管壓降電路

臨界飽和，如同一道微妙的門檻，當發射結正向偏置，集電結恰好開始反偏時，此時的電壓關系是U_be=0.7V，U_cb=0，U_ce=0.7V，這個點我們稱之為臨界飽和電壓，是三極體工作的一個重要轉折點。

然而，當三極體進入深度飽和狀態，情況有所不同。發射結保持正偏，集電結不再是僅僅反偏，而是同樣呈現出正向偏置。這時，U_ce不再為零，而是固定在大約0.3V左右，這個值就是我們所說的飽和管壓降。值得注意的是，硅管的飽和管壓降通常為0.3V，而鍺管則更低，約為0.1V，這是它們材料特性決定的測量結果，無需深入理論分析。