科学家法拉第在电磁学方面拥有许多贡献，但较不为人所知的是他在1833年发现的一种半导体材料硫化银，它的电阻随着温度上升而降低。

对于一般材料来说，随着温度的提升，晶格震动越厉害，使得电阻增加；但对半导体而言，温度上升使自由载子的浓度增加，反而有助于导电。这是半导体现象的首次发现。

20世纪20年代，固体物理、量子力学、能带论等理论的不断完善，使半导体材料中的电子态和电子输运过程的研究更加深入，对半导体材料中的结构性能、杂质和缺陷行为有了更深刻的认识，提高半导体晶体材料的完整性和纯度的研究。

20世纪50年代，为了改善晶体管特性，提高其稳定性，半导体材料的制备技术得到了迅速发展。硅材料在微电子技术应用方面应用广泛，但在硅基发光器件的研究方面进展缓慢。

H. 什么是芯片，芯片有什么作用

芯片为半导体元件产品的统称（在集成电路上的载体），集成电路英语：integrated circuit，缩写作 IC；或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、晶片/芯片（chip）在电子学中是一种将电路（主要包括半导体设备，也包括被动组件等）小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上。

芯片作用：可以控制计算机到手机到数字微波炉的一切。虽然设计开发一个复杂集成电路的成本非常高，但是当分散到通常以百万计的产品上，每个集成电路的成本最小化。集成电路的性能很高，因为小尺寸带来短路径，使得低功率逻辑电路可以在快速开关速度应用。

(8)电路kbc扩展阅读：

芯片举例：中国芯-龙芯系列

龙芯系列通用处理器是我国自主研制的通用处理器，对维护我国的信息安全具有重要的意义。此前，我国使用的通用处理器绝大多数是美国英特尔公司和AMD公司生产的。

由于处理器中包含有数千万个至数亿个电子元件，每个电子元件在处理器中具有什么功能、起着什么作用很难说清楚，也就是说处理器的技术透明度非常低，在技术上；

国外公司完全有可能在出口到我国的处理器中植入可用特定手段激活的破坏性或间谍性指令，一旦出现非常情况，这些指令就有可能被激活，进而会使我国陷入被动之中。龙芯系列通用处理器的研制成功将解决上述问题

I. 电路图中的CP代表什么意思

集合点。

集合点也称CP点，是综合布线系统中所规定的在水平电缆中的一个连接点，集合点的设置是可选的，通常用于大开间办公室等一些在前期无法做明确点位规划或考虑到水平信息点位置会随办公家具变动而一直变动时所引入的一种灵活的布线方式。

采用集合点布线的方式也称区域布线，通过划分一定面积设置一个统一的集合点，方便工位深化或二次布线。

(9)电路kbc扩展阅读

采用集合点时，集合点配线设备与电信间之间水平线缆的长度应大于15米（即从电信间引出的水平线缆在15米距离以后才可接入集合点），集合点配线设备容量（通常为集合点用的盒子，也称CP箱）宜以满足12个工作区信息点需求设置。

同一永久链路中只允许最多一个集合点，从集合点引出的CP线缆应端接在工作区信息插座上 （否则就成长跳线了），根据ISO/IEC 11801和GB 50311定义，CP电缆长度+工作区跳线长度不应大于22米 ，按工作区跳线长度不超过5米来考量，CP线缆长度不宜超过17米。CP箱应安装靠近在墙体或柱子等建筑物固定的位置。

集合点线缆可采用多股软线，即跳线，也可以采用实心硬线。引入集合点线缆时，应注意集合点线缆的等级不应低于水平线缆等级，如六类水平线缆应匹配六类以上集合点线缆/或跳线，否则永久链路等级会因引入低等级集合点线缆而降级。

应用范围：

1、由于综合布线系统主要是针对建筑物内部及建筑物群之间的计算机、通信设备和自动化设备的布线而设计的，所以布线系统的应用范围是满足于各类不同的计算机、通信设备、建筑物自动化设备传输弱电信号的要求。

2、综合布线系统网络上传输的弱电信号有：

3、模拟与数字话音信号；

4、高速与低速的数据信号；

5、传真机等需要传输的图像资料信号；

6、会议电视等视频信号；

J. 计算机主板电路图中各种字母代号的意思是什么要详细

主板基本元器件的介绍
摘要
本着大家共同提高看电路图的基本知识，现将电路中常见的原器件的原理并结合实际的电路图加以解释，达到理论结合实际的目的。该文没有涉及到复杂的计算公式，详细的理论，只是一些基本知识的总结和概述。

关键词：电阻，电容，电感，二极管，三极管，MOS管

第一章：电阻
概述：电阻总体可以分做两类：线性电阻和非线性电阻。该片文章中所提到的电阻均是贴片电阻。

1:线性电阻部分：

1.1:定义：
电阻两端的电压与通过它的电流成正比，其伏安特性曲线为直线这类电阻,称为线性电阻

1.2:线性电阻(单个电阻)的种类：
1. 5%精度的命名：RS-05K102JT 2.1％精度的命名：RS-05K1002FT
R----代表电阻
S----代表功率
05---代表英寸，05 －表示尺寸(英寸)：02表示0402、03表示0603、05表示0805、06表示1206、1210表示1210、1812表示1812、10表示1210、12表示2512。
K---表示温度系数为100PPM
102－5％精度阻值表示法：前两位表示有效数字，第三位表示有多少个零，基本单位是Ω，102＝10000Ω＝1KΩ。1002是1％阻值表示法：前三位表示有效数字，第四位表示有多少个零，基本单位是Ω，1002＝100000Ω＝10KΩ。
J---表示精度为5％、F－表示精度为1％。
T---表示编带包装
常见的贴片电阻有（以下是按贴片电阻的大小划分）0402，0603，0805，1206，1210，1812，2010，2512

1.3:线性电阻（排阻）种类：
一般有2两种
A型排阻的引脚总是奇数的,它的左端有一个公共端（用白色的圆点表示）
B型排阻的引脚总是偶数的。它没有公共端
实际在电路中用到的基本上是B型排阻。
RN(resistor network)的测量方法：如下图所示，只要测量pin1 and pin2的阻值即可

怎么看排阻的大小：前2位是有效数字，后面一位是10的几次幂
比如：102=1000ohm,822=8200ohm

1.4：线性电阻的作用：
线性电阻的总体作用可以概述为：限流与降压
具体在电路中的应用有：
1. 在集成电路应用中有许多输入脚没有用到,需要预置一个电平值,使其稳定工作,值1就用一个电阻接高电平,叫做上拉电阻;值0就用一个电阻接地,叫下拉电阻.上拉电阻：上拉就是将不确定的信号通过一个电阻嵌位在高电平！电阻同时起限流作用！
下拉电阻：上拉就是将不确定的信号通过一个电阻嵌位在低电平！电阻同时起限流作用！

2.在clock信号中增加电阻的作用：这个电阻的作用是减少信号的震荡，提高噪声裕量，但不用这个电阻一般也能工作.

3.普通的分压作用

4.普通的限流作用

5.0ohm电阻的作用：
5.1：跳线使用，美观整洁
5.2:数字和模拟混合电路，要求2个地分开，有利于大面积铺铜。
5.3:做保险丝用，厂家为了节约成本（PCB走线承受电流容量教大，不容易熔断.0ohm承受电流教小）
5.4:为调试预留的位置。

1.5:实际应用举例：
常见的上拉电阻，和下拉电阻在电路中的应用

图中pin26低电平有效，为保证该点在不工作时保证高电平，故加一个上来电阻R68，让该点在不工作状态是保持高电平。同时，当Q91MOS管导通时，R68还取到限流的作用。

下拉电阻：

因为ICGPIO3/GPIO2保持在一个低电位，下拉电阻的目的是为了让整个电阻实现一个回路，从而可以定位GPIO3/GPIO2的电位保持在一个准位。

常见在clock信号中加电阻的应用，：

普通的分压作用：

PinAJ22，PinAJ19的电压由电阻分压得来

普通限流作用：

当PWRSW#拉拉低时，R71取到限制电流的作用。

常见排阻的作用（基本和单个电阻的作用相同）：
如上拉电阻：

2.非线性电阻部分:
2.1：定义：电阻两端的电压与通过它的电流不成正比，其伏安特性曲线不为直线这类电阻,称为非线性电阻。
常用的非线性电阻有：热敏电阻，光敏电阻，气敏电阻，压敏电阻。在主板中常用到的是热敏电阻，下面着重介绍热敏电阻在主板中的应用。

2.2热敏电阻的种类和命名规则：
热敏电阻是敏感元件的一类,其电阻值会随着热敏电阻本体温度的变化呈现出阶跃性的变化，具有半导体特性。
热敏电阻分作正温度热敏系数电阻和负温度热敏系数电阻
正温度热敏系数电阻：简称PTC，电阻阻值随温度升高而升高
负温度热敏系数电阻：简称NTC，电阻阻值随温度升高而降低
实用举例：
MZ73A-1（消磁用正温度系数热敏电阻器） MF53-1（测温用负温度系数热敏电阻器）
M——敏感电阻器 M——敏感电阻器
Z——正温度系数热敏电阻器 F——负温度系数热敏电阻器
7——消磁用 5——测温用
3A-1——序号 3-1——序号
3.3:热敏电阻的应用：
热敏电阻的作用有很多，在主板中主要是用到热敏电阻的过载保护特性。主板通常用“RT”表示

该电路图中有12个热敏电阻，分布在主板的各处，侦测主板的各处温度，如果温度过高，热敏电阻电阻变大，电流变小，芯片通过侦测电流来控制芯片是否正常工作。
热敏电阻有时候也用在shutdown信号或者thermal信号上

第2章：电容
概述：
电容(Electric capacity)，由两个金属极，中间夹有绝缘材料（介质）构成。
由于绝缘材料的不同，所构成的电容器的种类也有所不同：
按结构可分为：
固定电容，可变电容，微调电容。
按介质材料可分为：
气体介质电容，液体介质电容，无机固体介质电容，有机固体介质电容电解电容。
按极性分为：
有极性电容和无极性电容。

电容的种类多种多样，本文着重介绍电解电容（极性电容），陶瓷电容（无极性电容）
2.1:陶瓷电容部分
2.1.1:陶瓷电容的命名规则和种类：
各家电容命名规则不尽相同：
现举一例（vendor:Walsin）：

由于电路图中不会描述得详细：
该电容的容值为2200PF，电压为50V
由于电容体积要比电阻大，所以一般都使用直接标称法。如果数字是0.001，那它代表的是0.001uF＝1nF，如果是10n，那么就是10nF，同样100p就是100pF。

陶瓷电容一般按大小分类常用的电容种类有：0402，0603，0805，1210，1206，1812，等

2.2.2：陶瓷电容的常见作用：
陶瓷电容的结构是由薄瓷片两面渡金属膜银而成。其特性是体积小，耐压高，频率高（有一种
是高频电容），缺点是容易碎，容量小。
陶瓷电容的特性决定了其场见应用：该电容主要适合滤高频信号，不适合作为存储能量的电容来使用。
陶瓷电容主要是滤波，记时，调谐，的作用。主要是应用于高频电路，要求不高的低频电路
滤波：去掉高频信号，一般使用在电源部分比较多，音效部分，vedio部分
调谐：对与频率相关的电路进行系统调谐记时：电容器与电阻器配合使用，确定电路的时间常数

2.2.3：实际应用举例：
滤波：

在电路图中经常看到若干个小电容并联在一起，当然起作用是滤波，具体表现为多个电容并联可以防止趋附效应,并且可以提高滤波电路的可靠性,增加电容的使用寿命。
在实际电路中电容滤波作用随处可见，就不多举例说明

2.2:电解电容部分：
电解电容常见的有铝电解电容和钽电解电容
2.2.1电解电容的作用：
铝电解电容的主要特性是：容量大，但是漏电大，稳定性差，有正负极性，高频特性不好，适宜用于电源滤波或者低频电路中。主要作用有储能，滤波，耦合等

铝电解电容的主要特性是：体积小、容量大、性能稳定、寿命长、绝缘电阻大、温度特性好，高频特性好。 造价高。重要作用是储能，滤波，耦合，一般使用于高端机器或者重要地方

电解电容一般在电路中用“TC”表示
2.2.2：实际应用举例：
在主板电路中常见的是储能，滤波两大特性
在电路+12V下有一个电解电容（TC28）和一个C466(陶瓷电容)并联，该电路正好说明了陶瓷电容在储能方面的不足，而电解电容又出现高频特性不好的情况。二者正好互补。在电路中有很多地方会有一个大电容和一个小电容并联的情况。

该电路中TC22是一个典型的储能原器件，其工作原理是：该IC是一个比较器，当pin10高于等于pin11时，pin8为高电平，Q15导通，给TC21充电，当pin10低于pin9时，pin8为低电平，Q15直截，TC21放电。VCC2.5A完全是TC22放电产生的。

第三章：电感
概述：
电感是导线内通过交流电流时，在导线的内部及其周围产生交变磁通，导线的磁通量与生产此磁通的电流之比
电感的作用主要是：滤波、振荡、延迟、储能，陷波。形象可以概括为“通直流，隔交流”。
3.1：常用的电感
由于电感种类繁多，现将主板中常见的电感描述一下，有利于在分析主板能迅速找到相关器件：
1:贴片叠层电感：
电感量：10NH～1MH
尺寸： 0402 0603 0805 1008 1206 1210
1812 1008=2.5mm*2.0mm 1210=3.2mm*2.5mm
2.功率电感
电感量：1NH～20MH
尺寸：SMD43,SMD54,SMD73、SMD75、SMD104、SMD105；
RH73/RH74/RH104R/RH105R/RH124；CD43/54/73/75/104/105；

3.片状磁珠：
种类：CBG（普通型） 阻抗：5Ω～3KΩ/CBH（大电流） 阻抗：30Ω～120Ω/CBY（尖峰型） 阻抗：5Ω～2KΩ
规格：0402/0603/0805/1206/1210/1806（贴片磁珠）
规格：SMB302520/SMB403025/SMB853025（贴片大电流磁珠）
4.空气芯电感：

3.2:电感的作用
上文提到了电感主要有4个主要的功能，在主板线路中滤波，震荡，延迟三个功能，本节主要介绍三个方面的功能。
3.2.1:电感的滤波作用：
电感工作的原理：
当电感中通过交变电流时，电感两端便产生出一反电势阻碍电流的变化：当电流增大时，反电势会阻碍电流的增大，并将一部分能量以磁场能量储存起来；当电流减小时，反电势会阻碍电流的减小，电感释放出储存的能量。这就大大减小了输出电流的变化，使其变得平滑，达到了滤波目的。

用图说明实现的原理：
该图表示：由于电感的特殊属性，当电流减小时，阻止减少，上升时，阻止上升，从而达到滤掉尖峰电流，达到平稳的目的。

实战案例：

该图中电感主要是两个作用：储能和滤波
滤波实现原理：L14 pin2端是一个不规则的锯齿波（理想方波），利用电感工作的原理，很容易理解该处的滤波功能
储能实现原理：当上下桥切换的时候，有一个很短的切换时间，此时为了维持VCC5M，电感放电。其实该处也是利用了电感的工作原理。

3.2.2：震荡电路：
通常使用的震荡电路是LC震荡电路：其效果是输出波形效果更好，更为平滑
3.2.3:延时
电感延时也是用到电感的工作原理来实现的，当电流上升时，电感有一个反向电流的作用，从而实现了延时的作用

点评：综合上面几个电路图的分析可以发现电感的原理几乎解释所有的电感在电路中的作用。了解基本原器件的作用很重要。

第四章：二极管
概述：
二极管按照制造材料分为硅二极管和锗二极管。
管子的结构来分有：点接触型二极管和面接触型二极管
二极管的逻辑逻辑符号为：通常用字母D表示：
电路中常用到的二极管有普通二极管，稳压管，发光二极管，也是本章主要介绍的内容。
4.1普通二极管
4.1.1：二极管的特性：
正向特性：
当正向电压低于某一数值时，正向电流很小，只有当正向电压高于某一值时，二极管才有明显的正向电流，这个电压被称为导通电压。我们又称它为门限电压或死区电压，一般用UON表示，在室温下，硅管的UON约为0.6----0.8V，锗管的UON约为0.1--0.3v，我们一般认为当正向电压大于UON时，二极管才导通。否则截止。
反向特性：
二极管的反向电压一定时，反向电流很小，而且变化不大（反向饱和电流），但反向电压大于某一数值时，反向电流急剧变大，产生击穿。
温度特性：
二极管对温度很敏感，在 室温附近，温度每升高1度，正向压将减小2--2.5mV，温度每升高10度，反向电流约增加一倍。

4.1.2：二极管的作用：
利用二极管的单向导电性，主要有以下作用：整流，开关，限幅，低电压稳压电路，二极管门电路。在主板的电路中常用到整流，开关，二极管门电路。下面着重介绍这三个作用：

二极管门电路的实现：
该电路指在说明，VORE_ON成立的条件是VCPU_CORE_ON and SHUTDOWN2#，要保持高电平，该作用是典型的二极管单向导电性的作用，R551将D55 pin3（VCORE_ON）的电位保持在高电平，一旦VCPU_CORE_ON and SHUTDOWN2#任何一个变低电平后，VCORE_ON立即变成低电平

二极管ESD电路的实现：

该处二极管的具体作用防止ESD：具体解释为：当D1 Pin3为高电压， 该二极管导通，使pin3电压被拉为CRT_VCC,当D1 PIN3为负高压时， 该二极管导通，将pin3电压拉到0V，从而做到ESD保护作用
同时，电路图中D16还取到一个power的延时作用。

二极管的开关功能实现：
该电路实现的是侦测风扇的转速，众所周知，风扇转速的计算是靠super IO 或者KBC来记数的，采用的是2进制记数方式（0/1），当CPU_FAN pin3为地电平时，二极管导通，此时计数器记数为0，当CPU_FAN pin3为高电平时，，此时二极管关断，记数器为1。

整流电路的功能实现：
若v2处于正半周，二极管D1、D3导通，当负半周时，D2，D4导通，显然也是利用了二极管的单向导电性

点评：二极管在电路中的功能始终是利用其正向导通的特性不断变换，只要抓住这个特性，其在电路中的解释就迎刃而解，同时也要懂得该电路在实际中的应用。
4.2：特殊二极管
概述：特殊二极管主要有稳压管（齐纳二极管），变容二极管，光电子器件（发光二极管，光电二极管，激光二极管），在主板电路中经常使用的是稳压管和发光二极管，也是本节介绍的重点内容。
4.2.1：稳压二极管
4.2.1.1：稳压二极管：是利用特殊工艺制造的面结型硅半导体二极管，在电路中常用“ZD”加数字表示。
4.2.1.2：稳压二极管的原理：
稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。
该图片可以通俗的解释为：当电流I突然增加时，△Vz变化很小。
稳压二极管的作用是相当于钳制住负载两端的电压保持不变。
4.2.2：发光二极管
发光二极管原理很简单，当二极管中有一定的电流流过时，发光二极管灯亮

二极管的正极接5V，当CAP_LED#, NUM_LED#, MEDIA_LED#为地电平时，LED亮，其中的三个电阻为限制电流作用，因为二极管导通后阻抗很小，如不安装电阻，LED灯温度很高

第五章：三极管
概述：
三极管按结构通常可以分为两种三极管，即PNP，NPN两种形式
5.1：三极管的结构及类型

(1)是NPN结构 （2）是PNP结构
三极管的常用Q表示，电路图中3个脚的原器件不一定是三极管，特别是由2个二极管组成的器件。

5.2：三极管的常用特性：
三极管在电路中的主要作用是：开关，放大，缩小信号作用。在电脑主板电路中经常使用的是三极管的特性是开关特性，也是本节重点介绍的特性
5.2.1：三极管导通原理：
下面是NPN三极管可以分为：（1）：共基极，（2）：共发射极，（3）：共集电极

NPN三极管导通的原理很简单，单纯对看电路来说：我们只需要知道UBE>0.7V,该三极管导通，即在实际电路中当b点电压高于e点0.7V时，三极管导通，电流方向为Ice
PNP类三极管可以分为：（1）：共基极，（2）：共发射极，（3）：共集电极
PNP三极管导通的原理很简单，单纯对看电路来说：我们只需要知道UBE<0.7V,该三极管导通，即在实际电路中当b点电压低于e点0.7V时，三极管导通。电流方向为Iec

5.2.2:三极管的放大特性：
我们知道，把两个二极管背靠背的连在一起，是没有放大作用的，要想使它具有放大作用，必须做到一下几点：
1. 发射区中掺杂
2. 基区必须很薄
3. 集电极的面积很大
4. 工作时，发射结正向偏置，集电结反向偏置

5.3：案例实战

上图是一个典型的多个三极管组成的集成电路，当BATMON_En输入为↑时，Q37作为（NPN）导通，即D6 pin3↓，即D36 pin1 and pin2都为↓，由于Q38，Q7均是PNP 三极管，当D6 PIN1 AND PIN2 都为↓，两个三极管导通，从而得到M_BATVOLT and S_BATVOLT为高电平

点评：从上面的电路图中我们可以得到启发，电路图中向外箭头的并不一定是输出信号，一定要根据实际情况，D6是一个由2个二极管组成的3脚零件，利用了二极管的单向导电性，pin1 and pin2始终和3点电位保持一致。

第六章：场效应管
概述：
场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管），在主板电路中我们常见的场效应管为MOS管，本章着重介绍MOS管的应用。
场效应管相比较前面提到的三极管相比具有以下特点：
（1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID；
（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很高；
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强。
6.1:MOS管部分
概述：
主板电路中常见的MOS管可以概述为两类MOS管，P—MOS 和N—MOS。

6.1.1:P—MOS:
PMOS根据又可以分作3pin的MOS和8pin的MOS，但是工作原理是一致的
MOS管的原理很简单，主要是在电路中的应用显得很重要，常见的作用主要是开关作用。

我们从图中可以看到：
对于增强型来说，只有当Ugs<Ut时，Id才有电流。
对于耗尽型来说，只有当Ugs<Up时，Id才有电流。
对我们分析电路来说，Ugs<U(导通电压)，MOS导通。没有必要记许多复杂的概念和知识。

6.1.2:N-MOS:
N-MOS根据又可以分作3pin的MOS和8pin的MOS，但是工作原理是一致的

我们从图中可以看到：
对于增强型来说，只有当Ugs>Ut时，Id才有电流。
对于耗尽型来说，只有当Ugs>Up时，Id才有电流。
对我们分析电路来说，Ugs>U(导通电压)，MOS导通。没有必要记许多复杂的概念和知识。

6.1.3:MOS实战案例：

该电路是P-MOS，N-MOS，三极管的综合电路
从该电路中我们可以看出是一个产生VDIMM电压的电路
分析之前请预先知：DUALSW是S0 power,-susc_S5是代表低电平有效
当开机后：
DUALSW↑，此时Q36由于S点电压低于G点电压，Q36是N-MOS，该MOS导通，产生了VIDIMM，由于-SUSC_S5是低电平有效，可以肯定的是-SUSC_S5在开机时高电平，Q33 B点和E点都是↑，Q33截止。而此时Q32的G点电压也为↑，Q32是P-MOS，该MOS是截止的。===从而可以知道在这个电路中开机后只有一个MOS来产生VDIMM

那么Q32是否显得多余？请看下面分析：
众所周知：S3时将数据暂存在memory里，当系统在S3时，DUALSW↓，-SUSC_S5V↑，
Q33截止，而此时Q32 G点↓，Q32为P-MOS，该MOS导通，产生VIDIMM。

由此可见，此处利用双MOS来产生VIDIMM是完全有必要的，也是很合理的

点评：MOS的原理很好实现，关键的是相关信号在什么状态下是high是low,相关信号的意义

6.2:JFET部分：
结型场效应管可以分作结构型N沟道和结型P沟道

2.结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)
在D、S间加上电压UDS，则源极和漏极之间形成电流ID，我们通过改变栅极和源极的反向电压UGS，就可以改变两个PN结阻挡层的（耗尽层）的宽度，这样就改变了沟道电阻，因此就改变了漏极电流ID。