共發射極放大電路實驗

⑴ 急需單管共發射極放大電路的動態測量值表格數據

一．實驗目的 1．對晶體三極體(3DG6、9013)、場效應管（3DJ6G）進行實物識別，了解它們的命名方法和主要技術指標。 2．學慣用數字萬用表、模擬萬用表對三極體進行測試的方法。 3．用圖3-10提供的電路，對三極體的β值進行測試。 4．學習共射、共集電極（*）、共基極放大電路靜態工作點的測量與調整，以及參數選取方法，研究靜態工作點對放大電路動態性能的影響。 5．學習放大電路動態參數（電壓放大倍數、輸入電阻、輸出電阻、最大不失真輸出電壓）的測量方法。 6. 調節CE電路相關參數，用示波器觀測輸出波形，對飽和失真和截止失真的情況進行研究。 7．用Multisim軟體完成對共射極、共集電極、共基極放大電路性能的分析，學習放大電路靜態工作點的測試及調整方法，觀察測定電路參數變化對放大電路的靜態工作點、電壓放大倍數及輸出電壓波形的影響。加深對共射極、共集電極、共基極基本放大電路放大特性的理解。 二．知識要點 1．半導體三極體 半導體三極體是組成放大電路的核心器件，是集成電路的組成元件，在電路中主要用於電流放大、開關控制或與其他元器件組成特殊電路等。 半導體三極體的種類較多，按製造材料不同有硅管、鍺管、砷化鎵管、磷化鎵管等；...

⑵ 共射共集放大電路實驗的這兩個思考題怎麼答

1.Ro=[（Vo-VoL）*RL]/VoL是根據VoL=【RL/（Ro+RL）】Vo推導出來的，與RL的大小沒有關系。
2.射極輸出器除了隔離，電流放大外，還有個類似變壓器阻抗變換的作用，在輸出端接個小電阻，從輸入端看，則是很大的電阻。這樣相對於前級共發射極放大電路來說，負載電阻增大了，自然它的增益就高了，輸出電壓就高了。

⑶ 晶體管共射極單管放大器實驗的結論是什麼

基極電流和集電極電流之和等於發射極電流；基極電流和發射極電流有一定的正比關系，也就是二者的電流大小的比值在一定范圍內不變，也就是基極小的電流變化，在發射極就能有大的電流變化。

基極開路時，Iceo非常小，這個值越小越好。要使晶體管能夠處於放大狀態，必須是發射結正偏，集電結反偏。

由於其響應速度快，准確性高，晶體管可用於各種各樣的數字和模擬功能，包括放大，開關，穩壓，信號調制和振盪器。晶體管可獨立包裝或在一個非常小的的區域，可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分。

(3)共發射極放大電路實驗擴展閱讀：

改變外加垂直於半導體表面上電場的方向或大小，以控制半導體導電層（溝道）中多數載流子的密度或類型。它是由電壓調制溝道中的電流，其工作電流是由半導體中的多數載流子輸運。這類只有一種極性載流子參加導電的晶體管又稱單極型晶體管。

與雙極型晶體管相比，場效應晶體管具有輸入阻抗高、雜訊小、極限頻率高、功耗小，製造工藝簡單、溫度特性好等特點，廣泛應用於各種放大電路、數字電路和微波電路等。

以硅材料為基礎的金屬0-氧化物-半導體場效應管（MOSFET)和以砷化鎵材料為基礎的肖特基勢壘柵場效應管（MESFET ）是兩種最重要的場效應晶體管，分別為MOS大規模集成電路和MES超高速集成電路的基礎器件。

⑷ 共發射極單管放大電路參數測試模擬實驗，截止失真和飽和失真的波形有何不同

共發射極單管放大電路參數測試模擬實驗，截止失真和飽和失真的波形不同是：靜態工作點Q較高時，輸出易進入飽和區，輸出波形將出現下削波；Q點設置較低時，輸出又易進截止區，輸出波形則出現上削頂。顯然無論是上削頂還是下削頂，都造成了輸出波形的失真，為消除這些失真，應將Q點下移或上移。上、下削波同時出現時，說明靜態工作點設置的比較合理，只是輸入信號太強不能完全通過，應減小輸入信號。
放大電路（amplification circuit）能夠將一個微弱的交流小信號（疊加在直流工作點上），通過一個裝置（核心為三極體、場效應管），得到一個波形相似（不失真），但幅值卻大很多的交流大信號的輸出。實際的放大電路通常是由信號源、晶體三極體構成的放大器及負載組成。

⑸ 模擬電路實驗（晶體管共射極單管放大器）

1.因為晶體管共發射極放大電路屬於音頻放大電路，或者叫做低頻放大電路，這種電路的內頻率特性是對容於50HZ-20000HZ之間的頻率信號有正常的放大作用。在這個頻帶以外的頻率不能正常放大。或者失去放大作用。1KHZ是音頻的中間頻率，用這個頻率的信號既代表了信號的主要特點有能使放大器工作在正常范圍。
信號大小的選擇：在幾十毫伏--100毫伏之間。
2.單級放大器的放大倍數通常在幾倍到幾十倍之間，因為三極體的電流放大系數通常在幾十倍，所以不可能達到10000倍。出現幾倍的情況也屬於正常，因為三極體的β低。